JPS6294918A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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Publication number
JPS6294918A
JPS6294918A JP23457885A JP23457885A JPS6294918A JP S6294918 A JPS6294918 A JP S6294918A JP 23457885 A JP23457885 A JP 23457885A JP 23457885 A JP23457885 A JP 23457885A JP S6294918 A JPS6294918 A JP S6294918A
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JP
Japan
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main body
crucible
cover body
thin film
lid
Prior art date
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Pending
Application number
JP23457885A
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English (en)
Inventor
Eisaku Mori
森 栄作
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS6294918A publication Critical patent/JPS6294918A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 1産業上の利用分野〕 この発明は所定の基板に薄膜を形成する薄膜形成装置、
特にこれに使用されるるつぼの改良に関する。
【従来の技術〕
所定の基板に薄膜を蒸着させて蒸着故板を形成する薄膜
蒸着装置は、例えば「特公昭54−9592号」などに
示されているように、すでに知られている。
第2図はこの従来の一例を示す要部の構成図であって、
(1)は真空槽、(2)は真空槽(1)内のガスを排気
する1こめの排気口、(3)は排気口(2)に設けられ
た排気口バルブである。
真空槽(1)内には、支持台(6)は敗り付けられたる
つぼ(5)が絶縁体(9)を介して収り付は固定されて
いる。
るつぼ(5)は後述するように本体(5a)と、この本
体(5a)の上部に設けられた蓋体(5b)とで構成さ
れ、本体(5a)内には所定の蒸着物質(4)が充填さ
れる。蓋体(5b)の一部には蒸着物質(4)を上方に
向けて飛散させるための小孔@が設けられる。
るつぼ(5)の外周には、これと所定の間隙を保持して
電子ボンバード用のフィラメント(力が数条に亙って付
設され、フィラメント(7)より発てる熱電子がるつぼ
(5)に111突するようになされる。
るツホ(5)及びフィラメント(7)は図示のようなシ
ールド板(8)内に収納され、るつぼ(5)より放射さ
れる熱が真空槽(1)内に拡散しないようになされる。
シールド板(8)は絶縁体αOを介して囃空槽(1)の
底部に固定される。
シールド機(8)の上部には、小孔■から噴出された蒸
着物質(4)の蒸気すなわちクラスターを上方に導く鼠
子引出用のグリッド(6)と共に、クラスターなイオン
化するために使用する電子放出用のフィラメントαυが
設けられており、これらは史にその全体が熱シールド板
(至)内に収納されろ。
クラスターとは100〜200個程度の原子が結合した
塊状原子集団をいう。
シールド機(ト)は絶縁体α4を介してるつぼ(5)用
の熱シールド板(8)に取付は固定される。
フィラメント(′Illの上方には更に絶縁体αηを介
して加速電極at’i′fJ″−設けられ、イオン化さ
れたクラスター、すなわちイオン化りラスター凹が加速
されて、真空槽(1)の上部に収り付けられ1こ蒸積用
の基板(ハ)の平面に所定の速度で到達するようになさ
れる。
そのため、グリッド(ハ)には所定の+E vL圧が、
加速電極CIQには所定の負電圧が夫々印加されて、両
者に所定の′電位差が与えられる。
イオン化りラスターα鵠の到達によって蒸d@質が基板
(ハ)上に所定の厚みをもって蒸青さ几る。
蒸青膜の厚みはイオン化クラスター09の到達量によっ
て決定され、その1こめ加速′rに極叫とノん也aDと
の間にはシャッターQ℃が回転自在に収り令1けられ、
このシャッターQ])を11デ制御することで、基(ル
(ハ)に到達するイオン化クラスターの1がコントロー
ルされる。
なお、基扱い幻は基板ホルダー(イ)に対して(受庄歳
自在に収り付けられ、)山本ホルダー砲は真空m(1)
に収り付けられる。
シャッター?ηは支持捧翰によってジ■空槽(1)に回
転自在に固定される。曽、(イ)はシール都である。
さて、真空槽(1)の内部ガスはパルプ(3)を介して
排ヅさn、真空槽内が漕コ頁空状態(訓真空雰囲気状態
で、その蒸気圧は10−’ Toor程1& )に保持
された状態で蒸着作業が実行されろ。
?、碗供給手段(特に、図示はしない)からフィラメン
ト(7)に所定の電圧が供給されろことによって、フィ
ラメント(7)から熱電子が放出され、その熱電子がる
つぼ(5)に衝突してるつぼ(5]内に充填された蒸着
物質が加熱される。通常は、るつぼ(5)内の蒸気圧が
数Toor (1Q−” Toor稈關〕になる温度ま
で加熱される。
これによって蒸着物質が蒸気となり、これが小孔−から
上方に向けて噴出され、このとき真空槽(1)とるつぼ
(5)内の蒸気圧差によって生ずる断熱膨張による過冷
却状態により、クラスタービーム(4)が発生する。
一方、フィラメント圓より発生するイオン化電子四と、
グリッド(2)の作用で引き出されたクラスタービーム
翰がグリッド(6)の内部でイタI突し、これによって
クラスターがイオン化される。
イオン化クラスター(至)は加速されて基板(ハ)K蒸
傅 3刺 ヌ、− 蒸着膜の厚みはシャッターQ刀によって量制御されるこ
とは前述し1こ通りである。
イオン化電子(埒と衝突しない一部のクラスターは中性
クラスター(18として、るつぼ(5)からの噴出速度
で基板ホルダー翰に蒸着する。
さて、この、【うな薄膜蒸着装作において、るつぼ(5
)は上述したように本体(5a)と、透体(5b)とで
購成され、その、(f:細なWItly、は第2図に示
す通りである。
第2図において、本体(5a)はその上部が開口され、
その開口端側の外周がその開口端側より下方に向かって
所定の長さに維る凹みC39が形成されている。この凹
みθηは係合部として機能する。
一方、蓋体(5b)は本体(5a)の上部を充箔に閉塞
できるような形状に選定される、その1こめ、11(本
(5b)の鍔部03が係合部0υに対する被伜合部とし
て機能−「る。両者の係台状、報はこの1系合部分から
本体(5a)内部の蒸気が漏れないよつ&こなされ−〔
いろ。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、このように構成された従来の薄膜蒸着装置に
使用されるるつぼ(5)は、第2図に示すように構成さ
れているので、以下述べるような欠点を有する。
すなわち、るつぼ(5)への電子衝撃によるるつぼ(5
ンの加熱によって、るつぼ(5)内の蒸気圧が上昇する
が、この蒸気圧の上昇により蓋体(5b〕を上方に押し
上げる力が流体(5b) K作用することになる。その
場合、蓋体(5b)と本体(5a〕との係合状態が緩い
と、蓋体(5b)が第2□□□のように浮き上がつくし
まう。
両者の係合構造が図示のような差し込み構造の場合には
、設計上のミス、あるいは経時、経年変化などの要因で
係合部0])と鍔部0のとの間に若干の隙間を生ずる場
合があるから、そのような場合には、蒸気圧の作用で蓋
体(5b)が本体(5a〕から若干浮き上がる可能性が
あるからである。
蓋体(5b)が本体(5a)から若干浮き上がって隙間
(ハ)ができると、この隙間−から蒸気が漏れる(^i
れ1.−蒸気を(18b)  で示す)。蒸気が漏れる
と、るつぼ(5)内の蒸気圧が低下することになるので
、設計値通りの蒸気圧を保持することができず、薄膜形
成の効率が低下しTこり、るつぼ(5)内の温度が規定
値以下となり、蒸着物質の蒸発?妨げTこり、場合によ
っては蒸発が停止してしまう。
蒸着物質の蒸発が停止すると、隙間(至)に付着した蒸
着物質が固化して、蓋体(5b)を開放できなくなるお
それがある。このようになるとるつぼ(5)を再利用で
きない。
なお、蓋体(5b)と本体(5a〕との気密性を高める
べく両者の係合状態をきつくすると、今度は蓋体(5b
)の着脱の容易性が阻害される欠点が生ずる。
そこで、この発明では上記のような問題点を解決するた
めになされたものであって、蓋体(5b)が、@着物質
の蒸気圧によって浮き上らないようにすると共に、着脱
が容易なるつぼを有する、薄膜形成効率の高い薄膜形成
装置を提案するものである。
E問題点を解決する1こめの技術的手段〕上述の問題点
を解決する1こめに、この発明に1系る薄膜形成装置は
、高真空雰囲気中で生成されたイオン化クラスターを所
定の基板上に付着させることにより、蒸着基板を形成す
るようにした薄膜形成装置において、るつぼをその上部
が開口され1こ本体と、上記開口部を塞ぐ蓋体とで構成
し、この益体に上記本体内に充填された蒸着物質の蒸気
を噴出する小孔を設けろと共に、上記本体に上記蓋体を
嵌合する嵌合部を形成したものである。
1作 用〕 この構成によれば、嵌合部の存在によって、るつぼ(5
)内の蒸気圧が上昇しても蓋体が本体から浮き上がるよ
うなことがなくなり、銃体と本体の気密性が損なわれる
ようなことがない。
1実施例〕 第1図はこの発明に係る薄膜形成装置を上述した薄膜蒸
着装置に使用されるるつぼに適用した場合の一例を示す
要部の+14M、図であって、薄膜、執着装置そのもの
の構成は第2図の場合と同様であるので、その詳細な説
明は省略する。
第1図に示すこび)発明に係るるつぼ(5)は、第2図
に示−したのと同様に、蒸着物質を充填する本体(5a
〕と、そり〕上部に設けられた蓋体(5b)とで構成さ
れる。
るつぼ(5)として、この例では筒状体が使用され、従
って本体(5a)も所定の深さを有する筒状体として構
成されろ。本体(5a)の上方は図示するように開口さ
れると共に、この開口端近傍におけろ外周面にはその円
周方向に同かつて、嵌合部(ロ)が形成される。この例
ではほぼ四条まな丁1条の嵌合溝として構成され、この
嵌合溝(ロ)に連なる開口端部の外径は本体(5a)の
外径よりも小さく選定されろ。すなわち、開口端部は径
小郡として構成される。
本体(5a)の上部に設けら扛る益体(5b)も、本体
(5a)と同じく一端が開口され1こ筒状体として構成
され、その生部りのほぼ中央部には上述したような小孔
翰が形成され、主部(ロ)に連なる鍔部(ハ)の先端部
には内側に向かって1条の突起μsが土S@と一体に形
成される。
この場合、蓋体(5b)を本体(5a)に閉じ1ことき
、この突起(ロ)が嵌合溝■と対向するように七〇)形
成位置が選定されると共に、その形状は低合溝(ロ)の
内部形状にほぼ合致するような凸状体に形成されろもの
である。
従って、本体(5a)の開[」端側から蓋体(5b〕を
嵌め込めば、突起(ト)が嵌合溝(ロ)Vζ嵌合されて
、この係合部分での気密性が保持されろと共に、両者が
一体化される。
嵌合溝04の存在&Cよって、蓋体(5b)に相当な内
力が加わっても、この4体(5b〕と本体(5a)との
嵌合状態がずれるようなことにない。すなわち、蓋体(
5b)と本体(5a〕との係合部分でσ〕気密性は常時
保持されろことになる。
[発明σ〕効果〕 以上説明し1こように、この発明によれば、本体(5a
)の外周の一部に、益体(5b)に設けられた突起(ト
)と嵌合する低合溝(ロ)な形成して両者を4脱自在に
構成しにので、従来に比し次のようなl特徴シ有する。
すなわち、るつぼ(5)の使用時は4体(51))が本
体(5a) K対して嵌合されるので、るつぼ(5)内
の蒸気圧が上昇してるつぼ(5)の内圧が高くなり、蓋
体(5b)に対して相当な力が加わっても蓋体(5b)
が浮き上がるようなことはない。
そのため、蓋体(5b4)浮き上がりにより蓋体(5b
)と本体(5a)との係合部分に隙間が4トずろおそれ
がない。その結果、係合部分の隙間−から蒸気が漏れ、
るつぼ(5ン内の蒸気圧が低下することによってif4
 MA形Ji(/I効率が低下し1こり、るつぼ(5)
内の温度が規定値以下となることにより蒸着物′資の蒸
発が妨げられたり、重付によっては蒸発が停止する事故
を未然に防止することができる。
#、茜物質の蒸発が停止すると、隙間−に付置した蒸着
物質が固化して、蓋体Qのな開放できなくなってるつぼ
(5)を再利用できなくなるおそれがあるが、この発明
ではその恐れは全くない。
従って、再使用に耐え得ろるつぼ(5)fa:提供でき
、従来の欠点を確実に一掃することができろ。
このようなことから、この発明では構成簡単にして信頼
性の高い−R膜蒸着装置を提供できろ。
なお、上述の実施例では、この発明を薄膜形成装置岸に
適用しfこが、スパッタリング、凍着装置、X9蒸青装
置あるいはイオンプレイ−ティング装置などの薄膜形成
装置に適用して好適なるは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る薄膜形成装置に使用されるるつ
ぼの一例を示す要部の断面図、第2(9)は従来のるつ
ぼの一例を示す断面メ1、第6図は従来の薄膜形成装置
りの一例を示す断面図である。 (1) +s !’!空槽、(5) &’!、 ルツぼ
、(5a)ハ本体、(5b)は蓋体、Olはイオン化ク
ラスター、例は蒸債用の堰板、(至)は嵌合溝、(噂は
突起である。 なお、図中、同一符号は同一符号は同−又は相当笥S分
を示す。 代理人 弁理士 佐 膝 正 年 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  高真空雰囲気中に配されたるつぼ内から発生する蒸気
    物質の蒸気を高真空雰囲気中に噴射してクラスターを生
    成し、これをイオン化したイオン化クラスターを所定の
    基板上に付着させることにより、蒸着基板を形成するよ
    うにした薄膜形成装置において、上記るつぼはその上部
    が開口された本体と、上記開口部を塞ぐ蓋体とで構成さ
    れ、この蓋体には上記本体内に充填された蒸着物質の蒸
    気を噴出する小孔が設けられると共に、上記本体には上
    記蓋体を嵌合する嵌合部が形成されてなる薄膜形成装置
JP23457885A 1985-10-22 1985-10-22 薄膜形成装置 Pending JPS6294918A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012149290A (ja) * 2011-01-18 2012-08-09 Sanyu Electron Co Ltd 蓋付ハースライナーおよび蓋付ハースライナーを用いた蒸着方法
JP2014534160A (ja) * 2011-11-29 2014-12-18 エルジー シルトロン インコーポレイテッド インゴット成長装置及びインゴット成長方法

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