JPS63114146A - 半導体装置におけるバンプ形成方法 - Google Patents
半導体装置におけるバンプ形成方法Info
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- JPS63114146A JPS63114146A JP61260211A JP26021186A JPS63114146A JP S63114146 A JPS63114146 A JP S63114146A JP 61260211 A JP61260211 A JP 61260211A JP 26021186 A JP26021186 A JP 26021186A JP S63114146 A JPS63114146 A JP S63114146A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、半導体装置特に、ハイブリッド形赤外線イ
メージセンサにバンプを形成する際に、バンプの均−性
及び再現性の悪さを解決するために、第２のフォトレジ
スをバターニングによって露光、現像後に第１のフォト
レジストの露光現像を行いオーバハングを形成するよう
にしたものである。
メージセンサにバンプを形成する際に、バンプの均−性
及び再現性の悪さを解決するために、第２のフォトレジ
スをバターニングによって露光、現像後に第１のフォト
レジストの露光現像を行いオーバハングを形成するよう
にしたものである。
この発明は、半導体装置特に、ハイブリッド形赤外線イ
メージセンサにおけるバンプ形成方法に関するものであ
る。
メージセンサにおけるバンプ形成方法に関するものであ
る。
赤外線イメージセンサは可視光イメージセンサと同様に
多画素のものが要求されている。これに伴って、ハイブ
リッド形赤外線イメージセンサでは、光電変換部と信号
処理部とを接続するバンプも画素数以上の数が必要とな
りバンプ数が増加する。更に、バンプは接続率をよくす
るために高さ１０μｍ以上のものが必要である。従って
、ハイブリッド形赤外線イメージセンサを製作するのに
、多数のバンプを再現性よく、且つ十分な高さをもたせ
て高歩留りで製作されるバンプ形成方法が要求されてい
る。
多画素のものが要求されている。これに伴って、ハイブ
リッド形赤外線イメージセンサでは、光電変換部と信号
処理部とを接続するバンプも画素数以上の数が必要とな
りバンプ数が増加する。更に、バンプは接続率をよくす
るために高さ１０μｍ以上のものが必要である。従って
、ハイブリッド形赤外線イメージセンサを製作するのに
、多数のバンプを再現性よく、且つ十分な高さをもたせ
て高歩留りで製作されるバンプ形成方法が要求されてい
る。
第２図は従来のバンプ形成方法を示す工程図である。ま
ず、第２図（ａｌの工程で半導体基板１の表面に、ポジ
形フォトレジスト２を塗布する。このポジ形フォトレジ
スト２の上にネガ形フォトレジスト３を塗布し、半導体
基板１の上に異なるフォトレジストを２層形成する。
ず、第２図（ａｌの工程で半導体基板１の表面に、ポジ
形フォトレジスト２を塗布する。このポジ形フォトレジ
スト２の上にネガ形フォトレジスト３を塗布し、半導体
基板１の上に異なるフォトレジストを２層形成する。
第２図（′ｂ）の工程で、通常のフォトリソグラフィ技
術によって、バンプを形成する領域に第２のフォトマス
クを用いて露光を行い、現像をしてネガ形フォトレジス
ト３のバンプ領域を除去する。
術によって、バンプを形成する領域に第２のフォトマス
クを用いて露光を行い、現像をしてネガ形フォトレジス
ト３のバンプ領域を除去する。
次に第２図（Ｃ）の工程で、ポジ形フォトレジストを剥
離液を用いて除去する。この除去によって図に示すよう
に、ネガ形フォトレジスト３がオーバーハングするよう
にする。
離液を用いて除去する。この除去によって図に示すよう
に、ネガ形フォトレジスト３がオーバーハングするよう
にする。
これは、インジウム（Ｉｎ） ４を蒸着した後のリフト
オフの際に、バンプ形状を損なわずリフトオフが容易と
なる。 第２図（ｄｌの工程で、ネガ形フォトレジスト
３の上からインジウム（Ｉｎ） ４を蒸着する。
オフの際に、バンプ形状を損なわずリフトオフが容易と
なる。 第２図（ｄｌの工程で、ネガ形フォトレジスト
３の上からインジウム（Ｉｎ） ４を蒸着する。
第２図（ｄ）の工程のネガ形、ポジ形レジスト２゜３の
りフトオフを第２図（ｅ）の工程で行い、バンプ６を形
成する。
りフトオフを第２図（ｅ）の工程で行い、バンプ６を形
成する。
上記したように、従来のバンプ形成方法は、下層のポジ
形フォトレジストを剥離液を用いて溶解して行っていた
。これはポジ形フォトレジストの表面層（０，３μｍ程
度）がネガ形フォトレジストの溶剤及びネガ形フォトレ
ジストの現像液によって化学変化を生じ、通常の現像法
ではポジ形フォトレジストを除去できないからである。
形フォトレジストを剥離液を用いて溶解して行っていた
。これはポジ形フォトレジストの表面層（０，３μｍ程
度）がネガ形フォトレジストの溶剤及びネガ形フォトレ
ジストの現像液によって化学変化を生じ、通常の現像法
ではポジ形フォトレジストを除去できないからである。
従って、剥離液を使用して熔解し水洗によって除去する
ことになる。この除去を十分に行うには、剥離液で長時
間処理する必要があるが、除去し過ぎると図示しない隣
のバンプ領域までポジ型レジストが除去されたりし、そ
の判断は困難であった。
ことになる。この除去を十分に行うには、剥離液で長時
間処理する必要があるが、除去し過ぎると図示しない隣
のバンプ領域までポジ型レジストが除去されたりし、そ
の判断は困難であった。
一方不十分な剥離を行うと、オーバーハングと深いパタ
ーンのために、水洗で十分除去できず、化学変化部分が
残りその上に形成したＩｎバンプがリフトオフの際に取
り去られる。そのために剥離液の攪拌及び画素パターン
の密集度等の種々の要因で、バンプ形成の再現性と均一
性が悪く、処理効率が悪いと云う問題があった。
ーンのために、水洗で十分除去できず、化学変化部分が
残りその上に形成したＩｎバンプがリフトオフの際に取
り去られる。そのために剥離液の攪拌及び画素パターン
の密集度等の種々の要因で、バンプ形成の再現性と均一
性が悪く、処理効率が悪いと云う問題があった。
この発明は、上記した従来の状況からバンプ形成が容易
に、しかも再現性と均一性良く行える半導体装置におけ
るバンプ形成方法の提供を目的とするものである。
に、しかも再現性と均一性良く行える半導体装置におけ
るバンプ形成方法の提供を目的とするものである。
この発明では、上層の第２のフォトレジストを露光と現
像によって除去した後に、下層の第１のフォトレジスト
の表面層を剥離液で除去した後に第１のフォトレジスト
を露光と現像によって除去してオーバーハングを形成す
る。
像によって除去した後に、下層の第１のフォトレジスト
の表面層を剥離液で除去した後に第１のフォトレジスト
を露光と現像によって除去してオーバーハングを形成す
る。
化学的に変化した第１のフォトレジストを剥離剤で除去
して、フォトマスクによって第１のフォトレジストの露
光と現像を行い除去するので、オーバーハングは、均一
性と再現性のよいものとなり、然も量産性の優れたもの
となる。
して、フォトマスクによって第１のフォトレジストの露
光と現像を行い除去するので、オーバーハングは、均一
性と再現性のよいものとなり、然も量産性の優れたもの
となる。
第１図は本発明の一実施例の工程図であり、第２図と同
一箇所は同符号を用いると共にその説明も省略する。本
発明の特徴とする部分は、第１図（Ｃ）、 （ｄ）、
（ｅ）の工程であり、以後この工程に付いて説明をする
。
一箇所は同符号を用いると共にその説明も省略する。本
発明の特徴とする部分は、第１図（Ｃ）、 （ｄ）、
（ｅ）の工程であり、以後この工程に付いて説明をする
。
上層の第２のフォトレジスト即ち、ネガ形フォトレジス
ト３を第２の遮光性フォトマスク５−１によってバンプ
領域を除去した第１図（ｂ）の状態から、第１図ｔｃ＞
の工程に入る。第１図（Ｃ）の工程では、第１の透光性
フォトマスク５−２を用いて、下層の第１のフォトレジ
スト即ち、ポジ形フォトレジスト２の露光を行う。この
透光性フォトマスク５−２は、フォトマスク５−１より
大きく形成されており、点線で示すようにポジ形レジス
ト２は露光すれて、ポジ形フォトレジスト２を除去した
時に、ネガ形フォトレジスト３がオーバーハングするよ
うになる。
ト３を第２の遮光性フォトマスク５−１によってバンプ
領域を除去した第１図（ｂ）の状態から、第１図ｔｃ＞
の工程に入る。第１図（Ｃ）の工程では、第１の透光性
フォトマスク５−２を用いて、下層の第１のフォトレジ
スト即ち、ポジ形フォトレジスト２の露光を行う。この
透光性フォトマスク５−２は、フォトマスク５−１より
大きく形成されており、点線で示すようにポジ形レジス
ト２は露光すれて、ポジ形フォトレジスト２を除去した
時に、ネガ形フォトレジスト３がオーバーハングするよ
うになる。
次の第１図（ｄ）の工程において、ネガ形フォトレジス
トの溶剤および現像液で化学変化しポジ形フォトレジス
トの現像で除去できない表面部分を剥離液を用いて除去
する。この状態で剥離の水洗を行う。従って、この水洗
は、オーバーハングが小さく除去量の少ない状態にて行
い、溶融液の水洗が容易である。
トの溶剤および現像液で化学変化しポジ形フォトレジス
トの現像で除去できない表面部分を剥離液を用いて除去
する。この状態で剥離の水洗を行う。従って、この水洗
は、オーバーハングが小さく除去量の少ない状態にて行
い、溶融液の水洗が容易である。
第１図（ｅ）の工程で、ポジ形フォトレジスト２の現像
を行い、パターニングを完了する。その後の第１図（ｆ
）、 （ｇ＞の工程は従来と同じであり、バンプが形成
される。
を行い、パターニングを完了する。その後の第１図（ｆ
）、 （ｇ＞の工程は従来と同じであり、バンプが形成
される。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、下
層フォトレジストの表面を剥離液で除去し、その後に現
像で除去すると云う簡単な工程で再現性及び均一性のよ
いバンプの形成が行われ、ハイブリッド形赤外イメージ
センサを高歩留りで量産する上できわめて有効な効果を
奏する。
層フォトレジストの表面を剥離液で除去し、その後に現
像で除去すると云う簡単な工程で再現性及び均一性のよ
いバンプの形成が行われ、ハイブリッド形赤外イメージ
センサを高歩留りで量産する上できわめて有効な効果を
奏する。
第１図は本発明の一実施例の工程図、
第２図は従来のバンプ形成方法を示す工程図である。
図において、１は半導体基板、２はポジ形フォトレジス
ト、３はインジウムを示す。 第１図 第２図
ト、３はインジウムを示す。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 バンプを具備する赤外線センサにおいて、 半導体基板（１）の表面に第１のフォトレジスト（２）
と第１のフォトレジストと露光特性の異なる第２のフォ
トレジスト（３）とを順次積層して２層のフォトレジス
ト層を形成し、前記第２のフォトレジスト（３）にバン
プを形成する第２のフォトマスクによって露光と現像を
行い、その後に第１のフォトマスクによって露光を行い
、レジスト剥離剤で前記領域の第１のフォトレジスト（
２）の表面部分を除去したる後に、前記第１のフォトレ
ジスト（２）を除去しオーバハング部を形成する現像工
程を含むことを特徴とする半導体装置におけるバンプ形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61260211A JPH0760817B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 半導体装置におけるバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61260211A JPH0760817B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 半導体装置におけるバンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114146A true JPS63114146A (ja) | 1988-05-19 |
| JPH0760817B2 JPH0760817B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17344886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61260211A Expired - Fee Related JPH0760817B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 半導体装置におけるバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760817B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246218A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06252151A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-09-09 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップバンプの製造方法 |
| JP2004513504A (ja) * | 2000-04-18 | 2004-04-30 | オブドゥカト アクティエボラーグ | 構造体に関連する基板及びその製造方法 |
| JP2011146603A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 検出装置、受光素子アレイ、電子機器、およびこれらの製造方法 |
| JP2016127234A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | 株式会社アルバック | レジスト構造体の製造方法 |
-
1986
- 1986-10-30 JP JP61260211A patent/JPH0760817B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246218A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06252151A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-09-09 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体チップバンプの製造方法 |
| JP2004513504A (ja) * | 2000-04-18 | 2004-04-30 | オブドゥカト アクティエボラーグ | 構造体に関連する基板及びその製造方法 |
| JP2011146603A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 検出装置、受光素子アレイ、電子機器、およびこれらの製造方法 |
| JP2016127234A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | 株式会社アルバック | レジスト構造体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760817B2 (ja) | 1995-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |