JPS63136050A - 電子写真用感光体 - Google Patents
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- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- 150000003754 zirconium Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0578—Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、電子写真用感光体の改良に関する。
[従来技術]
従来、電子写真用感光体としてはa−3eに代表される
アモルファスカルコゲン、CdSに代表されるII−V
l族化合物の粒子を樹脂に分散させたもの、有機光導電
材料等があり、最近ではa−3i系の感光体が開発され
ている。
アモルファスカルコゲン、CdSに代表されるII−V
l族化合物の粒子を樹脂に分散させたもの、有機光導電
材料等があり、最近ではa−3i系の感光体が開発され
ている。
このような感光体に対して長時間高画質を保つ信頼性の
要求が年々高まっている。しかし感光層が露出している
場合、帯電過程のコロナ放電によるダメージと複写プロ
セスで受ける他部材との接触による物理的あるいは化学
的なダメージが感光体の寿命を損うものであった。そこ
で従来この欠点を解消する為、感光体の表面に感光層と
は異なる表面保護層を設ける試みがなされている。これ
ら表面保護層の1つとしてアクリル樹脂、ポリエステル
樹脂(特開昭53−3338> 、ウレタン樹脂(特開
昭80−3638 >などの熱硬化型樹脂を含む層を用
い、これに適当な抵抗制御剤を添加した低抵抗保護層が
提案されている。これらの保護層を持った感光体は保護
層を持たないものに比べ多少の改善効果がみられるが高
耐久性という観点からすれば、表面硬度及び耐摩耗性の
点で1−分に満足できるものとは言えない。
要求が年々高まっている。しかし感光層が露出している
場合、帯電過程のコロナ放電によるダメージと複写プロ
セスで受ける他部材との接触による物理的あるいは化学
的なダメージが感光体の寿命を損うものであった。そこ
で従来この欠点を解消する為、感光体の表面に感光層と
は異なる表面保護層を設ける試みがなされている。これ
ら表面保護層の1つとしてアクリル樹脂、ポリエステル
樹脂(特開昭53−3338> 、ウレタン樹脂(特開
昭80−3638 >などの熱硬化型樹脂を含む層を用
い、これに適当な抵抗制御剤を添加した低抵抗保護層が
提案されている。これらの保護層を持った感光体は保護
層を持たないものに比べ多少の改善効果がみられるが高
耐久性という観点からすれば、表面硬度及び耐摩耗性の
点で1−分に満足できるものとは言えない。
[目 的]
本発明の目的は、高い透明性、機械的強度を備え、又、
湿度等の環境条件の変化に対して安定な保護層を設ける
ことにより、高画質かつ耐久性のある電子写真用感光体
を提供することにある。
湿度等の環境条件の変化に対して安定な保護層を設ける
ことにより、高画質かつ耐久性のある電子写真用感光体
を提供することにある。
[構 成]
本発明は、導電性支持体上に光導電層及び低抵抗保護層
を順次積層してなる電子写真用感光体に於いて、低抵抗
保護層の結着剤が (1)アルコキシ基含有ポリシロキサン(2)水酸基含
有ポリシロキサン (3)炭素原子に結合したアミノ基、イミノ基もしくは
ニトリル基を少なくとも1個と、アルコキシ基が2乃至
3個結合したけい素原子を有する有機けい素化合物 (4)縮合反応触媒 より形成されるけい素樹脂からなることを特徴とする電
子写真用感光体である。
を順次積層してなる電子写真用感光体に於いて、低抵抗
保護層の結着剤が (1)アルコキシ基含有ポリシロキサン(2)水酸基含
有ポリシロキサン (3)炭素原子に結合したアミノ基、イミノ基もしくは
ニトリル基を少なくとも1個と、アルコキシ基が2乃至
3個結合したけい素原子を有する有機けい素化合物 (4)縮合反応触媒 より形成されるけい素樹脂からなることを特徴とする電
子写真用感光体である。
本発明のけい素樹脂をざらに具体的に述べる。
アルコキシ基含有ポリシロキサン(1)は単位式(1)
%式%)
(式中、R1はアルキル基、aは本化合物におけるけい
素原子に結合したアルコキシ基の占める比率が平均的に
10重量%以上となる数である。) で表わされるもので、単位式中R1の例としては、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、β−クロルエチル、α
−エチルヘキシル、ドデシル、オクタデシル等が挙げら
れる。
素原子に結合したアルコキシ基の占める比率が平均的に
10重量%以上となる数である。) で表わされるもので、単位式中R1の例としては、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、β−クロルエチル、α
−エチルヘキシル、ドデシル、オクタデシル等が挙げら
れる。
水酸基含有ポリシロキサン(2)は
単位式(2)
%式%)
(式中、R2は一価炭化水素基、bは0.8から1□8
の範囲の数、Cは本化合物中におけるけい素原子に結合
した水酸基の占める比率が平均的にo、oil量%以上
となる数である)で表わされるものでおる。
の範囲の数、Cは本化合物中におけるけい素原子に結合
した水酸基の占める比率が平均的にo、oil量%以上
となる数である)で表わされるものでおる。
単位式(2)中のR2の例としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、ド
デシル基、1−イソブチル基、3.5−ジメチルヘキシ
ル基、オクタデシルなどのアルキル基;ビニル基、アリ
ル基、ディセニル塁、ヘキサジェニル基などのようなア
ルケニル基ニジクロペンチル基、シクロヘキシル基など
のようなシクロアルキル基ニジクロペンテニル基、シク
ロへキセニル基、シクロ−2,4−ヘキサ−ディエル基
などのシクロアルケニル基;フェニル基、ナフチル基な
どのアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基、キシ
リル基などのアラルキル基;トリル基、ジメチルフェニ
ル基などのアルカリル基;また−価の炭化水素基をハロ
ゲン化したクロロメチル基、3.3.3−トリフルオロ
プロピル、3.3.4.4.5.5.5−へブタフルオ
ロペンチル、パークロルフェニル、3,4−ジプロモシ
クロヘキシル、2.2.2−トリフルオロトリル基など
が挙げられる。
基、プロピル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、ド
デシル基、1−イソブチル基、3.5−ジメチルヘキシ
ル基、オクタデシルなどのアルキル基;ビニル基、アリ
ル基、ディセニル塁、ヘキサジェニル基などのようなア
ルケニル基ニジクロペンチル基、シクロヘキシル基など
のようなシクロアルキル基ニジクロペンテニル基、シク
ロへキセニル基、シクロ−2,4−ヘキサ−ディエル基
などのシクロアルケニル基;フェニル基、ナフチル基な
どのアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基、キシ
リル基などのアラルキル基;トリル基、ジメチルフェニ
ル基などのアルカリル基;また−価の炭化水素基をハロ
ゲン化したクロロメチル基、3.3.3−トリフルオロ
プロピル、3.3.4.4.5.5.5−へブタフルオ
ロペンチル、パークロルフェニル、3,4−ジプロモシ
クロヘキシル、2.2.2−トリフルオロトリル基など
が挙げられる。
炭素原子に結合したアミノ基、イミノ基もしくはニトリ
ル基を少なくとも1個とアルコシ基が2個ないし3個結
合したけい素原子を有する有機けい素化合物の例として
は、β−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリ(メトキシエトキシ)シラン、γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、δ−アミノブチルトリエトキシシラン
、N−(β−アミノエチル〉−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−(N、N−ジメチルア
ミノ)プロピルトリメトキシシラン、N。
ル基を少なくとも1個とアルコシ基が2個ないし3個結
合したけい素原子を有する有機けい素化合物の例として
は、β−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリ(メトキシエトキシ)シラン、γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、δ−アミノブチルトリエトキシシラン
、N−(β−アミノエチル〉−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−(N、N−ジメチルア
ミノ)プロピルトリメトキシシラン、N。
N′−ビス(γ−トリメトキシシリルプロピル)エチレ
ンジアミン、N、N−−ビス(r−1−リエトキシシリ
ルプロビル)エチレンジアミン、N、N”−ビス(γ−
トリメトキシシリルプロピル)トリエチレンアミン、 (CH20)) Si (Ct12) 3 N)l−
*品 (CL O) 3 Si (CH2) 2 −0−C
H2CH2CH2NH2あるいはこれらシラン化合物の
部分加水分解物が挙げられる。
ンジアミン、N、N−−ビス(r−1−リエトキシシリ
ルプロビル)エチレンジアミン、N、N”−ビス(γ−
トリメトキシシリルプロピル)トリエチレンアミン、 (CH20)) Si (Ct12) 3 N)l−
*品 (CL O) 3 Si (CH2) 2 −0−C
H2CH2CH2NH2あるいはこれらシラン化合物の
部分加水分解物が挙げられる。
縮合反応触媒の代表例として、有機錫化合物ないし有機
カルボン酸の錫塩と有機チタン化合物がある。有機錫化
合物ないし有機カルボン酸の錫塩としては、ジブチル錫
ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、ジブチル錫
ジラウレート、ジブチル錫ジステアレート、ジオクチル
錫ジアセテート、オクトエ酸第1錫、ナフテン酸第1錫
、オレイン酸第1錫、イソ酪酸第1錫、リノール酸第1
錫、スチリル酸第1錫、ペンゾール酸第1錫、ナフトエ
酸第1錫、ラウリン酸第1錫、β−ベンゾイルプロピオ
ン酸第1錫、クロトン酸第1錫が例示される。また、有
機チタン化合物としては、テトライソプロピルチタネー
ト、テトラ−n−ブチルチタネート、テトラキス(2−
エチルヘキシル)チタネート、テトラステアリルチタネ
ート、ジイソプロポキシ・ビス(アセチルアセトン)チ
タネート、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールア
ミン)チタネート、テトラオクチレングリコールチタネ
ート、トリーn−ブトキシ・モノステアリルチタネート
が挙げられ、その他に有機カルボン酸の鉄塩、マンガン
塩、亜鉛塩、コバルト塩もしくはジルコニウム塩が用い
られる。
カルボン酸の錫塩と有機チタン化合物がある。有機錫化
合物ないし有機カルボン酸の錫塩としては、ジブチル錫
ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、ジブチル錫
ジラウレート、ジブチル錫ジステアレート、ジオクチル
錫ジアセテート、オクトエ酸第1錫、ナフテン酸第1錫
、オレイン酸第1錫、イソ酪酸第1錫、リノール酸第1
錫、スチリル酸第1錫、ペンゾール酸第1錫、ナフトエ
酸第1錫、ラウリン酸第1錫、β−ベンゾイルプロピオ
ン酸第1錫、クロトン酸第1錫が例示される。また、有
機チタン化合物としては、テトライソプロピルチタネー
ト、テトラ−n−ブチルチタネート、テトラキス(2−
エチルヘキシル)チタネート、テトラステアリルチタネ
ート、ジイソプロポキシ・ビス(アセチルアセトン)チ
タネート、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールア
ミン)チタネート、テトラオクチレングリコールチタネ
ート、トリーn−ブトキシ・モノステアリルチタネート
が挙げられ、その他に有機カルボン酸の鉄塩、マンガン
塩、亜鉛塩、コバルト塩もしくはジルコニウム塩が用い
られる。
本発明の低抵抗保護層を形成するには、上記各成分をベ
ンゼン、トルエン等適当な溶剤に溶解させ、これに抵抗
制御剤を分散又は溶解した塗液を光導電層上に直接ある
いは接着層を介して、塗布屹燥させればよい。
ンゼン、トルエン等適当な溶剤に溶解させ、これに抵抗
制御剤を分散又は溶解した塗液を光導電層上に直接ある
いは接着層を介して、塗布屹燥させればよい。
上記塗液にあける樹脂構成成分の割合は、アルコキシ基
含有ポリシロキサン成分(1) 100重量部に対し
、水酸基含有ポリシロキナン成分(2)2〜200重量
部、シラン化合物(3) 0.3〜40重量部が被膜
硬度、塗液安定性等の観点から好ましい。
含有ポリシロキサン成分(1) 100重量部に対し
、水酸基含有ポリシロキナン成分(2)2〜200重量
部、シラン化合物(3) 0.3〜40重量部が被膜
硬度、塗液安定性等の観点から好ましい。
低抵抗保護層中に用いられる抵抗制御剤は一般にプラス
チック用の帯電防止剤として用いられるカーボンブラッ
ク、アルミニウム、銅、銀等の金属、酸化亜鉛、酸化錫
等の金属酸化物、アニオン系、カチオン系、非イオン系
の有機電解質であり、これらの混合物も用いられる。
チック用の帯電防止剤として用いられるカーボンブラッ
ク、アルミニウム、銅、銀等の金属、酸化亜鉛、酸化錫
等の金属酸化物、アニオン系、カチオン系、非イオン系
の有機電解質であり、これらの混合物も用いられる。
保護膜の固有抵抗は109〜1012Ωcmでおり、膜
厚は0.5〜30μm1好ましくは1〜10μmである
。この厚さが0.5μm以下では保護層の機械的強度が
弱く、かつ耐摩耗性が小さく長期の使用に対して保護層
の効果がなくなり、30μm以上では保護層中に電荷が
蓄積されくり返し使用時に残昭電位が増大する。
厚は0.5〜30μm1好ましくは1〜10μmである
。この厚さが0.5μm以下では保護層の機械的強度が
弱く、かつ耐摩耗性が小さく長期の使用に対して保護層
の効果がなくなり、30μm以上では保護層中に電荷が
蓄積されくり返し使用時に残昭電位が増大する。
この保護層は上記けい素樹脂中に抵抗制御剤を混合もし
くは分散し、光導電層上にディッピングもしくはスプレ
ー塗布し、あるいはフィルム状にした後接着することに
より形成される。
くは分散し、光導電層上にディッピングもしくはスプレ
ー塗布し、あるいはフィルム状にした後接着することに
より形成される。
さらに光導電層としては3e、5e−Te、As2Se
2等のSe合金、ZnO,SdS、CdSe等のn −
vr族化合物の粒子を樹脂に分散させたもの、ポリビニ
ルカルバゾール等の有機光導電材料、おるいはa−3i
等が用いられる。
2等のSe合金、ZnO,SdS、CdSe等のn −
vr族化合物の粒子を樹脂に分散させたもの、ポリビニ
ルカルバゾール等の有機光導電材料、おるいはa−3i
等が用いられる。
光導電層の構成は特に制約がなく、単層でも電荷発生層
と電荷輸送層の積層であってもかまわない。
と電荷輸送層の積層であってもかまわない。
ざらに保護層と光導電層との間に密着性を高める為の接
着層や電荷注入を阻止する為の電気的バリア一層を設け
ても良い。
着層や電荷注入を阻止する為の電気的バリア一層を設け
ても良い。
導電性支持体としては導電体おるいは導電処理をした絶
縁体が用いられる。たとえばA腰N i、 Fe、 C
u、 Auなどの金属アルイハ合金、ポリエステル、ポ
リカーボネート、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上
にAI、AQ、Au等の金属あるいはIn2O3、Sn
O2等の導電材料の薄膜を形成したもの、導電処理をし
た紙等が例示できる。
縁体が用いられる。たとえばA腰N i、 Fe、 C
u、 Auなどの金属アルイハ合金、ポリエステル、ポ
リカーボネート、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上
にAI、AQ、Au等の金属あるいはIn2O3、Sn
O2等の導電材料の薄膜を形成したもの、導電処理をし
た紙等が例示できる。
また導電性支持体の形状は特に制約はなく必要に応じて
板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
以下本発明に於ける実施例を示す。
実施例1
アルミニウム素管(80φX340[)を前処理−(洗
浄)を施した後、真空蒸着装置内にセットしAS2S0
3合金を支持体上の膜厚が60μmになるように下記条
件で抵抗加熱蒸着を行ない光導電層を作製した。
浄)を施した後、真空蒸着装置内にセットしAS2S0
3合金を支持体上の膜厚が60μmになるように下記条
件で抵抗加熱蒸着を行ない光導電層を作製した。
蒸着条件
真空度 3x 10−6 Torr
支持体温度 200℃
ボート温度 450℃
次にこの光導電層上に下記に示す条件で中間層液を作製
し、膜厚が0.2μmとなるように塗布し、ioo’c
、2時間で乾燥し中間層を作製した。
し、膜厚が0.2μmとなるように塗布し、ioo’c
、2時間で乾燥し中間層を作製した。
中間層形成液
ジルコニウムアセチルアセトネート
2重量部
γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化
学社製KBH503) 1重量部 n−ブタノール 40重量部さらに中間層
上に下記に示す抵抗制御剤を添加したけい素樹脂を70
時間ボールミルにて分散し、その分散液を塗布し120
’C11時間で乾燥し5μmの保護層を形成しサンプル
Tとした。
学社製KBH503) 1重量部 n−ブタノール 40重量部さらに中間層
上に下記に示す抵抗制御剤を添加したけい素樹脂を70
時間ボールミルにて分散し、その分散液を塗布し120
’C11時間で乾燥し5μmの保護層を形成しサンプル
Tとした。
保護層形成液
抵抗制御剤5n02 (Sb2Qx N−プ)微粉末
24重量部(1)成分S i (
OC2Hs > 410重量部 (2) 成分 (Cト1 コ ) 25io(Oト1
)15重量部 (3) H2N (CH2) 2 NH(CH2)3・
S i (OCH3)1 1.4重囲部ジブチル錫
ジラウレート 0.02重量部リグロイン
70重1部比較例 実施例と全く同様な方法で光導電層及び中間層を作製し
たサンプルの上に下記に示す抵抗制御剤を添加したポリ
オール硬化型のウレタン樹脂を実施例と同様に作製し5
μmの保護層を形成しサンプル■とした。
24重量部(1)成分S i (
OC2Hs > 410重量部 (2) 成分 (Cト1 コ ) 25io(Oト1
)15重量部 (3) H2N (CH2) 2 NH(CH2)3・
S i (OCH3)1 1.4重囲部ジブチル錫
ジラウレート 0.02重量部リグロイン
70重1部比較例 実施例と全く同様な方法で光導電層及び中間層を作製し
たサンプルの上に下記に示す抵抗制御剤を添加したポリ
オール硬化型のウレタン樹脂を実施例と同様に作製し5
μmの保護層を形成しサンプル■とした。
抵抗制御剤SnO2(Sb203ドープ)微粉末(三菱
金属製T−1>13重倦部ポリオール硬化型ウレタン樹
脂 53重量部 ヘキサメヂレンジイソシアネート 1重量部 メチルエチルケトン 46重伊部上記サンプル
T、■の機械的性質を評価した結果を表1に示す。
金属製T−1>13重倦部ポリオール硬化型ウレタン樹
脂 53重量部 ヘキサメヂレンジイソシアネート 1重量部 メチルエチルケトン 46重伊部上記サンプル
T、■の機械的性質を評価した結果を表1に示す。
表
ビッカース硬度・・・・・・ 151;1引っかき硬度
・・・・・・5g この結果より本発明による保護層は硬度が非常に優れて
いるのがわかる。ざらに複写枚数30万枚の耐久性試験
を行なった結果、サンプル■は約10万枚を越えたとこ
ろでトナーのフィルミングが原因と思われる地汚れが発
生し、15万枚程度でブレードに依る白すし、及び分離
爪に相当する部分に黒すじが発生した。感光体を複写機
から取り出すと保護層にはっきりと傷が認められた。
・・・・・・5g この結果より本発明による保護層は硬度が非常に優れて
いるのがわかる。ざらに複写枚数30万枚の耐久性試験
を行なった結果、サンプル■は約10万枚を越えたとこ
ろでトナーのフィルミングが原因と思われる地汚れが発
生し、15万枚程度でブレードに依る白すし、及び分離
爪に相当する部分に黒すじが発生した。感光体を複写機
から取り出すと保護層にはっきりと傷が認められた。
一方本発明に依る保護層を持ったサンプル■は30万枚
の耐久性試験後も異常画像は発生せず初期と同様な画像
特性を示した。また感光体を複写機から取り出し観察し
た結果、大きな傷は認められなかった。
の耐久性試験後も異常画像は発生せず初期と同様な画像
特性を示した。また感光体を複写機から取り出し観察し
た結果、大きな傷は認められなかった。
[効 果]
本発明によれば、硬さおよび耐摩耗性にすぐれた低抵抗
保護層を形成することができ、耐久性のある信頼性の高
い感光体が得られる。
保護層を形成することができ、耐久性のある信頼性の高
い感光体が得られる。
特許出願人 株式会社リ コ −
代理人 弁理士 小 松 秀 岳
代理人 弁理士 旭 宏
手続補正門 (岐)
昭和62年2月6日
特許庁長官 黒 1)明 雄 殿
1、事件の表示 特願昭61−281913号
2、発明の名称 電子写真用感光体3、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 名 称 (674) 株式会社リコー4、代理人 5、補正命令の日付 (自発) (1)明細書第5頁第19行の「パークロルフェニル」
を「パークロルフェニル」と訂正する。
2、発明の名称 電子写真用感光体3、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 名 称 (674) 株式会社リコー4、代理人 5、補正命令の日付 (自発) (1)明細書第5頁第19行の「パークロルフェニル」
を「パークロルフェニル」と訂正する。
(2)同頁第20行の「ジブロモ・・・」を「ジブロモ
・・・Jと訂正する。
・・・Jと訂正する。
(3)第7頁第2行のr(CH20)コ・・・」をr(
CHxO)3・・・」と訂正する。
CHxO)3・・・」と訂正する。
(4)同頁第3行のr(CH20):s・・・」をr
(Ct−ho)3・・・」と訂正する。
(Ct−ho)3・・・」と訂正する。
−CH2−CH2CH3Jと訂正する。
(6)同頁第1行のr (CH20)25i(CH2)
2CH2 (1)同頁第8行のr (CH20):l・・・」をr
(CH30)3・・・」と訂正する。
2CH2 (1)同頁第8行のr (CH20):l・・・」をr
(CH30)3・・・」と訂正する。
(8)第10頁第12行のrsdsJをrcdsJと訂
正する。
正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に光導電層及び低抵抗保護層を順次積層
してなる電子写真用感光体に於いて、低抵抗保護層の結
着剤が (1)アルコキシ基含有ポリシロキサン (2)水酸基含有ポリシロキサン (3)炭素原子に結合したアミノ基、イミノ基もしくは
ニトリル基を少なくとも1個と、アルコキシ基が2乃至
3個結合したけい素原子を有する有機けい素化合物 (4)縮合反応触媒 より形成されるけい素樹脂からなることを特徴とする電
子写真用感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28191386A JPS63136050A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28191386A JPS63136050A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63136050A true JPS63136050A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17645698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28191386A Pending JPS63136050A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63136050A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0855625A1 (en) * | 1997-01-28 | 1998-07-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP28191386A patent/JPS63136050A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0855625A1 (en) * | 1997-01-28 | 1998-07-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
US5976743A (en) * | 1997-01-28 | 1999-11-02 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
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