JPS631200A - 圧電型振動素子 - Google Patents

圧電型振動素子

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JPS631200A
JPS631200A JP14463086A JP14463086A JPS631200A JP S631200 A JPS631200 A JP S631200A JP 14463086 A JP14463086 A JP 14463086A JP 14463086 A JP14463086 A JP 14463086A JP S631200 A JPS631200 A JP S631200A
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JP
Japan
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substrate
thickness
material layer
edge
piezoelectric
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Application number
JP14463086A
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Inventor
Toshihide Inoue
井上 利秀
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Onkyo Corp
Original Assignee
Onkyo Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は電気音響変換器用の圧電型振動素子の改良に
関する。
[従来の技術] 電気音響変換器に使用される圧電型振動素子は第3図に
示すようには円板状金属基体01に円板状セラミック圧
電体02を接着した構成のものが多用されている。
そして圧電体の材料としてはチタン・ジルコンM鉛を主
成分とする磁器材料が多用されている。
[発明が解決しようとする問題点] 上記圧電材料を使用した圧電型振動素子は製造技術上の
制約から厚さの小さいものが得られにくかった。
たとえば、厚さの薄いものでもせいぜい100即程度が
限度であった。
また、基体となっている金属板もその厚さが100μs
程度のアルミニウム、真鍮板が使用される。
従って、従来圧電型振動素子は極めて高剛性、高A7ン
グ率のため音速(J E/ρ)が大きいので最低共振周
波数が高く、超音波領域又は可聴周波数領域においては
高音領域での使用は有利であるが中低音領域では使用が
困難であり、奈音占生用では高音再生用スピーカ(ツイ
ータ)に使用されるのみでめった。
[問題を解決するための手段] この発明は第1電極部となるアルミニウム、アルミニウ
ム合金、チタン、チタン合金、真鍮等の金属箔又は表面
に導電層を形成したポリイミド、ポリアミド、ポリエー
テル・エーテル・ケトン等の150’C以上の耐熱性を
有する合成樹脂等の基体に形成されたエツジ部分と、当
該エツジ部分を含み基体中央部に成層した圧電材層と、
当該圧電材層の表面に形成した導電層よりなる第2電極
部を有し、前記圧電材層の厚さを前記基体の厚さの5%
〜50%にした圧電型振動素子である。
[作用] 基体および圧電材層を薄く形成し、基体にヤング率の小
ざい材料を採用することにより振動素子の剛性およびヤ
ング率を低下せしめることにより最低共振周波数を低く
することができた。
[実施例] (実施例1) 第1図に示すようにアルミニウム板)よりなり第1電極
部となる基体1(厚さ251iIII)に円環状の単ロ
ールエツジ1aを形成した後、当該エツジ1aを含み環
状ロールエツジ1aの内方、すなわち基体の中央部1b
に気相法により圧電材料2.2(酸化亜鉛を主成分とす
る磁器材料)を基体1の両面にそれぞれ厚さ5即に成層
する。
そして、当該圧電材層2.2の表面に導電材を蒸着し、
それぞれ厚さ0.05IJnの第2電極部3.3を形成
する。
(実施例2) 第2図に示すようにポリエーテル・エーテル・ケトン樹
脂フィルム11(厚ざ100M>に円環状の単ロールエ
ツジ1aを形成した後、当該フィルム11の両面全面に
導電材を蒸着しそれぞれ厚80.05柳の第1電極部1
2.12を形成して基体1とする。
そして、当該第1電極部12.12表面において前記エ
ツジ1aを含み当該環状エツジ1aの内方、ずなわち基
体の中央部1bに気相法により圧電材2.2(酸化亜鉛
を主成分とする磁器材料)を基体1の両面にそれぞれ厚
さ51IIr1に成層する。
更に、当該圧電材層2.2の表面に導電材を蒸着し、そ
れぞれ厚さ0.05/71#Iの第2電極部3.3を形
成する。
[発明の効果1 一般に円形圧電型振動素子の最低共振周波数f。
は 但し ρ1、ρ2:圧電体、基体の密度h+ 、h2 
:圧電体、基体の厚さ D+ 、D2 :圧電体、基体の曲げ強さα1o:定数 a    :基体の半径 また圧電体および基体のヤング率をElおよびE2とす
ると、Dl−に+ E+ 、D2 =に2 E2(k+
 1.に2は比例定数)となるので、最低共振周波数f
oは基体側においてはh2およびA/E2/万(音速)
を小さくする必要がある。
すなわち、基体は薄く、音速も小さいほうがJ。
を小さくすることができる。
同様に圧電材料層においてもhlおよびJE+扁 (音
速)が小さいことが必要とされるので圧電材料層は薄く
、音速が小さいほうがfoを小さくできる。
ところでこの発明では圧電材料層は気相法により充分に
薄く形成することができるのでfoを小ざくすることが
できる。
特に基体に合成樹脂フィルムを採用した振動素子は基体
のヤング率が金属基体のものに比して極めて小さいので
音速が充分に小ざくなりfoを低くすることができた。
前記実施例1および2の圧電振動素子のfoを測定した
ところ実施例1では490)1z、実施例2では260
H2であった。
また、圧電材料層の厚さは前述の通り小ざいほうがfo
を低くすることができるが、電気機械結合係数、すなわ
ち音響輻射効率から考えると、基体がアルミニウム、ア
ルミニウム合金、チタン、チタン合金、真鍮等の金属で
ある場合は圧電材料層厚さが基板厚さの10%〜40%
が好ましく、基体にポリイミド、ポリアミド、ポリエー
テル・エーテル・ケトン等の合成樹脂を使用した場合5
%〜10%が好ましい。
更にこの発明はエツジ部も圧電材料層を形成したがこの
構成により輻射効率を更に改良することができた。
すなわち、第3図は従来の圧電型1辰動素子の支持構造
であり金属基体01の周縁部を固定した構造である。
この構成においては周知のように剛性が極めて高いため
に第5a図のように1辰幅は極めて小さく比較的高い周
波数領域でしか動作しない。
第4図は基体01をエツジ部03を介して固定した構成
であるが当該構成では第5b図に示すように振動素子の
振幅はエツジ部の逆方向の]騒動により振幅が小さくな
り全帯域にわたり充分な振幅がとれない欠点がある。
ところがこの発明実施例によれば第5C図に示すように
エツジ部も中央部と同方向に振動し、さらにエツジ部に
より振動方向に大ぎなコンプライアンスが付与されてい
るので大きな振幅が得られ低周波数領域においても充分
な音圧が得られた。
なお基体としてアルミニウム合金、チタン、チタン合金
、真鍮等の金属等が、また導電層を形成したポリイミド
、ポリアミド等の150’C以上の耐熱性を有する合成
樹脂が採用できる。
ざらに、圧電材料層は基体の一面のみであっても同様に
この発明の効果を現出できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明実施例の圧電型振動素子の断面図、第
2図はこの発明の他の実施例の圧電型1辰動素子の断面
図、第3図は従来の圧電型振動素子の断面図、第4図は
他の従来の圧電型(騒動素子の断面図、第5a図は第3
図に示す従来の振動素子の振動モード図、第5b図は第
4図にし示す従来の振動素子の1辰動モ一ド図、第5C
図はこの発明実施例の圧電型振動素子の断面図である。 1は第1電極部を構成する基体、1aはエツジ、1bは
基体中央部、2は圧電材層、3は@2電極部である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1電極部を構成する基体(1)に形成されたエ
    ッジ部分(1a)と、当該エッジ(1a)部分を含み基
    体中央部(1b)に成層した圧電材層(2)と、当該圧
    電材層(2)の表面に形成した導電層よりなる第2電極
    部(3)を有し、前記圧電材層(2)の厚さは前記基体
    (1)の厚さの5%〜50%であることを特徴とする圧
    電型振動素子。
  2. (2)基体(1)がアルミニウム、アルミニウム合金、
    チタン、チタン合金、真鍮等の金属箔であることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の圧電型振動素子。
  3. (3)基体(1)が表面に導電層(12)を形成したポ
    リイミド、ポリアミド、ポリエーテル・エーテル・ケト
    ン等の150℃以上の耐熱性を有する合成樹脂(11)
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の圧
    電型振動素子。
JP14463086A 1986-06-19 1986-06-19 圧電型振動素子 Pending JPS631200A (ja)

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JPS631200A true JPS631200A (ja) 1988-01-06

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ID=15366513

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JP (1) JPS631200A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7432631B2 (en) * 2004-05-31 2008-10-07 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter and fabricating method

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US7432631B2 (en) * 2004-05-31 2008-10-07 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter and fabricating method

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