JP3075635B2 - 温度補償型増幅器 - Google Patents
温度補償型増幅器Info
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- JP3075635B2 JP3075635B2 JP04180137A JP18013792A JP3075635B2 JP 3075635 B2 JP3075635 B2 JP 3075635B2 JP 04180137 A JP04180137 A JP 04180137A JP 18013792 A JP18013792 A JP 18013792A JP 3075635 B2 JP3075635 B2 JP 3075635B2
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- Japan
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- mosfet
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は増幅器に関し、特に、周
囲温度に応じて変化する利得の変化を抑えることができ
る温度補償型増幅器に関する。
囲温度に応じて変化する利得の変化を抑えることができ
る温度補償型増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の一般的な増幅器１の構成例
を示す回路図である。図２において、２は増幅素子であ
るデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ、３および４はそれぞれ
デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第１ゲートＧ1にバイ
アスを印加するためのゲートバイアス抵抗、５および６
はそれぞれデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第２ゲート
Ｇ2にバイアスを印加するためのゲートバイアス抵抗で
ある。
を示す回路図である。図２において、２は増幅素子であ
るデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ、３および４はそれぞれ
デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第１ゲートＧ1にバイ
アスを印加するためのゲートバイアス抵抗、５および６
はそれぞれデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第２ゲート
Ｇ2にバイアスを印加するためのゲートバイアス抵抗で
ある。
【０００３】また、７は所定周波数の信号が入力される
入力端子、８はデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２のソース
Ｓと接地との間に介挿されたソース接地抵抗、９は電源
電圧＋ＢとデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２のドレインＤ
との間に介挿されたチョークコイル、１０は直流分阻止
用コンデンサ、１１は増幅された信号が出力される出力
端子である。
入力端子、８はデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２のソース
Ｓと接地との間に介挿されたソース接地抵抗、９は電源
電圧＋ＢとデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２のドレインＤ
との間に介挿されたチョークコイル、１０は直流分阻止
用コンデンサ、１１は増幅された信号が出力される出力
端子である。
【０００４】このような構成において、入力端子７から
入力された所定周波数の信号は、増幅器１によって増幅
された後、直流分阻止用コンデンサ１０を介して出力端
子１１から出力され、後段の負荷回路に供給される。
入力された所定周波数の信号は、増幅器１によって増幅
された後、直流分阻止用コンデンサ１０を介して出力端
子１１から出力され、後段の負荷回路に供給される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、増
幅器自体の利得は、周囲温度に応じて変化する。という
のは、増幅器を構成する増幅素子の利得に関するパラメ
ータが温度に応じて変化するからである。たとえば、図
２に示すようなデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の場合、
周囲温度が下降すると、利得が大きくなることが知られ
ている。また、このデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の場
合、周囲温度が下降すると、ドレイン電流が増加し、そ
の結果、ソース電位が高くなり、デュアルゲートＭＯＳ
ＦＥＴ２の動作点も変動するので、これらが利得の変化
に影響を及ぼすが、これらの影響を含めて、全体として
の利得が大きくなるのである。
幅器自体の利得は、周囲温度に応じて変化する。という
のは、増幅器を構成する増幅素子の利得に関するパラメ
ータが温度に応じて変化するからである。たとえば、図
２に示すようなデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の場合、
周囲温度が下降すると、利得が大きくなることが知られ
ている。また、このデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の場
合、周囲温度が下降すると、ドレイン電流が増加し、そ
の結果、ソース電位が高くなり、デュアルゲートＭＯＳ
ＦＥＴ２の動作点も変動するので、これらが利得の変化
に影響を及ぼすが、これらの影響を含めて、全体として
の利得が大きくなるのである。
【０００６】このような周囲温度による利得の変化は、
一般の増幅器を通常の周囲温度の場所で使用する場合に
おいては特に問題とはならないが、極寒地など、周囲温
度が極めて低くなる場所において増幅器を使用する場合
には、増幅器自体の利得が極めて大きくなり、極端な場
合には、増幅器が発振状態に至ってしまうことがある。
本発明は、このような背景の下になされたもので、周囲
温度が変化してもほぼ一定の利得を維持することができ
る温度補償型増幅器を提供することを目的とする。
一般の増幅器を通常の周囲温度の場所で使用する場合に
おいては特に問題とはならないが、極寒地など、周囲温
度が極めて低くなる場所において増幅器を使用する場合
には、増幅器自体の利得が極めて大きくなり、極端な場
合には、増幅器が発振状態に至ってしまうことがある。
本発明は、このような背景の下になされたもので、周囲
温度が変化してもほぼ一定の利得を維持することができ
る温度補償型増幅器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の温度補償
型増幅器は、図１に示すように、第１ゲートに印加され
る入力信号を増幅して、ドレインから出力するデュアル
ゲートＭＯＳＦＥＴ２と、該入力信号を第１ゲートに印
加すると共に、温度に応じて電流値が変化するデュアル
ゲートＭＯＳＦＥＴ１５と、デュアルゲートＭＯＳＦＥ
Ｔ１５の第２ゲートが非反転入力端子に接続され、デュ
アルゲートＭＯＳＦＥＴ１５のソースが反転入力端子に
接続され、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第２ゲート
が出力端子に接続されたオペアンプ１４とを備える温度
補償型増幅器である。そして、デュアルゲートＭＯＳＦ
ＥＴ２、１５のソース接地抵抗８、１９は抵抗値を同じ
くし、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２、１５のドレイン
は共通の電源電圧＋Ｂと接続され、固定バイアスがデュ
アルゲートＭＯＳＦＥＴ１５の第２ゲートとオペアンプ
１４の非反転入力端子に印加される構成としている。
型増幅器は、図１に示すように、第１ゲートに印加され
る入力信号を増幅して、ドレインから出力するデュアル
ゲートＭＯＳＦＥＴ２と、該入力信号を第１ゲートに印
加すると共に、温度に応じて電流値が変化するデュアル
ゲートＭＯＳＦＥＴ１５と、デュアルゲートＭＯＳＦＥ
Ｔ１５の第２ゲートが非反転入力端子に接続され、デュ
アルゲートＭＯＳＦＥＴ１５のソースが反転入力端子に
接続され、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第２ゲート
が出力端子に接続されたオペアンプ１４とを備える温度
補償型増幅器である。そして、デュアルゲートＭＯＳＦ
ＥＴ２、１５のソース接地抵抗８、１９は抵抗値を同じ
くし、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２、１５のドレイン
は共通の電源電圧＋Ｂと接続され、固定バイアスがデュ
アルゲートＭＯＳＦＥＴ１５の第２ゲートとオペアンプ
１４の非反転入力端子に印加される構成としている。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【作用】上記構成によれば、この温度補償型増幅器の周
囲温度が変化してその利得が変化しても、オペアンプ１
４の入力端子にデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５を接続
したことにより、このオペアンプ１４の出力電圧が温度
に応じて変化するので、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２
の動作点が変化して温度補償型増幅器の利得の変化が抑
えられる。また、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２、１５
のソース接地抵抗８、１９は抵抗値を同じくし、デュア
ルゲートＭＯＳＦＥＴ２、１５のドレインは共通の電源
電圧＋Ｂと接続され、固定バイアスがデュアルゲートＭ
ＯＳＦＥＴ１５の第２ゲートとオペアンプ１４の非反転
入力端子に印加される構成とすることで、より正確な温
度補償ができる。
囲温度が変化してその利得が変化しても、オペアンプ１
４の入力端子にデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５を接続
したことにより、このオペアンプ１４の出力電圧が温度
に応じて変化するので、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２
の動作点が変化して温度補償型増幅器の利得の変化が抑
えられる。また、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２、１５
のソース接地抵抗８、１９は抵抗値を同じくし、デュア
ルゲートＭＯＳＦＥＴ２、１５のドレインは共通の電源
電圧＋Ｂと接続され、固定バイアスがデュアルゲートＭ
ＯＳＦＥＴ１５の第２ゲートとオペアンプ１４の非反転
入力端子に印加される構成とすることで、より正確な温
度補償ができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
ついて説明する。図１は本発明の一実施例による温度補
償型増幅器１２の構成を示すブロック図であり、この図
において、図２の各部に対応する部分には同一の符号を
付け、その説明を省略する。この図に示す温度補償型増
幅器１２が図２のものと異なる点は、デュアルゲートＭ
ＯＳＦＥＴ２の第２ゲートＧ2に温度補償回路１３が接
続された点である。
ついて説明する。図１は本発明の一実施例による温度補
償型増幅器１２の構成を示すブロック図であり、この図
において、図２の各部に対応する部分には同一の符号を
付け、その説明を省略する。この図に示す温度補償型増
幅器１２が図２のものと異なる点は、デュアルゲートＭ
ＯＳＦＥＴ２の第２ゲートＧ2に温度補償回路１３が接
続された点である。
【００１２】この温度補償回路１３は、オペアンプ１４
と、感温素子としてのデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５
と、これらに所定のバイアスを印加するバイアス回路と
から構成されている。すなわち、オペアンプ１４の非反
転入力端子１６とデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５の第
２ゲートＧ2には、バイアス抵抗１７および１８からな
る固定バイアス回路によって同一の固定バイアスが印加
されている。また、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５の
第１ゲートＧ1には、ゲートバイアス抵抗３および４に
よってデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第１ゲートＧ1
に印加されている固定バイアスと同一の固定バイアスが
印加されている。
と、感温素子としてのデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５
と、これらに所定のバイアスを印加するバイアス回路と
から構成されている。すなわち、オペアンプ１４の非反
転入力端子１６とデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５の第
２ゲートＧ2には、バイアス抵抗１７および１８からな
る固定バイアス回路によって同一の固定バイアスが印加
されている。また、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５の
第１ゲートＧ1には、ゲートバイアス抵抗３および４に
よってデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第１ゲートＧ1
に印加されている固定バイアスと同一の固定バイアスが
印加されている。
【００１３】また、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５の
ソースＳと接地との間には、デュアルゲートＭＯＳＦＥ
Ｔ２のソース接地抵抗８と同じ抵抗値を有するソース接
地抵抗１９が介挿されている。さらに、デュアルゲート
ＭＯＳＦＥＴ１５のソースＳは、抵抗２０を介してオペ
アンプ１４の反転入力端子２１と接続されている。さら
に、２２はオペアンプ１４の帰還抵抗である。以上説明
したように、この実施例においては、デュアルゲートＭ
ＯＳＦＥＴ２とデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５とは、
ほぼ同じバイアス条件が与えられている。
ソースＳと接地との間には、デュアルゲートＭＯＳＦＥ
Ｔ２のソース接地抵抗８と同じ抵抗値を有するソース接
地抵抗１９が介挿されている。さらに、デュアルゲート
ＭＯＳＦＥＴ１５のソースＳは、抵抗２０を介してオペ
アンプ１４の反転入力端子２１と接続されている。さら
に、２２はオペアンプ１４の帰還抵抗である。以上説明
したように、この実施例においては、デュアルゲートＭ
ＯＳＦＥＴ２とデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５とは、
ほぼ同じバイアス条件が与えられている。
【００１４】このような構成において、この温度補償型
増幅器１２の周囲温度が、たとえば、下降すると、デュ
アルゲートＭＯＳＦＥＴ２の利得は、既に説明したよう
に、大きくなる。いっぽう、温度補償回路１３を構成す
るデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５は、周囲温度が下降
すると、ドレイン電流が増加する。その結果、ソース電
位が上昇するので、オペアンプ１４の反転入力端子２１
の電位も上昇する。これに応じてオペアンプ１４の出力
電圧が下降し、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第２ゲ
ートＧ2の電位を下降させる。したがって、デュアルゲ
ートＭＯＳＦＥＴ２の相互コンダクタンスｇmは、小さ
くなり、その結果、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の利
得は小さくなるので、増幅器１の利得の変化が抑えられ
る。
増幅器１２の周囲温度が、たとえば、下降すると、デュ
アルゲートＭＯＳＦＥＴ２の利得は、既に説明したよう
に、大きくなる。いっぽう、温度補償回路１３を構成す
るデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ１５は、周囲温度が下降
すると、ドレイン電流が増加する。その結果、ソース電
位が上昇するので、オペアンプ１４の反転入力端子２１
の電位も上昇する。これに応じてオペアンプ１４の出力
電圧が下降し、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の第２ゲ
ートＧ2の電位を下降させる。したがって、デュアルゲ
ートＭＯＳＦＥＴ２の相互コンダクタンスｇmは、小さ
くなり、その結果、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ２の利
得は小さくなるので、増幅器１の利得の変化が抑えられ
る。
【００１５】なお、上述した一実施例において、デュア
ルゲートＭＯＳＦＥＴ２および１５のバイアスを同一の
バイアス条件に設定したのは、以下に示す理由による。
すなわち、既に説明したように、増幅器１の周囲温度が
変化すると、増幅素子であるデュアルゲートＭＯＳＦＥ
Ｔ２の利得が変化するとともに、ドレイン電流も変化す
る。実験によれば、周囲温度による増幅素子の利得の変
化とドレイン電流の変化との間には、極めて強い相関関
係があることが判明している。
ルゲートＭＯＳＦＥＴ２および１５のバイアスを同一の
バイアス条件に設定したのは、以下に示す理由による。
すなわち、既に説明したように、増幅器１の周囲温度が
変化すると、増幅素子であるデュアルゲートＭＯＳＦＥ
Ｔ２の利得が変化するとともに、ドレイン電流も変化す
る。実験によれば、周囲温度による増幅素子の利得の変
化とドレイン電流の変化との間には、極めて強い相関関
係があることが判明している。
【００１６】そこで、周囲温度による増幅素子の利得の
変化をドレイン電流の変化とみなして検出し、この検出
結果を用いて増幅素子の動作点を制御すればよい。この
場合、周囲温度による増幅素子の利得の変化を検出する
検出素子に増幅素子と同じ特性を有する素子を用いると
ともに、それら２つの素子を同一のバイアス条件で動作
させれば、より正確な温度補償ができることが実験によ
り判明している。このような理由により、デュアルゲー
トＭＯＳＦＥＴ２および１５のバイアスを同一のバイア
ス条件に設定しているのである。
変化をドレイン電流の変化とみなして検出し、この検出
結果を用いて増幅素子の動作点を制御すればよい。この
場合、周囲温度による増幅素子の利得の変化を検出する
検出素子に増幅素子と同じ特性を有する素子を用いると
ともに、それら２つの素子を同一のバイアス条件で動作
させれば、より正確な温度補償ができることが実験によ
り判明している。このような理由により、デュアルゲー
トＭＯＳＦＥＴ２および１５のバイアスを同一のバイア
ス条件に設定しているのである。
【００１７】
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
この温度補償型増幅器の周囲温度が変化してその利得が
変化しても、オペアンプの入力端子に感温用のデュアル
ゲートＭＯＳＦＥＴを接続したことにより、このオペア
ンプ１４の出力電圧が温度に応じて変化するので、増幅
用のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの動作点が変化して温
度補償型増幅器の利得の変化が抑えられるという効果が
ある。また、感温用と増幅用のデュアルゲートＭＯＳＦ
ＥＴのソース接地抵抗は抵抗値を同じくし、感温用と増
幅用のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴのドレインは共通の
電源電圧＋Ｂと接続され、固定バイアスが感温用のデュ
アルゲートＭＯＳＦＥＴの第２ゲートとオペアンプ１４
の非反転入力端子に印加される構成とすることで、より
正確な温度補償ができるという効果がある。
この温度補償型増幅器の周囲温度が変化してその利得が
変化しても、オペアンプの入力端子に感温用のデュアル
ゲートＭＯＳＦＥＴを接続したことにより、このオペア
ンプ１４の出力電圧が温度に応じて変化するので、増幅
用のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの動作点が変化して温
度補償型増幅器の利得の変化が抑えられるという効果が
ある。また、感温用と増幅用のデュアルゲートＭＯＳＦ
ＥＴのソース接地抵抗は抵抗値を同じくし、感温用と増
幅用のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴのドレインは共通の
電源電圧＋Ｂと接続され、固定バイアスが感温用のデュ
アルゲートＭＯＳＦＥＴの第２ゲートとオペアンプ１４
の非反転入力端子に印加される構成とすることで、より
正確な温度補償ができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例による温度補償型増幅器１２
の構成を示す回路図である。
の構成を示す回路図である。
【図２】従来の増幅器１の構成例を示す回路図である。
１ 増幅器 ２，１５ デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ ３〜６ ゲートバイアス抵抗 ７ 入力端子 ８，１９ ソース接地抵抗 ９ チョークコイル １０ 直流分阻止用コンデンサ １１ 出力端子 １２ 温度補償型増幅器 １３ 温度補償回路 １４ オペアンプ １６ 非反転入力端子 １７，１８ バイアス抵抗 ２０ 抵抗 ２１ 反転入力端子 ２２ 帰還抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03F 1/00 - 3/72
Claims (1)
- 【請求項１】 第１ゲートに印加される入力信号を増幅
して、ドレインから出力する第１のデュアルゲートＭＯ
ＳＦＥＴと、 該入力信号を第１ゲートに印加すると共に、温度に応じ
て電流値が変化する第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ
と、 該第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの第２ゲートが非
反転入力端子に接続され、該第２のデュアルゲートＭＯ
ＳＦＥＴのソースが反転入力端子に接続され、該第１の
デュアルゲートＭＯＳＦＥＴの第２ゲートが出力端子に
接続されたオペアンプと、 を備える温度補償型増幅器であって、 前記第１及び第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴのソー
ス接地抵抗は抵抗値を同じくし、前記第１及び第２のデ
ュアルゲートＭＯＳＦＥＴのドレインは共通の電源電圧
（＋Ｂ）と接続され、固定バイアスが前記第２のデュア
ルゲートＭＯＳＦＥＴの第２ゲートと前記オペアンプの
非反転入力端子に印加される ことを特徴とする温度補償
型増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04180137A JP3075635B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 温度補償型増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04180137A JP3075635B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 温度補償型増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629751A JPH0629751A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3075635B2 true JP3075635B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=16078059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04180137A Expired - Lifetime JP3075635B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 温度補償型増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3075635B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229536B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-06-12 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Electrode for use in hydrogen generation |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1155131A (ja) | 1997-08-06 | 1999-02-26 | Nec Corp | 無線送信電力制御装置 |
| DE19742954C1 (de) * | 1997-09-29 | 1999-02-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Temperaturkompensationsschaltung für Feldeffekttransistor-Verstärkerschaltungen |
| JP3660846B2 (ja) | 2000-02-23 | 2005-06-15 | 日本無線株式会社 | Ｆｅｔバイアス回路 |
| JP2002176368A (ja) * | 2001-07-11 | 2002-06-21 | Nec Corp | 送信出力増幅器のバイアス電流最適化制御が可能な送信電力制御装置 |
| JP4683468B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-05-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波電力増幅回路 |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP04180137A patent/JP3075635B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229536B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-06-12 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Electrode for use in hydrogen generation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629751A (ja) | 1994-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000516 |