JPS63142204A - パタ−ン線長測定装置 - Google Patents
パタ−ン線長測定装置Info
- Publication number
- JPS63142204A JPS63142204A JP28896586A JP28896586A JPS63142204A JP S63142204 A JPS63142204 A JP S63142204A JP 28896586 A JP28896586 A JP 28896586A JP 28896586 A JP28896586 A JP 28896586A JP S63142204 A JPS63142204 A JP S63142204A
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- Japan
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- measuring device
- pattern
- probe
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- scattering coefficient
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- Granted
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁性基板などに形成した回路パターンのパ
ターン線長を測定するパターン線長測定装置に関する。
ターン線長を測定するパターン線長測定装置に関する。
半導体技術の進展と相俟って、電気通信や情報処理など
に利用される各種装置は小型化や軽量化が図られ、その
製作工程も自動化が進められている。とくに、能動素子
や受動素子あるいは集積口路中個別部品などを相互に結
線する技術として、絶縁性基板に回路パターンを形成す
るものが多用されている。たとえば、半導体集積回路に
あっては、アルミ蒸着による配線が行われていた。とこ
では、半導体基板上く形成されたトランジスタや抵抗な
どの素子をアルi線によシ結線している。
に利用される各種装置は小型化や軽量化が図られ、その
製作工程も自動化が進められている。とくに、能動素子
や受動素子あるいは集積口路中個別部品などを相互に結
線する技術として、絶縁性基板に回路パターンを形成す
るものが多用されている。たとえば、半導体集積回路に
あっては、アルミ蒸着による配線が行われていた。とこ
では、半導体基板上く形成されたトランジスタや抵抗な
どの素子をアルi線によシ結線している。
しかし、半導体基板上には素子の製作過程で絶縁膜また
は配線金属に凹凸が生じ、これらの表面にはさらに金属
または絶縁膜の形成を行う際、この凹凸の部分によシ、
膜厚の不均一や不連続を生じてしまう。MO8ICでは
、フィールド絶縁膜とゲート絶縁膜との間に大きな段差
が生じるので、この傾向が強い。
は配線金属に凹凸が生じ、これらの表面にはさらに金属
または絶縁膜の形成を行う際、この凹凸の部分によシ、
膜厚の不均一や不連続を生じてしまう。MO8ICでは
、フィールド絶縁膜とゲート絶縁膜との間に大きな段差
が生じるので、この傾向が強い。
また、印刷配線基板にあっては、銅箔をエツチングする
ことによって配線が行われるものがある。
ことによって配線が行われるものがある。
ここでは、半導体集積回路やコンデンサなどが細長い銅
箔によシ結線されている。しかし、絶縁性基板上の銅箔
がホトエツチングなどによシ回路を形成されるとき、マ
スクと絶縁性基板との密着性やエツチング時間の管理な
どによシ、銅箔に短絡箇所あるいは切断箇所が生じてし
まう。ディジタル回路では、集積回路の高密度搭載に伴
ない、その端子間に数本の配線をしなければならず、こ
の傾向が強い。
箔によシ結線されている。しかし、絶縁性基板上の銅箔
がホトエツチングなどによシ回路を形成されるとき、マ
スクと絶縁性基板との密着性やエツチング時間の管理な
どによシ、銅箔に短絡箇所あるいは切断箇所が生じてし
まう。ディジタル回路では、集積回路の高密度搭載に伴
ない、その端子間に数本の配線をしなければならず、こ
の傾向が強い。
そζで、これら基板上の配線つib回路パターンのパタ
ーン線長をチェックすることが行われている。す衣わち
、この種のパターン線長は、被測定基板の外部に対向し
て用意した電極と測定しようとする回路パターンを電極
とし、この両者の電極間の静電容量を測定して回路パタ
ーンの有する面積を算出し、そしてパターン線長を算出
することによ)得ていた。
ーン線長をチェックすることが行われている。す衣わち
、この種のパターン線長は、被測定基板の外部に対向し
て用意した電極と測定しようとする回路パターンを電極
とし、この両者の電極間の静電容量を測定して回路パタ
ーンの有する面積を算出し、そしてパターン線長を算出
することによ)得ていた。
しかしながら、従来性われていたこのようなパターン線
長測定においては、回路パターンの幅および長さによっ
て決まる面積という形でその線長を認識している。した
がって、回路パターンの短絡あるいは断線の有無を判定
する場合、その短絡あるいは断線の存在する箇所によシ
、その正確度が劣化し、とくに長いパターンに対して比
較的微小な部分の欠陥が存在するとき、判定が困難にな
るという欠点があった。
長測定においては、回路パターンの幅および長さによっ
て決まる面積という形でその線長を認識している。した
がって、回路パターンの短絡あるいは断線の有無を判定
する場合、その短絡あるいは断線の存在する箇所によシ
、その正確度が劣化し、とくに長いパターンに対して比
較的微小な部分の欠陥が存在するとき、判定が困難にな
るという欠点があった。
本発明は、被測定パターンが形成された被試験回路基板
と、該被試験回路基板を所定位置に移動する移動手段と
、該被測定パターンの所定箇所に接触して電気信号の授
受を行うプローブと、該プローブに接続され、該被測定
パターンに対する入射電力及び反射電力の係数を測定す
る散乱係数測定器と、該散乱係数測定器に信号を供給す
る広範囲の高周波数が発振可能な掃引信号発生器と、該
散乱係数測定器から得られた信号変化を一時記憶する一
時記憶回路と、該一時記憶回路の信号変化を記憶する外
部記憶装置と、該移動手段、プローブ、散乱係数測定器
、掃引信号発生器、一時記憶回路、外部記憶装置を統合
し制御する中央処理装置とから構成される。
と、該被試験回路基板を所定位置に移動する移動手段と
、該被測定パターンの所定箇所に接触して電気信号の授
受を行うプローブと、該プローブに接続され、該被測定
パターンに対する入射電力及び反射電力の係数を測定す
る散乱係数測定器と、該散乱係数測定器に信号を供給す
る広範囲の高周波数が発振可能な掃引信号発生器と、該
散乱係数測定器から得られた信号変化を一時記憶する一
時記憶回路と、該一時記憶回路の信号変化を記憶する外
部記憶装置と、該移動手段、プローブ、散乱係数測定器
、掃引信号発生器、一時記憶回路、外部記憶装置を統合
し制御する中央処理装置とから構成される。
本発明はこのように構成されているので、被試験回路基
板を所定の位置に移動して被測定パターンがプローブに
接触するように制御し、掃引信号発生器から高周波電力
を発生して散乱係数測定器に供給する。プローブを通じ
て印加されたこの高周波電力に対し入射電力及び反射電
力の係数変化を測定することになシ、この変化を逐次記
憶し、あらかじめ別に記憶されていたデータと比較する
ことによシバターン線長の良否を判定する。
板を所定の位置に移動して被測定パターンがプローブに
接触するように制御し、掃引信号発生器から高周波電力
を発生して散乱係数測定器に供給する。プローブを通じ
て印加されたこの高周波電力に対し入射電力及び反射電
力の係数変化を測定することになシ、この変化を逐次記
憶し、あらかじめ別に記憶されていたデータと比較する
ことによシバターン線長の良否を判定する。
本発明の実施例につき図面を参照して説明する。
図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
広範囲の高周波数を発振する掃引信号発生器1には散乱
係数測定器2が接続されているので、この測定端となっ
ているプローブ3によシ、高周波電力が被試験回路基板
4に対して授受される。散乱係数測定器2にて得られた
散乱係数の変化は一時記憶回路5にて一時的に記憶され
、逐次、中央処理装置6を介して外部記憶装置7に記憶
される。
係数測定器2が接続されているので、この測定端となっ
ているプローブ3によシ、高周波電力が被試験回路基板
4に対して授受される。散乱係数測定器2にて得られた
散乱係数の変化は一時記憶回路5にて一時的に記憶され
、逐次、中央処理装置6を介して外部記憶装置7に記憶
される。
中央処理装置6は、また、制御回路8を介して被試験回
路基板4が搭載されたテーブル9をプローブ4の位置に
逐次移動させる。なお、外部記憶装置7には、所定のパ
ターン線長に対する比較用データがあらかじめ記憶され
ている。
路基板4が搭載されたテーブル9をプローブ4の位置に
逐次移動させる。なお、外部記憶装置7には、所定のパ
ターン線長に対する比較用データがあらかじめ記憶され
ている。
このように構成された一実施例についてその動作を説明
する。中央処理装置6の指令によシ、制御回路8を介し
てテーブル9を移動させ、このテーブル9に搭載した被
試験回路基板4の被測定パターンをその一端がプローブ
3と接触する位置で対向させ、プローブ3を被試験回路
基板4の被測定パターンに接触させる。掃引信号発生器
1によシ発生した高周波電力を、散乱係数測定器2のプ
ローブ3によシ、被試験回路基板4の被測定パターンに
印加する。掃引信号発生器10周波数を変化させ、各周
波数における入射電力及び反射電力の係数変化をこの散
乱係数測定器2によシ測定し、得られた結果を一時記憶
回路5に記憶させる。所定の結果が得られた時点で、そ
の結果を外部記憶装置7に転送し、データとして保存す
る。被試験回路基板4の他の被測定パターンについても
、同様にしてテーブルを移動させ、逐次、測定の結果を
外部記憶装置Tに記憶していく。さて、中央処理装置6
には、これら一連の作業の制御および外部記憶装置7の
制御およびあらかじめ欠陥の々い完全品を用いて観測し
たデータを期待値として保存するか、あるいは、回路パ
ターンおよび回路基板素材の物理的形状・性質を基礎に
して算出した情報を期待値として保存しておく。したが
って、外部記憶装置Tに記憶されている被試験回路基板
4の測定結果を別に記憶したこのデータと中央処理装置
6にて比較することによシ、パターン線長の良否を判定
する。
する。中央処理装置6の指令によシ、制御回路8を介し
てテーブル9を移動させ、このテーブル9に搭載した被
試験回路基板4の被測定パターンをその一端がプローブ
3と接触する位置で対向させ、プローブ3を被試験回路
基板4の被測定パターンに接触させる。掃引信号発生器
1によシ発生した高周波電力を、散乱係数測定器2のプ
ローブ3によシ、被試験回路基板4の被測定パターンに
印加する。掃引信号発生器10周波数を変化させ、各周
波数における入射電力及び反射電力の係数変化をこの散
乱係数測定器2によシ測定し、得られた結果を一時記憶
回路5に記憶させる。所定の結果が得られた時点で、そ
の結果を外部記憶装置7に転送し、データとして保存す
る。被試験回路基板4の他の被測定パターンについても
、同様にしてテーブルを移動させ、逐次、測定の結果を
外部記憶装置Tに記憶していく。さて、中央処理装置6
には、これら一連の作業の制御および外部記憶装置7の
制御およびあらかじめ欠陥の々い完全品を用いて観測し
たデータを期待値として保存するか、あるいは、回路パ
ターンおよび回路基板素材の物理的形状・性質を基礎に
して算出した情報を期待値として保存しておく。したが
って、外部記憶装置Tに記憶されている被試験回路基板
4の測定結果を別に記憶したこのデータと中央処理装置
6にて比較することによシ、パターン線長の良否を判定
する。
本発明は、広範囲の高周波数を発生させ、測定したい回
路パターンに印加することによシ、回路パターンの物理
的形状を超高周波領域における電気的な特性に置き換え
、散乱係数の測定という形で認識し、微小な欠陥につい
ても高精度にて測定することができる。
路パターンに印加することによシ、回路パターンの物理
的形状を超高周波領域における電気的な特性に置き換え
、散乱係数の測定という形で認識し、微小な欠陥につい
ても高精度にて測定することができる。
図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
1・・・・掃引信号発生器、2・・・・散乱係数測定器
、3・・・・プローブ、4・・・・ME験回路基板、5
・・・・一時記憶回路、6・・・・中央処理装置、T・
・・・外部記憶装置、8・・・・制御回路、9・・・・
テーブル。
、3・・・・プローブ、4・・・・ME験回路基板、5
・・・・一時記憶回路、6・・・・中央処理装置、T・
・・・外部記憶装置、8・・・・制御回路、9・・・・
テーブル。
Claims (2)
- (1)被測定パターンが形成された被試験回路基板と、
該被試験回路基板を所定位置に移動する移動手段と、該
被測定パターンの所定箇所に接触して電気信号の授受を
行うプローブと、該プローブに接続され該被測定パター
ンに対する入射電力及び反射電力の係数を測定する散乱
係数測定器と、該散乱係数測定器に信号を供給する広範
囲の高周波数が発生可能な掃引信号発生器と、該散乱係
数測定器から得られた信号変化を一時記憶する一時記憶
回路と、該一時記憶回路の信号変化を記憶する外部記憶
装置と、該移動手段、プローブ、散乱係数測定器、掃引
信号発生器、一時記憶回路、外部記憶装置を統合し制御
する中央処理装置とからなることを特徴とするパターン
線長測定装置。 - (2)移動手段は、該被測定パターンの測定点を該プロ
ーブの位置まで移動させて接触させる可動機構が設けら
れたテーブルと該テーブルの移動を該中央処理装置の信
号に基いて制御する制御回路とを含む特許請求の範囲第
1項記載のパターン線長測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28896586A JPS63142204A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | パタ−ン線長測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28896586A JPS63142204A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | パタ−ン線長測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63142204A true JPS63142204A (ja) | 1988-06-14 |
JPH0584844B2 JPH0584844B2 (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=17737091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28896586A Granted JPS63142204A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | パタ−ン線長測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63142204A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102331230A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-01-25 | 唐臻宇 | 一种长度或角度测量装置及其电路结构 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5935875U (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-06 | 三菱重工業株式会社 | 電線短絡検出装置 |
JPS59184866A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-20 | General Res Obu Erekutoronitsukusu:Kk | シヨ−ト回路決定方式 |
JPS60253882A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | Fujitsu Ltd | 短絡個所検出器 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP28896586A patent/JPS63142204A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5935875U (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-06 | 三菱重工業株式会社 | 電線短絡検出装置 |
JPS59184866A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-20 | General Res Obu Erekutoronitsukusu:Kk | シヨ−ト回路決定方式 |
JPS60253882A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | Fujitsu Ltd | 短絡個所検出器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102331230A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-01-25 | 唐臻宇 | 一种长度或角度测量装置及其电路结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0584844B2 (ja) | 1993-12-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |