JPS6298246A - Ｍｏｓ型半導体素子 - Google Patents
Ｍｏｓ型半導体素子Info
- Publication number
- JPS6298246A JPS6298246A JP24006585A JP24006585A JPS6298246A JP S6298246 A JPS6298246 A JP S6298246A JP 24006585 A JP24006585 A JP 24006585A JP 24006585 A JP24006585 A JP 24006585A JP S6298246 A JPS6298246 A JP S6298246A
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- JP
- Japan
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- diffusion part
- resin
- diffusion
- oxide film
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ技術分野）
この発明は、二重拡散により形成される縦型のＭＯ３型
半導体素子の封止に用いる樹脂の評価、主に樹脂中の不
純物イオンの量を評価する技術に関する。
半導体素子の封止に用いる樹脂の評価、主に樹脂中の不
純物イオンの量を評価する技術に関する。
従来は封止樹脂中の不純物による影Ｖを見るために第２
図に示すようにソース電極（１）とドレイン電極（２）
間のゲート電極（３）の一部を削除した形のＭＯＳ型半
導体素子用され、リーク電流により不純物量を検知する
ことが行なわれていた。
図に示すようにソース電極（１）とドレイン電極（２）
間のゲート電極（３）の一部を削除した形のＭＯＳ型半
導体素子用され、リーク電流により不純物量を検知する
ことが行なわれていた。
図示例のＭＯ３型半導体素子は、Ｐ型のシリコン基板（
８）と使用したＮチャンネルＭ ＯＳ型半心体素子で、
（４）はドレ・イン領域、（５）はソース領域、（６）
は表面の酸化膜であり、ヘース領域（７）上に設けられ
た電極（３）のソース例半分が削除され、その表面全体
を樹脂（７）封止した構造をもつ。
８）と使用したＮチャンネルＭ ＯＳ型半心体素子で、
（４）はドレ・イン領域、（５）はソース領域、（６）
は表面の酸化膜であり、ヘース領域（７）上に設けられ
た電極（３）のソース例半分が削除され、その表面全体
を樹脂（７）封止した構造をもつ。
ゲート電極（３）に正の電圧を加えるとき、電界の向き
は図中矢印の如く酸化膜６の表面に向かい樹脂（７）中
に不純物イオン、例えばＮａ’が存在するとき、ソース
電極（１）側の酸化膜（６）表面に広がり、この表面に
集った正イオンによりゲート電極（３）のない部分にも
チャネルが伸び、ゲート電極（３）のない部分にも電圧
が加わったように作用し、ドレイン電極（２）とソース
電極（１）間にリーク電流が流れることにより、リーク
電流の大小により樹脂（７）中の不純物イオン量を評価
するものである。
は図中矢印の如く酸化膜６の表面に向かい樹脂（７）中
に不純物イオン、例えばＮａ’が存在するとき、ソース
電極（１）側の酸化膜（６）表面に広がり、この表面に
集った正イオンによりゲート電極（３）のない部分にも
チャネルが伸び、ゲート電極（３）のない部分にも電圧
が加わったように作用し、ドレイン電極（２）とソース
電極（１）間にリーク電流が流れることにより、リーク
電流の大小により樹脂（７）中の不純物イオン量を評価
するものである。
しかし、このＭＯ３型半導体素子では微小なリーク電流
の検出が困難であるという欠点があった。
の検出が困難であるという欠点があった。
本発明は、二重拡散により形成される縦型のＭＯ８型半
導体素子の封止に用いる樹脂の評価、主に樹脂中の不純
物イオンの量を評価するのに用いるＭ ＯＳ型半導体素
子を提供することを目的とする。
導体素子の封止に用いる樹脂の評価、主に樹脂中の不純
物イオンの量を評価するのに用いるＭ ＯＳ型半導体素
子を提供することを目的とする。
この発明の要旨とするところは、第１図実施例に示され
る如く、裏面にドレイン電極（２）を有する第１伝導型
の半導体基板（８）の表面上に、第１伝導型とは逆の性
質を有する第２伝導型の深い第１Ｄ八敗部（４）を形成
し、この第１拡散部（４）の上面部中に第１伝導型の第
２拡散部（５）を周囲を第１拡散部（４）で囲むソース
領域■として形成し、第１拡散部（４）と第２拡散部（
５）をソース電極（１）で接続し、ゲート電極（３）を
、酸化膜（６）を介して半導体基板（８）の表面より第
１拡散部（４）上まで第２拡散部（５）との間に間隔を
へたてるようにして設け、表面を樹脂（７）で封止して
成るＭＯ５型半導体素子である。
る如く、裏面にドレイン電極（２）を有する第１伝導型
の半導体基板（８）の表面上に、第１伝導型とは逆の性
質を有する第２伝導型の深い第１Ｄ八敗部（４）を形成
し、この第１拡散部（４）の上面部中に第１伝導型の第
２拡散部（５）を周囲を第１拡散部（４）で囲むソース
領域■として形成し、第１拡散部（４）と第２拡散部（
５）をソース電極（１）で接続し、ゲート電極（３）を
、酸化膜（６）を介して半導体基板（８）の表面より第
１拡散部（４）上まで第２拡散部（５）との間に間隔を
へたてるようにして設け、表面を樹脂（７）で封止して
成るＭＯ５型半導体素子である。
以下この発明を第１図に示す実施例に基づいて説明する
。
。
図示例は二重拡散により形成される縦型のＮチャンネル
型のＭＯ３型半導体素子である。Ｎ−型シリコン基板を
第１伝導型の半導体基板（８）とし、その上面側に第２
伝導型としてＰ型の第１拡散部（４）を形成し、第１拡
散部（４）の上面中に外周を第１拡散部（４）で囲まれ
るようにＮ゛型の第２拡散部（５）をソース領域■とし
て形成して成るものである。半導体基＋ｔｆｆｌ（８）
の裏面側はＮ’ ｉ （９）が形成され、ここにドレイ
ン電極（２）が設けられている。
型のＭＯ３型半導体素子である。Ｎ−型シリコン基板を
第１伝導型の半導体基板（８）とし、その上面側に第２
伝導型としてＰ型の第１拡散部（４）を形成し、第１拡
散部（４）の上面中に外周を第１拡散部（４）で囲まれ
るようにＮ゛型の第２拡散部（５）をソース領域■とし
て形成して成るものである。半導体基＋ｔｆｆｌ（８）
の裏面側はＮ’ ｉ （９）が形成され、ここにドレイ
ン電極（２）が設けられている。
（６）は酸化膜で半導体基板（８）から第２拡散部（５
）の表面を被覆しており、第１拡散部（４）の中央部上
は開口している。この酸化膜（６）の第２拡散部（５）
上にソース電極（１）が設けられている。
）の表面を被覆しており、第１拡散部（４）の中央部上
は開口している。この酸化膜（６）の第２拡散部（５）
上にソース電極（１）が設けられている。
（１０）は酸化膜で、酸化膜（６）上に半導体基板（８
）の表面から第１拡散部（４）の外周に至る部分及び酸
化膜（６）の開口部上を被覆している。このようにして
第１拡散部（４）の内周側と第２拡散部（５）の外周側
の部分は酸化膜（１０）で被覆されないままになってい
る。以上のような状態で、酸化膜（６）と（１０）の表
面上は樹脂（７）で封止されている。
）の表面から第１拡散部（４）の外周に至る部分及び酸
化膜（６）の開口部上を被覆している。このようにして
第１拡散部（４）の内周側と第２拡散部（５）の外周側
の部分は酸化膜（１０）で被覆されないままになってい
る。以上のような状態で、酸化膜（６）と（１０）の表
面上は樹脂（７）で封止されている。
而してゲート電極（３）に電圧を加えると電界が矢印で
示すようにゲート電極（３）の上面より第１拡散部（４
）と第２拡散部、（５）上の露出した酸化膜（６）に向
かい、封止した樹脂（７）中の正イオンがこの酸化膜（
６）の表面上に集まりれに対応してドレイン領域である
半導体基板（８）とソース領域である第２拡散部（５）
間の酸化膜（６）下にはチャネルが形成され、リーク電
流が流れる。このようにしてソース電極（１）とドレイ
ン電極（２）間が導通ずる。従ってこのリーク電流量を
検知することにより樹脂（７）中の不純物・イオン七を
知ることができる。
示すようにゲート電極（３）の上面より第１拡散部（４
）と第２拡散部、（５）上の露出した酸化膜（６）に向
かい、封止した樹脂（７）中の正イオンがこの酸化膜（
６）の表面上に集まりれに対応してドレイン領域である
半導体基板（８）とソース領域である第２拡散部（５）
間の酸化膜（６）下にはチャネルが形成され、リーク電
流が流れる。このようにしてソース電極（１）とドレイ
ン電極（２）間が導通ずる。従ってこのリーク電流量を
検知することにより樹脂（７）中の不純物・イオン七を
知ることができる。
尚、上記実施例では、封止樹脂中の正イオン量を評価す
る場合を示したが、負イオン量を評価する場合は、Ｐチ
ャンネルＭＯ３型半導体素子として本発明を実施し、シ
リコン基板（８）に正電圧を、ゲート電極（３）に負電
圧を加えるようにすればよい。
る場合を示したが、負イオン量を評価する場合は、Ｐチ
ャンネルＭＯ３型半導体素子として本発明を実施し、シ
リコン基板（８）に正電圧を、ゲート電極（３）に負電
圧を加えるようにすればよい。
以上のように本発明のＭＯ３型半導体素子にあっては、
第２伝扉型の第１拡散部が第１伝導型の第２拡散部を囲
むように形成されているためドレイン領域となる第１拡
散部とソース領域となる第２拡散部間に形成されるチャ
ネル長さに対してチャネル幅が大きくなり、不純物量が
少なくても大きなリーク電流が流れ、貰感度で封止樹脂
中の不純物イオン量を検知することができるのである。
第２伝扉型の第１拡散部が第１伝導型の第２拡散部を囲
むように形成されているためドレイン領域となる第１拡
散部とソース領域となる第２拡散部間に形成されるチャ
ネル長さに対してチャネル幅が大きくなり、不純物量が
少なくても大きなリーク電流が流れ、貰感度で封止樹脂
中の不純物イオン量を検知することができるのである。
第１図はこの発明の一実施例を示す図で、（ａ）は断面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視図、第２図は従来例を
示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）平面図である。 （１）・・・ソース電極、（２）・・・ドレイン電極、
（３）・・・ゲート電極、（４）・・・第１拡散部、（
５）・・・第２拡散部、（６）・・・酸化膜、（７）・
・・樹脂、（８）・・・半導体基板、（９）・・・Ｎ″
層、（１０）・・・酸化膜。
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視図、第２図は従来例を
示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）平面図である。 （１）・・・ソース電極、（２）・・・ドレイン電極、
（３）・・・ゲート電極、（４）・・・第１拡散部、（
５）・・・第２拡散部、（６）・・・酸化膜、（７）・
・・樹脂、（８）・・・半導体基板、（９）・・・Ｎ″
層、（１０）・・・酸化膜。
Claims (1)
- （１）裏面にドレイン電極（２）を有する第１伝導型の
半導体基板（８）の表面上に、第１伝導型とは逆の性質
を有する第２伝導型の深い第１拡散部（４）を形成し、
この第１拡散部（４）の上面部中に第１伝導型の第２拡
散部（５）を周囲を第１拡散部（４）で囲むソース領域
５として形成し、第１拡散部（４）と第２拡散部（５）
をソース電極（１）で接続し、ゲート電極（３）を、酸
化膜（６）を介して半導体基板（８）の表面より第１拡
散部（４）上まで第２拡散部（５）との間に間隔をへだ
てるようにして設け、表面を樹脂（７）で封止して成る
ＭＯＳ型半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24006585A JPS6298246A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | Ｍｏｓ型半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24006585A JPS6298246A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | Ｍｏｓ型半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298246A true JPS6298246A (ja) | 1987-05-07 |
| JPH0355783B2 JPH0355783B2 (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=17053963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24006585A Granted JPS6298246A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | Ｍｏｓ型半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6298246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086370A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP24006585A patent/JPS6298246A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086370A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4546796B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355783B2 (ja) | 1991-08-26 |
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