JPS6281397A - リボフラノシド誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はフッ素原子を有する新規なりポフラノシド誘導
体、およびその製造法に関するものである。 フッ素原子を有する糖は、医薬や生化学用薬剤などの重
要な構成単位として、また糖自身がもつ生理活性の面か
ら近年注目されている。たとえば、含フッ索動を有する
ヌクレオシドは抗ウィルス剤や抗＠瘍剤として知られて
いる。 具体的には、２−デオキシ−２，２−ジフルオロ−リボ
フラノシド誘導体（特開昭５９−１７５４９８号公報参
照）や３−デオキシ−３−フルオロ−α−Ｄ−キシロフ
ラノシド誘導体（Ｊ、ＡＪｒｉｇｈｔ他。 Ｃａｒｂｏｈｙｄｒａｔｅ　Ｒｅ＋ｅａｒｃｈ、１８．
３４５−３４７（１９７１）、およびＹ、Ｆｏｕｒｏｎ
他、　Ｊ、Ｏｒｇ、ｃｈｅｍ−、１９，１５８４−１５
７０（１９７４）参照）などが知られている。 フッ素原子は水酸基に比較して炭素原子に対する結合力
が極めて大きく、不活性で、かつ疎水性であり、しかも
水酸基に近似した原子サイズを有する。従って、糖の水
酸基をフッ素原子に置換すると代１括抗作用などの面で
優れた効果を期待しうる。一方、糖としては、ヌクレオ
シドの構成単位であるリポースや２−デオキシリポース
が応用範囲が広い、しかし、上記公知の含フッ索動は、
リポースや２−デオキシリポースの水酸基の立体的位置
のみにフッ素原子が置換されていない、たとえば、２−
デオキシ−２，２−ジフルオロリボフラノシド誘導体で
あっては本来水酸基の存在しなかった位置にもフッ素原
子が存在し、３−デオキシ−３−フルオロ−β−Ｄ−キ
シロフラノシド誘導体（下記式［ｍｌ参照）にあっては
、リポースの水酸基の存在する位置にフッ素原子が存在
していない。 Ｈ 本発明者は、リポースの３位の水酸基の立体的位置にフ
ッ素原子を導入すべく研究検討した結果、新規な３−デ
オキシ−３−フルオロ−Ｄ−リボフラノシド誘導体を見
い出すに至った０本発明は以下のこの新規なフッ素原子
を有するリボフラノシド誘導体とその製造法である。 下記式［Ｉ］で表わされる３−デオキシ−３−フルオロ
−〇−リボフラノシド誘導体。 ただし、Ｒ：フッ素原子を除くハロゲン原子、−ｏｘ　
（ｘは水素原子、アル キル基、あるいは保護基）、 あるいは核酸塩基類の残基。 １１７１　、Ｑ２　、水素原子、あるいは保護基。 下記式

【■】で表わされるフラノシド誘導体をフッ素化
して３位にフッ素原子を導入すること、次いで必要によ
り脱保護、核酸塩基類の導入などを行なうことを特徴と
する上記式［Ｉ］で表わされる３−デオキシ−３−フル
オロ−トリポフラノシド誘導体の製造法。 ただし、Ｒ３：アルコキシ基、あるいはフッ素原子を除
くハロゲン原子。 Ｒ１、Ｒ２：保護基。 Ｙ：水素原子、あるいは脱Ｓ基。 上記式［Ｉ］　で表わされる化合物は、含フツ素ヌクレ
オシド類とその合成中間体として有用な含フツ素リボフ
ラノシド類の両者を含む、後者は、Ｒが核酸塩基類を除
く基である化合物である。この場合、Ｒは塩素原子、臭
素原子、あるいはヨウ素原子であるか、上記−Ｏｘがア
ルコキシ基であることが好ましく、特に臭素原子である
か低級アルコキシ基（炭素数４以下のものをいう）、特
にメトキシ基、が好ましい、Ｒの位置はβ位（前記式［
Ｉ］において図上方）が適当であるが、反応経路の途中
ではα位あるいはβ位とα位の混合物となってもよい、
含フツ素ヌクレオシド類においてはＲはβ位である。 Ｒ１，Ｒ２、およびＸが水酸基の保護基である場合。 それらは公知の水酸基の保護基が適当である。 たとえば、トリ（アルキル、アリール、あるいはアルア
ルキル）シリル基、アシル基、アルアルギル基などがあ
る。アリール基やアルアルキル基の芳香核はアルキル基
やアルコキシ基などの置換基を有していてもよい、また
、ケイ素原子に結合する３個の上記有機基は同一でも互
いに異なっていてもよい、具体的には、たとえば、トリ
メチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメ
チルシリル基、フェニルジメチルシリル基、アセチル基
、ベンゾイル基、ベンジル基、トリチル基、トリス（Ｐ
−メトキシフェニル）メチル基などの保護基がある。さ
らに、ある場合には、アルキル基を保護基として使用し
うる、このアルキル基としては低級アルキル基、特にメ
チル基が適当である。 Ｒが核酸塩基類である場合、それらはプリン残基、ピリ
ミジン残基、およびハロゲン原子、ハロアルキル基、ア
ルキル基、その他の置換基を有するプリン残基あるいは
ピリミジン残基からなる。たとえば、アデニン、グアニ
ン、シトシン、チミン、ウラシル、５−フルオロウラシ
ル、５−フルオロシトシン、２−フルオロアデニン、５
−トリフルオロメチルウラシル、５−ヨードウラシルな
どの化合物から環の窒素原子に結合した水素原子を除い
た残基である。好ましくは、置換基を有しない上記５種
の核酸塩基あるいは５−フルオロウラシルの残基である
。 前記式［Ｉ］　で表わされる含フッ素側は、前記式［Ｉ
］で表わされるフラノシド誘導体よりフッ素化工程を経
て製造されることが好ましい、　Ｒｆｆは低級アルコキ
シ基、特にメトキシ基が好ましい、　Ｉｆｆはハロゲン
原子であってもよいが、フッ素化時ではアルコキシ基で
あることが好ましい、また、その位ａはβ位であること
が好ましい、　Ｒ４とＲ５はいずれも前記と同様の水酸
基の保′ａ基であり１両者は同一であっても異っていて
もよい、その内　Ｒ５はアルキル基やアルアルキル基が
好ましく、特にベンジル基などのアルアルキル基が好ま
しい　Ｒ４はアルキル基以外の保；１基、たとえばトリ
アルキルシリル基やアルアルキル基が好ましく、特にｔ
−ブチルジメチルシリル基が好ましい、Ｙは水素原子で
あってもよいが、３位に結合した水酸基のフッ素化は必
ずしも容易ではなく、好ましくは脱離基を導入した後フ
ッ素化が行なわれている。この脱離基は３位の水酸基を
活性化した後フッ素化を容易にする基であり、たとえば
、メタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル
基、ｐ−トルエンスルホニル基、イミダゾリルスルホニ
ル基、アセチル基、トリメチルシリル基などがある。特
にトリフルオロメタンスルホニル基が活性化作用が高く
、好ましい脱離基として使用される。 フッ素化剤としては、公知のフッ素化剤を使用しうるが
、特にフッ素化テトラアルキル（あるいはアルアルキル
）アンモニウムが適当である。アルキル基としては低級
アルキル基。 アルアルキル基としてはベンジル基が適当であり、４個
のアルキル基やアルアルキル基は異っていてもよく、ア
ルキル基とアルアルキル基の両者からなっていてもよい
、好ましくは、フッ素化テトラブチルアンモニウムが使
用される、これらツー／素化剤は通常テトラビトロフラ
ンなどの不活性溶媒に溶解して使用される。フッ素か反
応は通常不活性溶媒中数十度以下の温度で行なわれ、特
に約り℃〜室温下で行なわれることが好ましい。 前記式［ＩＩ］で表わされるフラノシド誘導体は立体特
異的に合成される必要がある。また、３位の水酸基を除
く他の水酸基はフッ素化反応を受けないように選択的に
保護されていなくてはならない、これらの理由により、
式［ｎｌで表わされるフラノシド誘導体は下記の経路で
合成されることが好ましい、なお　Ｒ３はアルコキシ基
であるとする。 Ｒ６はアルキリデン基を表わし、炭素数７以下のアルキ
リデン基が好ましく、特にインプロピリデン基が好まし
い０式（１）の化合物は３位と５位の水酸基がこのアル
キリデン基で保護されたβ−Ｄ−キシロフラノシド誘導
体であり、この化合物の２位の水酸基を前記Ｒ５、特に
ベンジル基。 で保護して式（２）で表されるキシロフラノシド誘導体
とする０次にＲ６を外して、３位と５位の水酸基を脱保
護する、この脱保護は酸触媒存在下で容易に行いうる。 酸触媒としては硫酸や塩酸などの無機酸や酢酸などの有
機酸を使用しうるが、酢酸を用いるのが簡便である。こ
のとき、Ｒ５は脱離してはならず、従って前記のような
保護基が採用される。得られた式（３）で表わされる化
合物の５位の水酸基を選択的に保護ノ＾Ｒ４，特にｔ−
ブチルジメチルシリル基で保護することにより１式（４
）で表わされる化合物が得られる。 次に、３位の水酸基に脱離基Ｙ′を導入して、目的とす
る式（５）で表わされる化合物を得る。 これら式（４）および（５）で表わされる化合物は前記
式Ｉｎ］　で表わされる化合物のＩＭである。このよう
な反応経路を採用する理由は、２位と３位の水酸基の反
応性が近似しているため、２位の水酸基のみに保護基を
導入する必要があることと、３位の水酸基の立体位置を
保持させる必要があることによる。 前記式［Ｉ］で表わされるフラノシド誘導体をフッ素化
することにより、フッ素原子がＯＹ基の立体的に反対の
側に結合し、　ＯＹが脱離する。 通常、このフッ素化と同時に、５位の水酸基の保護基が
外れ、下記式（８）のフッ素化物が得られる０次に、２
位の水酸基を脱保護し、下記式（７）のジオールとする
。２位の水酸基の保護基Ｒ５の脱離は水素添加などによ
って行なわれる。 たとえば、Ｒ５がベンジル基の場合、パラジウム黒など
を触媒として水素添加により脱離され。 る、下記式（７）の化合物に核酸塩基類の残基を導入す
る場合は、２位と５位の水酸基を再び保護することが通
常必要である。この保護基としては、アセチル基やベン
ゾイル基などのアシル基を採用しうる。なお下記式（６
）および（７）は前記式［Ｉ］で表わされる本発明の化
合物の１種である。 核酸塩基類の残基の導入は種々の方法で行いうる。たと
えば、文献（Ｗｒ　ｉｇｈｔ　、Ｃａｒｂａｈｙｄｒａ
ｔｅＲｅｓｅａｒｃｈ、１８，３４５（１９７１）記載
の方法などを採用しうる。この方法は、１位の水酸基や
その誘導基を臭素原子に置換し、この水１ＪｊＸ子を核
酸塩基類の残基に置換する方法である。具体的には、１
記式（７）で表わされる化合物の２個の水酸基を保護し
、これを臭素化水酸−酢酸溶液でそのＲ３を臭素原子に
変換し、次いでこのプロミドと８−ベンズアミノプリン
などの反応性プリン誘導体とをシアン化第２水銀存在下
ニトロメタン中で反応させて臭素原子をプリン残基に置
換する。同様にピロジン残基の導入を行うことができる
。最後に保護基を外すことにより、フッ素原子含有ヌク
レオシドが得られる。 以下、本発明は実施例等により具体的の説明するが、本
発明はこれら実施例に限られるものではない、なお、合
成例は、前記式１■】で表わされる化合物の合成例であ
り、実施例１は式［Ｒ１で表わされる化合物のフッ素化
とその生成物（前記式（８）で表わされる化合物）の例
であり、実施例２以下は実施例１の生成物よりフッ素原
子含有ヌクレオシドを合成する例である。 合成例 ■　メチル　２−０−ベンジル−３，５−０−インプロ
ピリデン−β−０−＋シロフラノシド［式（２）におい
て、Ｒ３がメトキシ基、Ｒ５がベンジル基、Ｒ６がイン
プロピリデン基である化合物］の合成。 メチル　３．５−０−インプロピリデン−β−トキシロ
フラノシド１２．８ｇ（Ｂ１．６ｍ　ｇｏ＋）と、酸化
銀（１５，０ｇ）のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド懸濁
液にベンジルプロミド（２１１ｇ）を加え、室温で３６
時間攪拌した０反応液を濾過し、水を加え、クロロホル
ム抽出した。有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで
乾燥し、濃縮した。カラムクロマトグラフで精製した。 ベンジルエーテル１２．８ｇ（収率６８％）を得た。 Ｉ　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１３）　：δ１．３８（ｓ、８
Ｈ）、３．４１（ｓ、３Ｈ）。 ：１８−４．５（ｍ、５Ｈ）、　　４．５９（ｓ、２Ｈ
）、　　４．９８（ｓ、ＩＨ）。 ７．３２（ｓ、５Ｈ）。 ■　メチル　２−０−ベンジル−β−Ｄ−キシロフラノ
シド［式（３）において、Ｒ３がメトキシ基、Ｒ５がベ
ンジル基である化合物］の合成。 メチル　２−０−ベンジル−３，５−０−インプロピリ
デン−β−Ｄ−キシロフラノシド３０．１ｇ（０，１Ｈ
ｍｏ１）を酢酸（８０ｍ＜２）−水（２４ｍ＜２）に溶
かし、５０℃の温浴上で１時間反応させた。湯呑を５０
℃に保ったままで低沸点物を流出した。 カラムマドグラフで精製しジオール２ｏ、９ｇ（収″：
ｕ８０％）を得た。 Ｒｔ　０．４０（ベンゼン−酢酸エチル＝　　ｌ：ｌ）
　。 ■　メチル　２−ローベンジル−５−０−ｔ−ブチルジ
メチル−β−Ｄ−キシロフラノシド［式（４）において
、Ｒ３がメトキシ基、Ｒ４がｔ−ブチルジメチルシリル
基、Ｒ５がベンジル基である化合物］の合成。 ジオール２０Ｊｇ（８２履層ｏ１）を、Ｎ、１１−ジメ
チルホルムアミド（８０ｓＱ）に溶解し、イミダゾール
（１８，８ｇ）を加えた。この溶液に、塩化ｔ−ブチル
ジメチルシラン１２−４ｇのＮ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド（８０鳳Ｑ）を０℃で３０分かけて滴下した。３時
間攪拌の後常法に従い後処理した。 カラムクロマトグラフ精製して、シリルエーテル３０．
２ｇ（収率１００％）を得た。 Ｉ　Ｈ−）ＩＭＲ（ＣＤＣｈ　）　：δ０．１０Ｃｓ、
８Ｈ）、　０．９１（ｓ、９１１）。 ３．３７（ｓ、３Ｈ）、　　３．９−４．１（ｍ、３Ｈ
）、　　４．２２−４−４（，３Ｈ）、　４．８１（ｓ
、２Ｈ）、　４．９３（ｓ、ＩＨ）、　７．３２（ｓ、
５Ｈ）。 実施例１ メチル　２−０−ベンジル−３−デオキシ−３−フルオ
ロ−β−Ｄ−リボフラノシド［式（６）において　９３
がメトキシ基　９５がベンジル基である化合物］の合成
。 前記合成例で合成したメチル　２−０−ベンジル−５−
Ｄ−ｔ−ブチルジメチルシリル−β−Ｄ−キシロフラノ
シド１３．Ｏｇ（３５，０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン
（８０■Ｑ）溶液に２．６−ルチジン１１．４ｇを加え
０℃に冷却した。ここへ無水トリフルオロメタンスル酸
（２０，０ｇ）を１５分かけて滴下し、さらに３０分反
応させた。氷を加え後処理し、ショートカラムクロマト
グラフで粗生成物を１１１１．８ｇｌを取り出した。 このものをテトラヒドロフラン（６０鳳Ｑ）に溶解し、
フッ素化テトラブチルアンモニウムのテトラヒドロフラ
ン溶液（ｆ−１，０）９２■Ｑを０℃で２０分かけて滴
下した。０℃で２４時間室温で３時間攪拌の後、テトラ
ヒドロフランを留去し、飽和硫酸アン七ニウム水溶液で
処理した。カラムクロマトグラフ生成をし、ｒｉ記のフ
ッ素化体を５．４ｇ得た。 １９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１３）　：（ＣＧ１３Ｆ基準）
−２０７，１（ｄｄｄ、ｊ＝５３．７．２２．０．１３
．４Ｈｚ）。 ＩＨ−ＮＭＲ（ＣＤＣｈ　）：　　δ３．４７（ｓ、３
Ｈ）、４．０−４．２（ｍ。 ２Ｈ）、　４−５５（ｓ、２Ｈ）、　４．８−５．２（
ｍ、５Ｈ）。 ７．３３（ｓ、５Ｈ）。 ＩＲ（Ｃ）ＩＣ１３）　３３００ｃｍ−１゜実施例２ ８−（３−デオキシ−３−フルオロ−β−Ｄ−リボフラ
ノシル）アデニン［式［Ｉ］において、Ｒがβ位の結合
したアデニン残基であり、Ｒ１とＲ２が水素原子である
化合物］の合成。 実施例１で合成したベンジルエーテル５．６（２１，１
層温ｏ１）をエタノール７０膳Ｑに溶解し、５％−パラ
ジウム黒５．５ｇ存在下、室温、常圧で水素添加した。 　１０時間後セライト　５４５を通し濾過をして濃縮し
た。 粗生成物をピリジン３５膳Ｑに溶解し、ベンゾイルクロ
リド８．１ｇを加え室温で３８時間反応した。 ピリジン留去後、カラムクロマトグラフ精製し、メチル
　２．５−ジ−ローベンゾイル−３−フルオロ−β−Ｄ
−リボフラノシドを２．２ｇ得た。このジベンゾイル体
は式（７）の化合物（Ｒ３はメトキシ基）の２位と５位
の水酸基をベンゾイル基で保護した化合物である。 ”Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１３）：（ＣＧｈＦ基準）−２１
１，８（ｄｄｄ。 ｊ＝５３．２．１８．１．４．９Ｈｚ）。 このジベンゾイル体２．２ｇ（５，９層温ｏ１）を酢酸
（１５■Ｑ）−無水酢酸（０，４腸Ｑ）に溶かす、ここ
に３０％−臭化水素−酢酸溶液を加えて室温で３時間攪
拌する。酢酸、無水、酢酸などを完全に留去後、ニトロ
メタン（１０ｓ＋Ｑ）に溶解し、アデニンモノベンゾエ
ート１．３ｇのニトロメタン溶液（８０鳳Ｑ）に加え、
さらにシアン化第２水銀２ｇを加え、１時間加熱還流し
た。ニトロメタンを留去後３０％ヨウ化カリウム水溶液
、木で洗浄し濃縮した。ショートカラムで粗分離し、次
の反応に用いた。 トリベンゾイル体１．２９ｇをメタノール（３８ｍ（２
）に溶解し、ここに　ＩＭ−ナトリウムメトキシド−メ
タノール溶液を加え、１時間加熱還流した。 メタノールを留去抜水（４０ｓ１２）を加え、　２ト酢
酸水溶液で中和した。水層をクロロホルムで抽出し、有
機物を除去した後、濃縮した。９９．５％−エタノール
から再結晶し、最終生成物である標記のフルオロアデノ
シン０．８０ｇ　ヲ得た。 １９Ｆ−ＮＭＲ（Ｄ）ＩＳＯ−ｄｂ）　：（ＣＣ１３Ｆ
基準）−１９７，８（ｄｔ。 ＝５４．ｔ、　２７．１Ｈｚ）。 ＩＨ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄｂ）：　　δ３．８−３．
７（履、２Ｈ）、　　４．２９（ｄｔ、　　Ｊ＝２７．
８．　３．７Ｈｚ、　　ＩＨ）、　　　４．８−５．０
（ｓ。 ＩＨ）、　５．０９（ｄｄ、Ｊ＝５４．４．４．２Ｈｚ
、ＩＨ）、　５．８９（ｄｄ、Ｊ＝７．３．４．９Ｈｚ
、ＩＨ）、　５．８９（ｄ、Ｊ＝ＩＥ１．３Ｈｚ。 １１）、　５．９３（ｄ、Ｊ＝８．１Ｈｚ、　ＩＨ）、
　　７．３９（ｓ、２Ｈ）。 ８．１３（ｓ、ＬＨ）、　　８．３１３（ｓ、ＩＨ）。 １３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＮＳＯ−ｄｂ）　　δ８１．１（ｄ
、Ｊ−１２，２Ｈｚ。 Ｇ−５’　）、？２−０（ｄ、Ｊ−１５，９Ｈｚ、Ｃ−
２’　）、８３．９（ｄ、Ｊ−２２，０Ｈｚ、Ｃ−４°
）、　　８８．９（Ｃ−１’）。 ９３．１（ｄ、Ｊ＝１８１．８Ｈｚ、Ｃ−３°）、１１
９．４（Ｃ−５）。 １４０．１（Ｃ−８）、１４９．１（Ｃ−４）、１５２
−４（Ｃ−２）。 １５８．２（Ｃ−８）。 ＩＲ（ＫＢｒ　７３剤）　３３００．１８５０　ｃｍ−
ｌ。 融点　２０５．８　”０゜ 実施例３ ｌ−（３−デオキシ−３−フルオロ−β−Ｄ−リボフラ
ノシル）ウラシル［式［Ｉ］において、Ｒがβ位に結合
したウラシル残基であり、Ｒ１とＲ２が水素原子である
化合物］の合成。 実施例２と同様にジベンゾイル体を合成しこの０．４０
ｇ　（１，１＋＋＋ｎｏｌ）を酢酸（１，８謹Ｑ）−無
水酢酸（０，０８ｓ（２）に溶かす、ここに３０％−臭
化水素−酢酸溶液（５，８ｍ（２）を加え室温で３時間
攪拌する。 酢酸、無水酢酸など完全に留去後、ニトロメタン（５謹
Ｑ）に溶解し、ウラシル（０，ｌ１ｇ）、シアン化第２
水銀（０，２７ｇ）を加え、５時間加８還流した。 ショートカラム精製しウラシル化体０．１ｇヲｆ！）た
。 １９Ｆ−ＮＭＲ（Ｃ［１Ｃ１３）　：（ＣＧ１３Ｆ基準
）−２１０，３７（ｄｄｄ。 ｊ＝５４．２０．２５．３９．１８．００Ｈｚ）。 上で得られた生成物をメタノール（３腸Ｑ）に溶解し、
　１トナトリウムメトキシド−メタノール溶液（０，４
９■Ｑ）を加え、１時間加熱還流した。実施例２と同様
に後処理し最終生成物である標記の化合物（非常に吸湿
性）を得た（０．０軸）。 １”Ｆ−ＮＭＲ（アセトン−ｄｂ）　：　（ＣＣｈＦ基
準）−２２０，２（ｄｄｄ、Ｊ＝５４．６８．２７．３
４．２？、１７Ｈｚ）。 Ｉ　Ｈ−ＮＮＲ（アセトン−ｄｂ）：　　８３．８−３
．８（層、２Ｈ１Ｈ−５°）、　４．２５（ｄｔ、　Ｊ
＝２．８．２７．３Ｈｚ、　ＩＨ。 ト鴫’　）、　４．２−４．８（ｍ、３Ｈ）、　５．０
２（ｄｄ、Ｊ＝４．０゜５４．７Ｈｚ、ＩＨ，Ｈ−３’
　）、　５．８４（ｄ、Ｊ−８，１Ｈｚ、ＩＨ）。 ８．０２（ｄ、Ｊ＝７．９Ｈｚ、ＩＨ）、　７．８５（
ｓ、ＩＨ）、　　？、９４ｓ、ＩＨ）。 ＩＲ（ＫＢｒ　　Ｑ作ｊ）　　３４００．　１７００．
　１８５０　　ｃｍ−１゜融点　２０５．８℃。 実施例４ ｌ−（３−デオキシ−３−フルオロ−β−Ｄ−リボフラ
ノシル）−５−フルオロウラシル［式［Ｉ］　において
、Ｒがβ位に結合した５−フルオロウラシル残基であり
、Ｒ１とＲ２が水素原子である化合物］の合成。 実施例２と同様にジベンゾイル体を合成しこの０．８Ｈ
ｇ（１，８ｇｍｏｌ）を酢酸（２，８膳Ｑ）−無水酢酸
（０，１２８■Ｑ）に溶かす、ここに３０％−臭化水素
−酢酸溶液（８，１３ｍ（２）を加え室温で３時間攪拌
する。酢酸、無水酢酸など完全に留去後、トルエン（２
０ｇ＋１２）に溶解し、５−フルオロウラシル水銀（０
，８２ｇ）のトルエン懸濁液に加えて１時間、加熱還流
した。ショートカラム精製しウラシル化体０．１ｇを得
た。 １９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｈ）　：ＣＣＣ１ｘＦ基準）−
１８１，３（ｓ）。 −２１０，４（ｄｄｄ、　ｊ＝５９．５７．４３．９４
．１８．０７Ｈｚ）。 上で得られた生成物をメタノール（４ｍＱ）に溶解し、
ＩＭ−ナトリウムメトキシド−メタノール溶液（０，３
４ｍ１２）を加え、１時間加熱還流した。実施例２と同
様に後処理し最終生成物である標記の化合物（非常に吸
湿性）を得た（０．０２ｇ）　。 １９Ｆ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６）：（ＣＣＩｘＦ基準
）−１７３，０５（ｓ）、−２０９，７７（ｄｄｄ、Ｊ
＝５４．４０．２１．４８゜１２．０８Ｈｚ）。 ＩＨ−ＮＭＲ（アセトｙ−ｄ６）　：　　δ　３．５Ｂ
（ｄ、Ｊ＝５．４Ｈｚ。 ２Ｈ）、　　３．５−５．１（扉、５Ｈ）、　　　４．
９（ｄｔ、　　Ｊ−５４，７゜４．７Ｈｚ、　ＩＨ）、
　　７．８２（ｓ、ＩＨ）、　７．７０（ｓ、ＩＨ）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記式［ I ］で表わされる３−デオキシ−３−フ
   ルオロ−Ｄ−リボフラノシド誘導体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・［ I ］ ただし、Ｒ：フッ素原子を除くハロゲン原子、−ＯＸ（
   Ｘは水素原子、アルキル基、あるいは保護基）、あるい
   は核酸塩基類の残基。 Ｒ＾１、Ｒ＾２：水素原子、あるいは保護基。 ２、下記式［II］で表わされるフラノシド誘導体をフッ
   素化して３位にフッ素原子を導入すること、次いで必要
   により脱保護、核酸塩基類の導入などを行うことを特徴
   とする下記式［ I ］で表わされる３−デオキシ−３−
   フルオロ−Ｄ−リボフラノシド誘導体の製造法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・［ I ］ ただし、Ｒ：フッ素原子を除くハロゲン原子、−ＯＸ（
   Ｘは水素原子、アルキル基、あるいは保護基）、あるい
   は核酸塩基類の残基。 Ｒ＾１、Ｒ＾２：水素原子、あるいは保護基。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・［II］ ただし、Ｒ＾３：アルコキシ基、あるいはフッ素原子を
   除くハロゲン原子。 Ｒ＾４、Ｒ＾５：保護基。 Ｙ：水素原子、あるいは脱離基。