JPS629732Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 考案の技術分野 本考案は、擬似同軸線路及びストリツプ線路を
有する電気端子を備え、超高周波体で使用するの
に好適な半導体装置用パツケージに関する。

近年、GaAs−FET等の半導体素子及びこれ等
を用いた超小型、高性能のマイクロ波増幅回路等
が実現され、それと同時にそれ等素子、回路等を
収容するパツケージも開発されれている。そし
て、該パツケージの内部寸法は６×６×２〔mm〕
と極めて小型であり、また、適応周波数はKu帯
にまで及び、該周波数帯での入出力端子部に於け
る電力損失が僅か0.2〜0.3〔dB〕、定在波比が1.3
以下という極めて優秀な高周波特性を有してい
る。

第１図は従来例の要部切断斜面図、第２図は要
部切断側面図であり、１は銅製基台、２は銅製フ
レーム、３はサフアイア板、４は電気端子、４Ａ
は電気端子４を構成するアルミナ基体、４Ｂは電
気端子４を構成するアルミナ駒体、５はメタライ
ズ膜のラミネート部分、６，７はストリツプ線
路、８はサフアイア板上に形成されたストリツプ
線路、９はストリツプ線路７とストリツプ線路９
とを結ぶ金のリボン、１０は蓋体をそれぞれ示し
ている。

このパツケージに於けるサフアイア板３は厚さ
0.3〔mm〕であつて、その上表面には増幅回路の
50〔Ω〕ストリツプ線路８が形成されている。

また、電気端子４は、厚さ0.6〔mm〕、長さ１
〔mm〕の基体４Ａに低抵抗率のタングステン・ペ
ーストを用いてメタライズ膜のパターンを形成
し、その上に厚さ0.6〔mm〕、、長さ0.5〔mm〕の駒
体４Ｂをラミネートし、メタライズ膜に於けるラ
ミネートされていない部分に金鍍金して50〔Ω〕
のストリツプ線路６，７を形成し、全体の側周に
はメタライズ膜を形成したものである。そして、
この電気端子４は基台１及びフレーム２に形成さ
れた穴若しくは切欠きに嵌挿され、前記側周に形
成されたメタライズ膜を介して固着される。。こ
の構成に依り、電気端子４に於ける基台４Ａと駒
体４Ｂとがラミネートされた部分では周囲が基台
１及びフレーム２で囲まれた状態となつていて、
基台１及びフレーム２を外導体、メタライズ膜の
ラミネート部分５を内導体、基体４Ａ及び駒体４
Ｂを誘電体とする擬似同軸線と見ることができ
る。しかも、その擬似同軸線路の両外方にはスト
リツプ線路６，７が連なる構成となつている。

ところで、前記パツケージでは、優れた高周波
特性を得るためにストリツプ線路６，７は出来る
限り短く、例えば、0.25〔mm〕してあり、また、
フレーム２の高さは、蓋体１０で封止したことに
依る不要伝播モードの発生を避けるために或程度
の高さ、例えば、1.6〔mm〕を保つ構造になつて
いる。

そして、このパツケージは、第３図に見られる
ように、縦続的に結合して使用することがしばし
ば行なわれている。

第３図では、第１図及び第２図に関して説明し
た部分と同部分を同記号で指示してある。

この場合、相隣るパツケージの間隔Ｌ１は0.5
〔mm〕、深さＬ２は2.2〔mm〕となるので、この狭
い空間に溶接器具を挿入して、ストリツプ線路６
及び６を金リボン１１（或いは錫半田）で結合さ
せることは、甚だ困難な作業になり特殊な器具が
必要である。

考案の目的 本考案は、パツケージに於ける蓋体の高さを内
部接地面及び収納される回路から所定高さに維持
し、そして、隣接するパツケージ間の空間を広く
とり得る構造となし、パツケージの性能を低下さ
せないように、しかも、パツケージの結合作業が
容易であるようにするものである。

考案の実施例 第４図は本考案一実施例の要部切断側面図であ
り、第１図乃至第３図に関して説明した部分と同
部分は同記号で指示してある。

本実施例が前記従来例と相違する点は、蓋体１
２が凸形となつていてエツジから凸形の立ち上が
りまでの距離Ｌ３は２〔mm〕程度もあること、フ
レームの高さが0.7〔mm〕程度であつて蓋体１０
の厚み0.1〔mm〕を考慮しても深さＬ２は0.8
〔mm〕程度であること等である。尚、本実施例に
於けるパツケージの幅Ｌ４は６〔mm〕である。

このような構造になつているので、パツケージ
を衝合した近傍にはかなり広い空間が得られ、し
かも、深さＬ２が浅いので、ストリツプ線路６，
６を金リボン１１で結合する溶接器具の挿入は容
易である。

第５図は、他の実施例の要部切断側面図であ
り、第４図に関して説明した部分と同部分は同記
号で指示してある。

この実施例では、蓋体１３がセラミツクで形成
され、表面は凸形になつているが、裏面は平坦で
あつて空所はない。

このようにした場合、フレーム２を第４図実施
例の如く低くしたのでは、蓋体１３と回路等とが
接近しすぎるので、これは、適当に高くしなけれ
ばならない。

しかし、それであつても、パツケージを衝合し
た近傍では、従来のものよりも広い空間が得られ
るので、結合作業の容易性の点では効果がある。

考案の効果 本考案パツケージでは、金属フレームを有する
金属基台と、表面に擬似同軸線路の内導体となる
メタライズ膜のラミネート部分及び該ラミネート
部分の両端から延在するストリツプ線路が形成さ
れた誘電体基体とその基体に於ける前記メタライ
ズ膜のラミネート部分近傍に設けられ前記基体と
一体化された誘電体駒体とを有し前記金属フレー
ム及び金属基台に形成された切欠き或いは穴等の
貫通部に嵌挿固着された電気端子と、前記金属フ
レームに固着され中央以外の部分を低くした凸形
蓋体とを備えた構造になつているので、パツケー
ジの複数個を縦続的に結合する際、パツケージの
衝合部分近傍には広い空間が形成され、ストリツ
プ線路の結合作業は極めて容易に行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例の要部切断斜面図、第２図は要
部切断側面図、第３図も要部切断側面図、第４図
は本考案一実施例の要部切断側面図、第５図は他
の実施例の要部切断側面図である。 図に於いて、１は銅製基台、２は銅製フレー
ム、３はサフアイア板、４は電気端子、４Ａは電
気端子４を構成するアルミナ基体、４Ｂは電気端
子４を構成するアルミナ駒体、５はメタライズ膜
のラミネート部分、６，７はストリツプ線路、８
はサフアイア板上に形成されたストリツプ線路、
９はストリツプ線路７とストリツプ線路９とを結
ぶ金のリボン、１０は蓋体、１１はストリツプ線
路６，６を結ぶ金のリボン、１２，１３は蓋体で
ある。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 金属フレームを有する金属基台と、表面に擬似
   同軸線路の内導体となるメタライズ膜のラミネー
   ト部分及び該ラミネート部分の両端から延在する
   ストリツプ線路が形成された誘電体基体とその基
   体に於ける前記メタライズ膜のラミネート部分近
   傍に設けられ前記基体と一体化された誘電体駒体
   とを有し前記金属フレーム及び金属基台に形成さ
   れた切欠き或いは穴等の貫通部に嵌挿固着された
   電気端子と、前記金属フレーム上表面に固着され
   中央以外の周縁部分が低く形成された凸形蓋体と
   を備えてなる事を特徴とする半導体装置用パツケ
   ージ。