JPS6290954A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6290954A JPS6290954A JP23189885A JP23189885A JPS6290954A JP S6290954 A JPS6290954 A JP S6290954A JP 23189885 A JP23189885 A JP 23189885A JP 23189885 A JP23189885 A JP 23189885A JP S6290954 A JPS6290954 A JP S6290954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- alloy
- lead frame
- layer
- plated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＩＣやトランジスタ等の半導体装置のリードフ
レームに関し、詳細には上記半導体装置を組立てる為の
加熱を行なっても半田付は性やワイヤポンディング性に
悪影響を与えることがなく、且つ経済的に製造すること
のできるリードフレームに関するものである。
レームに関し、詳細には上記半導体装置を組立てる為の
加熱を行なっても半田付は性やワイヤポンディング性に
悪影響を与えることがなく、且つ経済的に製造すること
のできるリードフレームに関するものである。
［従来の技術］
半導体装置のリードフレームには、Ｃｕ合今や４２合金
、コバール等のＦｅ合金及び純鉄等が用いられている。
、コバール等のＦｅ合金及び純鉄等が用いられている。
これらのリードフレーム材料を使用して半導体装置を組
立てるに当たっては、半導体素子とリードフレームの接
合並びに接合後に半導体素子とリードフレームの電気的
接続を行なう必要がある。こうした組立て過程において
リードフレームは通常２００〜４００℃に加熱される為
、リードフレーム表面には強固な酸化皮膜が形成される
。その結果リードフレームへのワイヤポンディングやリ
ード部の半田付けを行なおうとしても上記酸化皮膜が存
在する為に満足し得る成果を得ることができない。この
為リードフレーム材料には通常全面Ｎｉめっきあるいは
全面Ｎｉめっきに加えポンディング部相当部に局部的Ａ
ｇめっきが行なわれている。
立てるに当たっては、半導体素子とリードフレームの接
合並びに接合後に半導体素子とリードフレームの電気的
接続を行なう必要がある。こうした組立て過程において
リードフレームは通常２００〜４００℃に加熱される為
、リードフレーム表面には強固な酸化皮膜が形成される
。その結果リードフレームへのワイヤポンディングやリ
ード部の半田付けを行なおうとしても上記酸化皮膜が存
在する為に満足し得る成果を得ることができない。この
為リードフレーム材料には通常全面Ｎｉめっきあるいは
全面Ｎｉめっきに加えポンディング部相当部に局部的Ａ
ｇめっきが行なわれている。
しかるにＮｉめっきは２００°Ｃ以下の比較的低温域で
は耐酸化性を有しているが、前述の半導体素子との接合
時の様に高温に加熱される場合には却って強固な酸化皮
膜を形成する為、外部リードの予備半田付は等を行なう
際に依然として満足し得る成果を得ることができない。
は耐酸化性を有しているが、前述の半導体素子との接合
時の様に高温に加熱される場合には却って強固な酸化皮
膜を形成する為、外部リードの予備半田付は等を行なう
際に依然として満足し得る成果を得ることができない。
そこで下記の様な種々の対策が提案されている。即ち■
半導体素子との接合等をＮ２やＡｒ等の不活性ガ１雰囲
気あるいはＨ２単独や［Ｎ２＋Ｈ２］の様な還元性雰囲
気で行なう方法、■大気中で加熱接合半田付は部分のＮ
ｉめつきを剥離するかあるいは強力な酸で脱スケールを
行なう方法、■半田付けの際腐食性の強い活性フラック
スを使用する方法等が挙げられるが、■の方法ではリー
ドフレーム生産コストが高騰し、又■及び■の方法では
残留物が電気絶縁性を低下させたり、半導体装置を腐食
させたりして機器全体の信頼性を損なうという問題が発
生する。
半導体素子との接合等をＮ２やＡｒ等の不活性ガ１雰囲
気あるいはＨ２単独や［Ｎ２＋Ｈ２］の様な還元性雰囲
気で行なう方法、■大気中で加熱接合半田付は部分のＮ
ｉめつきを剥離するかあるいは強力な酸で脱スケールを
行なう方法、■半田付けの際腐食性の強い活性フラック
スを使用する方法等が挙げられるが、■の方法ではリー
ドフレーム生産コストが高騰し、又■及び■の方法では
残留物が電気絶縁性を低下させたり、半導体装置を腐食
させたりして機器全体の信頼性を損なうという問題が発
生する。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明はこうした事情に着目してなされたものであって
、半導体装置組立て工程における熱影響を受けた後でも
特別の前処理を行なうことなく良好なワイヤポンディン
グ性並びに半田付は性を得ることができ、且つ生産コス
トの安価なリードフレームを提供することを目的とする
ものである。
、半導体装置組立て工程における熱影響を受けた後でも
特別の前処理を行なうことなく良好なワイヤポンディン
グ性並びに半田付は性を得ることができ、且つ生産コス
トの安価なリードフレームを提供することを目的とする
ものである。
Ｌ問題点を解決する為の手段］
しかして上記目的を達成した本発明は、半導体素子等と
加熱接合されるリードフレームであって、表面に厚さ０
．１〜１０ルｍのＮｉ−Ｂ合金電解めっき層を形成した
点に要旨を有するものである。
加熱接合されるリードフレームであって、表面に厚さ０
．１〜１０ルｍのＮｉ−Ｂ合金電解めっき層を形成した
点に要旨を有するものである。
［作用］
本発明者等は■〜■に示される様な従来技術の欠点を種
々検討した結果、特殊雰囲気を使用することなく即ち大
気中においてリードフレームと半導体素子の接合等を行
なっても表面に酸化皮膜を形成することのない様な耐酸
化性を有するＮｉ合金めっき法があれば上記問題を一挙
に解決し得ると考え、この方針に沿って研究を重ねた。
々検討した結果、特殊雰囲気を使用することなく即ち大
気中においてリードフレームと半導体素子の接合等を行
なっても表面に酸化皮膜を形成することのない様な耐酸
化性を有するＮｉ合金めっき法があれば上記問題を一挙
に解決し得ると考え、この方針に沿って研究を重ねた。
その結果各種合金めっき法の中でＮｉ−Ｂ合金めっき法
が最も耐酸化性に優れためっき法であることを確認した
。しかるにこの方法の場合にはめっき析出速度が極めて
遅くめっき処理費が高騰するという欠点があり、コスト
ダウンの要請が強いリードフレームへの適用は難しいと
予測された。しかしながら更に検討を加えてみるとＮｉ
−Ｂ合金めっき法を無電解法で実施した場合にはめっき
析出速度が遅い反面電解法の場合には電解条件を調整す
ることにより十分なめっき析出速度を得ることができる
ことを見出し、これによりＮｉ−Ｂ合金めっき法の隘路
である生産コストの低減という問題を解決することがで
きるとの確信を得た。
が最も耐酸化性に優れためっき法であることを確認した
。しかるにこの方法の場合にはめっき析出速度が極めて
遅くめっき処理費が高騰するという欠点があり、コスト
ダウンの要請が強いリードフレームへの適用は難しいと
予測された。しかしながら更に検討を加えてみるとＮｉ
−Ｂ合金めっき法を無電解法で実施した場合にはめっき
析出速度が遅い反面電解法の場合には電解条件を調整す
ることにより十分なめっき析出速度を得ることができる
ことを見出し、これによりＮｉ−Ｂ合金めっき法の隘路
である生産コストの低減という問題を解決することがで
きるとの確信を得た。
本発明はこうした知見を基に更に検討を重ねた結果完成
されたものである。即ち本発明においては、リードフレ
ーム全表面に対し電解法によりＮｉ−Ｂ合金めっきを施
す。Ｎ ｉ−Ｂ合金めっき層の厚みは、０．１〜ｌｏｇ
ｍとする必要があり、０．１ 島ｍ未満の場合にはめっ
き厚さが不均一となりワイヤポンディング強度にばらつ
きが生じたり、半田付は状態が不均一となる。一方１０
ｇｍを超える場合は本発明効果が失われる訳ではないが
、リードフレームに施されるめっき厚さが一般に１〜ｌ
ＯｐＬｍであることからＬＯ＃１．ｍを超えることは不
経済である。尚本発明においてはＮｉ−Ｂ合金めっき厚
さは０．１−１０１Ｌｍの範囲にあれば良いので、例え
ばめっき厚さを大きくする必要がある場合には通常のＮ
ｉめっき等の下地めっきを行なった後、更にその上に上
記厚さ範囲のＮｉ−Ｂ合金めっきを施しても良く、前記
と同様の効果を得ることができる。上記下地めっきとし
てはＮｉめっき以外にＣｕめっき及びＮｉ若しくはＣｕ
の合金めっきを適用することができる。また本発明に係
るリードフレーム母材としてはＣｕ合金、４２合金やコ
バール等のＦｅ合金並びに純鉄等を挙げることができ、
さらにめっき形態はフープめっき、フレームめっきのい
ずれの場合であってもよい。
されたものである。即ち本発明においては、リードフレ
ーム全表面に対し電解法によりＮｉ−Ｂ合金めっきを施
す。Ｎ ｉ−Ｂ合金めっき層の厚みは、０．１〜ｌｏｇ
ｍとする必要があり、０．１ 島ｍ未満の場合にはめっ
き厚さが不均一となりワイヤポンディング強度にばらつ
きが生じたり、半田付は状態が不均一となる。一方１０
ｇｍを超える場合は本発明効果が失われる訳ではないが
、リードフレームに施されるめっき厚さが一般に１〜ｌ
ＯｐＬｍであることからＬＯ＃１．ｍを超えることは不
経済である。尚本発明においてはＮｉ−Ｂ合金めっき厚
さは０．１−１０１Ｌｍの範囲にあれば良いので、例え
ばめっき厚さを大きくする必要がある場合には通常のＮ
ｉめっき等の下地めっきを行なった後、更にその上に上
記厚さ範囲のＮｉ−Ｂ合金めっきを施しても良く、前記
と同様の効果を得ることができる。上記下地めっきとし
てはＮｉめっき以外にＣｕめっき及びＮｉ若しくはＣｕ
の合金めっきを適用することができる。また本発明に係
るリードフレーム母材としてはＣｕ合金、４２合金やコ
バール等のＦｅ合金並びに純鉄等を挙げることができ、
さらにめっき形態はフープめっき、フレームめっきのい
ずれの場合であってもよい。
上記の如＜Ｎｉ−Ｂ合金の電解めっきを施したリードフ
レームを半導体素子と加熱接合すると、めっき層表面に
は厚さ数十への極めて薄いポロン酸化皮膜が形成される
だけであり、該ボロン酸化皮膜は半田付は時あるいはワ
イヤポンディング時に容易に除去することのできる程度
のものであり、良好な半田付は性あるいはワイヤポンデ
ィング性を得ることができる。尚Ｎｉ−Ｂ合金めっき層
が優れた耐酸化性を示すのはＮｉより優先的にＢが酸化
され、上述の如き極薄の酸化皮膜を形成し、Ｎｉの酸化
を防止するからであり、Ｂ酸化皮膜の成長も殆んど進ま
ないからである。
レームを半導体素子と加熱接合すると、めっき層表面に
は厚さ数十への極めて薄いポロン酸化皮膜が形成される
だけであり、該ボロン酸化皮膜は半田付は時あるいはワ
イヤポンディング時に容易に除去することのできる程度
のものであり、良好な半田付は性あるいはワイヤポンデ
ィング性を得ることができる。尚Ｎｉ−Ｂ合金めっき層
が優れた耐酸化性を示すのはＮｉより優先的にＢが酸化
され、上述の如き極薄の酸化皮膜を形成し、Ｎｉの酸化
を防止するからであり、Ｂ酸化皮膜の成長も殆んど進ま
ないからである。
［実施例］
無酸素銅、４２合金及び純鉄製のリードフレームを夫々
通常行なわれている方法で脱脂酸洗した後、第１表に示
す条件でめっきし、大気中２００°Ｃ１３００℃、４０
０°Ｃで夫々５分間加熱し空冷した。得られためっきリ
ードフレームに対し下記条件で半田付けおよびワイヤポ
ンディングを行ない、各性能を評価したところ第２表の
結果が得られた。
通常行なわれている方法で脱脂酸洗した後、第１表に示
す条件でめっきし、大気中２００°Ｃ１３００℃、４０
０°Ｃで夫々５分間加熱し空冷した。得られためっきリ
ードフレームに対し下記条件で半田付けおよびワイヤポ
ンディングを行ない、各性能を評価したところ第２表の
結果が得られた。
（半田付は条件）
方 法：ＭＩＬ−ＳＴＤ−２０２準拠半田組成：６０
Ｓｎ−４０Ｐｂ 温 度：２３０℃ 浸漬時間：５秒 フラックス二弱活性ロジン系フラックス（ワイヤポンデ
ィング条件） 方 法：ＵＳ法（３０ｇ、ｍφのＡｌｌ線用用温
度：室温 荷 重：３０ｇ Ｕ、Ｓ出カニ０．２Ｗ Ｕ、Ｓ印加時間：３５ｍ秒 （以 下 余 白）：、５、 ｔ□’、”；’７１÷′） 、もｔ−０′：１！１ 引５ノ。
Ｓｎ−４０Ｐｂ 温 度：２３０℃ 浸漬時間：５秒 フラックス二弱活性ロジン系フラックス（ワイヤポンデ
ィング条件） 方 法：ＵＳ法（３０ｇ、ｍφのＡｌｌ線用用温
度：室温 荷 重：３０ｇ Ｕ、Ｓ出カニ０．２Ｗ Ｕ、Ｓ印加時間：３５ｍ秒 （以 下 余 白）：、５、 ｔ□’、”；’７１÷′） 、もｔ−０′：１！１ 引５ノ。
れる様に○ＦＣ，４２合金、純鉄に夫々下地めっきを施
しあるいは施さないで本発明を満足する厚さのＮｉ−Ｂ
電解めっきを施したものについては、良好な半田付は性
並びにワイヤポンディング性を得ることができた。これ
に対しＮｏ、 １５〜１７ではＮｉ−Ｂ電解めっきの厚
さが０．０５＋ｎ＋ｏと薄すぎる為、半導体素子等との
加熱温度が３００’０あるいは４００°Ｃと高くなると
半田付は性並びにワイヤポンディング性が悪化した。ま
たＮｏ、１８．１９のＮｉ−Ｂ電解めっきを施さないも
のについては加熱温度が２００°Ｃと低い場合でも半田
付は性並びにワイヤポンディング性は不良値を示した。
しあるいは施さないで本発明を満足する厚さのＮｉ−Ｂ
電解めっきを施したものについては、良好な半田付は性
並びにワイヤポンディング性を得ることができた。これ
に対しＮｏ、 １５〜１７ではＮｉ−Ｂ電解めっきの厚
さが０．０５＋ｎ＋ｏと薄すぎる為、半導体素子等との
加熱温度が３００’０あるいは４００°Ｃと高くなると
半田付は性並びにワイヤポンディング性が悪化した。ま
たＮｏ、１８．１９のＮｉ−Ｂ電解めっきを施さないも
のについては加熱温度が２００°Ｃと低い場合でも半田
付は性並びにワイヤポンディング性は不良値を示した。
［発明の効果］
本発明は以上の様に構成されており、リードフレーム表
面に０．１〜１０ルｍのＮｉ−Ｂ合金電解めっき層を形
成することにより耐酸化性がイ妾れたリードフレームを
安価に提供することができた。
面に０．１〜１０ルｍのＮｉ−Ｂ合金電解めっき層を形
成することにより耐酸化性がイ妾れたリードフレームを
安価に提供することができた。
特に半導体素子等との加熱接合後も良好な半田付は性並
びにワイヤポンディング性を示すリードフレームを提供
することができた。
びにワイヤポンディング性を示すリードフレームを提供
することができた。
Claims (1)
- 半導体素子等と加熱接合されるリードフレームであって
、表面に厚さ０．１〜１０μｍのＮｉ−Ｂ合金電解めっ
き層を形成したことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23189885A JPS6290954A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23189885A JPS6290954A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290954A true JPS6290954A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16930767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23189885A Pending JPS6290954A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310565U (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-23 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP23189885A patent/JPS6290954A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310565U (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59145553A (ja) | 複合構造体及びその形成方法 | |
| JPH04115558A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP3481392B2 (ja) | 電子部品リード部材及びその製造方法 | |
| JPS61183426A (ja) | 高力高導電性耐熱銅合金 | |
| JPH04329891A (ja) | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 | |
| JPS6396237A (ja) | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 | |
| JP2000307051A (ja) | 銅及び銅基合金とその製造方法 | |
| JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| JP3303594B2 (ja) | 耐熱銀被覆複合体とその製造方法 | |
| JPS584955A (ja) | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ | |
| JPS6290954A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH0867978A (ja) | スパッタリング用ターゲットのはんだ付け方法 | |
| JPH058276B2 (ja) | ||
| JPS6242037B2 (ja) | ||
| JPS6218744A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS6396239A (ja) | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 | |
| JPS62219950A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS60128234A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPS62120057A (ja) | ボンデイング用細線 | |
| JPS62296451A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS628261B2 (ja) | ||
| JP3280686B2 (ja) | 民生用素子およびその製造方法 | |
| JPH0480103B2 (ja) | ||
| JPS6353287A (ja) | Ａｇ被覆導体 | |
| JPH11260993A (ja) | 半田耐熱剥離性に優れる半導体装置用銅合金リード材 |