JP3175881B2 - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はデジタル多値位相変調
信号の増幅に用いられる線形な高周波増幅器に関するも
のである。
信号の増幅に用いられる線形な高周波増幅器に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信においてデジタル信号
の変調方式として多値位相変調が注目されている。この
ような信号の増幅には線形な高周波増幅器が用いられ
る。以下に図面を参照しながら、従来の高周波増幅器の
一例について説明する。図５は従来の高周波増幅器のブ
ロック図を示すものである。図５において、８０は入力
端子、８１は出力端子、８２は電界効果トランジスタ、
８３，８４は整合回路、８５はゲートバイアス電源、８
６はドレインバイアス電源、８７はチョークコイル、８
８はゲート端子、８９はドレイン端子、９０は抵抗器で
ある。
の変調方式として多値位相変調が注目されている。この
ような信号の増幅には線形な高周波増幅器が用いられ
る。以下に図面を参照しながら、従来の高周波増幅器の
一例について説明する。図５は従来の高周波増幅器のブ
ロック図を示すものである。図５において、８０は入力
端子、８１は出力端子、８２は電界効果トランジスタ、
８３，８４は整合回路、８５はゲートバイアス電源、８
６はドレインバイアス電源、８７はチョークコイル、８
８はゲート端子、８９はドレイン端子、９０は抵抗器で
ある。
【０００３】以上のように構成された高周波増幅器につ
いて、以下その動作について説明する。電界効果トラン
ジスタ８２のゲートバイアスはゲートバイアス電源８５
より抵抗器９０を介してゲート端子８８に与えられる。
電界効果トランジスタ８２のドレインバイアスは、ドレ
インバイアス電源８６よりチョークコイル８７を介して
ドレイン端子８９に与えられる。
いて、以下その動作について説明する。電界効果トラン
ジスタ８２のゲートバイアスはゲートバイアス電源８５
より抵抗器９０を介してゲート端子８８に与えられる。
電界効果トランジスタ８２のドレインバイアスは、ドレ
インバイアス電源８６よりチョークコイル８７を介して
ドレイン端子８９に与えられる。
【０００４】入力端子８０に入力した信号は整合回路８
３を通り、ゲート端子８８に入力される。この信号は、
電界効果トランジスタ８２で増幅され、ドレイン端子８
９から、整合回路８４を通り出力端子８１より出力され
る。
３を通り、ゲート端子８８に入力される。この信号は、
電界効果トランジスタ８２で増幅され、ドレイン端子８
９から、整合回路８４を通り出力端子８１より出力され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、増幅器をＡ級動作ではなく効率の良い
ＡＢ級動作で使用すると、入力電力の値によって入力信
号に対する出力信号の通過位相が変化してしまうという
問題点を有していた。図６は、一般的な従来の高周波増
幅器の入出力特性と通過位相特性の一例である。これは
抵抗器９０が１ＫΩの場合である。図６で位相とは、入
力電力が小さいときの通過位相値を０度とし入力電力値
を変化させたときの通過位相の変化を示している。図６
より入力電力が大きくなると通過位相に変化が生じてい
ることがわかる。
ような構成では、増幅器をＡ級動作ではなく効率の良い
ＡＢ級動作で使用すると、入力電力の値によって入力信
号に対する出力信号の通過位相が変化してしまうという
問題点を有していた。図６は、一般的な従来の高周波増
幅器の入出力特性と通過位相特性の一例である。これは
抵抗器９０が１ＫΩの場合である。図６で位相とは、入
力電力が小さいときの通過位相値を０度とし入力電力値
を変化させたときの通過位相の変化を示している。図６
より入力電力が大きくなると通過位相に変化が生じてい
ることがわかる。
【０００６】この発明は上記問題点に鑑み、電力の効率
がよく、入力電力の値によって通過位相が変化すること
を抑えた線形な高周波増幅器を提供することを目的とす
る。
がよく、入力電力の値によって通過位相が変化すること
を抑えた線形な高周波増幅器を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の高周波増
幅器は、高周波信号を入力端子からＡＢ級動作をする電
界効果トランジスタのゲート端子に入力し、ゲートバイ
アスをバイアス電源から可変抵抗器を介してゲート端子
に与え、入力端子に高周波信号の入力電力を検出する電
力検出回路を接続し、電力検出回路で検出した入力電力
に基づいて入力電力の変化によって生じる通過位相の変
化をキャンセルする方向に可変抵抗器の抵抗値を変化さ
せるようにしている。
幅器は、高周波信号を入力端子からＡＢ級動作をする電
界効果トランジスタのゲート端子に入力し、ゲートバイ
アスをバイアス電源から可変抵抗器を介してゲート端子
に与え、入力端子に高周波信号の入力電力を検出する電
力検出回路を接続し、電力検出回路で検出した入力電力
に基づいて入力電力の変化によって生じる通過位相の変
化をキャンセルする方向に可変抵抗器の抵抗値を変化さ
せるようにしている。
【０００８】請求項２記載の高周波増幅器は、高周波信
号を入力端子から電界効果トランジスタのゲート端子に
入力し、ゲートバイアスをバイアス電源から第１の可変
抵抗器を介してゲート端子に与えるとともに、ゲート端
子を第２の可変抵抗器を介して接地し、入力端子に高周
波信号の入力電力を検出する電力検出回路を接続し、電
力検出回路で検出した入力電力に基づいて入力電力の変
化によって生じる通過位相の変化をキャンセルする方向
に第１および第２の可変抵抗器の抵抗値を変化させるよ
うにしている。
号を入力端子から電界効果トランジスタのゲート端子に
入力し、ゲートバイアスをバイアス電源から第１の可変
抵抗器を介してゲート端子に与えるとともに、ゲート端
子を第２の可変抵抗器を介して接地し、入力端子に高周
波信号の入力電力を検出する電力検出回路を接続し、電
力検出回路で検出した入力電力に基づいて入力電力の変
化によって生じる通過位相の変化をキャンセルする方向
に第１および第２の可変抵抗器の抵抗値を変化させるよ
うにしている。
【０００９】請求項３記載の高周波増幅器は、高周波信
号を入力端子から電界効果トランジスタのゲート端子に
入力し、ゲートバイアスをバイアス電源から可変抵抗器
を介してゲート端子に与え、電界効果トランジスタのド
レイン端子に高周波信号の出力電力を検出する電力検出
回路を接続し、電力検出回路で検出した出力電力に基づ
いて高周波信号の入力電力の変化によって生じる通過位
相の変化をキャンセルする方向に可変抵抗器の抵抗値を
変化させるようにしている。
号を入力端子から電界効果トランジスタのゲート端子に
入力し、ゲートバイアスをバイアス電源から可変抵抗器
を介してゲート端子に与え、電界効果トランジスタのド
レイン端子に高周波信号の出力電力を検出する電力検出
回路を接続し、電力検出回路で検出した出力電力に基づ
いて高周波信号の入力電力の変化によって生じる通過位
相の変化をキャンセルする方向に可変抵抗器の抵抗値を
変化させるようにしている。
【００１０】請求項４記載の高周波増幅器は、高周波信
号を入力端子から電界効果トランジスタのゲート端子に
入力し、ゲートバイアスをバイアス電源から第１の可変
抵抗器を介してゲート端子に与えるとともに、ゲート端
子を第２の可変抵抗器を介して接地し、電界効果トラン
ジスタのドレイン端子に高周波信号の出力電力を検出す
る電力検出回路を接続し、電力検出回路で検出した出力
電力に基づいて高周波信号の入力電力の変化によって生
じる通過位相の変化をキャンセルする方向に第１および
第２の可変抵抗器の抵抗値を変化させるようにしてい
る。
号を入力端子から電界効果トランジスタのゲート端子に
入力し、ゲートバイアスをバイアス電源から第１の可変
抵抗器を介してゲート端子に与えるとともに、ゲート端
子を第２の可変抵抗器を介して接地し、電界効果トラン
ジスタのドレイン端子に高周波信号の出力電力を検出す
る電力検出回路を接続し、電力検出回路で検出した出力
電力に基づいて高周波信号の入力電力の変化によって生
じる通過位相の変化をキャンセルする方向に第１および
第２の可変抵抗器の抵抗値を変化させるようにしてい
る。
【００１１】
【作用】請求項１記載の構成によれば、ゲート端子とバ
イアス電源との間に挿入された可変抵抗器の抵抗値を入
力電力に応じて変化させることによりバイアス電源から
ゲート端子に流れるゲート電流を変化させ、これによっ
て生じる通過位相の変化で、入力電力の変化によって生
じる通過位相の変化をキャンセルさせる。
イアス電源との間に挿入された可変抵抗器の抵抗値を入
力電力に応じて変化させることによりバイアス電源から
ゲート端子に流れるゲート電流を変化させ、これによっ
て生じる通過位相の変化で、入力電力の変化によって生
じる通過位相の変化をキャンセルさせる。
【００１２】請求項２記載の構成によれば、ゲート端子
とバイアス電源との間に挿入された第１の可変抵抗器お
よびゲート端子とグラウンドとの間に接続された第２の
可変抵抗器の抵抗値を入力電力に応じて変化させること
によりバイアス電源からゲート端子に流れるゲート電流
を変化させ、これによって生じる通過位相の変化で、入
力電力の変化によって生じる通過位相の変化をキャンセ
ルさせ、また通過位相の変化を抑えたままゲート端子の
電位を変えることができる。
とバイアス電源との間に挿入された第１の可変抵抗器お
よびゲート端子とグラウンドとの間に接続された第２の
可変抵抗器の抵抗値を入力電力に応じて変化させること
によりバイアス電源からゲート端子に流れるゲート電流
を変化させ、これによって生じる通過位相の変化で、入
力電力の変化によって生じる通過位相の変化をキャンセ
ルさせ、また通過位相の変化を抑えたままゲート端子の
電位を変えることができる。
【００１３】請求項３記載の構成によれば、ゲート端子
とバイアス電源との間に挿入された可変抵抗器の抵抗値
を出力電力に応じて変化させることによりバイアス電源
からゲート端子に流れるゲート電流を変化させ、これに
よって生じる通過位相の変化で、入力電力の変化によっ
て生じる通過位相の変化をキャンセルさせる。請求項４
記載の構成によれば、ゲート端子とバイアス電源との間
に挿入された第１の可変抵抗器およびゲート端子とグラ
ウンドとの間に接続された第２の可変抵抗器の抵抗値を
出力電力に応じて変化させることによりバイアス電源か
らゲート端子に流れるゲート電流を変化させ、これによ
って生じる通過位相の変化で、入力電力の変化によって
生じる通過位相の変化をキャンセルさせ、また通過位相
の変化を抑えたままゲート端子の電位を変えることがで
きる。
とバイアス電源との間に挿入された可変抵抗器の抵抗値
を出力電力に応じて変化させることによりバイアス電源
からゲート端子に流れるゲート電流を変化させ、これに
よって生じる通過位相の変化で、入力電力の変化によっ
て生じる通過位相の変化をキャンセルさせる。請求項４
記載の構成によれば、ゲート端子とバイアス電源との間
に挿入された第１の可変抵抗器およびゲート端子とグラ
ウンドとの間に接続された第２の可変抵抗器の抵抗値を
出力電力に応じて変化させることによりバイアス電源か
らゲート端子に流れるゲート電流を変化させ、これによ
って生じる通過位相の変化で、入力電力の変化によって
生じる通過位相の変化をキャンセルさせ、また通過位相
の変化を抑えたままゲート端子の電位を変えることがで
きる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の第１の実施例について図面
を参照しながら説明する（請求項１に対応する）。図１
はこの発明の第１の実施例の高周波増幅器のブロック図
を示している。図１において、１は入力端子、２は出力
端子、３は電界効果トランジスタ、４，５は整合回路、
６はゲートバイアス電源、７はドレインバイアス電源、
８はチョークコイル、９はゲート端子、１０はドレイン
端子、１１は電力検出回路、１２は制御回路、１３は可
変抵抗器である。
を参照しながら説明する（請求項１に対応する）。図１
はこの発明の第１の実施例の高周波増幅器のブロック図
を示している。図１において、１は入力端子、２は出力
端子、３は電界効果トランジスタ、４，５は整合回路、
６はゲートバイアス電源、７はドレインバイアス電源、
８はチョークコイル、９はゲート端子、１０はドレイン
端子、１１は電力検出回路、１２は制御回路、１３は可
変抵抗器である。
【００１５】図１の可変抵抗器１３の値をいくつかの値
に固定としたときの位相特性を図２に示す。図２で位相
は、入力電力が小さいときの通過位相値を０度とし、入
力電力を大きくしたとき通過位相の変化を示している。
図２より可変抵抗器１３の抵抗値によって位相特性が異
なることがわかる。いずれの抵抗値の場合も入力電力の
値が変わると通過位相が変化している。
に固定としたときの位相特性を図２に示す。図２で位相
は、入力電力が小さいときの通過位相値を０度とし、入
力電力を大きくしたとき通過位相の変化を示している。
図２より可変抵抗器１３の抵抗値によって位相特性が異
なることがわかる。いずれの抵抗値の場合も入力電力の
値が変わると通過位相が変化している。
【００１６】しかし、図２において入力電力の値がＢ点
のとき可変抵抗器１３の抵抗値が１０ｋΩならば通過位
相は入力電力が小さいときと同じ、すなわちＡ点のとき
と同じである。同様に、入力電力の値がＣ点のとき可変
抵抗器１３の抵抗値が５ｋΩならば通過位相はＡ点と同
じである。入力電力がＤ点，Ｅ点の場合についても、同
様に通過位相をＡ点と同じにする抵抗値がある。したが
って、入力電力値に対応して可変抵抗器１３の抵抗値を
変化させれば、通過位相の変化を抑えることができる。
のとき可変抵抗器１３の抵抗値が１０ｋΩならば通過位
相は入力電力が小さいときと同じ、すなわちＡ点のとき
と同じである。同様に、入力電力の値がＣ点のとき可変
抵抗器１３の抵抗値が５ｋΩならば通過位相はＡ点と同
じである。入力電力がＤ点，Ｅ点の場合についても、同
様に通過位相をＡ点と同じにする抵抗値がある。したが
って、入力電力値に対応して可変抵抗器１３の抵抗値を
変化させれば、通過位相の変化を抑えることができる。
【００１７】つぎに図１のように構成された高周波増幅
器について、図１を用いてその動作を説明する。電界効
果トランジスタ３のゲートバイアスは、ゲートバイアス
電源６より可変抵抗器１３を介してゲート端子９に与え
られている。電界効果トランジスタ３のドレインバイア
スは、ドレインバイアス電源７よりチョークコイル８を
介してドレイン端子１０に与えられている。入力端子１
に入力した高周波信号は、整合回路４を通りゲート端子
９に入力される。
器について、図１を用いてその動作を説明する。電界効
果トランジスタ３のゲートバイアスは、ゲートバイアス
電源６より可変抵抗器１３を介してゲート端子９に与え
られている。電界効果トランジスタ３のドレインバイア
スは、ドレインバイアス電源７よりチョークコイル８を
介してドレイン端子１０に与えられている。入力端子１
に入力した高周波信号は、整合回路４を通りゲート端子
９に入力される。
【００１８】この高周波信号は、電界効果トランジスタ
３で増幅され、ドレイン端子１０から整合回路５を通り
出力端子２より出力される。入力端子１に加えられる高
周波信号の電力を電力検出回路１１で検出し、この情報
を制御回路１２に伝える。制御回路１２は電力検出回路
１１からの情報をもとに可変抵抗器１３の抵抗値の制御
を行う。
３で増幅され、ドレイン端子１０から整合回路５を通り
出力端子２より出力される。入力端子１に加えられる高
周波信号の電力を電力検出回路１１で検出し、この情報
を制御回路１２に伝える。制御回路１２は電力検出回路
１１からの情報をもとに可変抵抗器１３の抵抗値の制御
を行う。
【００１９】具体的に説明すると、高周波信号の入力電
力を検出し、この情報を用いて可変抵抗器１３の抵抗値
を制御すれば、つまり、ゲート端子９とバイアス電源６
との間に挿入された可変抵抗器１３の抵抗値を入力電力
に応じて変化させることにより、バイアス電源６からゲ
ート端子９に流れるゲート電流を変化させ、これによっ
て生じる通過位相の変化で、入力電力の変化によって生
じる通過位相の変化をキャンセルさせ、結果として入力
電力の変化に伴う通過位相の変化を抑えることができ
る。
力を検出し、この情報を用いて可変抵抗器１３の抵抗値
を制御すれば、つまり、ゲート端子９とバイアス電源６
との間に挿入された可変抵抗器１３の抵抗値を入力電力
に応じて変化させることにより、バイアス電源６からゲ
ート端子９に流れるゲート電流を変化させ、これによっ
て生じる通過位相の変化で、入力電力の変化によって生
じる通過位相の変化をキャンセルさせ、結果として入力
電力の変化に伴う通過位相の変化を抑えることができ
る。
【００２０】以上のように、この実施例によれば、高効
率のＡＢ級動作をさせた場合において、電力検出回路１
１が入力端子１に加えられる高周波信号の入力電力を検
出し、電力検出回路１１からの情報に基づいて制御回路
１２が可変抵抗器１３の抵抗値を制御することにより、
入力電力の値によって入力信号に対する出力信号の通過
位相が変化することを抑えることができる。
率のＡＢ級動作をさせた場合において、電力検出回路１
１が入力端子１に加えられる高周波信号の入力電力を検
出し、電力検出回路１１からの情報に基づいて制御回路
１２が可変抵抗器１３の抵抗値を制御することにより、
入力電力の値によって入力信号に対する出力信号の通過
位相が変化することを抑えることができる。
【００２１】以下、この発明の第２の実施例について図
面を参照しながら説明する（請求項２に対応する）。図
３はこの発明の第２の実施例の高周波増幅器のブロック
図を示すものである。図３において、３０は入力端子、
３１は出力端子、３２は電界効果トランジスタ、３３，
３４は整合回路、３５はゲートバイアス電源、３６はド
レインバイアス電源、３７はチョークコイル、３８はゲ
ート端子、３９はドレイン端子、４０は電力検出回路、
４１は制御回路、４２，４３はそれぞれ第１および第２
の可変抵抗器である。
面を参照しながら説明する（請求項２に対応する）。図
３はこの発明の第２の実施例の高周波増幅器のブロック
図を示すものである。図３において、３０は入力端子、
３１は出力端子、３２は電界効果トランジスタ、３３，
３４は整合回路、３５はゲートバイアス電源、３６はド
レインバイアス電源、３７はチョークコイル、３８はゲ
ート端子、３９はドレイン端子、４０は電力検出回路、
４１は制御回路、４２，４３はそれぞれ第１および第２
の可変抵抗器である。
【００２２】図１と異なるのは、可変抵抗器を２個設け
た点である。つまり図３において、第１の可変抵抗器４
２をゲートバイアス電源３５とゲート端子３８の間に設
け、ゲート端子３８を第２の可変抵抗器４３を通じて接
地している。そして、制御回路４１は前記２個の可変抵
抗器、つまり第１および第２の可変抵抗器４２，４３を
連動制御する。
た点である。つまり図３において、第１の可変抵抗器４
２をゲートバイアス電源３５とゲート端子３８の間に設
け、ゲート端子３８を第２の可変抵抗器４３を通じて接
地している。そして、制御回路４１は前記２個の可変抵
抗器、つまり第１および第２の可変抵抗器４２，４３を
連動制御する。
【００２３】以上のように構成された高周波増幅回路に
ついて、以下その動作を説明する。入力端子３０の入力
電力を電力検出回路４０で検出し、この入力電力の情報
を制御回路４１に伝え、制御回路４１が第１および第２
の可変抵抗器４２，４３を制御することは第１の実施例
と同様である。第１の実施例と異なるのは制御回路４１
が第１の可変抵抗器４２と第２の可変抵抗器４３を連動
制御する点である。
ついて、以下その動作を説明する。入力端子３０の入力
電力を電力検出回路４０で検出し、この入力電力の情報
を制御回路４１に伝え、制御回路４１が第１および第２
の可変抵抗器４２，４３を制御することは第１の実施例
と同様である。第１の実施例と異なるのは制御回路４１
が第１の可変抵抗器４２と第２の可変抵抗器４３を連動
制御する点である。
【００２４】入力端子３０の電位は、第１の可変抵抗器
４２と第２の可変抵抗器４３の抵抗値の比を変えること
により変えることができる。また、第１および第２の可
変抵抗器４２，４３の抵抗値を変えることによって位相
特性が変化する。つまり、第１の可変抵抗器４２と第２
の可変抵抗器４３の抵抗値の比を考慮して第１の可変抵
抗器４２と第２の可変抵抗器４３の抵抗値を適当に選ぶ
ことにより、通過位相の変化を抑えたままでゲート端子
３８の電位を変えることができる。この場合、ゲートバ
イアス電源３５の電圧を変えることなくゲート端子３８
の電位を変えることができる。
４２と第２の可変抵抗器４３の抵抗値の比を変えること
により変えることができる。また、第１および第２の可
変抵抗器４２，４３の抵抗値を変えることによって位相
特性が変化する。つまり、第１の可変抵抗器４２と第２
の可変抵抗器４３の抵抗値の比を考慮して第１の可変抵
抗器４２と第２の可変抵抗器４３の抵抗値を適当に選ぶ
ことにより、通過位相の変化を抑えたままでゲート端子
３８の電位を変えることができる。この場合、ゲートバ
イアス電源３５の電圧を変えることなくゲート端子３８
の電位を変えることができる。
【００２５】具体的に説明すると、位相変化は主に可変
抵抗器４２で制御することができる。可変抵抗器４２を
位相変化が小さくなるように変化させた場合、可変抵抗
器４３を連動して変化させることにより、可変抵抗器４
２と可変抵抗器４３の抵抗値の比でゲート端子３８の電
位を変えることができる。したがって、可変抵抗器４２
で位相変化を抑えて、可変抵抗器４３でゲート電位を変
えることになる。可変抵抗器４２の抵抗値の変化の仕方
は図２と同様である。
抵抗器４２で制御することができる。可変抵抗器４２を
位相変化が小さくなるように変化させた場合、可変抵抗
器４３を連動して変化させることにより、可変抵抗器４
２と可変抵抗器４３の抵抗値の比でゲート端子３８の電
位を変えることができる。したがって、可変抵抗器４２
で位相変化を抑えて、可変抵抗器４３でゲート電位を変
えることになる。可変抵抗器４２の抵抗値の変化の仕方
は図２と同様である。
【００２６】以上のように、可変抵抗器を２個設け、そ
れぞれの可変抵抗器の抵抗値を連動制御することによ
り、通過位相の変化を抑えたままでゲート端子３８の電
位を変えることができる。この場合、ゲート端子３８の
電位を変えることにより、ドレイン電流を変えることが
できる。ドレイン電流は増幅器の効率および利得に関係
しているので、位相変化を抑えたままで、効率および利
得を調整することができる。その他の効果は第１の実施
例と同様である。
れぞれの可変抵抗器の抵抗値を連動制御することによ
り、通過位相の変化を抑えたままでゲート端子３８の電
位を変えることができる。この場合、ゲート端子３８の
電位を変えることにより、ドレイン電流を変えることが
できる。ドレイン電流は増幅器の効率および利得に関係
しているので、位相変化を抑えたままで、効率および利
得を調整することができる。その他の効果は第１の実施
例と同様である。
【００２７】以下、この発明の第３の実施例について図
面を参照しながら説明する（請求項３に対応する。図４
はこの発明の第３の実施例の高周波増幅器のブロック図
を示している。図４において、４５は入力端子、４６は
出力端子、４７は電界効果トランジスタ、４８，４９は
整合回路、５０はゲートバイアス電源、５１はドレイン
バイアス電源、５２はチョークコイル、５３はゲート端
子、５４はドレイン参照端子、５５はドレイン端子、５
６は電力検出回路、５７は制御回路、５８は可変抵抗器
である。
面を参照しながら説明する（請求項３に対応する。図４
はこの発明の第３の実施例の高周波増幅器のブロック図
を示している。図４において、４５は入力端子、４６は
出力端子、４７は電界効果トランジスタ、４８，４９は
整合回路、５０はゲートバイアス電源、５１はドレイン
バイアス電源、５２はチョークコイル、５３はゲート端
子、５４はドレイン参照端子、５５はドレイン端子、５
６は電力検出回路、５７は制御回路、５８は可変抵抗器
である。
【００２８】図１と異なるのは、高周波信号の電力の検
出を電界効果トランジスタ４７の出力側から行っている
点である。すなわち電力検出回路５６はドレイン参照端
子５４に接続され、電力検出回路５６で検出したドレイ
ン参照端子５４での出力電力の情報を制御回路５７に伝
え、制御回路５７が可変抵抗器５８を制御する。以上の
ような構成によっても、高周波信号の入力電力の変化に
伴う通過位相の変化を抑えることができる。
出を電界効果トランジスタ４７の出力側から行っている
点である。すなわち電力検出回路５６はドレイン参照端
子５４に接続され、電力検出回路５６で検出したドレイ
ン参照端子５４での出力電力の情報を制御回路５７に伝
え、制御回路５７が可変抵抗器５８を制御する。以上の
ような構成によっても、高周波信号の入力電力の変化に
伴う通過位相の変化を抑えることができる。
【００２９】以上のように、この実施例によれば、高効
率のＡＢ級動作をさせた場合において、電力検出回路１
１が電界効果トランジスタ４７のドレイン端子５４の高
周波信号の出力電力を検出し、電力検出回路１１からの
情報に基づいて制御回路１２が可変抵抗器１３の抵抗値
を制御することにより、入力電力の値によって入力信号
に対する出力信号の通過位相が変化することを抑えるこ
とができる。
率のＡＢ級動作をさせた場合において、電力検出回路１
１が電界効果トランジスタ４７のドレイン端子５４の高
周波信号の出力電力を検出し、電力検出回路１１からの
情報に基づいて制御回路１２が可変抵抗器１３の抵抗値
を制御することにより、入力電力の値によって入力信号
に対する出力信号の通過位相が変化することを抑えるこ
とができる。
【００３０】なお、第２の実施例では信号の電力の検出
は、電界効果トランジスタの入力側から行ったが、第３
の実施例と同様に出力側から行っても良い（請求項４に
対応する）。このようにすると、第３の実施例の効果に
加え、通過位相の変化を抑えたままでゲート端子３８の
電位を変えることができるという効果がある。
は、電界効果トランジスタの入力側から行ったが、第３
の実施例と同様に出力側から行っても良い（請求項４に
対応する）。このようにすると、第３の実施例の効果に
加え、通過位相の変化を抑えたままでゲート端子３８の
電位を変えることができるという効果がある。
【００３１】
【発明の効果】請求項１記載の高周波増幅器によれば、
高効率のＡＢ級動作をさせた場合において、電力検出回
路が入力端子に加えられる高周波信号の入力電力を検出
し、電力検出回路からの情報に基づいて制御回路が可変
抵抗器の抵抗値を制御することにより、入力電力の値に
よって入力信号に対する出力信号の通過位相が変化する
ことを抑えることができる。
高効率のＡＢ級動作をさせた場合において、電力検出回
路が入力端子に加えられる高周波信号の入力電力を検出
し、電力検出回路からの情報に基づいて制御回路が可変
抵抗器の抵抗値を制御することにより、入力電力の値に
よって入力信号に対する出力信号の通過位相が変化する
ことを抑えることができる。
【００３２】請求項２記載の高周波増幅器によれば、請
求項１の高周波増幅器の効果に加え、通過位相の変化を
抑えたままでゲート端子の電位を変えることができる。
この結果、ドレイン電流を変化させることができ、位相
変化を抑えたままで効率および利得を調整することがで
きる。請求項３記載の高周波増幅器によれば、高効率の
ＡＢ級動作をさせた場合において、電力検出回路が電界
効果トランジスタのドレイン端子から高周波信号の出力
電力を検出し、電力検出回路からの情報に基づいて制御
回路が可変抵抗器の抵抗値を制御することにより、入力
電力の値によって入力信号に対する出力信号の通過位相
が変化することを抑えることができる。
求項１の高周波増幅器の効果に加え、通過位相の変化を
抑えたままでゲート端子の電位を変えることができる。
この結果、ドレイン電流を変化させることができ、位相
変化を抑えたままで効率および利得を調整することがで
きる。請求項３記載の高周波増幅器によれば、高効率の
ＡＢ級動作をさせた場合において、電力検出回路が電界
効果トランジスタのドレイン端子から高周波信号の出力
電力を検出し、電力検出回路からの情報に基づいて制御
回路が可変抵抗器の抵抗値を制御することにより、入力
電力の値によって入力信号に対する出力信号の通過位相
が変化することを抑えることができる。
【００３３】請求項４記載の高周波増幅器によれば、請
求項３の高周波増幅器の効果に加え、通過位相の変化を
抑えたままでゲート端子の電位を変えることができる。
この結果、ドレイン電流を変化させることができ、位相
変化を抑えたままで効率および利得を調整することがで
きる。
求項３の高周波増幅器の効果に加え、通過位相の変化を
抑えたままでゲート端子の電位を変えることができる。
この結果、ドレイン電流を変化させることができ、位相
変化を抑えたままで効率および利得を調整することがで
きる。
【図１】この発明の第１の実施例の高周波増幅器のブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】この発明の第１の実施例の高周波増幅器の入力
−出力および入力−位相の特性図である。
−出力および入力−位相の特性図である。
【図３】この発明の第２の実施例の高周波増幅器のブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】この発明の第３の実施例の高周波増幅器のブロ
ック図である。
ック図である。
【図５】従来の高周波増幅器のブロック図である。
【図６】従来の高周波増幅器の入力−出力および入力−
位相の特性図である。
位相の特性図である。
１ 入力端子 ２ 出力端子 ３ 電界効果トランジスタ ４ 整合回路 ５ 整合回路 ６ ゲートバイアス電源 ７ ドレインバイアス電源 ８ チョークコイル ９ ゲート端子 １０ ドレイン端子 １１ 電力検出回路 １２ 制御回路 １３ 可変抵抗器 ３０ 入力端子 ３１ 出力端子 ３２ 電界効果トランジスタ ３３ 整合回路 ３４ 整合回路 ３５ ゲートバイアス電源 ３６ ドレインバイアス電源 ３７ チョークコイル ３８ ゲート端子 ３９ ドレイン端子 ４０ 電力検出回路 ４１ 制御回路 ４２ 第１の可変抵抗器 ４３ 第２の可変抵抗器 ４５ 入力端子 ４６ 出力端子 ４７ 電界効果トランジスタ ４８ 整合回路 ４９ 整合回路 ５０ ゲートバイアス電源 ５１ ドレインバイアス電源 ５２ チョークコイル ５３ ゲート端子 ５４ ドレイン参照端子 ５５ ドレイン端子 ５６ 電力検出回路 ５７ 制御回路 ５８ 可変抵抗器 ８０ 入力端子 ８１ 出力端子 ８２ 電界効果トランジスタ ８３ 整合回路 ８４ 整合回路 ８５ ゲートバイアス電源 ８６ ドレインバイアス電源 ８７ チョークコイル ８８ ゲート端子 ８９ ドレイン端子 ９０ 抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−61750（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−130804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−274906（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03F 3/60
Claims (4)
- 【請求項１】 高周波信号を入力端子からＡＢ級動作を
する電界効果トランジスタのゲート端子に入力し、ゲー
トバイアスをバイアス電源から可変抵抗器を介して前記
ゲート端子に与え、前記入力端子に前記高周波信号の入
力電力を検出する電力検出回路を接続し、前記電力検出
回路で検出した前記入力電力に基づいて前記入力電力の
変化によって生じる通過位相の変化をキャンセルする方
向に前記可変抵抗器の抵抗値を変化させるようにしたこ
とを特徴とする高周波増幅器。 - 【請求項２】 高周波信号を入力端子から電界効果トラ
ンジスタのゲート端子に入力し、ゲートバイアスをバイ
アス電源から第１の可変抵抗器を介して前記ゲート端子
に与えるとともに、前記ゲート端子を第２の可変抵抗器
を介して接地し、前記入力端子に前記高周波信号の入力
電力を検出する電力検出回路を接続し、前記電力検出回
路で検出した前記入力電力に基づいて前記入力電力の変
化によって生じる通過位相の変化をキャンセルする方向
に前記第１および第２の可変抵抗器の抵抗値を変化させ
るようにしたことを特徴とする高周波増幅器。 - 【請求項３】 高周波信号を入力端子から電界効果トラ
ンジスタのゲート端子に入力し、ゲートバイアスをバイ
アス電源から可変抵抗器を介して前記ゲート端子に与
え、前記電界効果トランジスタのドレイン端子に前記高
周波信号の出力電力を検出する電力検出回路を接続し、
前記電力検出回路で検出した前記出力電力に基づいて前
記高周波信号の入力電力の変化によって生じる通過位相
の変化をキャンセルする方向に前記可変抵抗器の抵抗値
を変化させるようにしたことを特徴とする高周波増幅
器。 - 【請求項４】 高周波信号を入力端子から電界効果トラ
ンジスタのゲート端子に入力し、ゲートバイアスをバイ
アス電源から第１の可変抵抗器を介して前記ゲート端子
に与えるとともに、前記ゲート端子を第２の可変抵抗器
を介して接地し、前記電界効果トランジスタのドレイン
端子に前記高周波信号の出力電力を検出する電力検出回
路を接続し、前記電力検出回路で検出した前記出力電力
に基づいて前記高周波信号の入力電力の変化によって生
じる通過位相の変化をキャンセルする方向に前記第１お
よび第２の可変抵抗器の抵抗値を変化させるようにした
ことを特徴とする高周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20923593A JP3175881B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20923593A JP3175881B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 高周波増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766644A JPH0766644A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3175881B2 true JP3175881B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=16569600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20923593A Expired - Fee Related JP3175881B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175881B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3607855B2 (ja) | 1999-07-19 | 2005-01-05 | シャープ株式会社 | 電力増幅器 |
| WO2002045253A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute fréquence |
| US7386287B2 (en) | 2001-07-03 | 2008-06-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for controlling the gain of radio-frequency signal |
| US10924063B2 (en) * | 2019-06-11 | 2021-02-16 | Analog Devices International Unlimited Company | Coupling a bias circuit to an amplifier using an adaptive coupling arrangement |
-
1993
- 1993-08-24 JP JP20923593A patent/JP3175881B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766644A (ja) | 1995-03-10 |
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