JPS63117010A - α−オレフィンの重合触媒用触媒成分およびそれらの生成方法 - Google Patents
α−オレフィンの重合触媒用触媒成分およびそれらの生成方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F10/00—Homopolymers and copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はα−オレフィンの重合触媒用触媒成分に関し、
該成分は有機アルミニウム化合物、電子供与体および固
体触媒化合物であって、マグネシウムを含む化合物をハ
ロゲンチタン化合物と反応させる場合に得られるものか
ら成っている。更に、本発明はこれら触媒成分の生成方
法ならびにこれらの触媒成分を利用するα−オレフィン
、特にプロピレンの重合方法に関する。
該成分は有機アルミニウム化合物、電子供与体および固
体触媒化合物であって、マグネシウムを含む化合物をハ
ロゲンチタン化合物と反応させる場合に得られるものか
ら成っている。更に、本発明はこれら触媒成分の生成方
法ならびにこれらの触媒成分を利用するα−オレフィン
、特にプロピレンの重合方法に関する。
アルキルアルミニウム化合物、電子供与体および各種の
マグネシウム化合物を含有する固体担体上のハロゲン化
チタン化合物から製造される高活性触媒はα−オレフィ
ンの重合用として知られている。最も一般的に使用され
るマグネシウム化合物は、単独または他のマグネシウム
化合物と併用される無水塩化マグネシウム、または有機
マグネシウム化合物を、塩素を含む化合物でハロゲン化
させることにより製造される有機マグネシウム化合物で
ある。マグネシウム化合物はまた、最も一般的にはシリ
カが利用される固体担体成分中に含有させてもよい。
マグネシウム化合物を含有する固体担体上のハロゲン化
チタン化合物から製造される高活性触媒はα−オレフィ
ンの重合用として知られている。最も一般的に使用され
るマグネシウム化合物は、単独または他のマグネシウム
化合物と併用される無水塩化マグネシウム、または有機
マグネシウム化合物を、塩素を含む化合物でハロゲン化
させることにより製造される有機マグネシウム化合物で
ある。マグネシウム化合物はまた、最も一般的にはシリ
カが利用される固体担体成分中に含有させてもよい。
このタイプの重合触媒において、固体担体成分の特性は
最終触媒の特性、たとえばその活性に重要な影響を及ぼ
すものである。これらの特性は担体成分の製造方法によ
り本質的な影響を受ける可能性がある。
最終触媒の特性、たとえばその活性に重要な影響を及ぼ
すものである。これらの特性は担体成分の製造方法によ
り本質的な影響を受ける可能性がある。
本発明において、α−オレフィン、特にプロピレンを重
合させる場合、もし固体担体成分としてシリカを珪酸マ
グネシウムで置き換え、更に触媒成分の製造に際して成
る操作を採用すれば、可成り良好な収率およびアイソタ
クチック値(tsotactie value )を得
る可能性があることが言及されている。
合させる場合、もし固体担体成分としてシリカを珪酸マ
グネシウムで置き換え、更に触媒成分の製造に際して成
る操作を採用すれば、可成り良好な収率およびアイソタ
クチック値(tsotactie value )を得
る可能性があることが言及されている。
チーグラー・ナツタ触媒における珪酸マグネシウムの利
用はそれ自体何らの新規性を有するものではない。従っ
て、たとえば英国(GB)特許公告箱20B 2602
号によれば、アルキルマグネシウムは不活性炭化水素溶
媒中に溶解または懸濁され、珪酸マグネシウムが添加さ
れ、その後得られた固体触媒化合物は四塩化チタンで洗
浄および処理される。このようにして生成された触媒は
エチレンの単独重合および共重合において使用される。
用はそれ自体何らの新規性を有するものではない。従っ
て、たとえば英国(GB)特許公告箱20B 2602
号によれば、アルキルマグネシウムは不活性炭化水素溶
媒中に溶解または懸濁され、珪酸マグネシウムが添加さ
れ、その後得られた固体触媒化合物は四塩化チタンで洗
浄および処理される。このようにして生成された触媒は
エチレンの単独重合および共重合において使用される。
ドイツ国(DB)特許公告箱3011326号において
提示された方法では、ハロゲン化マグネシウム、たとえ
ば塩化マグネシウムをエタノール中に溶解し、塩素化剤
で処理した珪酸マグネシウムを生成した溶液中に添加し
、ハロゲン化マグネシウムは、その混合物を炭化水素溶
媒、たとえばヘプタン中に添加することにより沈殿され
、そしてこのようにして得られた成分は四塩化チタンで
処理される。
提示された方法では、ハロゲン化マグネシウム、たとえ
ば塩化マグネシウムをエタノール中に溶解し、塩素化剤
で処理した珪酸マグネシウムを生成した溶液中に添加し
、ハロゲン化マグネシウムは、その混合物を炭化水素溶
媒、たとえばヘプタン中に添加することにより沈殿され
、そしてこのようにして得られた成分は四塩化チタンで
処理される。
このようにして生成された触媒はまた、プロピレンの重
合にも応用されて来たが、この方法におけるポリマーに
ついて得られるアイソタクチック値は92−93%の範
囲のものである。
合にも応用されて来たが、この方法におけるポリマーに
ついて得られるアイソタクチック値は92−93%の範
囲のものである。
本発明において提示される触媒は、立体特異重合体、特
にポリプロピレンの141において適用可能なので、そ
のアイソタクチック値は96%以上までの高いものであ
る。
にポリプロピレンの141において適用可能なので、そ
のアイソタクチック値は96%以上までの高いものであ
る。
本発明の触媒成分は、
a)アルキルマグネシウム化合物を塩素化化合物と反応
させ、 b)所望による洗浄の後、塩素化アルキルマグネシウム
化合物をアルコール中に溶解し、C)その溶液中に、2
00−600℃において加熱することによりか焼した珪
酸マグネシウムを添加し、d)工程c)において得られ
た混合物を冷媒質中に添加してマグネシウム化合物を沈
殿させて珪酸マグネシウム担体とし、 e)得られた固体担体成分を分離して、内部電子供与体
(internal electron donor
)の存在下ハロゲンチタン化合物と反応させる工程によ
り生成されたものを固体触媒成分として製造することに
より区別されるものである。
させ、 b)所望による洗浄の後、塩素化アルキルマグネシウム
化合物をアルコール中に溶解し、C)その溶液中に、2
00−600℃において加熱することによりか焼した珪
酸マグネシウムを添加し、d)工程c)において得られ
た混合物を冷媒質中に添加してマグネシウム化合物を沈
殿させて珪酸マグネシウム担体とし、 e)得られた固体担体成分を分離して、内部電子供与体
(internal electron donor
)の存在下ハロゲンチタン化合物と反応させる工程によ
り生成されたものを固体触媒成分として製造することに
より区別されるものである。
更に、本発明は有機アルミニウム化合物、電子供与体お
よび固体マグネシウム含有触媒成分であって、マグネシ
ウムを含む化合物をハロゲンチタン化合物と反応させる
場合に得られるものから成っているα−オレフィンの重
合触媒用触媒成分の生成方法に関している。本発明にお
いて提示されるその方法は、 a)アルキルマグネシウム化合物を塩素化化合物と反応
させ、 b)所望による洗浄の後、塩素化アルキルマグネシウム
化合物をアルコール中に溶解し、C)その溶液中に、2
00−600℃において加熱することによりか焼した珪
酸マグネシウムを添加し、d)工程C)において得られ
た混合物を冷媒質中に添加してマグネシウム化合物を沈
殿させて珪酸マグネシウム担体とし、 e)得られた固体担体成分を分離して、内部電子供与体
の存在下ハロゲンチタン化合部と反応させる工程により
生成されたものを固体触媒成分とすることにより得られ
た触媒成分に関して区別されるものである。
よび固体マグネシウム含有触媒成分であって、マグネシ
ウムを含む化合物をハロゲンチタン化合物と反応させる
場合に得られるものから成っているα−オレフィンの重
合触媒用触媒成分の生成方法に関している。本発明にお
いて提示されるその方法は、 a)アルキルマグネシウム化合物を塩素化化合物と反応
させ、 b)所望による洗浄の後、塩素化アルキルマグネシウム
化合物をアルコール中に溶解し、C)その溶液中に、2
00−600℃において加熱することによりか焼した珪
酸マグネシウムを添加し、d)工程C)において得られ
た混合物を冷媒質中に添加してマグネシウム化合物を沈
殿させて珪酸マグネシウム担体とし、 e)得られた固体担体成分を分離して、内部電子供与体
の存在下ハロゲンチタン化合部と反応させる工程により
生成されたものを固体触媒成分とすることにより得られ
た触媒成分に関して区別されるものである。
本発明中に示された触媒成分を生成する場合工程C)中
で使用される珪酸マグネシウムは、シリカと酸化マグネ
シウムの十分に混合された混合物、または、シリカと酸
化マグネシウムとの共沈物であるのが好ましい。共沈け
い素−マグネシウム酸化物(珪酸マグネシウム)の製造
は当該技術分野において周知である。シリカと酸化マグ
ネシウムとの共沈物は市販されている。シリカと酸化マ
グネシウムとは、たとえばこれら2種類の酸化物の混合
物をボールミル中で磨砕することにより効果的に混合す
ることができる。珪酸マグネシウムを適切にEm製する
その他の方法は、シリカまたは珪酸アルカリ金属および
マグネシウム化合物の粒子を含む混合物を加熱するとい
うものであり、加熱に際してこれらの粒子が珪酸マグネ
シウム中に沈殿するというものである。シリカまたは珪
酸アルカリ金属と共に、このように加熱し得るマグネシ
ウム化合物の例としては、マグネシウムアルコキシド、
水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、硫酸マグネシ
ウム、塩化マグネシウムおよび硝酸マグネシウムを挙げ
ることができる。本発明において、硫産マグネシウムま
たは塩化マグネシウムについて沈殿させた珪酸マグネシ
ウムおよび担体としての珪酸ナトリウムを用いることが
好ましい。
で使用される珪酸マグネシウムは、シリカと酸化マグネ
シウムの十分に混合された混合物、または、シリカと酸
化マグネシウムとの共沈物であるのが好ましい。共沈け
い素−マグネシウム酸化物(珪酸マグネシウム)の製造
は当該技術分野において周知である。シリカと酸化マグ
ネシウムとの共沈物は市販されている。シリカと酸化マ
グネシウムとは、たとえばこれら2種類の酸化物の混合
物をボールミル中で磨砕することにより効果的に混合す
ることができる。珪酸マグネシウムを適切にEm製する
その他の方法は、シリカまたは珪酸アルカリ金属および
マグネシウム化合物の粒子を含む混合物を加熱するとい
うものであり、加熱に際してこれらの粒子が珪酸マグネ
シウム中に沈殿するというものである。シリカまたは珪
酸アルカリ金属と共に、このように加熱し得るマグネシ
ウム化合物の例としては、マグネシウムアルコキシド、
水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、硫酸マグネシ
ウム、塩化マグネシウムおよび硝酸マグネシウムを挙げ
ることができる。本発明において、硫産マグネシウムま
たは塩化マグネシウムについて沈殿させた珪酸マグネシ
ウムおよび担体としての珪酸ナトリウムを用いることが
好ましい。
珪酸マグネシウムは触媒成分として、それが利用される
以前にか焼される。このか焼は珪酸マグネシウムを20
0−600’Cで2−16時間加熱することにより行う
ことができる。
以前にか焼される。このか焼は珪酸マグネシウムを20
0−600’Cで2−16時間加熱することにより行う
ことができる。
本発明において提示される担体成分を調製するに際して
、全反応体は乾燥していなければならず、そして窒素で
処理されねばならない(水分および酸素含有1!il<
1000m) 本発明において示される触媒成分中で反応体として用い
られるアルキルマグネシウム化合物は一般に式MCJR
2またはMGR’ R” (但し、R゛およびR”は同
一または異なっており、かつC1乃至C2o、好ましく
はC2乃至C1□アルキルを含んでいる)で表される。
、全反応体は乾燥していなければならず、そして窒素で
処理されねばならない(水分および酸素含有1!il<
1000m) 本発明において示される触媒成分中で反応体として用い
られるアルキルマグネシウム化合物は一般に式MCJR
2またはMGR’ R” (但し、R゛およびR”は同
一または異なっており、かつC1乃至C2o、好ましく
はC2乃至C1□アルキルを含んでいる)で表される。
マグネシウム化合物は、たとえばジエチルマグネシウム
、エチル−ブチルマグネシウム、エチル−ヘキシルマグ
ネシウム、エチル−オクチルマグネシウム、ジブチルマ
グネシウム、ブチル−ヘキシルマグネシウム、ブチル−
オクチルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、ヘキ
シル−オクチルマグネシウム、ジオクチルマグネシウム
等であればよい。これらアルキルマグネシウム化合物の
うち、最も推奨されるものはブチル−オクチルマグネシ
ウムである。
、エチル−ブチルマグネシウム、エチル−ヘキシルマグ
ネシウム、エチル−オクチルマグネシウム、ジブチルマ
グネシウム、ブチル−ヘキシルマグネシウム、ブチル−
オクチルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、ヘキ
シル−オクチルマグネシウム、ジオクチルマグネシウム
等であればよい。これらアルキルマグネシウム化合物の
うち、最も推奨されるものはブチル−オクチルマグネシ
ウムである。
塩素化剤は塩素、塩化水素、塩化アルキル(たとえば、
塩化ブチル)、TiCl4、またはそれらの混合物であ
ればよい。
塩化ブチル)、TiCl4、またはそれらの混合物であ
ればよい。
塩素化は温度−10−100℃、好ましくは10−60
℃で行えばよい。塩素化後、反応混合物を窒素で15−
60分間処理して完全な塩素化を保証することができる
。
℃で行えばよい。塩素化後、反応混合物を窒素で15−
60分間処理して完全な塩素化を保証することができる
。
塩素化アルキルマグネシウム化合物は少量のアルコール
で処理してもよいが、たとえアルコール処理なしでも最
終触媒は非常に活性であることを証明している。アルコ
ールは脂肪族または芳香族のいずれかであればよく、そ
してそれは1乃至数個のヒドロキシル基、たとえばメタ
ノール、エタノール、2−エチルヘキサノールを含んで
いてもよい。もし、アルコール処理が行われれば、沈殿
物は炭化水素溶媒で数回洗浄してもよく、そして余分の
溶媒は窒素の流れにより蒸発させるものとする。その後
、沈殿物をエタノールに溶解させ、そして温度600℃
で2時間加熱することによりか焼された珪酸マグネシウ
ム担体がこの溶液に添加される。この担体な温度60−
70℃でこの溶液中に含浸させる。普通、処理時間は3
−24時囚で十分である。
で処理してもよいが、たとえアルコール処理なしでも最
終触媒は非常に活性であることを証明している。アルコ
ールは脂肪族または芳香族のいずれかであればよく、そ
してそれは1乃至数個のヒドロキシル基、たとえばメタ
ノール、エタノール、2−エチルヘキサノールを含んで
いてもよい。もし、アルコール処理が行われれば、沈殿
物は炭化水素溶媒で数回洗浄してもよく、そして余分の
溶媒は窒素の流れにより蒸発させるものとする。その後
、沈殿物をエタノールに溶解させ、そして温度600℃
で2時間加熱することによりか焼された珪酸マグネシウ
ム担体がこの溶液に添加される。この担体な温度60−
70℃でこの溶液中に含浸させる。普通、処理時間は3
−24時囚で十分である。
その含浸溶液と共に珪酸マグネシウム担体を冷(0℃未
満)炭化水素1媒に対しサイフオンで吸い上げ、その結
果該溶液のマグネシウム化合物は珪酸マグネシウム担体
の細孔内および表面上に直ちに沈殿する。その溶媒温度
は−30乃至−5℃間で変化してもよい。得られた担体
成分は炭化水素溶媒で数回洗浄する。洗浄後、担体成分
は、触媒成分を生成するためにそれ自体知られた方法に
よって四塩化チタンで処理される。チタン処理はたとえ
ば、固体担体成分を四塩化チタンで1回乃至数回反応さ
せることにより行えばよい。チタン処理前、処理中、あ
るいは処理後に触媒成分は内部供与体化合物により付加
的に処理してもよい。
満)炭化水素1媒に対しサイフオンで吸い上げ、その結
果該溶液のマグネシウム化合物は珪酸マグネシウム担体
の細孔内および表面上に直ちに沈殿する。その溶媒温度
は−30乃至−5℃間で変化してもよい。得られた担体
成分は炭化水素溶媒で数回洗浄する。洗浄後、担体成分
は、触媒成分を生成するためにそれ自体知られた方法に
よって四塩化チタンで処理される。チタン処理はたとえ
ば、固体担体成分を四塩化チタンで1回乃至数回反応さ
せることにより行えばよい。チタン処理前、処理中、あ
るいは処理後に触媒成分は内部供与体化合物により付加
的に処理してもよい。
チタン処理は好ましくは二段階で行われるべきであり、
その結果第一段階においては内部電子供与体化合物、通
常アミン、エーテル、またはエステルタイプのものが添
加される。適切な供与体は、たとえばフタル酸イソブチ
ルである。
その結果第一段階においては内部電子供与体化合物、通
常アミン、エーテル、またはエステルタイプのものが添
加される。適切な供与体は、たとえばフタル酸イソブチ
ルである。
第一段階においては、低温、たとえばO”C未満、好ま
しくは一20℃未満の採用が推奨される。この温度はチ
タン処理の間に90−1.10℃に引き上げられる。
しくは一20℃未満の採用が推奨される。この温度はチ
タン処理の間に90−1.10℃に引き上げられる。
第二チタン処理は潟[190−110℃で1−2時間行
われる。面体反応生成物は液層から分離され、そして炭
化水素wI媒で洗浄されて不純物および誘導体を除去す
る。触媒成分は窒素ガスにより室温またはそれより僅か
に高い温度で乾燥される。
われる。面体反応生成物は液層から分離され、そして炭
化水素wI媒で洗浄されて不純物および誘導体を除去す
る。触媒成分は窒素ガスにより室温またはそれより僅か
に高い温度で乾燥される。
本発明によりもたらされた触媒成分はα−オレフィンを
Al化合物および外部電子供与体(ext−ernal
electron donor)と接触さぼることに
よって該α−オレフィンを重合させるために使用するこ
とができる。外部電子供与体としては、数ある中でもア
ミン、エーテル、エステル(好ましくは芳香族カルボン
酸のアルキルまたはアリールエステル)またはシラン化
合物(アリール/アルキルシラン)たとえば、安息香酸
、トルエン酸(toluene acid)およびフタ
ル酸のメチルまたはエチルエステル、フタル酸のイソブ
チルエステル、トリエトキシシラン等が使用できる。上
記した電子供与体はAI−アルキルと錯体を形成し得る
ものである。それらは触媒の立体特異性を改良するため
に使用することができる。その外部電子供与体とAl−
アルキルとはその重合系によって、電子供与体Al−ア
ルキルのモル比10−30ならびにAI/Tiモル比1
0−300をもって混合される。この重合はスラリー、
塊状または気相重合において行うことができる。本発明
により生成された触媒成分および触媒はスラリー、塊状
または気相重合法によりα−オレフィン、たとえばプロ
ピレンの重合において使用することができる。
Al化合物および外部電子供与体(ext−ernal
electron donor)と接触さぼることに
よって該α−オレフィンを重合させるために使用するこ
とができる。外部電子供与体としては、数ある中でもア
ミン、エーテル、エステル(好ましくは芳香族カルボン
酸のアルキルまたはアリールエステル)またはシラン化
合物(アリール/アルキルシラン)たとえば、安息香酸
、トルエン酸(toluene acid)およびフタ
ル酸のメチルまたはエチルエステル、フタル酸のイソブ
チルエステル、トリエトキシシラン等が使用できる。上
記した電子供与体はAI−アルキルと錯体を形成し得る
ものである。それらは触媒の立体特異性を改良するため
に使用することができる。その外部電子供与体とAl−
アルキルとはその重合系によって、電子供与体Al−ア
ルキルのモル比10−30ならびにAI/Tiモル比1
0−300をもって混合される。この重合はスラリー、
塊状または気相重合において行うことができる。本発明
により生成された触媒成分および触媒はスラリー、塊状
または気相重合法によりα−オレフィン、たとえばプロ
ピレンの重合において使用することができる。
実施例 1
アルキルマグネシウム(20%へブタン溶液としてのブ
チル−オクチルマグネシウム)60mおよびヘプタン6
0a11!を、機械的撹拌機、還流冷却器、ガス供給弁
および温度計を備えた五つ首フラスコ中に秤取した。そ
の懸濁液を窒素で処理し、かつその製造工程全体を通じ
て不活゛性条件下に保持した。混合物は塩素ガスをもっ
て0.25リットル/分の割合で10−25分間温度1
0−56℃において塩素化した。その後、混合物を窒素
で30分間処理し、94−98℃まで加熱し、そしてエ
タノール20dを添加すると、塩素化沈殿物が濃縮され
た。この沈殿物を250dのへブタンで2回洗浄し、そ
してその洗浄後過剰の溶媒は窒素流によって蒸発させた
。この沈殿物を80℃でエタノール45Id中に溶解し
、珪酸マグネシウム5−69を該溶液ならびにエタノー
ル5Mi中に添加するが、この珪酸マグネシウムは予め
600℃で2時間加熱してか焼し、かつ窒素下で冷却さ
せたものであった。この混合物を70℃で一夜中撹拌し
た。熱温合物をサイフオンで冷(−20℃)へブタンに
対して吸い上げると、溶解マグネシウム成分が珪酸マグ
ネシウムの細孔内および表面上に沈殿した。固体成分を
窒素においてへブタンで2回洗浄し、次いで一25℃に
冷却し、この温度で四塩化チタン200dを添加した。
チル−オクチルマグネシウム)60mおよびヘプタン6
0a11!を、機械的撹拌機、還流冷却器、ガス供給弁
および温度計を備えた五つ首フラスコ中に秤取した。そ
の懸濁液を窒素で処理し、かつその製造工程全体を通じ
て不活゛性条件下に保持した。混合物は塩素ガスをもっ
て0.25リットル/分の割合で10−25分間温度1
0−56℃において塩素化した。その後、混合物を窒素
で30分間処理し、94−98℃まで加熱し、そしてエ
タノール20dを添加すると、塩素化沈殿物が濃縮され
た。この沈殿物を250dのへブタンで2回洗浄し、そ
してその洗浄後過剰の溶媒は窒素流によって蒸発させた
。この沈殿物を80℃でエタノール45Id中に溶解し
、珪酸マグネシウム5−69を該溶液ならびにエタノー
ル5Mi中に添加するが、この珪酸マグネシウムは予め
600℃で2時間加熱してか焼し、かつ窒素下で冷却さ
せたものであった。この混合物を70℃で一夜中撹拌し
た。熱温合物をサイフオンで冷(−20℃)へブタンに
対して吸い上げると、溶解マグネシウム成分が珪酸マグ
ネシウムの細孔内および表面上に沈殿した。固体成分を
窒素においてへブタンで2回洗浄し、次いで一25℃に
冷却し、この温度で四塩化チタン200dを添加した。
その後、混合物の温度を室温まで上昇させるが、その温
度でフタル酸ジイソブチル3mを添加した。温度100
−110℃に上昇させ、そして混合物を60分間撹拌し
た。沈殿物が沈降した後、この溶液をサイフオンで吸い
上げることにより除去した。
度でフタル酸ジイソブチル3mを添加した。温度100
−110℃に上昇させ、そして混合物を60分間撹拌し
た。沈殿物が沈降した後、この溶液をサイフオンで吸い
上げることにより除去した。
四塩化チタン処理を、四塩化チタン200dを用いて1
00−110℃で60分間反復した。沈殿物が沈降し、
かつ溶液がサイフオンで吸い上げられた後、最終触媒成
分をヘプタンで数回(温度80℃で5−6回)洗浄し、
そして窒素流中で乾燥した。触媒成分は、Mo2.5%
、Ti3.0%、5i10.2%およびC126,0%
を含有していた。上記方法により調製された触媒成分を
プロピレンの重合において、以下のようにして使用した
。すなわち、2リットル重合反応蟲内に、アルキルアル
ミニウムとしてトリエチルアルモニウムと、ルイス化合
物としてジフェニルジメトキシシランとを混合(Al/
供与体モル比20)することにより調装した触媒をヘプ
タン50mと共に添加し、次いで5分後触媒成分をこの
混合物中に添加すると、A I −T iモル比は20
0となった。
00−110℃で60分間反復した。沈殿物が沈降し、
かつ溶液がサイフオンで吸い上げられた後、最終触媒成
分をヘプタンで数回(温度80℃で5−6回)洗浄し、
そして窒素流中で乾燥した。触媒成分は、Mo2.5%
、Ti3.0%、5i10.2%およびC126,0%
を含有していた。上記方法により調製された触媒成分を
プロピレンの重合において、以下のようにして使用した
。すなわち、2リットル重合反応蟲内に、アルキルアル
ミニウムとしてトリエチルアルモニウムと、ルイス化合
物としてジフェニルジメトキシシランとを混合(Al/
供与体モル比20)することにより調装した触媒をヘプ
タン50mと共に添加し、次いで5分後触媒成分をこの
混合物中に添加すると、A I −T iモル比は20
0となった。
重合は下記の条件において行われた:プロピレンの分圧
9.0バール、水素の分圧0.3バール、温度70℃お
よび重合時間3時間、触媒の重合活性はPP3.8/(
g/触媒び・31時間、すなわちPP127.OKy/
T i gとなった。このポリマーのアイツタクチシテ
ィは96.0%そして嵩密度は0.289/llであっ
た。
9.0バール、水素の分圧0.3バール、温度70℃お
よび重合時間3時間、触媒の重合活性はPP3.8/(
g/触媒び・31時間、すなわちPP127.OKy/
T i gとなった。このポリマーのアイツタクチシテ
ィは96.0%そして嵩密度は0.289/llであっ
た。
実施例 2
触媒成分を実施例1におけるように生成したが、使用し
た珪酸マグネシウムは400℃で4時間か焼し、かつ窒
素流内で冷却したものであった。この触媒成分はMO9
,0%、Ti3.3%、3i11.3%およびCl2O
,0%を含有していた。
た珪酸マグネシウムは400℃で4時間か焼し、かつ窒
素流内で冷却したものであった。この触媒成分はMO9
,0%、Ti3.3%、3i11.3%およびCl2O
,0%を含有していた。
触媒の重合活性はPP4.4Kg/触媒び・3時間、す
なわちPPI 34.OK9/T i 9となった。
なわちPPI 34.OK9/T i 9となった。
このポリマーのアイツタクチシティは96.4%であっ
た。
た。
友3」L−ユ
触媒成分を実施例1におけるように生成したが、使用し
た珪酸マグネシウムは200℃で4時間か焼し、かつ窒
素流内で冷却したものであった。この触媒成分はMOl
o、0%、Ti3.3%、5i13.3%およびCl2
8.0%を含有していた。触媒の重合活性はPP5.6
Kg/触媒3・3時間、すなわちPP169.Kg/T
i gとなった。
た珪酸マグネシウムは200℃で4時間か焼し、かつ窒
素流内で冷却したものであった。この触媒成分はMOl
o、0%、Ti3.3%、5i13.3%およびCl2
8.0%を含有していた。触媒の重合活性はPP5.6
Kg/触媒3・3時間、すなわちPP169.Kg/T
i gとなった。
このポリマーのアイツタクチシティは96.3%そして
嵩密度は0.23g/ai!であった。
嵩密度は0.23g/ai!であった。
t」[1
触媒成分を実施例1におけるように生成したが、珪酸マ
グネシウムは市販のシリカ(S i 02−[ディヴイ
スン(Davison ) 952 J )で置換した
。この触媒成分はMQ6.0%、Ti4.0%、5i2
2.0%およびC126,0%を含有していた。触媒の
重合活性はPP3.:l1g/触媒9・3時間となった
。このポリマーのアイツタクチシティは78.8%そし
て嵩密度は0.32g/11!であった。
グネシウムは市販のシリカ(S i 02−[ディヴイ
スン(Davison ) 952 J )で置換した
。この触媒成分はMQ6.0%、Ti4.0%、5i2
2.0%およびC126,0%を含有していた。触媒の
重合活性はPP3.:l1g/触媒9・3時間となった
。このポリマーのアイツタクチシティは78.8%そし
て嵩密度は0.32g/11!であった。
この試験は、シリカ担体を使用する場合ポリマーのアイ
ツタクチシティが非常に低いものであることを示してい
る。更に、ドイツ国特許公告第3011326号により
生成されたポリマーと比較すると、アイソタクチック値
における改良は明白である。
ツタクチシティが非常に低いものであることを示してい
る。更に、ドイツ国特許公告第3011326号により
生成されたポリマーと比較すると、アイソタクチック値
における改良は明白である。
手続?■正書(方式)
%式%
1、事件の表示
昭和62年特許願第245714号
2、発明の名称
α−オレフィンのm合触媒用触媒成分およびそれらの生
成方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ネステ・オー争ワイ 4、代理人
成方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ネステ・オー争ワイ 4、代理人
Claims (10)
- (1)a)アルキルマグネシウム化合物を塩素化化合物
と反応させ、 b)所望による洗浄の後、塩素化アル キルマグネシウム化合物をアルリコール中に溶解し、 c)その溶液中に、200−600℃ において加熱することによりか焼した珪酸マグネシュウ
ムを添加し、 d)工程c)において得られた混合物 を冷媒質中に添加してマグネシュウム化合物を沈殿させ
て珪酸マグネシウム担体とし、 e)得られた固体担体成分を分離して、 内部電子供与体の存在下ハロゲンチタン化合物と反応さ
せる工程により生成されたものを固体触媒成分として製
造することを特徴とする有機アルミニウム化合物、電子
供与体および固体触媒成分であって、マグネシウムを含
む化合物をハロゲンチタン化合物と反応させる場合に得
られるものから成るα−オレフィンの重合触媒用触媒成
分。 - (2)a)アルキルマグネシウム化合物を塩素化化合物
と反応させ、 b)所望による洗浄の後、塩素化アル キルマグネシウム化合物をアルコール中に溶解し、c)
その溶液中に、200−600℃ において加熱することによりか焼した珪酸マグネシウム
を添加し、 d)工程c)において得られた混合物 を冷媒質中に添加してマグネシウム化合物を沈殿させて
珪酸マグネシウム担体とし、 e)得られた固体担体成分を分離して、 内部電子供与体の存在下ハロゲンチタン化合物と反応さ
せる工程により生成されたものを固体担体成分として製
造した触媒成分を特徴とする有機アルミニウム化合物、
外部電子供与体および固体触媒成分であって、マグネシ
ウムを含む化合物をハロゲンチタン化合物と反応させる
場合に得られるものから成るα−オレフィンの重合触媒
用触媒成分の製造方法。 - (3)工程c)において使用する珪酸マグネシウムが、
シリカと酸化マグネシウムとの混合物またはシリカと酸
化マグネシウムとの共沈物である特許請求の範囲第2項
記載の方法。 - (4)工程c)において使用する珪酸マグネシウムが、
硫酸マグネシウムまたは塩化マグネシウムと珪酸ナトリ
ウムとから沈殿される特許請求の範囲第2項記載の方法 - (5)反応体として使用されるアルキルマグネシウム化
合物が好ましくはブチル−オクチルマグネシウムである
特許請求の範囲第2項、第3項または第4項記載の方法 - (6)塩素化化合物が塩素、塩化水素、塩化アルキル、
TiCl_4、またはそれらの混合物である特許請求の
範囲第2項−第5項のいずれかに記載の方法。 - (7)マグネシウム化合物の塩素化において生成される
沈殿物がアルコールで処理される前記特許請求の範囲の
いずれかに記載の方法。 - (8)四塩化チタン処理が、第一段階と関連して添加さ
れる内部電子供与体化合物によって二段階で行われる特
許請求の範囲第2項記載の方法。 - (9)供与体化合物がフタル酸ジブチルてある特許請求
の範囲第2項−第8項のいずれかに記載の方法。 - (10)α−オレフィン、特にプロピレンをAl−化合
物および外部電子供与体と接触させることによる、その
重合における特許請求の範囲第2項−第9項のいずれか
に記載の方法により生成された触媒成分の利用。
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