JPS6296308A - 珪酸質球状体の製法 - Google Patents

珪酸質球状体の製法

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JPS6296308A
JPS6296308A JP23636185A JP23636185A JPS6296308A JP S6296308 A JPS6296308 A JP S6296308A JP 23636185 A JP23636185 A JP 23636185A JP 23636185 A JP23636185 A JP 23636185A JP S6296308 A JPS6296308 A JP S6296308A
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JP
Japan
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slurry
spray
siliceous
particles
heat
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JP23636185A
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English (en)
Inventor
Yoshio Kimura
好男 木村
Kazuo Takahashi
和男 高橋
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Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、珪酸質球状体の製法、さらに詳しくは、半導
体素子封止用樹脂組成物のフィラーとして適した性質を
もった珪酸質球状体の量産製法に関する。
〔従来の技術〕
半導体素子の封止には、金属やセラミックを用いる気密
封止法と樹脂を用いる樹脂封止法がラリ、後者は、経済
性、量産性にすぐれるため約80%を占めている。樹脂
封止法におけるフィラーとしては、主として、天然珪石
の溶融・粉砕品が用いられているが、このものは多くの
尖端をもった不定形物であるので流動性が悪いのみなら
ず素子表面に応力を与え素子の特性を狂わしたり、さら
には成型の際に素子を損傷させる危険があった。また、
UやThなどの放射性不純物がわずかに含まれており、
そこから発生するα線が半導体製品にソフトエラーを与
えるので高集積化には不向きである。
以上の問題点を解消するため、合成シリカ微粒子を原料
とする球状シリカ粒子の製法が種々提案されているが一
長一短がある。
例えば、特開昭58−140313号公報には、ハロゲ
ン化シラン化合物を火炎と共に耐火性の標的上に吹きつ
けて、その酸化加水分解で生成するシリカ微粒子を標的
上に付着させ、これをその平均粒径が1μm以上になる
まで溶融成長させる方法が紹介されているが、この方法
では、シリカ微粒子のまま飛散したり標的上でガラス膜
化するものの割合が大きく成長粒子が得られにくいとい
う欠点がある。
また、特開昭58−88130号公報には、合成シリカ
微粒子を再度合成雰囲気中にさらして粒子成長させる方
法、特開昭59−152215号公報には、合成シリカ
微粒子を気体もしくは液体燃料または酸素、空気等の支
燃性がスに分散させてバーナーに供給し粒子成長させる
方法がそれぞれ記載されている。しかし、これらの方法
では、気相中で合成シリカ微粒子を合着又は成長させる
ため、球状成長せずに不定形粒子となったり、あるいは
合着・成長にあずからなかったものは微粒子のまま残存
することになる。不定形粒子は、前述のように、成形性
と流動性に悪影響を与え、また、微粒子の残存は、フィ
ラーの比表面積を増大させることになるので、これまた
流動性に害を与える。
また、以上の方法によって得られたいずれもの合成シリ
カ粒子は、粒度分布幅が広いので、適切な粒度構成とす
るには分級工程が不可欠となる欠点がある。
一方、特開昭60−131868号公報には、σ含有量
が少なく流動性と成形性にすぐれ、しかも比較的シャー
プな粒度分布をもった球状7リカを製造する方法として
、まず、合成シリカ微粒子をスラリー化し、次いでそれ
を噴霧乾燥した後焼成又は溶融する技術が開示されてい
る。この方法によれば、種々の利点をもたらすが、量産
条件は記載されておらず、また条件によっては、十分に
緻密化された球状粒子が得られないところが未解決であ
った。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明者は、特開昭60−13868号公報における以
上の未解決問題を解決する丸め種々検討を重ねた結果、
スラリーのpHを8〜10に調整すればよいことを見い
出し、本発明を完成するに至った。
〔問題点を解決するための手段〕
すなわち、本発明は、スラリー化した合成珪素質微粉末
を噴霧乾燥し、それを熱処理して珪酸質球状体を製造す
る方法において、スラリーのpHを8〜10に調整する
ことを特徴とする珪酸質球状体の製法である。
以下、さらに詳しく本発明について説明する。
本発明において、原料とする合成珪素質微粉末は、例え
ば、ハロゲン化シリコン化合物等の揮発しやすい珪素化
合物及びシラン等を加水分解、酸化分解あるいはアルコ
ール存在下でアルコキシドとし加水分解することにより
生成したもので、UlThの含有量は10 ppb以下
で、その粒度は0.005〜0.5  μm程度の微細
なものが好適である。
この合成珪素質微粉末と、結合剤を混合してスラリーを
調製し、それをスプレードライヤー等の噴婦式造粒機を
用いて造粒する。結合剤としては、U −? Th等の
放射性不純物を実質的に含有しない水やアルコール等に
、エチルシリケート、コロイダルシリカ、ホリビニルア
ルコール、カルボキシメチルセルロースなどを必要に応
じて添加したものを用いる。ここで、本発明において特
に重要なことは、スラリーを調製する際、そのpHを8
〜10に調節することである。この理由について説明す
れば次の通りである。
スラリー濃度が小さいときには生産性が悪く、かつ、得
られた造粒品には空隙が多いものとなり緻密性も低下す
る。緻密性の低下は、次の熱処理において十分焼結でき
ず、また、破裂の原因ともなる。そこで、スラリー濃度
を高くすればこれらの欠点は解消されるが、その反面、
スラリー〇rル化によって流動性が低下しスプレードラ
イヤー等の閉塞をきたし連続運転ができなくなるという
不都合が起こる。そこで、本発明では、この高濃度のス
ラリーの流動性を高めるために、そのpHを8〜10に
調節したものである。−が8よりも小さいと珪素質微粉
末表面の負電荷が少なくなりかえって粘度の高いビル化
しやすいものとなる。
一方、−が10を越えるとシリカの溶解が始まり、ガス
装置の腐食も激しくなるので好ましくはない。
このように、pHを8〜10とすることによって、例え
ば、0.01〜0.06μmの粒径をもつ珪素質微粉末
の場合には15重量%程度までの、また、0.01〜0
.08μmの粒径をもつもつのは60重′M%程度まで
のスラリー濃度とすることができる。
これらの値は、−7における濃度に比べて約50チ高い
ものである。
なお、造粒粒子の大きさとしては、粒径300μm以下
、特許200μm以下とするのがよい。
3[]0μmよりも大きくなると溶射溶融する際バーナ
ーの詰まりが発生するおそれがあり、また、シャープな
粒度構成をもった球状粒子は得られにく  く  な 
る 。
以上の方法によって得られた造粒品を熱処理して珪r8
1R質球状体とする。熱処理条件としては、1.700
℃以上の雰囲気下で瞬時に焼成又は溶融することが望ま
しい。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例及び比較例をあげてさらに具体的
に説明する。
実施例 原料として、粒径0.01〜0.05 pm (7ww
観察)を有する合成シリカ微粒子20ゆと純水35ゆを
混合し、アンモニア水浴液を用いてスラリーpHを8.
9に調節した。
このスラリーを回転ディスク方式のスプレードライヤー
に151 / Hrの速度で供給しディスク回転数15
.00 Q rpm、乾燥温度260’Oの条件で噴霧
造粒して粒径5〜60μmの造粒球状品を得た。この造
粒品を、温度1)50℃で2時間焼成し、その後水系が
、x、 60 Nm3/ Hr (43,9m/8 )
酸素がス15 Nm’ / Fir (8,3m/s 
) +17) dスm成で形成した温度1850℃のフ
レーム中に溶射溶融して製品とした。得られた製品をS
KM観察したところ、第1図に示すように吸密な球状体
であり、真比重は2.21g/rz3であった。
比較例1 実施例と同一の合成シリカ微粒子5匈と純水45ゆを混
合してスラリーを調製した。このスラリーの−は4.5
であった。これを、実施例と同−条件で造粒し熱処理し
たところ、得られた製品は第2図に示すように、一部分
側れた粒子を含むものであった。また、真比重は1.6
7g/CrIL3であった。
比較例2 実施例と同一の合成シリカ微粒子20klilと純水6
5稽を混合してスラリーを調製しく−は4.0)、それ
を実施例と同一の条件で噴霧造粒したところ、スラリー
供給開始から10分程度で噴gd内に閉塞が生じ造粒の
継続が不可能となった。得られた造粒品は粒径3〜60
μmの球状品であったが一部に大きく変形した粒子がみ
られた。
比較例6 実施例において、スラリーのpHを7.5にした。
この場合、合成シリカ微粒子の配合量を20kli+か
ら10kgまでに減じてやらないと、実施例と同程度の
流動性をもったスラリーを調製することができなかった
。この合成シリカ微粒子の配合割合は、実施例に比べて
約40%減に相当するものである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、以下の効果を奏するものである。
(1)  スラリー濃度を高めることができるので生産
性が高まる。
(2)、紋密な球状粒子を得ることができ、かつ、その
粒度分布はシャープとなる。
(3)高純度であり、U−?Th等の放射線不純物の含
有量が低い。
(4)  スラリーによるスプレードライヤー等の閉塞
は起こらない。
なお、本発明によって得られた珪酸質球状体は、i M
Mt 、 4 !Jbit用ICの樹脂封土用フィラー
として1重用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例で得られた製品のSEM写真、第2図は
比較例1で得られた73品のSE’+(写真であり、い
ずれも倍率は350倍である。 特許出願人 電気化学工業株式会社 手続補正書(方式) 昭和61年2月14日 特許庁長官  宇 賀 道 部 殿 1、事件の表示 昭和60年特許願第236361号 2、発明の名称 珪酸質球状体の製法 6、補正をする者 事件との関係  特許出願人 〒100 東京都千代田区有楽町1丁目4番1号 昭和61年1月28日 (発送日) 5、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 6 補正の内容 別紙のとおり (七゛・ 明細書第10頁第10〜12行を次のとおり釘止する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)スラリー化した合成珪素質微粉末を噴霧造粒し、
    それを熱処理して珪酸質球状体を製造する方法において
    、スラリーのpHを8〜10に調整することを特徴とす
    る珪酸質球状体の製法。
JP23636185A 1985-10-24 1985-10-24 珪酸質球状体の製法 Pending JPS6296308A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23636185A JPS6296308A (ja) 1985-10-24 1985-10-24 珪酸質球状体の製法

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JP23636185A JPS6296308A (ja) 1985-10-24 1985-10-24 珪酸質球状体の製法

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JPS6296308A true JPS6296308A (ja) 1987-05-02

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ID=16999658

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JP23636185A Pending JPS6296308A (ja) 1985-10-24 1985-10-24 珪酸質球状体の製法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028360A (en) * 1989-04-17 1991-07-02 Nitto Chemical Industries Co., Ltd. Method of manufacturing spherical silica particles

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5028360A (en) * 1989-04-17 1991-07-02 Nitto Chemical Industries Co., Ltd. Method of manufacturing spherical silica particles

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