JPS63136624A - 荷電ビ−ム描画方法 - Google Patents
荷電ビ−ム描画方法Info
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- JPS63136624A JPS63136624A JP28337786A JP28337786A JPS63136624A JP S63136624 A JPS63136624 A JP S63136624A JP 28337786 A JP28337786 A JP 28337786A JP 28337786 A JP28337786 A JP 28337786A JP S63136624 A JPS63136624 A JP S63136624A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はスループットを向上させる荷電ビーム描画方法
に関する。
に関する。
［従来の技術］
電子ビーム描画装置やイオンビーム描画装置等の荷電ビ
ーム描画装置はサブミクロン単位の非常に小さな線を描
く事が出来る事から、半導体素子を超高密度化出来、そ
の為、この様な荷電ビーム描画装置はＬＳＩ素子や超Ｌ
ＳＩ素子等の半導体素子の製作機として注目を浴びてい
る。
ーム描画装置はサブミクロン単位の非常に小さな線を描
く事が出来る事から、半導体素子を超高密度化出来、そ
の為、この様な荷電ビーム描画装置はＬＳＩ素子や超Ｌ
ＳＩ素子等の半導体素子の製作機として注目を浴びてい
る。
所で、該荷電ビーム描画装置が実用機として更に望まれ
ている事は、１枚の材料当りの描画時間について今以上
に短縮化する事である。即ち、スループットを向上させ
る事である。
ている事は、１枚の材料当りの描画時間について今以上
に短縮化する事である。即ち、スループットを向上させ
る事である。
さて、この様なスルーブツトの向上の１つの対策として
、１枚の材料上にパターンを描画する動作に入ったら終
了する迄、ステージを連続的に移動させる連続移動方式
が採用されている。
、１枚の材料上にパターンを描画する動作に入ったら終
了する迄、ステージを連続的に移動させる連続移動方式
が採用されている。
このステージの連続移動方式は、高密度バターンを描画
する場合にはステージの移動と移動の間の停止時間が無
く、極めて有効である。一方、ビームの偏向丈でパター
ンが描ける領域（フィールドと称す）毎に断続的にステ
ージを移動させるステップアンドリピート移動方式では
、ステージの移動時間がロスタイムとなる。
する場合にはステージの移動と移動の間の停止時間が無
く、極めて有効である。一方、ビームの偏向丈でパター
ンが描ける領域（フィールドと称す）毎に断続的にステ
ージを移動させるステップアンドリピート移動方式では
、ステージの移動時間がロスタイムとなる。
しかし乍ら、連続移動方式では、材料上に塗布されたレ
ジストの感度が低い場合や低密度パターンを描画する場
合は、描画精度、即ち、ビームで材料上にショットして
いる間にステージが進む事によって生じるパターンエツ
ジのボケの程度を成る範囲以下に抑える為に、ステージ
の移動速度を制限しなければならない。しかし、該制限
により、ステージが所定の位置に移動して来る迄、ショ
ットするのを待たせていなければならず（即ち、最大の
ショットサイクルで描画出来なくなり）、その為、ロス
タイムが発生しくこのロスタイムをショット持ちのロス
タイムと称す）、スループットが可成低下してしまう。
ジストの感度が低い場合や低密度パターンを描画する場
合は、描画精度、即ち、ビームで材料上にショットして
いる間にステージが進む事によって生じるパターンエツ
ジのボケの程度を成る範囲以下に抑える為に、ステージ
の移動速度を制限しなければならない。しかし、該制限
により、ステージが所定の位置に移動して来る迄、ショ
ットするのを待たせていなければならず（即ち、最大の
ショットサイクルで描画出来なくなり）、その為、ロス
タイムが発生しくこのロスタイムをショット持ちのロス
タイムと称す）、スループットが可成低下してしまう。
本発明はこの様な問題を解決する事を目的としたもので
ある。
ある。
［問題点を解決するための手段］
そこで、本発明の荷電ビーム描画方法は、Ｔｃをステー
ジを連続移動させた場合の描画時間、Ｔｓｒをステージ
をステップアンドリピート移動させた場合の描画時間、
Ａｃを材料中のパターンが描画される全チップ面積、Ｌ
をビームの最大振り幅、Ｓをレジスト感度、■をビーム
電流密度、Ｎｓを総ショット数、ｙｓｒをステップアン
ドリピート移動によるステージの速度、Ｎｆをステップ
アンドリピート移動によるステージの移動回数とした時
、制御装置により、Ｔｃ及びＴｓｒをパターン描画前に
、次の各式により見積り、該見積り時間の短いステージ
移動によりパターンを描画する様にした。
ジを連続移動させた場合の描画時間、Ｔｓｒをステージ
をステップアンドリピート移動させた場合の描画時間、
Ａｃを材料中のパターンが描画される全チップ面積、Ｌ
をビームの最大振り幅、Ｓをレジスト感度、■をビーム
電流密度、Ｎｓを総ショット数、ｙｓｒをステップアン
ドリピート移動によるステージの速度、Ｎｆをステップ
アンドリピート移動によるステージの移動回数とした時
、制御装置により、Ｔｃ及びＴｓｒをパターン描画前に
、次の各式により見積り、該見積り時間の短いステージ
移動によりパターンを描画する様にした。
Ｔｃ−Ａｃ−８／Ｑ −Ｌ・Ｉ（但し、Ｑは１ショット
している間にステージが進む事により発生するパターン
エツジ部のボケの許容値）Ｔｓｒ−５−Ｎｓ／Ｉ＋Ｖｓ
ｒ−Ｎｆ ［作用］ パターン描画前に、Ｔｃをステージを連続移動させた場
合の描画時間、Ｔｓｒをステージをステップアンドリピ
ート移動させた場合の描画時間、Ａｃを材料中のパター
ンが描画される全チップ面積、Ｌをビームの最大振り幅
、Ｓをレジスト感度、■をビーム電流密度、Ｎｓを総シ
ョット数、Ｖｓｒをステップアンドリピート移動による
ステージの速度、Ｎｆをステップアンドリピート移動に
よるステージの移動回数とした時、Ｔｃ及びＴｓｒを次
の各式により見積る。
している間にステージが進む事により発生するパターン
エツジ部のボケの許容値）Ｔｓｒ−５−Ｎｓ／Ｉ＋Ｖｓ
ｒ−Ｎｆ ［作用］ パターン描画前に、Ｔｃをステージを連続移動させた場
合の描画時間、Ｔｓｒをステージをステップアンドリピ
ート移動させた場合の描画時間、Ａｃを材料中のパター
ンが描画される全チップ面積、Ｌをビームの最大振り幅
、Ｓをレジスト感度、■をビーム電流密度、Ｎｓを総シ
ョット数、Ｖｓｒをステップアンドリピート移動による
ステージの速度、Ｎｆをステップアンドリピート移動に
よるステージの移動回数とした時、Ｔｃ及びＴｓｒを次
の各式により見積る。
Ｔｃ−Ａｃ・Ｓ／Ｑ・Ｌ・■（但し、Ｑは１ショットし
ている間にステージが進む事により発生するパターンエ
ツジ部のボケの許容値で、例えば０．０２μｍである） Ｔｓｒ−３−Ｎｓ／Ｉ＋Ｖｓｒ−Ｎｆ 該見積りにより、Ｔｃ＜Ｔｓｒなら、ステージを連続移
動させた方がスループット上で有利なので、連続移動モ
ードを選択し、Ｔｃ＞Ｔｓｒなら、ステージをステップ
アンドリピート移動させた方がスルーブツト上で有利な
ので、ステップアンドリピート移動モードを選択する。
ている間にステージが進む事により発生するパターンエ
ツジ部のボケの許容値で、例えば０．０２μｍである） Ｔｓｒ−３−Ｎｓ／Ｉ＋Ｖｓｒ−Ｎｆ 該見積りにより、Ｔｃ＜Ｔｓｒなら、ステージを連続移
動させた方がスループット上で有利なので、連続移動モ
ードを選択し、Ｔｃ＞Ｔｓｒなら、ステージをステップ
アンドリピート移動させた方がスルーブツト上で有利な
ので、ステップアンドリピート移動モードを選択する。
［実施例］
ステージを連続移動させる場合、ステージの移動速度Ｖ
ｔは次の三つの不等式で制限を受ける。
ｔは次の三つの不等式で制限を受ける。
Ｖｔ≦Ａｃ／Ｌ−Ｔｅ （但し、Ｔｅは１枚の材料の全
描画時間）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・（１）Ｖｔ≦０．０２Ｉ／Ｓ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・（２）Ｖｔ≦Ｖｍａｘ（但
し、Ｖｍａｘはステージの最大スピード）・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）上
式中、（１）式は、描画すべきパターンが材料上に全く
均等に配分されていると仮定した場合に、描画のロスタ
イムが無いと仮定して一様にパターンを描画出来るステ
ージ移動速度の制限式である。又、（２）式は、１ショ
ットしている間（Ｓ／ Ｉ ）にステージが進む事によ
り生じるパターンエツジ部のボケを０．０２μｍ以下と
設定した場合のステージ移動速度の制限式である。更に
、（３）式のＶｔは、ハード的なステージ移動速度の制
限式である。
描画時間）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・（１）Ｖｔ≦０．０２Ｉ／Ｓ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・（２）Ｖｔ≦Ｖｍａｘ（但
し、Ｖｍａｘはステージの最大スピード）・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）上
式中、（１）式は、描画すべきパターンが材料上に全く
均等に配分されていると仮定した場合に、描画のロスタ
イムが無いと仮定して一様にパターンを描画出来るステ
ージ移動速度の制限式である。又、（２）式は、１ショ
ットしている間（Ｓ／ Ｉ ）にステージが進む事によ
り生じるパターンエツジ部のボケを０．０２μｍ以下と
設定した場合のステージ移動速度の制限式である。更に
、（３）式のＶｔは、ハード的なステージ移動速度の制
限式である。
さて、第１図は、レジスト感度が例えば、５μＣ／ｃｍ
２ 、 １００μｃ／ｃｍ２ 、 ２００μｃ／Ｃ
ｍ２の夫々場合について、上記各式のステージ移動速度
Ｖｔを総ショット数Ｎｓの関数として示したグラフであ
る。尚、Ｃは電気固の単位であるクーロンである。
２ 、 １００μｃ／ｃｍ２ 、 ２００μｃ／Ｃ
ｍ２の夫々場合について、上記各式のステージ移動速度
Ｖｔを総ショット数Ｎｓの関数として示したグラフであ
る。尚、Ｃは電気固の単位であるクーロンである。
該第１図の例えば、レジスト感度２００μＣ／Ｃｍ２の
グラフを代表させて見ると、総ショット数Ｎｓが２Ｘ１
０８個位から上記（２）式の制限を受け、該個数以下か
らショット待ちのロスタイムが発生する。尚、総ショッ
ト数が２Ｘ１０”個以上では、（１）式の制限を受ける
が、該制限中にはショット待ちのロスタイムは全く無く
、この場合は、連続移動方式がステップアンドリピート
方式より全描画時間は小さい。又、グラフから明らかな
様に、Ｖｔの範囲が（２）式の方が狭いので、上記（３
）式からの制限は考える必要はない。
グラフを代表させて見ると、総ショット数Ｎｓが２Ｘ１
０８個位から上記（２）式の制限を受け、該個数以下か
らショット待ちのロスタイムが発生する。尚、総ショッ
ト数が２Ｘ１０”個以上では、（１）式の制限を受ける
が、該制限中にはショット待ちのロスタイムは全く無く
、この場合は、連続移動方式がステップアンドリピート
方式より全描画時間は小さい。又、グラフから明らかな
様に、Ｖｔの範囲が（２）式の方が狭いので、上記（３
）式からの制限は考える必要はない。
従って、上記（２）式で制限を受ける場合について、総
ショット数Ｎｓが２Ｘ１０ｇ個以下では何個迄連続移動
方式が有利か、何個からステップアンドリピート方式が
有利となるかを以下に見積つてみる。
ショット数Ｎｓが２Ｘ１０ｇ個以下では何個迄連続移動
方式が有利か、何個からステップアンドリピート方式が
有利となるかを以下に見積つてみる。
この場合の連続移動方式による全描画時間をＴｃ，ステ
ップアンドリピート移動方式による全描画時間をＴｓｒ
とし、Ａｃを材料中のパターンが描画される全チップ面
積、Ｌをビームの最大振り幅、Ｓをレジ）スト感度、Ｉ
をビーム電流密度、Ｎｓを総ショット数、Ｖｓｒをステ
ップアンドリピート移動によるステージの速度、Ｎｆを
ステップアンドリピート移動によるステージの移動回数
とした時、 Ｔｃ−Ａｃ−８／ＧＩＬ−１＜但し、Ｑは１ショットし
ている間にステージが進む事により発生するパターンエ
ツジ部のボケの許容値で、例えば０．０２μｍある）・
・・・・・（４）Ｔ ｓ ｒ ＝ Ｓ−Ｎ ｓ ／ Ｉ
＋ Ｖ ｓ ｒ −Ｎ ｆ ・・−・・−−−−−−
−・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（５）の
各式が成立ち、ここで、例えば、Ａｃ／Ｌ＝２０００ｍ
ｍ、Ｓ−２００μｃ／ｃｍ２ 、（＝７０Ａ／ｃｍ２
、ｖｓｒ＝ｏ、０６ＳｅＣ１Ｎｆ＝８３２とすれば、 Ｔｃ＝２８６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・（６）Ｔｓｒ＝Ｎｓ−２，８６
Ｘ１０−＄＋５０・・・・−−−−・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ （７）となる。ここで、Ｔ
ｃ＝ＴｓｒとなるＮｓは、（６）＝ （７）から、８．
２５ｘ１０’ショットとなる。
ップアンドリピート移動方式による全描画時間をＴｓｒ
とし、Ａｃを材料中のパターンが描画される全チップ面
積、Ｌをビームの最大振り幅、Ｓをレジ）スト感度、Ｉ
をビーム電流密度、Ｎｓを総ショット数、Ｖｓｒをステ
ップアンドリピート移動によるステージの速度、Ｎｆを
ステップアンドリピート移動によるステージの移動回数
とした時、 Ｔｃ−Ａｃ−８／ＧＩＬ−１＜但し、Ｑは１ショットし
ている間にステージが進む事により発生するパターンエ
ツジ部のボケの許容値で、例えば０．０２μｍある）・
・・・・・（４）Ｔ ｓ ｒ ＝ Ｓ−Ｎ ｓ ／ Ｉ
＋ Ｖ ｓ ｒ −Ｎ ｆ ・・−・・−−−−−−
−・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（５）の
各式が成立ち、ここで、例えば、Ａｃ／Ｌ＝２０００ｍ
ｍ、Ｓ−２００μｃ／ｃｍ２ 、（＝７０Ａ／ｃｍ２
、ｖｓｒ＝ｏ、０６ＳｅＣ１Ｎｆ＝８３２とすれば、 Ｔｃ＝２８６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・（６）Ｔｓｒ＝Ｎｓ−２，８６
Ｘ１０−＄＋５０・・・・−−−−・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ （７）となる。ここで、Ｔ
ｃ＝ＴｓｒとなるＮｓは、（６）＝ （７）から、８．
２５ｘ１０’ショットとなる。
従って、描画すべき材料上でのショツト数が８゜２５Ｘ
１０７シ３ット以上なら、Ｔｃ＜Ｔｓｒとなって、連続
移動方式が有利となり、ショツト数が８．２５ｘ１０’
ショット以下なら、Ｔｃ＞Ｔｓｒとなって、ステップア
ンドリピート移動方式が有利となる。
１０７シ３ット以上なら、Ｔｃ＜Ｔｓｒとなって、連続
移動方式が有利となり、ショツト数が８．２５ｘ１０’
ショット以下なら、Ｔｃ＞Ｔｓｒとなって、ステップア
ンドリピート移動方式が有利となる。
さて、この様な本発明の描画方法を実際に描画装置で実
施するには、荷電ビーム描画装置の電子光学系及びステ
ージ移動系を夫々連続移動モードとステップアンドリピ
ート移動モードに可変出来る様に成しておぎ、上記見積
りを描画前に電子計算機の如き演算機構を持つ制御装置
により行ない、該制御装置からのモード指定によって上
記電子光学系とステージ移動系を作動する様に成してお
けば、如何なるレジスト感度及びショツト数の描画に対
しても、描画時間のより短いステージ移動モードを選択
出来るので、スループットの高い描画がなされる。
施するには、荷電ビーム描画装置の電子光学系及びステ
ージ移動系を夫々連続移動モードとステップアンドリピ
ート移動モードに可変出来る様に成しておぎ、上記見積
りを描画前に電子計算機の如き演算機構を持つ制御装置
により行ない、該制御装置からのモード指定によって上
記電子光学系とステージ移動系を作動する様に成してお
けば、如何なるレジスト感度及びショツト数の描画に対
しても、描画時間のより短いステージ移動モードを選択
出来るので、スループットの高い描画がなされる。
第２図はこの様な描画方法を実施する為の電子ビーム描
画装置の一例を示したもので、図中１は電子銃、２は該
電子銃からの電子ビームを材料上に集束させる電子レン
ズや該ビームを該材料上で走査させる偏向系等から成る
電子光学系、３は描画される材料４を載せたステージ、
５は制御装置、６ａ、６ｂは夫々、連続移動系のステー
ジ移動駆動機構、ステップアンドリピート系のステージ
移動駆動８１４Ｍ、７ａ、７ｂは夫々連続移動系のデー
タ処理機構、ステップアンドリピート系のデータ処理ｍ
横、ＳＷｔ 、ＳＷ２は夫々、上記制御装置５からのモ
ード指令に従って、連続移動系のステージ移動駆動機構
６ａかステップアンドリピート系のステージ移動駆動機
構６ｂ、連続移動系のデータ処理機構７８かステップア
ンドリピート系のデータ処理機構７ｂを選択して、夫々
ステージ３、電子光学系２の偏向系に繋ぐスイッチであ
る。
画装置の一例を示したもので、図中１は電子銃、２は該
電子銃からの電子ビームを材料上に集束させる電子レン
ズや該ビームを該材料上で走査させる偏向系等から成る
電子光学系、３は描画される材料４を載せたステージ、
５は制御装置、６ａ、６ｂは夫々、連続移動系のステー
ジ移動駆動機構、ステップアンドリピート系のステージ
移動駆動８１４Ｍ、７ａ、７ｂは夫々連続移動系のデー
タ処理機構、ステップアンドリピート系のデータ処理ｍ
横、ＳＷｔ 、ＳＷ２は夫々、上記制御装置５からのモ
ード指令に従って、連続移動系のステージ移動駆動機構
６ａかステップアンドリピート系のステージ移動駆動機
構６ｂ、連続移動系のデータ処理機構７８かステップア
ンドリピート系のデータ処理機構７ｂを選択して、夫々
ステージ３、電子光学系２の偏向系に繋ぐスイッチであ
る。
而して、描画前に、制御装置５は上記した如き見積りを
行ない、全描画時間の短いステージ移動モード指令を発
する。該指令に基づいてスイッチＳＷｉ とＳ Ｗ ２
はステージ移動駆動機構とデータ処理機構を選択し、夫
々をステージ３と電子光学系２の偏向系に繋ぐので、該
モードに従ったステージ移動方式でパターンの描画が行
なわれる。
行ない、全描画時間の短いステージ移動モード指令を発
する。該指令に基づいてスイッチＳＷｉ とＳ Ｗ ２
はステージ移動駆動機構とデータ処理機構を選択し、夫
々をステージ３と電子光学系２の偏向系に繋ぐので、該
モードに従ったステージ移動方式でパターンの描画が行
なわれる。
［発明の効果］
本発明によれば、描画の前に、制御ｌ装置により連続移
動方式とステップアンドリピート移動方式のどちらが描
画時間が短いか前記（５）式及び（６）式に基づいて見
積られ、見積り時間の短い方の移動方式が採用されて描
画が行なわれるので、如何なるレジスト感度及びショツ
ト数の描画に対しても、描画時間のより短いステージ移
動モードを選択出来き、その為、スループットの高い描
画がなされる
動方式とステップアンドリピート移動方式のどちらが描
画時間が短いか前記（５）式及び（６）式に基づいて見
積られ、見積り時間の短い方の移動方式が採用されて描
画が行なわれるので、如何なるレジスト感度及びショツ
ト数の描画に対しても、描画時間のより短いステージ移
動モードを選択出来き、その為、スループットの高い描
画がなされる
第１図は各レジスト感度について、ステージ移動速度Ｖ
ｔを総ショット数Ｎｓの関数として示したグラフ、第２
図は本発明の描画方法を実施する為の電子ビーム描画装
置の一例を示したものである。 １：電子銃 ２：電子光学系 ３：ステージ ４
：材料 ５：制御装置 ６ａ：ステージ移動駆動機
構 ６ｂニステツプアンドリピート系のステージ移動
駆動機構 アａ：連続移動系のデータ処理機構 ７
ｂニステツプアンドリピート系のデータ処理機構 Ｓ
Ｗ＋、ＳＷ２ ：スイッチ
ｔを総ショット数Ｎｓの関数として示したグラフ、第２
図は本発明の描画方法を実施する為の電子ビーム描画装
置の一例を示したものである。 １：電子銃 ２：電子光学系 ３：ステージ ４
：材料 ５：制御装置 ６ａ：ステージ移動駆動機
構 ６ｂニステツプアンドリピート系のステージ移動
駆動機構 アａ：連続移動系のデータ処理機構 ７
ｂニステツプアンドリピート系のデータ処理機構 Ｓ
Ｗ＋、ＳＷ２ ：スイッチ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｔｃをステージを連続移動させた場合の描画時間、Ｔｓ
ｒをステージをステップアンドリピート移動させた場合
の描画時間、Ａｃを材料中のパターンが描画される全チ
ップ面積、Ｌをビームの最大振り幅、Ｓをレジスト感度
、Ｉをビーム電流密度、Ｎｓを総ショット数、Ｖｓｒを
ステップアンドリピート移動によるステージの速度、Ｎ
ｆをステップアンドリピート移動によるステージの移動
回数とした時、制御装置により、Ｔｃ及びＴｓｒをパタ
ーン描画前に、次の各式により見積り、該見積り時間の
短いステージ移動によりパターンを描画する様にした荷
電ビーム描画方法。 Ｔｃ＝Ａｃ・Ｓ／Ｑ・Ｌ・Ｉ（但し、Ｑは１ショットし
ている間にステージが進む事により発生するパターンエ
ッジ部のボケの許容値） Ｔｓｒ＝Ｓ・Ｎｓ／Ｉ＋Ｖｓｒ・Ｎｆ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283377A JPH0782983B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 荷電ビ−ム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283377A JPH0782983B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 荷電ビ−ム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136624A true JPS63136624A (ja) | 1988-06-08 |
| JPH0782983B2 JPH0782983B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=17664716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283377A Expired - Fee Related JPH0782983B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 荷電ビ−ム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0782983B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100957680B1 (ko) | 2008-02-15 | 2010-05-25 | 두산메카텍 주식회사 | Ａｆｍ을 이용한 리소그래피에서의 패턴 형성 제어 방법 |
| JP2015103570A (ja) * | 2013-11-21 | 2015-06-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62272527A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Toshiba Mach Co Ltd | 放射ビ−ムによる描画装置 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61283377A patent/JPH0782983B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62272527A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Toshiba Mach Co Ltd | 放射ビ−ムによる描画装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100957680B1 (ko) | 2008-02-15 | 2010-05-25 | 두산메카텍 주식회사 | Ａｆｍ을 이용한 리소그래피에서의 패턴 형성 제어 방법 |
| JP2015103570A (ja) * | 2013-11-21 | 2015-06-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0782983B2 (ja) | 1995-09-06 |
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