JPS6291008A - Ｆｅｔ増幅器 - Google Patents
Ｆｅｔ増幅器Info
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- JPS6291008A JPS6291008A JP60229880A JP22988085A JPS6291008A JP S6291008 A JPS6291008 A JP S6291008A JP 60229880 A JP60229880 A JP 60229880A JP 22988085 A JP22988085 A JP 22988085A JP S6291008 A JPS6291008 A JP S6291008A
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- Japan
- Prior art keywords
- changes
- resistance element
- fet
- temperature
- negative voltage
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、 ＦＥＴ増幅器に関し、特にＧａＡｓ ＦＥ
Ｔを用いた増幅器において広い温度範囲にわたっである
周波数範囲の振幅偏差を一定に保つためのケ゛−トバイ
アス回路を有するＦＥＴ増幅器に関する。
Ｔを用いた増幅器において広い温度範囲にわたっである
周波数範囲の振幅偏差を一定に保つためのケ゛−トバイ
アス回路を有するＦＥＴ増幅器に関する。
従来、 ＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器のゲートバイアス回路
は。
は。
負電圧を２個の抵抗器の組み合せによって適当な値に分
圧した電圧ｖＧＳをゲート端子に印加してＧａＡｓ Ｆ
ＥＴ ′ｆ、駆動していた。負電圧Ｖ。Ｓは温度に対し
て変化しないが、 ＧａＡｓ ＦＥＴのＤＣ特性は電圧
ＶＣＳが一定であっても温度により変化するのでＧａＡ
ｓ ＦＥＴのＳ−パラメータが変化してしまい、ある周
波数範囲内の振幅偏差を一定に保つ事が困難であった。
圧した電圧ｖＧＳをゲート端子に印加してＧａＡｓ Ｆ
ＥＴ ′ｆ、駆動していた。負電圧Ｖ。Ｓは温度に対し
て変化しないが、 ＧａＡｓ ＦＥＴのＤＣ特性は電圧
ＶＣＳが一定であっても温度により変化するのでＧａＡ
ｓ ＦＥＴのＳ−パラメータが変化してしまい、ある周
波数範囲内の振幅偏差を一定に保つ事が困難であった。
第６図は従来のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器の回路図である
。
。
ＧａＡｓ ＦＥＴ １のゲート端子１０には負電圧電源
６と接地間に直列に接続されている固定抵抗器２と３の
接続点の負電圧ｖＧｓが印加される。８はＲＦ入力端子
、９はＲＦ出力端子である。周囲の温度が変化した場合
、固定抵抗器２．及び３の温度係数は一般的に非常に小
さいか、あるいは温度係数の方向が同じであるため、ゲ
ート端子１０にかかる電圧Ｖ。８は温度が変化しても一
定でちる。一方。
６と接地間に直列に接続されている固定抵抗器２と３の
接続点の負電圧ｖＧｓが印加される。８はＲＦ入力端子
、９はＲＦ出力端子である。周囲の温度が変化した場合
、固定抵抗器２．及び３の温度係数は一般的に非常に小
さいか、あるいは温度係数の方向が同じであるため、ゲ
ート端子１０にかかる電圧Ｖ。８は温度が変化しても一
定でちる。一方。
ＧａＡｓ ＦＥＴ １のＤＣ特性は電圧Ｖ。Ｓが一定で
あっても温度により変化するので、無線周波数ＲＦのパ
ラメータ（Ｓ−・ぐラメータ）は変化してしまい、増幅
器の振幅偏差が動くことになる。
あっても温度により変化するので、無線周波数ＲＦのパ
ラメータ（Ｓ−・ぐラメータ）は変化してしまい、増幅
器の振幅偏差が動くことになる。
第６図のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器の温度による振幅周波
数特性を第７図に示す。
数特性を第７図に示す。
一般的に増幅器の振幅偏差は、常温において振幅偏差が
平坦になるよう調整するが、温度が変化するとＳ−・ぐ
ラメータの変化によって振幅偏差が動き、平坦にならな
い。
平坦になるよう調整するが、温度が変化するとＳ−・ぐ
ラメータの変化によって振幅偏差が動き、平坦にならな
い。
上述したように、従来のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器は、温
度が変化するとＧａＡｓ ＦＥＴの５−ｙｊラメータが
変化してしまうので、ある周波数範囲内の振幅偏差を一
定に保つ事が困難であるという欠点があった。
度が変化するとＧａＡｓ ＦＥＴの５−ｙｊラメータが
変化してしまうので、ある周波数範囲内の振幅偏差を一
定に保つ事が困難であるという欠点があった。
本発明のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器は、 ＧａＡｓ ＦＥ
Ｔのゲート端子に供給される負電圧Ｖ。８を分圧するた
めの２個の抵抗器の少なくとも一方の抵抗器に直列又は
並列に感熱抵抗素子を接続した簡単な回路構成のケ゛−
トバイアス回路を有することを特徴とする。
Ｔのゲート端子に供給される負電圧Ｖ。８を分圧するた
めの２個の抵抗器の少なくとも一方の抵抗器に直列又は
並列に感熱抵抗素子を接続した簡単な回路構成のケ゛−
トバイアス回路を有することを特徴とする。
次に１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器の第１の実施
例の回路図である。
例の回路図である。
図において、第６図と同じ部分には同一番号を付し、説
明は省略する。本実施例では固定抵抗器３と負電圧源６
との間に感熱抵抗素子５を接続している。ＧａＡｓ Ｆ
ＥＴ １のゲート端子１０には負電圧電源６に直列に接
続されている感熱抵抗素子５゜固定抵抗器２．及び３の
固定抵抗器２と３の接続点の負電圧■。Ｓが印加される
。
明は省略する。本実施例では固定抵抗器３と負電圧源６
との間に感熱抵抗素子５を接続している。ＧａＡｓ Ｆ
ＥＴ １のゲート端子１０には負電圧電源６に直列に接
続されている感熱抵抗素子５゜固定抵抗器２．及び３の
固定抵抗器２と３の接続点の負電圧■。Ｓが印加される
。
周囲の温度が変化した場合、感熱抵抗素子５の抵抗値が
変化するため、ゲート端子１０の負電圧ｖＧＳが変化す
ることになＩ） 、 ＧａＡｓ ＦＥＴ １のＤＣｚ？
ラメータをＧａＡｓ ＦＥＴ １自身が温度で変化する
分だけでなく、そｎ以上に変化させるか、あるいはＧａ
Ａｓ ＦＥＴ ｌ自身が温度で変化する分を相殺して変
化を小さくさせる。本発明では感熱抵抗素子の種類を正
温度係数のセンシスタ又は負温度係数のサーｉスタ等か
ら選択し＋４．たその抵抗値を選択してＧａＡｓ ＦＥ
Ｔ １のＤＣＡＣタラタの変化を相殺させることにより
、広い温度範囲にわたって振幅偏差の変化を小さくする
ことが出来る。即ち、第２図に第１図のＦＥＴ増幅器の
振幅周波数特性を示したように、常温において増幅器の
振幅偏差が平坦になるよう調整することにより、広い温
度範囲にわたって平坦な振幅周波数特性を一定に保つこ
とが出来る。
変化するため、ゲート端子１０の負電圧ｖＧＳが変化す
ることになＩ） 、 ＧａＡｓ ＦＥＴ １のＤＣｚ？
ラメータをＧａＡｓ ＦＥＴ １自身が温度で変化する
分だけでなく、そｎ以上に変化させるか、あるいはＧａ
Ａｓ ＦＥＴ ｌ自身が温度で変化する分を相殺して変
化を小さくさせる。本発明では感熱抵抗素子の種類を正
温度係数のセンシスタ又は負温度係数のサーｉスタ等か
ら選択し＋４．たその抵抗値を選択してＧａＡｓ ＦＥ
Ｔ １のＤＣＡＣタラタの変化を相殺させることにより
、広い温度範囲にわたって振幅偏差の変化を小さくする
ことが出来る。即ち、第２図に第１図のＦＥＴ増幅器の
振幅周波数特性を示したように、常温において増幅器の
振幅偏差が平坦になるよう調整することにより、広い温
度範囲にわたって平坦な振幅周波数特性を一定に保つこ
とが出来る。
第３図は本発明のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器の第２の実施
例である。
例である。
第１図と異なる点は感熱抵抗素子２１を固定抵抗器２に
直列に接続したことであり、他はすべて第１図と同じで
ある。
直列に接続したことであり、他はすべて第１図と同じで
ある。
第４図は本発明のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器の第３の実施
例である。
例である。
第１図と異なる点は感熱抵抗素子２２を固定抵抗器３に
並列に接続したことであり、他はすべて第１図と同じで
ある。
並列に接続したことであり、他はすべて第１図と同じで
ある。
第５図は本発明のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器の第４の実施
例である。
例である。
第１図と異なる点は感熱抵抗素子２３を固定抵抗器２に
並列に接続したことであり、他はすべて第１図と同じで
ある。
並列に接続したことであり、他はすべて第１図と同じで
ある。
第２の実施例から第４の実施例はＧａＡｓ ＦＥＴ １
のｐＣｔｊラメータの変化を相殺させるために、感熱抵
抗素子をゲートバイアス回路の最も効果のある位置に入
れることを選択するためで、その効果は第１の実施例と
まったく同じである。そのために例えば２本実施例を２
つ以上併用使用しても良い。
のｐＣｔｊラメータの変化を相殺させるために、感熱抵
抗素子をゲートバイアス回路の最も効果のある位置に入
れることを選択するためで、その効果は第１の実施例と
まったく同じである。そのために例えば２本実施例を２
つ以上併用使用しても良い。
なお固定抵抗器２及び３は図の中で１個ずつ示しである
が、適切な値を得るために、２個以上を直列あるいは並
列で使用しても効果は変わらない。
が、適切な値を得るために、２個以上を直列あるいは並
列で使用しても効果は変わらない。
以上説明した様に本発明は、 ＧａＡｓ ＦＥＴ １の
ケ゛−ト端子１０に供給される負電圧Ｖ。Ｓを分圧する
２個の抵抗器の少なくとも一方の抵抗器に直列又は並列
に感熱抵抗素子を接続する事により、広い温度範囲にわ
たって常温で調整した振幅周波数特性の値に保つ事がで
きるという大きな効果があり。
ケ゛−ト端子１０に供給される負電圧Ｖ。Ｓを分圧する
２個の抵抗器の少なくとも一方の抵抗器に直列又は並列
に感熱抵抗素子を接続する事により、広い温度範囲にわ
たって常温で調整した振幅周波数特性の値に保つ事がで
きるという大きな効果があり。
非常に有効である。
第１図は本発明のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器の第１の実施
例の回路図、第２図は第１図の増幅器の周波数−利得特
性図、第３図は第２の実施例の回路図、第４図は第３の
実施例の回路図、第５図は第４の実施例の回路図、第６
図は従来のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器の回路図、第７図は
第６図増幅器の特性図である。 図において、 １ ”’ ＧａＡｓ ＦＥＴ ＋ ２
＋ ３ ＋ ４ ”’固定抵抗器、５，２１．２２．２
３・・・感熱抵抗素子。 ６・・・負電圧電源、７・・・正電圧電源、８・・・Ｒ
Ｆ入力端子、９・・・ＲＦ出力端子、１０・・・ゲート
端子、１１・・・ドレイン端子、１２・・・ソース端子
である。 第１図 第２図 周波数
例の回路図、第２図は第１図の増幅器の周波数−利得特
性図、第３図は第２の実施例の回路図、第４図は第３の
実施例の回路図、第５図は第４の実施例の回路図、第６
図は従来のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器の回路図、第７図は
第６図増幅器の特性図である。 図において、 １ ”’ ＧａＡｓ ＦＥＴ ＋ ２
＋ ３ ＋ ４ ”’固定抵抗器、５，２１．２２．２
３・・・感熱抵抗素子。 ６・・・負電圧電源、７・・・正電圧電源、８・・・Ｒ
Ｆ入力端子、９・・・ＲＦ出力端子、１０・・・ゲート
端子、１１・・・ドレイン端子、１２・・・ソース端子
である。 第１図 第２図 周波数
Claims (1)
- １、負電圧電源と接地間に直列に接続された第１及び第
２の抵抗器を有し、前記第１及び第２の抵抗器の接続点
とＦＥＴのゲート端子とを接続したゲートバイアス回路
を含むＦＥＴ増幅器において、前記第１又は第２の抵抗
器に少なくとも直列又は並列に感熱抵抗素子を接続する
事により、温度変化に対して前記ＦＥＴのゲート・ソー
ス間電圧を変化させ、前記ＦＥＴのＳ−パラメータの変
化を補償するようにしたことを特徴とするＦＥＴ増幅器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229880A JPS6291008A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | Ｆｅｔ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229880A JPS6291008A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | Ｆｅｔ増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6291008A true JPS6291008A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16899152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229880A Pending JPS6291008A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | Ｆｅｔ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6291008A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03206704A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Nec Corp | Ｍｍｉｃ増幅回路 |
| US6278313B1 (en) | 1997-11-27 | 2001-08-21 | Nec Corporation | Semiconductor circuit in which distortion caused by changes in ambient temperature is compensated |
| KR100438440B1 (ko) * | 1997-02-04 | 2004-09-18 | 삼성전자주식회사 | 셀룰라폰에서 갈륨비소 전력모듈 안정화장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783910A (en) * | 1980-11-13 | 1982-05-26 | Fujitsu Ltd | Microwave amplifier |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP60229880A patent/JPS6291008A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783910A (en) * | 1980-11-13 | 1982-05-26 | Fujitsu Ltd | Microwave amplifier |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03206704A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Nec Corp | Ｍｍｉｃ増幅回路 |
| KR100438440B1 (ko) * | 1997-02-04 | 2004-09-18 | 삼성전자주식회사 | 셀룰라폰에서 갈륨비소 전력모듈 안정화장치 |
| US6278313B1 (en) | 1997-11-27 | 2001-08-21 | Nec Corporation | Semiconductor circuit in which distortion caused by changes in ambient temperature is compensated |
| US6437634B1 (en) | 1997-11-27 | 2002-08-20 | Nec Corporation | Semiconductor circuit in which distortion caused by change in ambient temperature is compensated |
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