JPS59105503A - 磁気パルスエンコーダ用の磁気抵抗効果素子が装着された回路板 - Google Patents
磁気パルスエンコーダ用の磁気抵抗効果素子が装着された回路板Info
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- JPS59105503A JPS59105503A JP57214652A JP21465282A JPS59105503A JP S59105503 A JPS59105503 A JP S59105503A JP 57214652 A JP57214652 A JP 57214652A JP 21465282 A JP21465282 A JP 21465282A JP S59105503 A JPS59105503 A JP S59105503A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、位置制御および速度制御等に検出器として用
いられる磁気式バルスコーダにおける磁気抵抗効果素子
のパターンに関する。
いられる磁気式バルスコーダにおける磁気抵抗効果素子
のパターンに関する。
磁気式パルスコーダの基本構成は、概略第１図に示され
るように磁気ドラム１１および磁気抵抗効果素子】３か
ら成る。駆動源（被検出回転動力源）により駆動される
軸１２は磁気ドラム１１に連結されており、＠気ドラム
１１は４ＩＩＩ１１２の回転に従って回転する。磁気抵
抗効果素子１３は磁気ドラムｌｌに対して適当なギャッ
プｇをもつように固定される。ｍ気ドラム１１の外周に
は磁気記憶媒体から成る層が設けられ、該山気記憶媒体
には着磁パターンが着磁される。磁気抵抗効果素子１３
は該着磁パターン１に読み出し、電気傷号に変換する。
るように磁気ドラム１１および磁気抵抗効果素子】３か
ら成る。駆動源（被検出回転動力源）により駆動される
軸１２は磁気ドラム１１に連結されており、＠気ドラム
１１は４ＩＩＩ１１２の回転に従って回転する。磁気抵
抗効果素子１３は磁気ドラムｌｌに対して適当なギャッ
プｇをもつように固定される。ｍ気ドラム１１の外周に
は磁気記憶媒体から成る層が設けられ、該山気記憶媒体
には着磁パターンが着磁される。磁気抵抗効果素子１３
は該着磁パターン１に読み出し、電気傷号に変換する。
＠２因には、ａ気ドラムＡＩＶｃ着磁された着磁パター
ンの一部が示される。着磁パターンはインクレメント相
２１．ｚ相２２およびアブソリュート相２３から構成さ
れる。インクレメント相２１は磁気ドラム１１の円周方
向にＮ極およびＳ極が交互に、且つ一周に２５００相度
の密度をもって着磁される。Ｚ相２２は一周にＮ極およ
びＳ極の一対が着磁される。アブソリユート相２３は４
パターンから成）、着磁方向が他の２相に対しは角方向
である。この４個のパターンによ＃）４ビツトの信号が
得られ、その組合せにより磁気ドラム１１の一周を１６
分割し九信号が得られる。
ンの一部が示される。着磁パターンはインクレメント相
２１．ｚ相２２およびアブソリュート相２３から構成さ
れる。インクレメント相２１は磁気ドラム１１の円周方
向にＮ極およびＳ極が交互に、且つ一周に２５００相度
の密度をもって着磁される。Ｚ相２２は一周にＮ極およ
びＳ極の一対が着磁される。アブソリユート相２３は４
パターンから成）、着磁方向が他の２相に対しは角方向
である。この４個のパターンによ＃）４ビツトの信号が
得られ、その組合せにより磁気ドラム１１の一周を１６
分割し九信号が得られる。
磁気抵抗効果素子１３はパーマロイ等の材料を用いて蒸
着等の方法により、各構成素子が１つのパターンとして
作られている。各素子は磁界に直交すると電気抵抗が最
小となり、磁界に平行になると電気抵抗が最大となる。
着等の方法により、各構成素子が１つのパターンとして
作られている。各素子は磁界に直交すると電気抵抗が最
小となり、磁界に平行になると電気抵抗が最大となる。
この特性を応用して、上述の磁気ドラム１１の着磁パタ
ーンから、インクレメント相についてはＮ極およびＳ極
の数に対応する数の信号を、２相については一周あたり
１個の信号を、アブソリユート相については磁気ドラム
１１の１転位ＷＬを示す電気信号を得ることができる。
ーンから、インクレメント相についてはＮ極およびＳ極
の数に対応する数の信号を、２相については一周あたり
１個の信号を、アブソリユート相については磁気ドラム
１１の１転位ＷＬを示す電気信号を得ることができる。
前述の磁気式パルヌコーダにおいて、磁気抵抗効果素子
１３のパターンとしては、従来第３図に示されるような
パターンが用いられている。このパターンはアブンリュ
ート相検出用の磁気抵抗効果素子対３１１いし３４．Ｚ
相検出用磁気抵抗効果素子３５、インクレメント相検出
用磁気抵抗効果素子３Ｇ、各素子の引出し腺、および引
出し線と外部装菫との凄続？行う接続端子から成るａ第
４図には素子対３１（素子対３２ないし３４も町−）の
詳細が示される。
１３のパターンとしては、従来第３図に示されるような
パターンが用いられている。このパターンはアブンリュ
ート相検出用の磁気抵抗効果素子対３１１いし３４．Ｚ
相検出用磁気抵抗効果素子３５、インクレメント相検出
用磁気抵抗効果素子３Ｇ、各素子の引出し腺、および引
出し線と外部装菫との凄続？行う接続端子から成るａ第
４図には素子対３１（素子対３２ないし３４も町−）の
詳細が示される。
第５図にはインクレメント相検出用素子３６゜その引出
し線および外部結線の叛続態様金示す回路図が示される
。第６図は上述の素子３６の動作を説明する定めの回路
図である。、第７図には、インクレメント相の着磁パタ
ーンと素子３６の相対位置が示される６図中着磁パター
ン７１の下段には着磁パターン７１によシ生ずる磁束密
度の大小が示される。この磁束密度の大小に対応して素
子３６を構成する各要素Ａｌ−１，Ａよ−２ 、Ａ２−
ｔ 、 Ａ２−２ 。
し線および外部結線の叛続態様金示す回路図が示される
。第６図は上述の素子３６の動作を説明する定めの回路
図である。、第７図には、インクレメント相の着磁パタ
ーンと素子３６の相対位置が示される６図中着磁パター
ン７１の下段には着磁パターン７１によシ生ずる磁束密
度の大小が示される。この磁束密度の大小に対応して素
子３６を構成する各要素Ａｌ−１，Ａよ−２ 、Ａ２−
ｔ 、 Ａ２−２ 。
Ｂ、−１＋Ｂ１−２ｒＢ２−□、およびＢ２−２の抵抗
値が変化しく３） て各々Ｖ、、−，ないしＶ、２−２を出力し、第６図に
おけるＡ相出力およびＢ相出力に９０度の位相差をもっ
た出力が得られる。
値が変化しく３） て各々Ｖ、、−，ないしＶ、２−２を出力し、第６図に
おけるＡ相出力およびＢ相出力に９０度の位相差をもっ
た出力が得られる。
第８図には、２相検出累子３５に関連する回路の回路図
が示される。２相検出回路は差動回路を用いず、素子ｚ
１およびｚ２ の接続点から出力Ｖｚを取り出す、矢印
方向の磁界Ｈにより、素子ｚ２は抵抗値が大きくなシ、
ｚｌ の［Ｖｉ一定でおるから、出力Ｖｚ の原は小
さい［１−とる。
が示される。２相検出回路は差動回路を用いず、素子ｚ
１およびｚ２ の接続点から出力Ｖｚを取り出す、矢印
方向の磁界Ｈにより、素子ｚ２は抵抗値が大きくなシ、
ｚｌ の［Ｖｉ一定でおるから、出力Ｖｚ の原は小
さい［１−とる。
ＩＩ９図には、アプンリュート相検出用磁気抵抗効果素
子の詳細が示される。アプンリーート相検出素子対３１
ないし３４は各々４個の要素５１から成り、１ｊＥｌＯ
図の回路図に示されるように結線されている。出力は端
子ＴユとＴ２の間に得られる。
子の詳細が示される。アプンリーート相検出素子対３１
ないし３４は各々４個の要素５１から成り、１ｊＥｌＯ
図の回路図に示されるように結線されている。出力は端
子ＴユとＴ２の間に得られる。
端子Ｔ１はそれぞれ第９図における出力ＶＣＩ−１１Ｖ
Ｃ２−１、ＶｃＢ−Ｉｈ ヨＵＶｃ ４−１ ’ＩＩ’
供ｉされるｉ子ｇ。
Ｃ２−１、ＶｃＢ−Ｉｈ ヨＵＶｃ ４−１ ’ＩＩ’
供ｉされるｉ子ｇ。
端子Ｔ２はそれぞれ出力”ＣＩ −２ｒ ＶＯ２−２、
ｖｅｘ−２およびｖｃ４−２が供給される端子に対応す
る。ＩＩ０図の右に示されるような磁界が左の回路に加
えられると最初は上段の２つの素子の抵抗値が小さく（
４） なり１次いで上段の素子は初期値に戻り、下段の素子の
抵抗値が小さくなる。この結果、端子Ｔ、とＴ２の間の
電圧（Ｖｌ−Ｖ２）は時間ｔに対し第１１図の特性図に
示されるような変化をする。
ｖｅｘ−２およびｖｃ４−２が供給される端子に対応す
る。ＩＩ０図の右に示されるような磁界が左の回路に加
えられると最初は上段の２つの素子の抵抗値が小さく（
４） なり１次いで上段の素子は初期値に戻り、下段の素子の
抵抗値が小さくなる。この結果、端子Ｔ、とＴ２の間の
電圧（Ｖｌ−Ｖ２）は時間ｔに対し第１１図の特性図に
示されるような変化をする。
１１１０図における端子Ｔ、の電圧ｖ１および端子Ｔ２
の電圧ぬは磁界が加えられていない場合には電源電圧の
し２のＩＩ（ここでは２．５Ｖ ） ’ｉ示すはずであ
るが、一般には異なった値となり、を原電圧のｌ／４２
の鎖との差をオフセット電圧と称する。オフセット電圧
は、基本的には存在しないことが望ましいが、実際には
無視できない匝が検出される。
の電圧ぬは磁界が加えられていない場合には電源電圧の
し２のＩＩ（ここでは２．５Ｖ ） ’ｉ示すはずであ
るが、一般には異なった値となり、を原電圧のｌ／４２
の鎖との差をオフセット電圧と称する。オフセット電圧
は、基本的には存在しないことが望ましいが、実際には
無視できない匝が検出される。
この原因として、アプンリーート検出素子対の引出し線
の抵抗値のばらつきと非対称性による抵抗値の相異、お
よび引出し線が立体交差するために生ずるスルホール抵
抗のばらつきが考えられる。
の抵抗値のばらつきと非対称性による抵抗値の相異、お
よび引出し線が立体交差するために生ずるスルホール抵
抗のばらつきが考えられる。
第９図の回路図において、各中間点引出し線は電源線（
５ＶおよびＯＶ）と２箇所または３箇所で交差するため
、実際のパターンにおいては立体交差をスルホール（Ｔ
ｂ）（第１２図参照）によって行っている。このスルホ
ールによる引出し線の抵抗唾のばらつきと第３図のパタ
ーンに示されるようなアブソリユート相検出素子対３１
ないし３４の引出し線の非対称性が前記オフセットａｔ
大きくシ、磁気式バルスコーダにおける所定出力レベル
および安定した出力レベルを得るに当っての問題点とな
っている。
５ＶおよびＯＶ）と２箇所または３箇所で交差するため
、実際のパターンにおいては立体交差をスルホール（Ｔ
ｂ）（第１２図参照）によって行っている。このスルホ
ールによる引出し線の抵抗唾のばらつきと第３図のパタ
ーンに示されるようなアブソリユート相検出素子対３１
ないし３４の引出し線の非対称性が前記オフセットａｔ
大きくシ、磁気式バルスコーダにおける所定出力レベル
および安定した出力レベルを得るに当っての問題点とな
っている。
第１３図には、アブソリユート相における検出電圧のオ
フセラ）（Ｋとインクレメント相における検出電圧のオ
フセットａの一例が示される。これによっても、引出し
線がほぼ対称配置であシ、立捧交差によるスルホール接
続がないインクレメント相検出電圧においてオフセット
圃が低いことがわかる。
フセラ）（Ｋとインクレメント相における検出電圧のオ
フセットａの一例が示される。これによっても、引出し
線がほぼ対称配置であシ、立捧交差によるスルホール接
続がないインクレメント相検出電圧においてオフセット
圃が低いことがわかる。
本発明の目的は、前述の従来形のパターンにおける問題
点にかんがみ２７プンリーート相の検出を行う磁気抵抗
効果素子の引出し線の立体交差を避け、引出しａｔ対称
形に配置するという着想に基づき、検出素子対の差動出
力のオフセラ） １［Ｉを減少し、所定レベルの安定し
た出力の確保を可能にし、所定出力を安定して供給可能
な磁気式パル（７１ スコープを得ることにある。
点にかんがみ２７プンリーート相の検出を行う磁気抵抗
効果素子の引出し線の立体交差を避け、引出しａｔ対称
形に配置するという着想に基づき、検出素子対の差動出
力のオフセラ） １［Ｉを減少し、所定レベルの安定し
た出力の確保を可能にし、所定出力を安定して供給可能
な磁気式パル（７１ スコープを得ることにある。
本発明においては、ｅ１気ドラム上に着磁されたインク
レメント相、２相およびアブソリユート相の各着磁パタ
ーンを検出する磁気式バルスコーダにおける磁気抵抗効
果素子のパターンにおいて、該アブソリユート相の着磁
パターンを検出する第１の素子およびＷＬ２の素子をも
って１対を構成する磁気抵抗効果素子対の複数個の対の
各々について、該Ｉｌｌの素子の電源供給引出し線に対
して該第２の素子の電源帰線引出し線、該第１の素子の
電源帰線引出し線に対して該第２の素子の電源供給引出
し線、および該第１の素子の中間点引出し線に対して該
＠２の素子の中間点引出し線が、それぞれ該磁気抵抗効
果素子対に対してほぼ対称形に配置され、前記引出し線
が互いに交差することなく個別に引出されていること全
特徴とする磁気式パルスコーダにおける磁気抵抗効果素
子のパターンが提供される。
レメント相、２相およびアブソリユート相の各着磁パタ
ーンを検出する磁気式バルスコーダにおける磁気抵抗効
果素子のパターンにおいて、該アブソリユート相の着磁
パターンを検出する第１の素子およびＷＬ２の素子をも
って１対を構成する磁気抵抗効果素子対の複数個の対の
各々について、該Ｉｌｌの素子の電源供給引出し線に対
して該第２の素子の電源帰線引出し線、該第１の素子の
電源帰線引出し線に対して該第２の素子の電源供給引出
し線、および該第１の素子の中間点引出し線に対して該
＠２の素子の中間点引出し線が、それぞれ該磁気抵抗効
果素子対に対してほぼ対称形に配置され、前記引出し線
が互いに交差することなく個別に引出されていること全
特徴とする磁気式パルスコーダにおける磁気抵抗効果素
子のパターンが提供される。
本発明の一実施例としての磁気式バルスコーダにおける
磁気抵抗効果素子のパターンが第１４図（８） に示される０本パターンにおいて、インクレメント相お
よび２相に関する検出素子３６および３５、これらの引
出し線（を源供給線（５Ｖ供給線）および電源帰線ＣＯ
Ｖ線）を含む）の配置はほぼ第３図のパターンと同様で
おる。ただ、２相の出力端子の位駿が変更され、５Ｖお
よびＯｖ接続端子が変更されている。インクレメント相
検出素子３６の８個の構成要素は４個ずつに分けられ２
その１つの組の各Ｗ索の一方側はＯｖに接続され、他側
はそれぞれＶＡＩ−１、Ｖｔｈ ＋−ｔ 、ｖＡｇ−＋
オヨ（Ｊヌ、−８の出力を各端子に供給する。他の組
の４個の要素の一方側は５Ｖに接続され、他側はそれぞ
れｖ、、２． ｖ、 ｚ−ｇ 、 ｖＡＩ−２オヨびｖ
ｌ１ｌ−２）出力を各端子ｒ供給する。各引出し線は立
体交差をすることなく各検出素子の要素と端子の間を接
続する。
磁気抵抗効果素子のパターンが第１４図（８） に示される０本パターンにおいて、インクレメント相お
よび２相に関する検出素子３６および３５、これらの引
出し線（を源供給線（５Ｖ供給線）および電源帰線ＣＯ
Ｖ線）を含む）の配置はほぼ第３図のパターンと同様で
おる。ただ、２相の出力端子の位駿が変更され、５Ｖお
よびＯｖ接続端子が変更されている。インクレメント相
検出素子３６の８個の構成要素は４個ずつに分けられ２
その１つの組の各Ｗ索の一方側はＯｖに接続され、他側
はそれぞれＶＡＩ−１、Ｖｔｈ ＋−ｔ 、ｖＡｇ−＋
オヨ（Ｊヌ、−８の出力を各端子に供給する。他の組
の４個の要素の一方側は５Ｖに接続され、他側はそれぞ
れｖ、、２． ｖ、 ｚ−ｇ 、 ｖＡＩ−２オヨびｖ
ｌ１ｌ−２）出力を各端子ｒ供給する。各引出し線は立
体交差をすることなく各検出素子の要素と端子の間を接
続する。
谷端子は第５図とＰｒ１様な外部接続がなされる。すな
わち出力′ｖＡ１−Ｉ と■Ａ１−２．．出力ｖＡ２−
１とＶ、 ２−２、出力ＶＢ、、とｖｌ、、−２および
出力ＶＢ２−、とＶＢ２−、が接続されておυ、第６図
に示されると同様にＡ相およびＢ相出力が吹出される。
わち出力′ｖＡ１−Ｉ と■Ａ１−２．．出力ｖＡ２−
１とＶ、 ２−２、出力ＶＢ、、とｖｌ、、−２および
出力ＶＢ２−、とＶＢ２−、が接続されておυ、第６図
に示されると同様にＡ相およびＢ相出力が吹出される。
（９１、、。
２相検出素子３５は互に直角に配置された２つの要素が
直列に接続され、その接続点からＶｚ の出力電圧が端
子に供給される６＠列に接続された２つの要素の両端に
はそれぞれ５ｖおよびＯＶが接続される。
直列に接続され、その接続点からＶｚ の出力電圧が端
子に供給される６＠列に接続された２つの要素の両端に
はそれぞれ５ｖおよびＯＶが接続される。
アブソリユート相全検出する磁気抵抗効果素子対３ Ｊ
’ないし３４′はパターンの左右方向におけるほぼ中央
付近に配置される。各素子対３１′ないし３４′の詳細
は第１５図に示される。各素子対３］′ないし３４′は
それぞれ＠Ｉの素子４１および第２の素子４２から構成
される。各素子対３ Ｊ’ないし３４′の第１の素子４
１の電源供給引出しａ（５Ｖ供給線）は各線ごとに端子
を設は別々に互いに交差することなく引出される。同様
に、電源帰線引出し線（ＯＶ線）も各線ごとに端子ケ設
け、別々に互いに交差することなく、前記５ｖ供給線と
も立体交差しないように設けられる。第１の素子４１の
中間点からは出力Ｖ１が得られる。出力■１は素子対３
１’ないし３４′について区別するため、それぞれｖＣ
ｌ−１１０２−１１ＶＯ２−１およびＶＯ２−１と呼称
（３０１ される。出力Ｖ。、、 、 ＶＣ２−、、Ｖ、−１オヨ
びＶ。４−。
’ないし３４′はパターンの左右方向におけるほぼ中央
付近に配置される。各素子対３１′ないし３４′の詳細
は第１５図に示される。各素子対３］′ないし３４′は
それぞれ＠Ｉの素子４１および第２の素子４２から構成
される。各素子対３ Ｊ’ないし３４′の第１の素子４
１の電源供給引出しａ（５Ｖ供給線）は各線ごとに端子
を設は別々に互いに交差することなく引出される。同様
に、電源帰線引出し線（ＯＶ線）も各線ごとに端子ケ設
け、別々に互いに交差することなく、前記５ｖ供給線と
も立体交差しないように設けられる。第１の素子４１の
中間点からは出力Ｖ１が得られる。出力■１は素子対３
１’ないし３４′について区別するため、それぞれｖＣ
ｌ−１１０２−１１ＶＯ２−１およびＶＯ２−１と呼称
（３０１ される。出力Ｖ。、、 、 ＶＣ２−、、Ｖ、−１オヨ
びＶ。４−。
がそれぞれ引出される引出し線もそれぞれの端子に他の
引出し線と交差または立体交差することなく接続される
。
引出し線と交差または立体交差することなく接続される
。
第２の素子４２についても第１の素子４１と同様に各引
出し線が引出される。＆だし第２の素子４２の中間点か
らは出力Ｖ乞Ｅ得られ、出力Ｖ２は素子対３１’ないし
３４′について区別するため、それぞれＶＣ＋−２＋
ＶＣ２−２＋ ＶＯ３−２およびＶＣ４−２と呼称され
る。
出し線が引出される。＆だし第２の素子４２の中間点か
らは出力Ｖ乞Ｅ得られ、出力Ｖ２は素子対３１’ないし
３４′について区別するため、それぞれＶＣ＋−２＋
ＶＣ２−２＋ ＶＯ３−２およびＶＣ４−２と呼称され
る。
ま７ｃＲ］の素子４】に係る引出し線がすべて素子対３
１′ないし３４′の例えば左側に引出されると。
１′ないし３４′の例えば左側に引出されると。
第２の素子４２に係る引出し線はすべて右側に引出され
る。ｗ４１４図において右下りの斜線は５ｖ端子を、右
上りの斜線はＯ■端子を示す。
る。ｗ４１４図において右下りの斜線は５ｖ端子を、右
上りの斜線はＯ■端子を示す。
さらに゛本実施例のパターンにおいては、谷素子対のＩ
Ｉの素子４１のＯｖ線と第２の素子４２の５ｖ供給線と
が素子対に関しほぼ対称に配置される。また各素子対の
ｗ４１の素子４１の５ｖ供給線と第２の素子４２のＯＶ
線とが素子対に関しほぼ対称に配置される。中間点引出
しｌｆＭについては、（１１） 出力Ｖｅｒ−１とＶｃ ＋−ａ 、 Ｖｃｚ−ｔ と
Ｖｃｚ−ｚ 、 Ｖｃｓ−＋ とＶｇ ト冨、および
■４−１とＶＣ，−、に係る引出線がそれぞれ属する素
子対についてほぼ対称に配置される。
Ｉの素子４１のＯｖ線と第２の素子４２の５ｖ供給線と
が素子対に関しほぼ対称に配置される。また各素子対の
ｗ４１の素子４１の５ｖ供給線と第２の素子４２のＯＶ
線とが素子対に関しほぼ対称に配置される。中間点引出
しｌｆＭについては、（１１） 出力Ｖｅｒ−１とＶｃ ＋−ａ 、 Ｖｃｚ−ｔ と
Ｖｃｚ−ｚ 、 Ｖｃｓ−＋ とＶｇ ト冨、および
■４−１とＶＣ，−、に係る引出線がそれぞれ属する素
子対についてほぼ対称に配置される。
アプンリーート相の検出素子回路はブリッジを構成して
いるので、上述のように引出し線の配線が対称ならば温
度変化による引出線の抵抗値の変化や電源電圧の変化の
影響ｔ−相殺できる。なお前述のパターンにおいては、
検出素子および引出し線共にパーマロイ勢の金属の蒸着
によって作られ。
いるので、上述のように引出し線の配線が対称ならば温
度変化による引出線の抵抗値の変化や電源電圧の変化の
影響ｔ−相殺できる。なお前述のパターンにおいては、
検出素子および引出し線共にパーマロイ勢の金属の蒸着
によって作られ。
引出し線はその断面８ｔヲ大きくすることによって磁界
および温度の変化の影畳ｔできるだけ避けてはいるが、
一部その影譬が残る。従って引出し線の配線パターンに
対称性を持たすことは、前述のオフセット電圧の初ＭＵ
ＪｊＬｆｔ＠減すると共に、温度変化によるオフセット
電圧の変動ケ小さく押さえることｔ可能にする。またア
ブソリユート相検出素子の引出し線の配線から立滲交差
をなくせば。
および温度の変化の影畳ｔできるだけ避けてはいるが、
一部その影譬が残る。従って引出し線の配線パターンに
対称性を持たすことは、前述のオフセット電圧の初ＭＵ
ＪｊＬｆｔ＠減すると共に、温度変化によるオフセット
電圧の変動ケ小さく押さえることｔ可能にする。またア
ブソリユート相検出素子の引出し線の配線から立滲交差
をなくせば。
すなわちｍ１２図に示すようなスルホール接続Ｔｈ ’
に行わないようにすれば、不安定な要素であ（１２） るスルホール接続によって生ずるスルホール抵抗を除去
することができるので、これもまたオフセット電圧の初
期直とその変動を小さく押さえるととができる。
に行わないようにすれば、不安定な要素であ（１２） るスルホール接続によって生ずるスルホール抵抗を除去
することができるので、これもまたオフセット電圧の初
期直とその変動を小さく押さえるととができる。
なお本実施例のパターンにおいては、端子が左右の側面
から出されることになるほか、５ｖおよびＯｖ端子が増
加するが、これらは出力に対して何等の悪影響を与えな
い。
から出されることになるほか、５ｖおよびＯｖ端子が増
加するが、これらは出力に対して何等の悪影響を与えな
い。
本発明によれば、アプンリーート相の検出用磁気抵抗効
果素子対の差動出力のオフセラ）［：減少し、Ｗｒ定レ
ベルの安定した出力の確保を可能にし、所定出力を安定
して供給可能な磁気式パルスコーダが得られる。
果素子対の差動出力のオフセラ）［：減少し、Ｗｒ定レ
ベルの安定した出力の確保を可能にし、所定出力を安定
して供給可能な磁気式パルスコーダが得られる。
一１図は本発明の背景技術を説明するための磁気式パル
スコーダの概略の構成を示す図、第２図は第１図の磁気
式バルスコーダの磁気ドラム上のＭｍパターン盆示す図
、第３図は従来形の磁気式パルスコーダにおける磁気抵
抗効果素子のパターンを示す平面図、県４図は第３図に
おける磁気抵抗効果素子対の詳＃１ｆｆｉ示す図、第５
図は第３図におけるインクレメント相の検出素子の接続
含：示す回路図、＠６図は第５図の回路を示す別な観点
からの回路図、第７図は第３図のパターンにおけるイン
クレメント相の検出素子と着磁パターンの関係を示す図
、第８図は第３図のパターンにおける２相の検出素子と
その引出し線の回路図、第９図は第３図のパターンにお
けるアブソリユート相の検出用素子対の詳細を示す平面
図２県ｌＯ図は第９図における検出用素子対と着磁パタ
ーンの磁界との関係を示す図、ｍ１１図はｖＡ］（１図
における検出素子対の出力を示す波形図、第１２図は第
３図のパターンにおけるスルホール接続を説明する斜視
図、第１３図は第３図のパターンにおけるアブソリユー
ト相検出出力とインクレメント相検出出力の温度とオフ
セット電圧の関係を示す特性図、ｍ３４図は本発明の一
実施例としての磁気式パルスコーダにおける磁気抵抗効
果素子のパターンケ示す平面図、および第１５図は第１
４図のパターンにおけるアブンリ一一ト相検出用磁気抵
抗効果素子対の詳細を示す図である。 １Ｊ・・・・・・山気ドラ人、１２・・・・・・軸、１
３・・・・・・磁気抵抗効果素子、２１ ・・・・イン
クレメント相の着磁パターン、２２・・・・・・Ｚ相の
着磁パターン、２３・・・・・・アブソリユート相の着
磁パターン、３１゜３２．３３．３４．３１’、３２’
、３ぎ、３４／・・・・・・アプンリュート相検出用磁
気抵抗効果素子対、３５・・・、・・Ｚ相検出用磁気抵
抗効果率子、３６・・・・・・インクレメント相検出用
磁気抵抗効果菓子、４】・・−・・第１の菓子、４２・
・・・・・第２０累子。 特許出願人 フ了ナック株式会社 ％許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 山 口 昭 之 （１５’） ］３ 嶋２０ Ｕ ｑ〕 １Ｉ９ Ｌ′″）ＣＤ 嫁 喰２０− 、、！ｌシ山几 〈）５〈 〈５５〈 娘 へ咀・回 厨 第１３図 （ｍＶ） 電源電圧５．００ Ｖ ％１４図 ％１５図 １１′ −２］
スコーダの概略の構成を示す図、第２図は第１図の磁気
式バルスコーダの磁気ドラム上のＭｍパターン盆示す図
、第３図は従来形の磁気式パルスコーダにおける磁気抵
抗効果素子のパターンを示す平面図、県４図は第３図に
おける磁気抵抗効果素子対の詳＃１ｆｆｉ示す図、第５
図は第３図におけるインクレメント相の検出素子の接続
含：示す回路図、＠６図は第５図の回路を示す別な観点
からの回路図、第７図は第３図のパターンにおけるイン
クレメント相の検出素子と着磁パターンの関係を示す図
、第８図は第３図のパターンにおける２相の検出素子と
その引出し線の回路図、第９図は第３図のパターンにお
けるアブソリユート相の検出用素子対の詳細を示す平面
図２県ｌＯ図は第９図における検出用素子対と着磁パタ
ーンの磁界との関係を示す図、ｍ１１図はｖＡ］（１図
における検出素子対の出力を示す波形図、第１２図は第
３図のパターンにおけるスルホール接続を説明する斜視
図、第１３図は第３図のパターンにおけるアブソリユー
ト相検出出力とインクレメント相検出出力の温度とオフ
セット電圧の関係を示す特性図、ｍ３４図は本発明の一
実施例としての磁気式パルスコーダにおける磁気抵抗効
果素子のパターンケ示す平面図、および第１５図は第１
４図のパターンにおけるアブンリ一一ト相検出用磁気抵
抗効果素子対の詳細を示す図である。 １Ｊ・・・・・・山気ドラ人、１２・・・・・・軸、１
３・・・・・・磁気抵抗効果素子、２１ ・・・・イン
クレメント相の着磁パターン、２２・・・・・・Ｚ相の
着磁パターン、２３・・・・・・アブソリユート相の着
磁パターン、３１゜３２．３３．３４．３１’、３２’
、３ぎ、３４／・・・・・・アプンリュート相検出用磁
気抵抗効果素子対、３５・・・、・・Ｚ相検出用磁気抵
抗効果率子、３６・・・・・・インクレメント相検出用
磁気抵抗効果菓子、４】・・−・・第１の菓子、４２・
・・・・・第２０累子。 特許出願人 フ了ナック株式会社 ％許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 山 口 昭 之 （１５’） ］３ 嶋２０ Ｕ ｑ〕 １Ｉ９ Ｌ′″）ＣＤ 嫁 喰２０− 、、！ｌシ山几 〈）５〈 〈５５〈 娘 へ咀・回 厨 第１３図 （ｍＶ） 電源電圧５．００ Ｖ ％１４図 ％１５図 １１′ −２］
Claims (1)
- 磁気ドラム上に着磁されたインクレメント相、Ｚ相２よ
びアプンリーート相の各層流パターン全検出する磁気式
パルスコーダにおける磁気抵抗効果素子のパターンにお
いて、該アブンリーート相の着磁パターンを検出する第
１の素子および第２の素子をもって１対を構成する磁気
抵抗効果素子対の複数個の対の各々について、該第１の
素子の電源供給引出し線に対して該第２の素子の電源帰
線引出し線、該第１の素子の電源帰線引出し線に対して
該ｒＡ２の素子の電源供給引出し線−および該第１の素
子の中間点引出し線に対して該第２の素子の中間点引出
し線が、それぞれ該磁気抵抗効果素子対に対してほぼ対
称形に配暫され、前記引出し線が互いに反差することな
く個別に引出されていることを特徴とする磁気式パルス
コーダにおける磁気抵抗効果素子のパターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214652A JPS59105503A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 磁気パルスエンコーダ用の磁気抵抗効果素子が装着された回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214652A JPS59105503A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 磁気パルスエンコーダ用の磁気抵抗効果素子が装着された回路板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105503A true JPS59105503A (ja) | 1984-06-18 |
| JPH0353563B2 JPH0353563B2 (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=16659306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214652A Granted JPS59105503A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 磁気パルスエンコーダ用の磁気抵抗効果素子が装着された回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105503A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184518A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Hitachi Ltd | 位置検出用磁気センサ |
| JPS6283619A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Hitachi Ltd | 磁気的に位置を検出する装置 |
| JPS6438521U (ja) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP57214652A patent/JPS59105503A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184518A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Hitachi Ltd | 位置検出用磁気センサ |
| JPS6283619A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Hitachi Ltd | 磁気的に位置を検出する装置 |
| JPS6438521U (ja) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0353563B2 (ja) | 1991-08-15 |
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