JPS6283619A - 磁気的に位置を検出する装置 - Google Patents

磁気的に位置を検出する装置

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JPS6283619A
JPS6283619A JP60223567A JP22356785A JPS6283619A JP S6283619 A JPS6283619 A JP S6283619A JP 60223567 A JP60223567 A JP 60223567A JP 22356785 A JP22356785 A JP 22356785A JP S6283619 A JPS6283619 A JP S6283619A
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    • H03M1/28Analogue/digital converters pattern-reading type using relatively movable reader and disc or strip with non-weighted coding
    • H03M1/285Analogue/digital converters pattern-reading type using relatively movable reader and disc or strip with non-weighted coding of the unit Hamming distance type, e.g. Gray code

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、位置検出装置に係り、特に磁気センサを用い
た絶対位置検出に好適な位置検出装置に関する。
〔発明の背景〕
我々は、先に磁気抵抗効果素子をもつ磁気センサによっ
て絶対位置を検出する装置として、特開昭59−108
193号公報記載のものを提案している。
これには、回位磁石を複数個配置して各トラック間の磁
気干渉を除去するものが開示されている。
しかし、これには、磁気センサのパターン形状の詳細に
ついては記載されていない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、位置検出磁気センサに係り特に、磁気
センサ基板上の電源端子および出力端子の数を最小限と
して、磁気センサの小形化を図ると共に、前記、電源端
子および出力端子までの配線を少なくする構造として対
ノイズ性を向上させた磁気的に位置を検出する装置を提
供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は複数個の磁気抵抗効果素子を一直線上に配置し
、各々、直列接続し各接続点を交互に電源端子および3
端子の出力端子として、磁気センサの一方向に配置した
端子部まで配線することにより、磁気センサの端子数を
減らし小形化を可能にした磁気的に位置を検出する装置
にある。
〔発明の実施例〕
本発明に係る実施例を説明する前に、まず、本発明に係
るものの基板的な動作例を第1図〜第6図により説明す
る。
第1図は、本発明に係る位置検出磁気センサの略示構成
図である。第1図において、1はシャフト、2は回転ド
ラムである。表面に磁性体4を有した回転ドラム2はシ
ャフト1に固着されている。
この例では、4ビツトのグレーコードをもつ絶対位置形
(アブソリュート)磁気センサであり、磁性体4は、4
つのチャネルM o = M sに分けられ30このチ
ャネルM2〜M8に対向して磁気抵抗効果素子Rを配置
した磁気センサ3がある。チャネルM o ” M s
と磁気センサ3は、第2図に示す展開図のように配置す
る。すなわち、磁性体4は、Mo〜M8の4つのチャネ
ルに分けてあり、各チャネルMo=Mδは、各々2つの
磁気トラックで構成されている。各チャネルM o ”
 M aは、図示のようにN−8を矢印で示したように
最小記録波入で記録しである。同一チャネルの2つの磁
気トラックは互いに記@信号がないところは信号を記録
し、記録信号があるところは記録していない。各チャネ
ルの記録信号はMoでは最小記録波長λが2個連続して
記録され、2個分が記録されないでまた2個が記録され
ている。次のMlでは、4個連続して記録され4個分が
記録されていない。次のMzでは、8個連続して記録さ
れ、8個分が記録されていない。次のM3では、Mxと
同じ間隔であるが、位相がMzと違っている。
これに対向して、磁気センサ3は、各チャネルVio 
−M aごとに磁気抵抗効果素子Rot〜RoapRt
t〜Rx4+ Rzi〜RzaおよびRst〜Raaが
図示のような配置となっている。すなわち、Ro 1゜
ROM1 R111Rzs、 Rzz+ R25y R
31およびRagは、−直線上に並べてあり、Rows
 Roar RtzyR14ツRzz+ Rza、 R
szおよびRA4に対してλ/2ずらして配置する。こ
のような配置で磁性体4を矢印の方向に移動すると、各
磁気抵抗効果素子Roz〜R34の抵抗変化は第3図の
ように変化する。そこで各磁気抵抗効果素子Rot〜R
114を各チャネルごとに第4図のようなブリッジ構成
し、電源電圧Vを印加すると第4図に示す3端子出力a
oとbo間の電圧eo、a1.bt間の電圧e1゜R2
とb2間の電圧ezおよびasとbδ間の電圧e8は、
第5図に示すようになる。この出力電圧e。
〜e3をアンプ又は電圧コンパレータ等により波形整形
してやると第6図のEo−Esのようになる。
Eo=Egは、4ビツトのグレーコードの出力であり、
16等分の絶対位置を検出することができる。
以上では、4ビツトの例で示したが、ビット数を増加し
ても同様の動作をする。また、各チャネルの記録信号の
配置はバイナリイーコードとしても効果は変らない0以
上のように、磁気抵抗効果素子の数が多いと、これらの
出力の取り出しや、磁気抵抗効果素子の数が多いと、磁
気抵抗効果素子に電源を供給するための電極の配置およ
び磁気センサの端子部までの電極の配置および磁気セン
サの端子部までの配線等が問題となる。
第7図は、本発明の位置検出磁気センサーの実施例であ
る。ここで、第2図と同符号の部分は同作用のものであ
る。磁気センサ3基板上に配置された磁気抵抗効果素子
Roz〜Ratは、第1層配線Lx〜L3を介して、磁
気センサ3の基板の一方向に配置された端子部T1〜T
8に接続されている。
すなわち、磁気抵抗効果素子RO1〜1R3aの出力の
取り出しは、例えば、最上位ビット(最下位ビット)を
構成するRate、 Rot、 RoaおよびRoaで
は。
Ro 1とRo sの一端の接続点を3端子出力として
取り出し第1層配線L1により端子部Tlに接続される
。また、RO2とRocの一端の接続点を3端子出力と
して取り出し第1層配線し8により端子部T8に接続さ
れる。この端子部TlとT8は第4図に示したaQとb
oに相当している。同様に次のビットはR11とRta
の接続点を第1層配aLxより端子部T2に接続し、R
12とR14の接続点を第1層配線L7により端子部T
7に接続する。次のビットは、R14とRzsの接続点
を第1層配線L8により端子部T8に接続し、R22と
Rzaの接続点を第1層配線Lsにより端子部T8に接
続する。最下位ビット(最上位ビット)は、Raz?R
δ3の接続点を第1層配線L4により端子部T4に接続
し、R84とRaaの接続点を第1層配線L11により
端子部T8に接続される。また、第1層配線孔9〜L1
δは、磁気抵抗効果素子Ro1〜R114に電源を供給
するための電極とのコンタクト用引き出し配線であり1
例えばパーマロイ等の材料でLl〜L6と同時に配置さ
れる。この第1層配線の上には、例えばSiO2゜(酸
化シリコン)等の絶縁材料が配置される。
CI ” Ct o部は、第2層配線である電極LN。
LPとのコンタクトをとるため絶縁物が取り除かれる。
この絶縁物の上には、例えばクロム等の導電材料である
電極LN、Lpが配置される。電極LP、LNは、第1
列目の磁気抵抗効果素子ROI。
ROM、 R11,、Rts、 R21,Rza+ R
atおよびRssと第2列目の磁気抵抗効果素子RO2
,RO41Rzz。
R14,Rzz* R241RszおよびRatに供給
する電源を各々共通となるように磁気抵抗効果素子RO
f〜R114の左右に1対づつ配置されている。最内側
の電極LNは、Rag、 Rstと端子部TNとの間T
cで共通になっている。この場合、Tpは正極(負極)
、T11は負極(正極)の電圧Vが印加され、コンタク
ト部01〜CIOにより各々第1層配線L9〜Lzgと
電気的に導通状態となり、磁気抵抗効果素子Rot〜R
s4に電源が供給される。以上の例では、第1層を出力
配線L1〜L8および引き出し配線Ls〜Lzs とし
、第2層を電極LP、LNとしたが。
これは、第1層と第2層を逆にも効果は同じである。ま
た、第1層と第2層の配線は例えばパーマロイ等の同一
材料としても良い。
このような、構成の磁気センサにすると、電源端子及び
出力端子が最小数で済み磁気センサの小形化が出来る。
さらに、出力配線が交叉しないので、素子間の相互干渉
がなくなり耐ノイズ性が向上する。
第8図は、本発明の他の実施例を示すものであり、磁気
抵抗素子RO1”R114とこれに電源を供給するため
の電極Tp、Tnについてのみ示した。ここで、第7図
と同一符号の部分は、同等部分を示している。第8図に
おいて、第7図との相違点は、電極Lp、LNをできる
限り広くするため、電源端子T p ” T Nを各々
2個づつ使用したことであり、第7図に比して、電極の
配線抵抗を小さくできる。
この例では、端子部を2個づつ使用したが、3個4個と
多くしても効果は期待できるが、形状については大きく
なる。
第9図は、第7図に示した電源端子T p 、 T N
の配置を正極’rp(負極T N )と負極TN(正極
Tp)を交互に設置した例である。このような構成にす
ると、TP、TNが自然に配置されるので、電圧を印加
する際に誤配線をなくする効果が得られる。
第10図は、第7図に示した電極T p 、 T Nを
磁気センサ出力端子Ti〜T6の各々外側に配置した例
である。このような構成にすると、電極T p 。
T N、が磁気センサの最外側となるため、出力配線L
z〜Lδおよび端子T1〜T6に混入する外来ノイズを
防止できる効果が得られる。
以上の実施例では、位置検出装置を回転ドラ11の例で
示したが、直線運動的な移動体の位置検出用としても同
等の効果を得ることができる。また。
本実施例では磁気抵抗効果素子を2列1直線に配置した
が、第11図に示すように磁気ドラムのチャネル配置に
応じ任意のセンサ(例えばROI。
Roz、 Ros、 Roaのように)をnだけずらし
て配置しても良い。
尚第12図に示すように、磁気抵抗効果素子Roz〜R
34の出力配線L 1 ” L sを、磁気センサの長
手方向中心より上下に2分割して磁気センサの両端部に
配置した端子T1〜T8に各々配線してもよい。この様
に構成すると、磁気センサの幅を狭くすることができる
ので小形化が図れる。
・〔発明の効果〕 本発明によれば、第1列および第2列の磁気抵抗効果素
子に電源を提供する正極および負極の電極を各々共通と
しており、また、出力配線(端子)も最小数としており
、小形軽量の装置を提案することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施した磁気的に位置を検出する装置
の略示構成図、第2図は第1図の展開図、第3図は磁気
センサの出力波形、第4図は磁気センサの結線図、第5
図は磁気センサのブリッジ出力波形、第6図は波形整形
後の出力波形、第7図は本発明で採用した位置検出用磁
気センサの構成図、第8図ないし第12図は、他の実施
例を示すものである。 1・・・シャフト、2・・・回転ドラム、3・・・磁気
センサ、4・・・磁性体、R,Ro1〜Rsa・・・磁
気抵抗効果素子、M o = M a−チャネル、a 
o〜a s 、 b o〜b s−センサの3端子出力
、eO〜e8・・・センサのブリッジ出力、Eo”Es
・・・センサ出力、TJ1〜L♂・・・磁気抵抗効果素
子と端子間の配線、LQ”LLll・・・磁気抵抗効果
素子と電極間の配線、Lp、LN・・・電極、T1〜T
s・・・磁気センサの出力端子、TP、TN・・・電源
端子、C1〜Cso・・・電極とL9〜L1gとのコン
タクト部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、移動体とこれに微小間隙をもつて対向する固体のい
    ずれか一方の表面に設けられ、かつ移動方向に磁気信号
    を記録した磁気トラックをもつ複数のチャネルと、前記
    移動体あるいは固定体の他方に配置し、かつ磁気抵抗効
    果素子と有する磁気センサを設備し、前記移動体の位置
    を、前記磁気抵抗効果素子の抵抗変化として取出して検
    出するものにおいて、 前記チャネルの少なくとも1つは位相をずらして磁気記
    録した少なくとも2つの磁気トラックで構成され、これ
    らの磁気トラックに記録された磁気信号を検出する少く
    とも2個の磁気抵抗効果素子を前記移動方向と交叉する
    方向に並べて配すると共に、これらの磁気抵抗効果素子
    は前記チャネルの中心側で上下接続し、かつこの接続部
    を電源端子あるいは出力端子として引出したことを特徴
    とする磁気的に位置を検出する装置。 2、前記特許請求の範囲第1項記載において、前記、複
    数個の磁気抵抗効果素子を奇数ビットと偶数ビットら分
    け、第1列目における奇数ビットの磁気抵抗効果素子は
    、上側を正極(負極)、下側を負極(正極)に接続し、
    偶数ビットの磁気抵抗効果素子は、上側を負極(正極)
    、下側を正極(負極)に接続し、さらに、第2列目にお
    ける奇数ビットの磁気抵抗効果素子は、上側を負極(正
    極)、下側を正極(負極)に接続し、偶数ビットの磁気
    抵抗効果素子は、上側を正極(負極)、下側を負極(正
    極)に接続して、各ビットの磁気抵抗効果素子は、上下
    直列接続し、その接続点を検出端子として磁気センサの
    出力端子部に配線されることを特徴とする磁気的に位置
    を検出する装置。 3、前記特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、前
    記、磁気抵抗効果素子に電源を供給するための電源であ
    る正極および負極の電源端子部を磁気センサの出力端子
    部より各々、最内側に配置したことを特徴とする磁気的
    に位置を検出する装置。 4、前記特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、前
    記、磁気抵抗効果素子に電源を供給するための電極であ
    る正極および負極の電源端子部を磁気センサの出力端子
    部より各々、最外側に配置したことを特徴とする磁気的
    に位置を検出する装置。 5、前記特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、磁
    気抵抗効果素子を同一基板上に複数個長手方向に並ぶよ
    うに配置し、前記、磁気抵抗効果素子の出力端子を磁気
    センサの一方向から取り出すようにし、磁気センサの出
    力配線を出力端子部より、遠い所のビットが外側となる
    ように磁気センサの出力端子まで配線することを特徴と
    する磁気的に位置を検出する装置。 6、前記特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、磁
    気信号に感応する磁気抵抗効果素子と前記、磁気抵抗効
    果素子に電源を供給するための正極および負極の電極を
    有し、前記、電源の配線材料を前記、磁気抵抗素子の出
    力配線材料とを別材料にしたことを特徴とする磁気的に
    位置を検出する装置。 7、前記特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、磁
    気抵抗効果素子に電源を供給するための正極および負極
    の配線L_P、L_Nと磁気抵抗効果素子の出力配線と
    を絶縁物を介して分離することを特徴とする磁気的に位
    置を検出する装置。 8、前記特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、第
    1列および第2列の磁気抵抗効果素子に電源を供給する
    ための電源配線L_N、L_P各々共通にすることを特
    徴とする磁気的に位置を検出する装置。
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