JPS62880B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62880B2 JPS62880B2 JP54033870A JP3387079A JPS62880B2 JP S62880 B2 JPS62880 B2 JP S62880B2 JP 54033870 A JP54033870 A JP 54033870A JP 3387079 A JP3387079 A JP 3387079A JP S62880 B2 JPS62880 B2 JP S62880B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- container
- molten
- molten phase
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は引き上げ法による単結晶成長方法に関
するものである。
するものである。
引き上げ法による従来のSi単結晶成長は、第１
図に示すように石英を用いた耐熱容器１の全体を
ヒータ２で加熱して容器１内に収納されたSiを総
て溶融状態として、その単結晶の引き上げを行な
つていた。第１図中３はSi融液、４は引き上げら
れた単結晶を示す。
図に示すように石英を用いた耐熱容器１の全体を
ヒータ２で加熱して容器１内に収納されたSiを総
て溶融状態として、その単結晶の引き上げを行な
つていた。第１図中３はSi融液、４は引き上げら
れた単結晶を示す。
したがつて、容器１内のSiが総て溶融状態とな
るため、時間の経過とともに耐熱容器１を形成す
る石英と、溶融Siとが反応し、Si融液中の酸素濃
度が高くなるという問題点があつた。
るため、時間の経過とともに耐熱容器１を形成す
る石英と、溶融Siとが反応し、Si融液中の酸素濃
度が高くなるという問題点があつた。
一方単結晶の抵抗率制御の為に添加された不純
物のSi融液中における濃度は、偏析により結晶の
成長が進むにつれて高くなり、これによつて得ら
れた単結晶はその長さ方向に沿つて抵抗率分布が
融液側に低くなるという結果となり所望の抵抗率
が得られる単結晶の範囲が制限されているという
難点があつた。
物のSi融液中における濃度は、偏析により結晶の
成長が進むにつれて高くなり、これによつて得ら
れた単結晶はその長さ方向に沿つて抵抗率分布が
融液側に低くなるという結果となり所望の抵抗率
が得られる単結晶の範囲が制限されているという
難点があつた。
本発明は上記のような、Si溶相中の酸素濃度の
上昇及び添加不純物濃度の上昇を抑制し、引き上
げられた単結晶の長さ方向の抵抗率分布を均一な
らしめる方法を提供するものである。
上昇及び添加不純物濃度の上昇を抑制し、引き上
げられた単結晶の長さ方向の抵抗率分布を均一な
らしめる方法を提供するものである。
すなわち、本発明は溶融相からの引き上げ法に
よる単結晶の成長方法において、固形多結晶Siを
収容し、下部を低温、上部を高温とする温度分布
で該容器を加熱して溶融相と固相とを分離して上
下に共存させ、該容器の上昇速度を制御して前記
溶融相の体積を一定に保たせつつ単結晶成長を行
うことを特徴とする単結晶成長方法である。
よる単結晶の成長方法において、固形多結晶Siを
収容し、下部を低温、上部を高温とする温度分布
で該容器を加熱して溶融相と固相とを分離して上
下に共存させ、該容器の上昇速度を制御して前記
溶融相の体積を一定に保たせつつ単結晶成長を行
うことを特徴とする単結晶成長方法である。
以下本発明の実施例を図面によつて説明する。
第２図は本発明方法を実施する装置を示すもので
ある。すなわち、石英を用いた円筒状容器１１を
均熱管１２内に上下動可能に内装し、その外周に
ヒータ１３を位置せしめ、均熱管１２の壁内部に
熱電対１４を挿入したものである。
第２図は本発明方法を実施する装置を示すもので
ある。すなわち、石英を用いた円筒状容器１１を
均熱管１２内に上下動可能に内装し、その外周に
ヒータ１３を位置せしめ、均熱管１２の壁内部に
熱電対１４を挿入したものである。
１５は外囲器を示す。この円筒状容器１１の内
部に柱状の固形多結晶Si１６を収容し、ヒータ１
３を加熱し均熱管１２で熱を分散させて下部を低
温上部を高温とする温度分布で円筒状容器１１を
加熱する。この温度分布をうけて容器１１内の柱
状の固形多結晶Si１６はその上部のみが溶融す
る。
部に柱状の固形多結晶Si１６を収容し、ヒータ１
３を加熱し均熱管１２で熱を分散させて下部を低
温上部を高温とする温度分布で円筒状容器１１を
加熱する。この温度分布をうけて容器１１内の柱
状の固形多結晶Si１６はその上部のみが溶融す
る。
なお、この温度分布は溶融相と、固相との界面
附近で石英とSiとが接する部分における熱歪、体
積変化による歪を最小にするように第３図に示す
ように滑らかに分布させる。かくして得られたSi
の溶融部分１７に所望の低抗率を得るに必要な不
純物を添加する。もつとも不純物の添加はその偏
析係数を考慮して原料の多結晶Siに予じめ添加す
ることも可能である。
附近で石英とSiとが接する部分における熱歪、体
積変化による歪を最小にするように第３図に示す
ように滑らかに分布させる。かくして得られたSi
の溶融部分１７に所望の低抗率を得るに必要な不
純物を添加する。もつとも不純物の添加はその偏
析係数を考慮して原料の多結晶Siに予じめ添加す
ることも可能である。
このようにして得られた溶融部分１７に種結晶
をつけ、溶融部分１７の体積を一定に保つように
容器１を上方へ移動させながら通常の引き上げ法
と同様に単結晶１８の成長を行なう。この際単結
晶中にとり込まれた不純物の添加を行なうことも
ある。又均熱管１２の壁面内に設置された熱電対
１４で温度を検知して容器１に伝えられる温度の
自動制御を行なうこともできる。
をつけ、溶融部分１７の体積を一定に保つように
容器１を上方へ移動させながら通常の引き上げ法
と同様に単結晶１８の成長を行なう。この際単結
晶中にとり込まれた不純物の添加を行なうことも
ある。又均熱管１２の壁面内に設置された熱電対
１４で温度を検知して容器１に伝えられる温度の
自動制御を行なうこともできる。
本発明は以上のように原料多結晶Siを耐熱容器
中で加熱して固相と、溶融相とに分離して共存さ
せ、溶融相の体積を一定にしつつ単結晶の成長を
行なうため、溶融Siと耐熱容器を構成する石英と
の接触時間及び接触面積が制御され、必要以上の
溶融Siへの酸素その他の不純物の融け込みが防止
され、単結晶の品質を向上することができる。特
に本発明では円筒状容器の上昇速度を調整するだ
けで連続的に溶融相の体積を制御できるために、
その体積を一定に保たせることは容易である。又
本発明によれば、特に低偏析係数をもつ不純物を
添加する場合に添加量を従来法に比して少なくて
よく、溶融相を安定させることができる。しかも
溶融相中の不純物濃度変化が少ないため、引き上
げられた単結晶の長さ方向の抵抗率分布が長い範
囲にわたつて均一な単結晶を得ることができる。
中で加熱して固相と、溶融相とに分離して共存さ
せ、溶融相の体積を一定にしつつ単結晶の成長を
行なうため、溶融Siと耐熱容器を構成する石英と
の接触時間及び接触面積が制御され、必要以上の
溶融Siへの酸素その他の不純物の融け込みが防止
され、単結晶の品質を向上することができる。特
に本発明では円筒状容器の上昇速度を調整するだ
けで連続的に溶融相の体積を制御できるために、
その体積を一定に保たせることは容易である。又
本発明によれば、特に低偏析係数をもつ不純物を
添加する場合に添加量を従来法に比して少なくて
よく、溶融相を安定させることができる。しかも
溶融相中の不純物濃度変化が少ないため、引き上
げられた単結晶の長さ方向の抵抗率分布が長い範
囲にわたつて均一な単結晶を得ることができる。
第１図は従来の単結晶引き上げ装置の断面側面
図、第２図は本発明装置の一実施例を示断面側面
図、第３図は装置内の温度分布を示すグラフであ
る。 １１……円筒状容器、１２……均熱管、１３…
…ヒータ、１６……固形多結晶Si、１７……溶融
部分、１８……引き上げられた単結晶。
図、第２図は本発明装置の一実施例を示断面側面
図、第３図は装置内の温度分布を示すグラフであ
る。 １１……円筒状容器、１２……均熱管、１３…
…ヒータ、１６……固形多結晶Si、１７……溶融
部分、１８……引き上げられた単結晶。
Claims (1)
- １ 溶融相からの引き上げ法による単結晶の成長
方法において、固形多結晶Siを収容し、下部を低
温、上部を高温とする温度分布で該容器を加熱し
て溶融相と固相とを分離して上下に共存させ、該
容器の上昇速度を制御して前記溶融相の体積を一
定に保たせつつ単結晶成長を行うことを特徴とす
る単結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3387079A JPS55126597A (en) | 1979-03-23 | 1979-03-23 | Single crystal growing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3387079A JPS55126597A (en) | 1979-03-23 | 1979-03-23 | Single crystal growing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55126597A JPS55126597A (en) | 1980-09-30 |
| JPS62880B2 true JPS62880B2 (ja) | 1987-01-09 |
Family
ID=12398539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3387079A Granted JPS55126597A (en) | 1979-03-23 | 1979-03-23 | Single crystal growing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55126597A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4409296A1 (de) * | 1993-03-22 | 1994-09-29 | Sumitomo Sitix Corp | Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH037405Y2 (ja) * | 1985-03-06 | 1991-02-25 | ||
| JPS62153191A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶引き上げ装置 |
| JPH0639353B2 (ja) * | 1986-02-28 | 1994-05-25 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン単結晶の引上げ装置 |
| JPH07267776A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-17 | Sumitomo Sitix Corp | 結晶成長方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4829767U (ja) * | 1971-08-13 | 1973-04-12 |
-
1979
- 1979-03-23 JP JP3387079A patent/JPS55126597A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4409296A1 (de) * | 1993-03-22 | 1994-09-29 | Sumitomo Sitix Corp | Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55126597A (en) | 1980-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5087429A (en) | Method and apparatus for manufacturing silicon single crystals | |
| JPH02133389A (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
| KR0157323B1 (ko) | 국부 용융역 형성법을 이용한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법 및 그 장치 | |
| JPS62880B2 (ja) | ||
| JPS60103097A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPS6018634B2 (ja) | 結晶引上げ装置 | |
| JPS5930795A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| US5477806A (en) | Method of producing silison single crystal | |
| JPH0480875B2 (ja) | ||
| JPH0259494A (ja) | シリコン単結晶の製造方法及び装置 | |
| JPH02172885A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPS5964591A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| Robertson et al. | Observations on the unrestrained growth of germanium crystals | |
| JPH051236B2 (ja) | ||
| JPS6369791A (ja) | 二重るつぼ | |
| JPH09208363A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| JP2004203634A (ja) | 半導体単結晶製造方法 | |
| JPS60180989A (ja) | 化合物単結晶の製造方法 | |
| RU2199615C1 (ru) | Устройство для выращивания кристаллов | |
| JPH0699228B2 (ja) | 単結晶の引上方法 | |
| JPH0437686A (ja) | 単結晶の引上方法および引上装置 | |
| JPS63210094A (ja) | 単結晶の製造装置 | |
| JPH03215384A (ja) | 結晶成長装置 | |
| JPH07300386A (ja) | 半導体結晶の成長方法 | |
| JP3584497B2 (ja) | 結晶成長方法 |