JPS6295534A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS6295534A JPS6295534A JP23527085A JP23527085A JPS6295534A JP S6295534 A JPS6295534 A JP S6295534A JP 23527085 A JP23527085 A JP 23527085A JP 23527085 A JP23527085 A JP 23527085A JP S6295534 A JPS6295534 A JP S6295534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- charge
- optionally substituted
- substituted
- crystalline selenium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は成子写真用感光体に関するものである。さらに
詳しくは、結晶セレン粒子全分散させた框子供与性有機
結着剤層を有する電荷発生層及びα−フェニルスチルベ
ン化合物を少なくとも１種有効成分として含有する１ｆ
Ｔ移動層を積層した′成子写真用感光体に関するもので
るる。
詳しくは、結晶セレン粒子全分散させた框子供与性有機
結着剤層を有する電荷発生層及びα−フェニルスチルベ
ン化合物を少なくとも１種有効成分として含有する１ｆ
Ｔ移動層を積層した′成子写真用感光体に関するもので
るる。
従来、非晶質セレンを用いた感光体に関しては多数出願
されていた。従来のセレン化と累を用いた感光体は真空
蒸着で２０μｍ〜１００μｍの膜淳の層を形成している
が１分散タイプにすると同じ弐面岨位を床付する為の膜
厚は８μｍ〜５０μｍ根度で可能となる。これはセレン
化ヒ素の訪電率が７に機結着剤のそれに比較して約２倍
であることに起因している。本発明のように電荷発生層
として結晶セレンの分収タイプを用いると。
されていた。従来のセレン化と累を用いた感光体は真空
蒸着で２０μｍ〜１００μｍの膜淳の層を形成している
が１分散タイプにすると同じ弐面岨位を床付する為の膜
厚は８μｍ〜５０μｍ根度で可能となる。これはセレン
化ヒ素の訪電率が７に機結着剤のそれに比較して約２倍
であることに起因している。本発明のように電荷発生層
として結晶セレンの分収タイプを用いると。
複写プロセスの現ＩＪに必要な表面電位を電荷発生層で
抹つ必要が無い為、その１漠厚は５μｍ以下で足やる。
抹つ必要が無い為、その１漠厚は５μｍ以下で足やる。
ｆｉＥって、感光体の単位面檀中に必要なセレン化ヒ素
のｔは従来の真空漂着タイプと比較して１／１ｏ〜１／
１ｏｒＪとなシ、それだけ経済的で６る。
のｔは従来の真空漂着タイプと比較して１／１ｏ〜１／
１ｏｒＪとなシ、それだけ経済的で６る。
従来の方法によれば、真壁蒸着で非晶質セレンの層を形
成しておシ、真空蒸着中の導電性基板のｖｆＡ度は５０
℃〜１００℃に保持する必要がろシ。
成しておシ、真空蒸着中の導電性基板のｖｆＡ度は５０
℃〜１００℃に保持する必要がろシ。
また具空蒸看法で成膜するために基板の材料ぼ金属板、
金属ドラム等のガスおよび水分及層性の少ないものに限
られるが５本発明の分散タイプにすると分散Ｕ溶媒の乾
燥温度６０℃〜１２０℃に耐え得る基板でわれば使用出
来る為ポリエステル、ポリイミド等のプラスチックフィ
ルム戒面にアルミニウム、スズ等の金属を蒸着したもの
、ポリカーボネート、ポリエステル等のプラスチックに
金属粒子等の導電粒子を分散したものなどの比較的耐熱
性の低い基板も用いることが出来る。また、従来のＸ空
蒸着タイプの非晶質セレンの感光体は１幾械的応力に対
してもろい為、感光体として可撓性ベルト状の形態が取
シにくかったが、本発明の分散タイプにするとＭ機結層
剤として可撓性の材料を使用出来る為それが可能となる
。
金属ドラム等のガスおよび水分及層性の少ないものに限
られるが５本発明の分散タイプにすると分散Ｕ溶媒の乾
燥温度６０℃〜１２０℃に耐え得る基板でわれば使用出
来る為ポリエステル、ポリイミド等のプラスチックフィ
ルム戒面にアルミニウム、スズ等の金属を蒸着したもの
、ポリカーボネート、ポリエステル等のプラスチックに
金属粒子等の導電粒子を分散したものなどの比較的耐熱
性の低い基板も用いることが出来る。また、従来のＸ空
蒸着タイプの非晶質セレンの感光体は１幾械的応力に対
してもろい為、感光体として可撓性ベルト状の形態が取
シにくかったが、本発明の分散タイプにするとＭ機結層
剤として可撓性の材料を使用出来る為それが可能となる
。
特開昭４７−１８５４６号は結晶セレン、Ｒ２−フタロ
シアニンをポリビニルカルバゾールに分ｉした電荷発生
層とポリビニルカルバゾール、ポリビニルピレン等を含
有する電荷移動層との積層感光体を開示している。また
特開昭５６−２７０６５号（特公昭５９−９０４９号）
は、三方晶セレンの電荷発生層トＮ、Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ、Ｎ’−ビス（２−メチルフェニル） −ＣＬ１’
−ビフェニル） −４，４′ジアミンを含有する電荷移
動層との積層感光体を開示している。
シアニンをポリビニルカルバゾールに分ｉした電荷発生
層とポリビニルカルバゾール、ポリビニルピレン等を含
有する電荷移動層との積層感光体を開示している。また
特開昭５６−２７０６５号（特公昭５９−９０４９号）
は、三方晶セレンの電荷発生層トＮ、Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ、Ｎ’−ビス（２−メチルフェニル） −ＣＬ１’
−ビフェニル） −４，４′ジアミンを含有する電荷移
動層との積層感光体を開示している。
しかしながら、前述の積層感光体にはいずれにも、電子
写真用感光体に必要な帯電特性および高感度性の両方の
特性を同時に成立させることは困難でるるという問題点
があった。
写真用感光体に必要な帯電特性および高感度性の両方の
特性を同時に成立させることは困難でるるという問題点
があった。
そこで本発明は上述の問題点を解決するべく、帯電性に
後れしかも高感度であシ、さらに可撓性の良好な感光体
を提供することを目的とする。
後れしかも高感度であシ、さらに可撓性の良好な感光体
を提供することを目的とする。
したがって本発明の′螺子写真用感光体は、導電性基板
上に電荷発生層と電荷移動層とを積層した電子写真用感
光体でろって、電荷発生層が結晶セレン粒子を分散した
電子供与性有機結着剤層を有し、電荷移動層が下記一般
式（１）で表わされるα−フェニルスチルベン化合物を
少なくとも１種有効成分として含有することｔ−特徴と
している。
上に電荷発生層と電荷移動層とを積層した電子写真用感
光体でろって、電荷発生層が結晶セレン粒子を分散した
電子供与性有機結着剤層を有し、電荷移動層が下記一般
式（１）で表わされるα−フェニルスチルベン化合物を
少なくとも１種有効成分として含有することｔ−特徴と
している。
（式中Ｒ１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の
アラルキル基を、Ｒ２，Ｒ５及びＲ４は水素原子、置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の７
リール基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表
わし、 Ａｒ’は置換又は無置換のアリール基を、Ａｒ
２は置換又は無置換のアリーレン基ｆ：表わす。Ａｒ１
とＲ１は共同で環を形成してもよい。ｎは０又は１の歪
数でめる） １荷発生層として本発明で使用される結晶セレン粒子を
分収させる電子供与性有機化合物のｙｌＪとしてはポリ
ビニルカルバゾール及びその誘導体（例えばカルバゾー
ル骨格に塩素、臭素などのハロゲン、メチル基、アミン
基などの置換基金有するものン、ポリビニルピレン、オ
牛サジアゾール、ピラゾリン、ヒドラゾン、トリフェニ
ルアミン系化合物などのＭ未含有化合物及びジアリール
メタン系化合物等があるが、特にポリビニル力ルパゾ〜
ル及びその誘導体が好ましい。またこれらの化合物を混
合して用いても良い。混合して用いる場合もポリビニル
カルバゾール及びその誘導体に他の電子供与性有機化合
物を添加するのが好ましい。好ましい理由としてはポリ
ビニルカルバゾール及びその誘導体が他の電子供与性有
機化分物及びＩＩ電荷移動層含まれるα−フェニルスチ
ルベン化合物と比較してイオン化ポテンシャルが大きい
こと及びそれ０芽がポリマーである為電荷移動層の塗工
形成が容易に行い得ることが上げられる。
しくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の
アラルキル基を、Ｒ２，Ｒ５及びＲ４は水素原子、置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の７
リール基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表
わし、 Ａｒ’は置換又は無置換のアリール基を、Ａｒ
２は置換又は無置換のアリーレン基ｆ：表わす。Ａｒ１
とＲ１は共同で環を形成してもよい。ｎは０又は１の歪
数でめる） １荷発生層として本発明で使用される結晶セレン粒子を
分収させる電子供与性有機化合物のｙｌＪとしてはポリ
ビニルカルバゾール及びその誘導体（例えばカルバゾー
ル骨格に塩素、臭素などのハロゲン、メチル基、アミン
基などの置換基金有するものン、ポリビニルピレン、オ
牛サジアゾール、ピラゾリン、ヒドラゾン、トリフェニ
ルアミン系化合物などのＭ未含有化合物及びジアリール
メタン系化合物等があるが、特にポリビニル力ルパゾ〜
ル及びその誘導体が好ましい。またこれらの化合物を混
合して用いても良い。混合して用いる場合もポリビニル
カルバゾール及びその誘導体に他の電子供与性有機化合
物を添加するのが好ましい。好ましい理由としてはポリ
ビニルカルバゾール及びその誘導体が他の電子供与性有
機化分物及びＩＩ電荷移動層含まれるα−フェニルスチ
ルベン化合物と比較してイオン化ポテンシャルが大きい
こと及びそれ０芽がポリマーである為電荷移動層の塗工
形成が容易に行い得ることが上げられる。
本発明の電荷移ｍ層は有機バインダーであり且つ電気的
に不活性な有機樹脂例えばポリカーボネート、ポリスチ
レン、スチレン−ブタジェン共重合体、アクリル酸エス
テル又はメタクリル酸エステルの重合体又は共重合体、
ポリエステル、エポキシ拉（脂、ウレタン樹脂、シリコ
ン樹脂、アルキッド樹脂などの中に約１０〜約８ＯＮ量
係好ましくは４０〜６０重量係の下記衣−１に示す例示
化合物の１冷又は２種以上を溶解して成る。
に不活性な有機樹脂例えばポリカーボネート、ポリスチ
レン、スチレン−ブタジェン共重合体、アクリル酸エス
テル又はメタクリル酸エステルの重合体又は共重合体、
ポリエステル、エポキシ拉（脂、ウレタン樹脂、シリコ
ン樹脂、アルキッド樹脂などの中に約１０〜約８ＯＮ量
係好ましくは４０〜６０重量係の下記衣−１に示す例示
化合物の１冷又は２種以上を溶解して成る。
六 −１
１＠ ＣＨ３ＨＯ＠ ＣＨ５ＣＨ３
２１＃ ＃ ＃ ＃ ＣＨ３＠ 。
６＠ＣＨ５Ｈｚ＠■２［相］＠
４ ・ ・ ・ ・ ・ ＠ ［相］５ 、
、 、 ｌ ｌ −＠Ｐ５０萌６ ・ ・ ・ ・
・Ｏ可・ ［相］７ ・ ・ ・ ・ ・（戸
［相］８ｚ ｚ ＃ １＃ひ５ひ。
、 、 ｌ ｌ −＠Ｐ５０萌６ ・ ・ ・ ・
・Ｏ可・ ［相］７ ・ ・ ・ ・ ・（戸
［相］８ｚ ｚ ＃ １＃ひ５ひ。
化合物ＮＩ Ａｒ’ Ｒ’ Ｒ２ｎＡｒ２
Ｒ’ Ｒ’１１ ・ ［相］・ ・
＠ ［相］１５ ＠ ０２Ｈ５ｔ ｚ ｚ
ｚ ／化合物ｒ４１Ａｒｌ ＲＩ Ｒ２ｎ
Ａｒ２ Ｒ’ Ｒ’２２ ｓ
ｚ ” Ｃ２Ｈ５Ｃ２Ｈ５化合物１＠
Ａｒｌ ＲＩ Ｒ２ｎ Ａｒ２ Ｒ
’ Ｒ’（ＸＥ５ 化合＄ＮｎＡｒＩ Ｒｊ Ｒ２ｎ Ａｒ
２ Ｒ５Ｒ４６６＠＠ ・ ・ ・ ３４ １つ佃５ ３５ Ｉ＠盟 ａ′（５ 化合物ＮｌＡｒ’ Ｒ’ Ｒ２ｎ Ａｒ
２ Ｒ５Ｒ’３７ ＃０＃矩緯、伽。
Ｒ’ Ｒ’１１ ・ ［相］・ ・
＠ ［相］１５ ＠ ０２Ｈ５ｔ ｚ ｚ
ｚ ／化合物ｒ４１Ａｒｌ ＲＩ Ｒ２ｎ
Ａｒ２ Ｒ’ Ｒ’２２ ｓ
ｚ ” Ｃ２Ｈ５Ｃ２Ｈ５化合物１＠
Ａｒｌ ＲＩ Ｒ２ｎ Ａｒ２ Ｒ
’ Ｒ’（ＸＥ５ 化合＄ＮｎＡｒＩ Ｒｊ Ｒ２ｎ Ａｒ
２ Ｒ５Ｒ４６６＠＠ ・ ・ ・ ３４ １つ佃５ ３５ Ｉ＠盟 ａ′（５ 化合物ＮｌＡｒ’ Ｒ’ Ｒ２ｎ Ａｒ
２ Ｒ５Ｒ’３７ ＃０＃矩緯、伽。
４２■傭。
４６ 伽
化合物ｒＪＩＡｒ’ Ｒ” Ｒ２ｎ Ａ
ｒ２Ｒ’ Ｒ’４７ ＃ ＃ ＃
＠２Ｈ５ 化合物ＮｌＡｒ’ ＲＩ Ｒ２ｎ Ａｒ２
Ｒ５Ｒ’５７ ＠ ＠ Ｈ−＠−＠ ＠ 化合物醜Ａｒｌ ＲＩ Ｒ２ｎ Ａｒ２
Ｒ３Ｒ’化合物ｔａＡｒ’ ＲＩ Ｒ２
ｎ Ａｒ２ Ｒ５Ｒ’化合＃ＮａΔと！−枦−
二Ｒ２ｎ Ａｒ２ Ｒ５Ｒ’−７８＠ ａＨ
，Ｉ Ｉ ＃ ａ（２＠ｃａ２＠化合ＩＪ＋４１Ａ
ｒＩ ＲＩ Ｒ２ｎ Ａｒ２ Ｒ５Ｒ
４７９ｚ ｊ ｚ 四５ １５８２
１１ ％ ＣＨｓ 四３８５
−ｚｚ−＠沖５唖刈３Ｈ５ 以下５図面に従って本発明の磁子写真用感光体の構成に
ついて詳述する。第１図は本発明に係る感光体の代表例
の断面図でろシ、１は２４″！を性基板、２は電荷発生
層、６は電荷移動層をそれぞれ示す。第２図は他の代表
例の断面図であシ、４は°中間層を示す。中間層は接着
層および／ま九は？［荷注入阻止層として必要に応じて
設ける。
ｒ２Ｒ’ Ｒ’４７ ＃ ＃ ＃
＠２Ｈ５ 化合物ＮｌＡｒ’ ＲＩ Ｒ２ｎ Ａｒ２
Ｒ５Ｒ’５７ ＠ ＠ Ｈ−＠−＠ ＠ 化合物醜Ａｒｌ ＲＩ Ｒ２ｎ Ａｒ２
Ｒ３Ｒ’化合物ｔａＡｒ’ ＲＩ Ｒ２
ｎ Ａｒ２ Ｒ５Ｒ’化合＃ＮａΔと！−枦−
二Ｒ２ｎ Ａｒ２ Ｒ５Ｒ’−７８＠ ａＨ
，Ｉ Ｉ ＃ ａ（２＠ｃａ２＠化合ＩＪ＋４１Ａ
ｒＩ ＲＩ Ｒ２ｎ Ａｒ２ Ｒ５Ｒ
４７９ｚ ｊ ｚ 四５ １５８２
１１ ％ ＣＨｓ 四３８５
−ｚｚ−＠沖５唖刈３Ｈ５ 以下５図面に従って本発明の磁子写真用感光体の構成に
ついて詳述する。第１図は本発明に係る感光体の代表例
の断面図でろシ、１は２４″！を性基板、２は電荷発生
層、６は電荷移動層をそれぞれ示す。第２図は他の代表
例の断面図であシ、４は°中間層を示す。中間層は接着
層および／ま九は？［荷注入阻止層として必要に応じて
設ける。
本発明の感光体は基本的には導電性基板１上に電荷発生
物質として結晶セレンを主体とする電荷発生層２と、α
−フェニルスチルベン化合物を含有する電荷移動層３と
の積層から成る感光層が設けられたものである。この感
光体では電荷移動層の表面を負に帯電し、ｉ荷発生層２
及び電荷移ｍ層６に電界を印加した後電荷移動層側から
露光することによって電荷移動層３を透過した光が電荷
発生層２に到達し、その領域で電荷担体の発生分離及び
電子供与性有機化合物への注入が起こり、一方電荷移動
層３は分離したｉｔ！荷担体の注入を受けてその搬送を
行なうもので、光減挾に必要な電荷担体の発生は電荷発
生物質でろる結晶セレンで行なわれ、またへ荷担体の搬
送は電荷＃動層６（王としてα−７二二ルスチルベン化
合物が働く）で行なわｎる。
物質として結晶セレンを主体とする電荷発生層２と、α
−フェニルスチルベン化合物を含有する電荷移動層３と
の積層から成る感光層が設けられたものである。この感
光体では電荷移動層の表面を負に帯電し、ｉ荷発生層２
及び電荷移ｍ層６に電界を印加した後電荷移動層側から
露光することによって電荷移動層３を透過した光が電荷
発生層２に到達し、その領域で電荷担体の発生分離及び
電子供与性有機化合物への注入が起こり、一方電荷移動
層３は分離したｉｔ！荷担体の注入を受けてその搬送を
行なうもので、光減挾に必要な電荷担体の発生は電荷発
生物質でろる結晶セレンで行なわれ、またへ荷担体の搬
送は電荷＃動層６（王としてα−７二二ルスチルベン化
合物が働く）で行なわｎる。
導電性基板１として透光性のものを用いる場合は露光を
導電性基板１０１１１から行なうことも可能であシ光滅
設は前記と同様の各層の働きによる。
導電性基板１０１１１から行なうことも可能であシ光滅
設は前記と同様の各層の働きによる。
添付第１図に示した感光体を作成するには導電性基板１
上に電子供与性有機化合物を溶解し九適当な済媒申に結
晶セレン粒子を分散した分散液を塗布し、乾燥するかし
て、更に必要であれば、パフ研磨などの方法によって表
面仕上げ。
上に電子供与性有機化合物を溶解し九適当な済媒申に結
晶セレン粒子を分散した分散液を塗布し、乾燥するかし
て、更に必要であれば、パフ研磨などの方法によって表
面仕上げ。
膜厚調製などを行なって電荷発生層２ｔ−形成し、この
上に１種又は２種以上のα−フェニルステルベン化合物
と有機バインダーとを溶解した溶液ｔ−殖布し、乾燥し
て電荷移動層６を形成すればよい。
上に１種又は２種以上のα−フェニルステルベン化合物
と有機バインダーとを溶解した溶液ｔ−殖布し、乾燥し
て電荷移動層６を形成すればよい。
電荷発生層２の結晶セレン粒子は５μｍ以下のものが使
用できるが、好ましくは１μｍ以下が適当である。５μ
ｍ以上のものは感光体の電子写真としての帯電能を低下
させ１部分的な白ぬけ画隊の原因となる。
用できるが、好ましくは１μｍ以下が適当である。５μ
ｍ以上のものは感光体の電子写真としての帯電能を低下
させ１部分的な白ぬけ画隊の原因となる。
電荷発生層２の厚さは５μｍ以下、好ましくは０．５μ
ｍ〜２μｍでめり、電荷移動層６の厚さは３〜５０μｍ
１好ましくは５〜６０μｍが適当である。
ｍ〜２μｍでめり、電荷移動層６の厚さは３〜５０μｍ
１好ましくは５〜６０μｍが適当である。
分散せしめた結晶セレン粒子の電荷発生層２に占める割
付は１．０〜８０重−ｉ俤、好ましくは５，０〜６０重
童盪程度である。結晶セレン粒子が少ないと電荷発生物
質が少ない為光減衰速度が低下し、多すぎると感光体の
帯電性、籍に電荷発生層２の帯電性が悪くなシ、露光で
発生した電荷の分離が困離となる為光減拭速匿が低下す
る。
付は１．０〜８０重−ｉ俤、好ましくは５，０〜６０重
童盪程度である。結晶セレン粒子が少ないと電荷発生物
質が少ない為光減衰速度が低下し、多すぎると感光体の
帯電性、籍に電荷発生層２の帯電性が悪くなシ、露光で
発生した電荷の分離が困離となる為光減拭速匿が低下す
る。
を荷発生層２の結虐剤として電子供与性有機結層剤の電
子供与性を低下させない範囲で他の不活性な有機樹脂例
えば電荷移動層３の有機、Ｓイングーの例として前記に
示した有ａ樹脂を混合することが出来る。電子供与性を
低下させない範囲とは電荷発生ｗｉｔ−除く電荷発生層
２中の割合で６０殖黛チ以下が適当でδる。
子供与性を低下させない範囲で他の不活性な有機樹脂例
えば電荷移動層３の有機、Ｓイングーの例として前記に
示した有ａ樹脂を混合することが出来る。電子供与性を
低下させない範囲とは電荷発生ｗｉｔ−除く電荷発生層
２中の割合で６０殖黛チ以下が適当でδる。
導１性基板１はアルミニウム、スズ、ニッケル、クロム
、ステンレス、鉄などの金属板又は金属箔、アルミニウ
ム、スズ、ニッケル、クロム、妖などの金属又は酸化イ
ンジウム、酸化スズ、 ＩＴＯなどの金属酸化物など
を蒸庸、スパッタリング又はメッキしたプラスチックフ
ィルム。
、ステンレス、鉄などの金属板又は金属箔、アルミニウ
ム、スズ、ニッケル、クロム、妖などの金属又は酸化イ
ンジウム、酸化スズ、 ＩＴＯなどの金属酸化物など
を蒸庸、スパッタリング又はメッキしたプラスチックフ
ィルム。
同様の方法で導電処理を施した紙あるいは金属。
カーボンなどの４を性粒子を分散したプラスチックフィ
ルム又はドラムなどが用いられる。
ルム又はドラムなどが用いられる。
電荷発生層及び／又は電荷移動層には必要に応じて呵塑
剤金加えることが出来る。そうした可塑剤としてはハロ
ゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフェニル、ジメチルナフ
タリン、ジブチルフタレートなどが例示出来る。
剤金加えることが出来る。そうした可塑剤としてはハロ
ゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフェニル、ジメチルナフ
タリン、ジブチルフタレートなどが例示出来る。
更に以上の様にして得られる感光体には第２図に示した
様に２導電性基板１と電荷発生層２との間に必要に応じ
て接層層および／又は電荷注入阻止層として中間層４を
設けることが出来る。
様に２導電性基板１と電荷発生層２との間に必要に応じ
て接層層および／又は電荷注入阻止層として中間層４を
設けることが出来る。
これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ポリ
エステル、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニリデン
、ポリビニルアルコール、ボ１ＪｆｆＨｔビニル、ニト
ロセルロース、フェノール樹脂及びこれら２棟以上の混
合物等の有機樹脂薄膜、酸化アルミニウム、酸化珪素等
の無機薄膜でア）、また膜厚は１μｍ以下が好ましい。
エステル、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニリデン
、ポリビニルアルコール、ボ１ＪｆｆＨｔビニル、ニト
ロセルロース、フェノール樹脂及びこれら２棟以上の混
合物等の有機樹脂薄膜、酸化アルミニウム、酸化珪素等
の無機薄膜でア）、また膜厚は１μｍ以下が好ましい。
本発明は後述の夷踊例によってさらに詳しく説明される
が１本発明はこれに限定されるものではない。
が１本発明はこれに限定されるものではない。
本発明の感元層は結晶セレン板子及び電子供与性物質を
主成分とするもので、ここで使用される結晶セレン板子
は公知の方法で作ることができる。例えば高装置セレン
を高凝度の預アルカリ水浴液に刀口熱浴解し、これを純
水中に滴下又は戚で中和して結晶セレン（六方晶形ンと
して析出させればよい。
主成分とするもので、ここで使用される結晶セレン板子
は公知の方法で作ることができる。例えば高装置セレン
を高凝度の預アルカリ水浴液に刀口熱浴解し、これを純
水中に滴下又は戚で中和して結晶セレン（六方晶形ンと
して析出させればよい。
また別の方法として、ガス尋入口を取り付けた真をタン
クを用いてもよい、即ちタンク内を排気ポンプを用いて
１０”” Ｔｏｒｒ以下まで減圧し。
クを用いてもよい、即ちタンク内を排気ポンプを用いて
１０”” Ｔｏｒｒ以下まで減圧し。
次に室索、ヘリウムまたはアルゴン寺の不活性ガスを導
入して０．１〜１０Ｔｏｒｒ１７Ｃ保つ。次に通電力ｌ
Ｉ熱ボートを５００℃〜４００℃に保ちながら前もって
タンク内に投入しておいた高ＮＭセレンを然発さぜる。
入して０．１〜１０Ｔｏｒｒ１７Ｃ保つ。次に通電力ｌ
Ｉ熱ボートを５００℃〜４００℃に保ちながら前もって
タンク内に投入しておいた高ＮＭセレンを然発さぜる。
これによシタンク内壁にセレン微粒子が推横する。この
セレン戴粒子を、ベンゼン、トルエンまたは酢酸エチル
寺の有機溶媒で回収し、該有機ｆｆ４媒にて遺留した後
、水洗し。
セレン戴粒子を、ベンゼン、トルエンまたは酢酸エチル
寺の有機溶媒で回収し、該有機ｆｆ４媒にて遺留した後
、水洗し。
さらに減圧乾燥させ２ることにより結晶セレンを得ても
良い。
良い。
本発明の電子写真用感光体は上述のように講成されてい
るため、従来の非晶質セレン感光体と比較して原材料コ
スト及び製造コストが低く、筐た帯電性が良く且つ高感
度でｆりシ、さらに可撓性ベルト状の感光体形態をとる
ことが可能となるなどの有利な効果をもたらした。
るため、従来の非晶質セレン感光体と比較して原材料コ
スト及び製造コストが低く、筐た帯電性が良く且つ高感
度でｆりシ、さらに可撓性ベルト状の感光体形態をとる
ことが可能となるなどの有利な効果をもたらした。
以下、実施例に従って本発明の電子写真用感光体につい
て詳述する。
て詳述する。
実施例 １
１００ｍｇの３角フラスコ中に水酸化ナトリウムの５
Ｑ ｗｔ％水溶液４０９と純度９９．９９ ｗｔ俤の無
定形セレン粒子４．７４９とを入れて５８５℃で３・５
．：時間攪拌浴解した。この浴液に純水を入れて６０Ｐ
とし、１８時間呈室温放置した。次にＩＪ２０６角７−
）スコに７４０１１１ｆｆｉの純水を入れ、これを攪拌
しながら前記セレン晦ｌ夜を筒下し、希釈した。
Ｑ ｗｔ％水溶液４０９と純度９９．９９ ｗｔ俤の無
定形セレン粒子４．７４９とを入れて５８５℃で３・５
．：時間攪拌浴解した。この浴液に純水を入れて６０Ｐ
とし、１８時間呈室温放置した。次にＩＪ２０６角７−
）スコに７４０１１１ｆｆｉの純水を入れ、これを攪拌
しながら前記セレン晦ｌ夜を筒下し、希釈した。
次にこの俗峡を攪拌しながら６０チ過酸化水素水浴液を
２５峨滴下して結晶セレン粒子を析出させた。この結晶
セレン粒子を約７ｏｏｍＱの純水で５回代伊し、５０℃
で減圧乾燥して約３２の純結晶セレン収十全得た。この
ものはＸ線回折によって六方晶形でろることが確認され
た。
２５峨滴下して結晶セレン粒子を析出させた。この結晶
セレン粒子を約７ｏｏｍＱの純水で５回代伊し、５０℃
で減圧乾燥して約３２の純結晶セレン収十全得た。この
ものはＸ線回折によって六方晶形でろることが確認され
た。
次に％ ５Ｑｃｃのガラス裂サンプルビン中に０．３６
ｍ（屍インチ）ステンレスポール１４０２と前記で得た
セレン化ヒ素倣粉末１．０２と下記樹脂＆Ａ１３ｊｌと
を入れてミリングし、結晶セレン分散液とした。
ｍ（屍インチ）ステンレスポール１４０２と前記で得た
セレン化ヒ素倣粉末１．０２と下記樹脂＆Ａ１３ｊｌと
を入れてミリングし、結晶セレン分散液とした。
樹脂漱Ａ
テトラヒドロ７ラン ４５Ｊ［置部トルエ
ン ４５重量部しかる後前述
の様に調製した結晶セレン分散液を厚さ０，２鴫のアル
ミニウム板上にギャップ６０μｍでブレード遣工し、室
温で１０分間乾燥した後１００℃で３０分間乾燥して電
荷発生層を形成した。乾燥後の膜厚ｆ′ｉ２μｍでめっ
た。
ン ４５重量部しかる後前述
の様に調製した結晶セレン分散液を厚さ０，２鴫のアル
ミニウム板上にギャップ６０μｍでブレード遣工し、室
温で１０分間乾燥した後１００℃で３０分間乾燥して電
荷発生層を形成した。乾燥後の膜厚ｆ′ｉ２μｍでめっ
た。
この様に形成された電荷発生層の上に下記の樹脂ｇ、Ｂ
′をギャップ２００μｍでブレード塗工し室温で５分間
乾燥した後１００℃で３０分間乾燥して電荷移動層を積
層した。乾燥後の膜厚は２０μｍでめった。
′をギャップ２００μｍでブレード塗工し室温で５分間
乾燥した後１００℃で３０分間乾燥して電荷移動層を積
層した。乾燥後の膜厚は２０μｍでめった。
樹脂液Ｂ
表−１の化合物１’＆Ｌ３３ ４．５
重量部シリコンオイル ０．０００１重
重部（商品名ＫＦ−５０） ジクロルメタン ５１重重部この様
にして作った感光体を市販の静電複写紙試ｔＡｇ装置（
ＫＫ川口電機製作所製５Ｐ４２８型）を用いて一６ＫＶ
のコロナ放’Ｋを２０秒間行なって常電させた後、感光
体の狭面電位■。を測定し、さらに２０秒間暗所に放置
し、その時の表面電位Ｖ、。を測定し、ついでタングス
テンランプ光を感光体表面の照度が４．５ルツクスにな
るように、照射してＶ ｐｏがイになるまでの時間を求
め露光量Ｅ％を算出した。その結果を下記に示す。
重量部シリコンオイル ０．０００１重
重部（商品名ＫＦ−５０） ジクロルメタン ５１重重部この様
にして作った感光体を市販の静電複写紙試ｔＡｇ装置（
ＫＫ川口電機製作所製５Ｐ４２８型）を用いて一６ＫＶ
のコロナ放’Ｋを２０秒間行なって常電させた後、感光
体の狭面電位■。を測定し、さらに２０秒間暗所に放置
し、その時の表面電位Ｖ、。を測定し、ついでタングス
テンランプ光を感光体表面の照度が４．５ルツクスにな
るように、照射してＶ ｐｏがイになるまでの時間を求
め露光量Ｅ％を算出した。その結果を下記に示す。
Ｖ四Δへ＝０．５８
”ｐｏ＝−５８４Ｖ
Ｅ賜＝ ０．５６ルツクス・秒
実施例 ２
厚さ１００μｍのアルミニウム蒸着ポリニス２チルフィ
ルム上に下記の樹脂液Ｃをギヤラフ１０μｍでブレード
し、室温で１０分間乾燥して中間層を形成した。乾燥後
の膜厚は０．２μｍでめった。
ルム上に下記の樹脂液Ｃをギヤラフ１０μｍでブレード
し、室温で１０分間乾燥して中間層を形成した。乾燥後
の膜厚は０．２μｍでめった。
千σ１１旨 液 Ｃ
ポリエステル ２重量部（約品名バイ
ロン２００） テトラヒドロフラン ９８重量部しかる後
に実施例１と同様にして上記中間層上に電荷発生Ｉ−と
電荷移動層とを積層して■。、ｖｐｏｉ測定し、旺ｉ算
出した。その結果を下記に示す。
ロン２００） テトラヒドロフラン ９８重量部しかる後
に実施例１と同様にして上記中間層上に電荷発生Ｉ−と
電荷移動層とを積層して■。、ｖｐｏｉ測定し、旺ｉ算
出した。その結果を下記に示す。
Ｖｐ０／ｖｏ＝ ０．７０
Ｖｍ−６７４Ｖ
Ｏ
Ｅ％＝０．７１ルツクス・秒
実施例 ６
型骨移動層のα−フェニルスチルベン化合纜として禰−
１の化合１は５７を用いたこと以外は実施例２と同泳に
して■工α、。を測定し、ＥイｔＸ出した。
１の化合１は５７を用いたこと以外は実施例２と同泳に
して■工α、。を測定し、ＥイｔＸ出した。
■、。／ＶＩｎ＝０．６８
Ｖｐ０＝−６２０Ｖ
Ｅη＝ ０．６８ルツクス・秒
比較例
電荷移動層のα−フェニルスチルベン化合物の代わりに
、 Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（２−メｆ
ルフェニルンー〔１，１′−ヒフェニル〕−４，４′−
ジアミンを使用した他は、実施例２と同様にしてＶｍ、
Ｖ、。をｍｌｌ定し、Ｅ％を算出した。
、 Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（２−メｆ
ルフェニルンー〔１，１′−ヒフェニル〕−４，４′−
ジアミンを使用した他は、実施例２と同様にしてＶｍ、
Ｖ、。をｍｌｌ定し、Ｅ％を算出した。
ｖｐ０／ｖ０１＝０．６４
Ｖｐｏ＝−２７０Ｖ
ｘＶ２＝ｏ、３フルツクス・秒
以上からもわかるよりに、比較例の感光体は表面電位の
保持能力が低く、実用的でない。
保持能力が低く、実用的でない。
、、ｌＩ！１図及び第２図は本発明の感光体の略式断面
図でめる。 １・・・導電性基板、２・・・電荷発生層、６・・・電
荷移動層、４・・中間層。 特許出顔人 株式会社 リ コ −外２名 手続補正書 ｌ 昭和６０年１１月２７日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 ■、事件の表示 昭和６０年特許願第２３５２７０号 ２、発明の名称 電子写真用感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称 株
式会社 リ コ − ４、代理人 ５、補正命令の日付 （自発） 現像に必要な表面電位を電荷発生層で葆つ必補正の内容 １）第２頁下から第２行の「セレン化ヒ素」を「非晶質
セレン」と補正する。 ２）第６頁第３行の「セレン化ヒ素」を「非晶質セレン
」と補正する。 ３）第３頁第５〜１２行の「本発明の・・・・・・経済
的である。」を削除する。 ４）第４頁において、第１行および第１２行の「本発明
の」をそれぞれ削除する。 ５）第２７員第１行の「セレン微粒子を」の後に「回収
後」を加入する。 ６）第２７頁第６行の「回収し、該有機溶媒にて」を削
除する。 ７）第２７頁第１２行と第１５行との間に以下の文を加
入する。 「 本発明のように電荷発生層として結晶セレンの分散
タイプを用いると、複写プロセスの要がないため、その
膜厚は５μｍ以下で足りる。従って、感光体の単位面積
中に必要なセレン化の量は従来の真空蒸着タイプと比較
して ３％＋ ｏ〜’／１００となり、それだけ経済的
である。」以上
図でめる。 １・・・導電性基板、２・・・電荷発生層、６・・・電
荷移動層、４・・中間層。 特許出顔人 株式会社 リ コ −外２名 手続補正書 ｌ 昭和６０年１１月２７日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 ■、事件の表示 昭和６０年特許願第２３５２７０号 ２、発明の名称 電子写真用感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称 株
式会社 リ コ − ４、代理人 ５、補正命令の日付 （自発） 現像に必要な表面電位を電荷発生層で葆つ必補正の内容 １）第２頁下から第２行の「セレン化ヒ素」を「非晶質
セレン」と補正する。 ２）第６頁第３行の「セレン化ヒ素」を「非晶質セレン
」と補正する。 ３）第３頁第５〜１２行の「本発明の・・・・・・経済
的である。」を削除する。 ４）第４頁において、第１行および第１２行の「本発明
の」をそれぞれ削除する。 ５）第２７員第１行の「セレン微粒子を」の後に「回収
後」を加入する。 ６）第２７頁第６行の「回収し、該有機溶媒にて」を削
除する。 ７）第２７頁第１２行と第１５行との間に以下の文を加
入する。 「 本発明のように電荷発生層として結晶セレンの分散
タイプを用いると、複写プロセスの要がないため、その
膜厚は５μｍ以下で足りる。従って、感光体の単位面積
中に必要なセレン化の量は従来の真空蒸着タイプと比較
して ３％＋ ｏ〜’／１００となり、それだけ経済的
である。」以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性基板上に電荷発生層と電荷移動層とを積層した電
子写真用感光体において、電荷発生層が結晶セレン粒子
を分散した電子供与性有機結着剤層を有し、電荷移動層
が下記一般式（ I ）で表わされるα−フェニルスチル
ベン化合物を少なくとも１種有効成分として含有するこ
とを特徴とする電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中Ｒ＾１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換
のアラルキル基を、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアリール基または置換もしくは無置換のアラルキ
ル基を表わし、Ａｒ＾１は置換又は無置換のアリール基
を、Ａｒ＾２は置換又は無置換のアリーレン基を表わす
。Ａｒ＾１とＲ＾１は共同で環を形成してもよい。ｎは
０又は１の整数である）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23527085A JPS6295534A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23527085A JPS6295534A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295534A true JPS6295534A (ja) | 1987-05-02 |
Family
ID=16983606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23527085A Pending JPS6295534A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0422238A1 (en) * | 1989-03-17 | 1991-04-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photosensitive member and electrostatic data recording method |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23527085A patent/JPS6295534A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0422238A1 (en) * | 1989-03-17 | 1991-04-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photosensitive member and electrostatic data recording method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04281461A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS63172275A (ja) | 光導電性被膜およびそれを用いた電子写真感光体 | |
| JPS6295534A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0424698B2 (ja) | ||
| JP3649759B2 (ja) | ２，３−ジフェニルインデン化合物及びそれを含有する電子写真感光体 | |
| JP3255525B2 (ja) | ピラジン化合物及びそれを含有する電子写真感光体 | |
| JPH04225363A (ja) | 感光体 | |
| JP3328860B2 (ja) | フタルイミド化合物及びそれを含有する電子写真感光体 | |
| JP2722671B2 (ja) | 感光体 | |
| KR940002117B1 (ko) | 전자사진 감광체 | |
| JP2861297B2 (ja) | 感光体 | |
| JPS6169069A (ja) | 電子写真感光体 | |
| KR940002844B1 (ko) | 전자사진 감광체 | |
| JPS63155052A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS60164750A (ja) | 感光体 | |
| JP2797533B2 (ja) | 感光体 | |
| JPS63271459A (ja) | 電子写真感光体 | |
| KR940002842B1 (ko) | 전자사진 감광체 | |
| JP3532615B2 (ja) | ベンズアンスロン誘導体及びそれを含有する電子写真感光体 | |
| KR940002843B1 (ko) | 전자사진 감광체 | |
| JPS6320342B2 (ja) | ||
| JPS61296355A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS60164751A (ja) | 感光体 | |
| JPH0331254B2 (ja) | ||
| JPH01200362A (ja) | 電子写真感光体 |