JPS6278549A - 放射感受性フイルム用現像液およびこれを用いる現像法 - Google Patents

放射感受性フイルム用現像液およびこれを用いる現像法

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JPS6278549A
JPS6278549A JP61169671A JP16967186A JPS6278549A JP S6278549 A JPS6278549 A JP S6278549A JP 61169671 A JP61169671 A JP 61169671A JP 16967186 A JP16967186 A JP 16967186A JP S6278549 A JPS6278549 A JP S6278549A
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ジェームズ・マーヴィン・ルイス
ロバート・オースティン・オーウェンズ
スーザン・アントワネット・ファーガスン
ロランド・リー・チン
ヴァレンティン・セオドア・ザバ
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PETORAAC SYST Inc
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    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ポジのレジストフィルム、特にアルカリ凸丁
溶性柄月旨/ジアン゛ケトン系ホトレジストの現像につ
いて高いコントラストおよび高い感度を得るための手段
として、カルボキシル化界面活性剤および無機塩を水酸
化カリウム溶液に添加することに関する。5以とのコン
トラスト値(カンマ)が光学感度25 mJ/6n2に
おいて、非露光レジストからのフィルム損失が無視でき
る状態で得られる。
本発明は出願中のジエイ・エムーレピスらの“硬調ホト
レジスト用現像液+、米国特許出願第360.600号
明細書(1984年10月15日出願)に開示される発
明をと回る改良である。
ホトレジストはフィルムが照射線源、たとえば紫外線ま
たは1子もしくはイオンのビームに露光されたのち現像
液に対するそれらの溶解性応答を変化させるポリマーフ
ィルムである。露光の結果、ホトレジストフィルムの露
光部と非露光部(マスクされた部分)との間に異なる溶
解速度が生じ、これによりフィルムの現像後に表面レリ
ーフパターンが得られる。
露光領域がより可溶性になるホトレジストはポジ作用性
であると呼ばれる。しかし、ホトレジストの溶解性の変
化は相対的な変化に1ぎす、ホトレジストのより溶解性
の低い非^元部分ですらある程度は溶解するので、露光
された相対的に可溶性のホトレジスト部分と露光されな
かった相対的に不溶性のホトレジスト部分との現像速度
差(すなわちコントラスト)を高める方法はいずれも有
利である。
ポジのホトレジストは一般に水性アルカリ可溶性樹脂、
たとえはノボラック樹脂もしくはポリ(p−ヒドロキシ
スチレン)、およびジアゾナフトキノンスルホン酸エス
テル系の光増感剤からなる。樹脂および光増感剤は回転
塗布などの方法により、有機の溶剤または溶剤混合物か
ら基板、たとえばシリコンクエーハおよびクロムめっき
ガラス板上に施すことb′−できる。ポジのホトレジス
トの処理に用いられる現像液はアルカリ水溶液、たとえ
ばケイ酸ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化テトラメチルアンモニウム。
および水酸化アンモニウムである。レジストの感度を高
めるために、神々の塩つ;現1ふ液に添加されている。
これらの塩にはリン酸ナトリウム、ホウ酸ナトリクム、
炭酸ナトリウム、およびケイ酸ナトリウムが含まねる。
対応する酸の添加によって塩b;現イま液中に虫取する
ので、ナトリウム陽イオンシエ特に必要ではない。しか
しコントラストまたは解像能の改良は得られていない。
既存のポジのホトレジスト系は大部分が、処理条件に応
じて3〜5の最大コントラスト値(ガンマ)をもつ。こ
のオーダーのガンマに伴う問題は、報告された性能にお
いて明らかである。一般にこのオーダーのガンマは弱い
現像液および長い現像時間を採用して得られ、こねに伴
い処理鯖り;減少する。
5よりも大きなガンマは特定の界面活性剤を現像液に添
加することによって達成される。第四アンモニウム系界
面活性剤は水酸化テトラメチルアンモニウム系現像液の
コントラストを高め、フルオロカーボン系の非イオン界
面活性剤は水酸化アルカリ系(tなわちNaOHおよび
KOH)m像nのコントラストを高める。これらの界面
活性剤は高いコントラストを与えるが、反復浸漬境像処
非については現像液寿命が限られている。一般に界面活
性剤の効果は第1材料が現像されたのち大幅に減少し、
その結果必要な4元fが変化する。これらの現像液は、
現像液b″一連続的に補給される噴霧現像法には好適で
あり、またはパドル法の場合のように1回使用して廃棄
されろう高いコントラスト、高い感度、および安定な浴
寿命を与えるポジのホトレジスト用の水性塩基系現像液
が儀まれる。得らねるガンマは5以上、感度は40 m
J/創2以上、浴寿命は現像液1ガロン(約4t)当た
りウェーハ400以七でなければならない。
高いコントラストによって、ホトレジスト1MII象形
成に際して線幅調整およびプロセスラチチュードが得ら
れる。高い感度によって、露光器具における高いウェー
ハ処理′fa:が可能となる。長い浴寿命によって、現
像浴の交換前に多数の基板を処理することができ、これ
によって時1d)および経済性の点で現像液の使用経費
が低下する。
醒幅調整は、被覆された基板丘のステップまたは位相を
被僚したレジストに細い線を定めなければならない場合
に重装である。パターンを施されたレジストの幾何学的
形状の線幅は、線がステップを横切る際に寸法b(変化
する。レジストのコントラストが高いほどステップを横
切る際の寸法の変化に対する影響が少ない。高いコント
ラストによって得へt′Iるプロセスラチチュードは、
隣接領域の非膵元レジストに影響を与えることなく霧光
レジストを過剰無光しうろことによる。その結果。
1μm以下のきわめて微細な幾何学的形状のパターンを
施すことb’−でき、レジストの処理は条件(たとえば
露光)の変化に対する感受性が低くなる。
高い感度はパターン付与過程の処理量にとって重要であ
る。必要な露光時間b1短いほど、より多量の基板を一
定の露光器具により一定の時間内に処理でることができ
る。この特色は特に処理量6”−レジスト系の感度に決
定的に依存する直配式操作(たとえばt子ビームまたは
イオンビームリス法)について重要である。ホトリソグ
ラフィーについては、高い/18度により露光器具の光
学素子を最良の質の画像を得るべく設定することが可能
となる。
より小さな開口によってより細い線のパターンを施すこ
とができ、これにより露光器具の処理量を犠牲にするこ
となく露光水準を低下させろことができる。これはレン
ズ系を通して基板上に画像を投写するプロジエクヅヨン
アライラーにおいて重要である。
硬調現保液は第1バッチが処理されたのち変化する可能
性がある。この変化は感度の変化およびパターンの線幅
ておける対応する変化として認められる。これらの変化
は線幅の調整にとって有害である。
従って、優れたコントラストを与え、後続バッチの基板
が現像されるのに伴って有意に変化せず、直径10D*
aのノリコンウェーハ400個相当分以とのオーダーの
ものを現像液4を中で現像できる程度の有効性を与える
改良された現像液が−要望ている。
本発明は光子、電子およびイオンを用いるリス露光に適
用できる。拝細には、感度tJ″−改良されたため、半
導体デバイスおよびホトマスクの製造のためのリス処理
に際して、より高い処理fiが得られる。本発明の現像
iは、画像が−デフォーカスされる投与露光7ステムに
おいて1ミクロン以下の比較的高い解像能を与える。す
なわちより高いコントラストにおいてより微細な幾何学
的寸法のパターンをレジスト性能施すことができる。さ
らに本発明は、浸漬現像液として用いる場合、現像浴の
寿命期間にわたって安定なレジスト性能を与えるO 本発明によれば、カルボキシル化界面活性剤を含有する
水性アルカリ金属塩基に無機化合物1種または2種以上
(通常はイオンを供給する無機塩、たとえば炭酸カリウ
ム)を添加することによって。
高いコントラスト、感度および浴寿命t)−得られる。
好ましいアルカリ金属塩基は水酸化カリウムまたは水酸
化ナトリウムである。本発明の意図する界面活性剤は次
式に含まれるものである。
R−0−<C2H40)n−CH2−COOX式中、R
は炭素原子6〜18個を有する直鎖または分枝炭化水素
残基、特にアルキル基であり、nは1〜24の値を有し
、Xはに+、Na+まりki H”などの陽イオンであ
る。@記の米国特許第360,600号明細書に詳述さ
れるように、カルボキシル化界面活性剤を含有させるこ
とにより、ホトレジスト用現像液にきわめて実用的なコ
ントラストの改良b′−得られる。本発明の知見により
イオン供給性無機化合物(最も一般的には無機塩)をカ
ルボキシル化界面活性剤と共に現は液に含有させること
によつ℃得られろ感度の増大は、無機塩を除いた場合に
カルボキシル化界面活性剤を含む現像液によって得られ
る感度と比べて一般に2倍以上であり、対応するフィル
ム慣失はない。本発明によれば、水性媒質中で解離して
陰イオンおよび陽イオンを供給すイ)無機塩いずれを用
いても感度を高めろことができる。本発明に使用できる
一般的な塩類には、陰イオン502−1CO32−0、
Cl−P043−1Br−9NO3−、ボレートまたは
シーケートを陽イオノK 。
Na+、Ca+、Mg+、Li+またはH+と組合わせ
て含むものtJ−ある。一般的な塩には炭酸カリウム、
塩化カリウム、炭酸ナトリウム、塩化カル7ウム。
硫酸ナトリウム、リン酸カリウム、臭化カリウム、硝酸
マグネシウム、ホウ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、塩
化リチウム、炭酸水素ナトリウ!・、炭酸などが含まれ
る。さらにこれらの陰イオンおよび陽イオンを溶液中に
放出しつる試薬は、現像液の実質的なpH変化を生じな
い限り使用できろ。
たとえばこれはCO2を水性現像液に吹込み、これによ
りC03′−陰イオンを発生させることによって行うこ
とができる。現像液にカルボキシル化界面活性剤のほか
に無機塩を含有させた結果得られる浴寿命の長さは、米
国特許出願第360,601’)号明細書に記載さねた
カルボキモル化界面活性剤改質組成物により得ら才lる
改良された浴寿命を妨げることはない。
本発明の現像液と共に用いられるホトレジストは組成物
の熱光部分が現像に際してより可溶性になる増感剤−側
脂組成物である。
この種のポジのホトレジストに用いられる適切な増感剤
は、分子の隣接位にジアゾ基とケト基をもつジアゾケト
ン、たとえば以下に記載されるキノンジアジドスルホン
酸訪酌体である。米国特許第2,958.599 ; 
3,046,110 ; 3,046,114 ;0.
046,116 ; 3,046,118 ; 3,0
46.119;0.046.121 ; 3,046,
122 ; s、046,125 ;0.106,46
5 ; 0.158.983 ;ろ、655,709 
; 3,711,285 ; 4.174.222号各
明細書。これらをここに参考として引用する。
光増感剤は樹脂の溶解性を低下させる作用をもつ。照射
に際して光増感剤は化学反応を受けてカルボン酸を生成
し、これが妬元領域のホトレジストの溶解速度を高める
適切なアルカリ可溶性樹脂なポジのホトレジストに使用
できる。本発明の意図するものには、たとえば予備重合
させたフェノール−アルデヒド檎月旨、たトエはフェノ
ールホルムアルデヒドれ、これらはノボラックとして知
られ、市販されている、この型の樹脂はたとえは米国特
許第ろ,201,239 ; 5.86B.254 ;
 4.1 20.21 9および4.1 7’0.4 
7 0明細明細書に示され℃いる。これらの記載をここ
に参考として引用する。これらのフェノール−アルデヒ
ド拉(脂コンパウンドは有機溶剤および水性アルカリ浴
液に可溶性でたけれはならない。
多数の7工ノール系化合物およびアルデヒドもしくはア
ルデヒド生成化合物から崗知の合成法によりノボラック
樹脂が得られるであろう。使用できるフェノール糸化合
物にはフェノール、キンレノール、クレゾール、レゾル
ンノール,ナフトール、ハイドロキノン、アルキルフェ
ノールオヨヒ水素化フェノールが含まれるが、これらに
限定さねない。使用できるアルデヒドおよびアルデヒド
生成化合物にはホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、
パラホルムアルデヒド、ホルマリン、アクロレイン、ク
ロトンアルデヒドおよびフルフラールb′−含まれるが
、これらに限定されない。
本発明によれば現像液に特定の無機塩を、米国特許第3
60,6[’)0号明細書に記載されたカルボキシル化
界面活注剤と共に含有させることにより現像液の感度ウ
−著しく改良されることを本発明者らは見出した。本発
明によれば水性アルカリ金属塩基(好ましくは水酸化カ
リウム)かI−1なるカルボキシル化界面活性剤改質現
像液に無機塩を添加することにより、その後のコントラ
ストまたは担像浴寿命の損失なしに実質的な感度改良が
得ろnる。
この性能の改良は塩等,界面活性剤および塩の儂匹のバ
ランスにより達成されろうそれぞれが予想できる様式で
コントラストおよび/筐たけ感度に影響を与えるからで
ある。たとえば塩基および/または塩のg1度を高める
と、フィルム損失が許容できないh度になる時点によっ
て定められる実用限界にまで感度が高まるであろう。界
面活性剤は高いコントラストを与えるが、これに伴って
現像速度b′−低下する。この感度低下は、塩の存在に
よって増大した感度をある程度打消す。しかしカルボキ
シル化界面活性剤および塩が現像液の性能に与える影響
は七jぞれきわめて著しい。これは本発明を説明する具
体列の比較によって最も容易に認めl−1rLる、たと
えば851)I)mのカルボキシル化界面活性剤が0.
2N−KOHm液中に存在すると、コントラスト値(ガ
ンマ)が例1および5に示さrるよ5vCそねそt′1
.2かb7VC改良さねる。界面活性剤の添加によって
20 mJ/cm2へわずかではあるが容易vcFj3
められる感度低下が生じる。しかし非す光レジストフィ
ルムの損失は界面活性剤を含有する現像液については5
%から損失なしの状態にまで低下する。
無機塩、たとえは炭酸カリウムの飽加によって、例1お
よび27に示されるように感度が201nJ/c7n2
から12rnJ/cm2に増大τる。しかしフィルム損
失はより太き((7%対5%)、コントラストは改良さ
れず、共に2のガンマを与える。界面活性剤を含有する
現像液にこの塩を添加すると。
例5および26VC示すように感度は25 mJ /c
m2から7 mJ/6n2に増大するが、非露光フィル
ムの損失が増加することはなく、共に損失がなく、かつ
コントラストは高い状態に維持され、共に7のガンマを
もつ。こ4らおよび他の例につぃ℃は、界面活性剤と無
機塩の組合せによって、コントラストおよび非露光レジ
ストを犠牲にすることな(感度の増大が得られた。
使用できる数種の塩類のうち炭酸塩が有利に使用される
ことが認められた。炭酸カリウムb;好ましいが他の炭
酸塩、たとえは炭酸す) IJクム、炭酸リチクムなど
も使用できる。さらに固体状または気体状の二酸化炭素
を直接に現像液に添加して。
溶液中で直接にカーボネートを生成してもよい。
あルイtallイオンK+、Na+、Ca+、M g 
+ +、Li”またはH+および陰イオンSo4”+、
Gt−1P0.31Br+、NO3−、ボレートもしく
はンリヶートを含む塩も使用できる。
本発明の現像液系において、界面活性剤は前記の米国特
許第360,600号明細書に示されたもの、すなわち
次式により表わされるものである。
R−0−(C2H,−0)nCH2COOX式中、Rは
6〜18個の炭素原子を有する直鎖または分枝炭化水素
残基であり、nは1〜24の整数であり、XはH+、N
a+、K+ または多数の他の陽イオンのうちのいずれ
かであり;Rは好ましくはC1□〜CI5  の直鎖で
あり、nは好ましくは5であり;Xは好ましくはアルカ
リ塩基のものと同一の隅イオン(好ましくはカリウムお
よび米国特許出願第360,600号明細書に示された
他の例)である。
現像液(たとえば水酸化カリウム系現像液)を本発明に
よるカルボキシル化界面活性剤もしくは塩を含有させず
に、または本発明による界面活性剤以外の界面活性剤た
とえばエーロゾル(Aerosal )O8(0,00
5%)を含有させて用いた場合、コントラストは2.2
および2.6であり、感度は25m J /ctn  
以上であった。イオン供給性無機化合物をも現像液に含
有させた本発明の現像液を用いた場合、5以上のコント
ラスト値が得られ、その際感度は25 rnJ/備2以
下2以下に5mJ/cy2以下であり、1ガロン(約4
1)の現像液中で100鰭のウェーハ400個以とがホ
トレジスト性能の損失なしに現像される浴寿命であった
比較に際して用いたホトレジストハシアゾナフトキノン
スルホン酸エステル系の光増感剤を含むノボラック樹脂
であった。ホトレジスト被膜は回転塗布法により調製さ
れた。基板は半導体デバイスの製造に用いられるものの
代表例であるシリコンウェーハであった。これらのウェ
ーハを200℃で脱水ベーク処理し、次いで被覆する直
前にヘキサメチルジンラザン蒸気で10分間、室温にお
いて下塗り処理した。ウェーハを厚さ1μmのフィルム
が得られる速度で回転させた。被覆されたウェーハな9
O℃で50分間、強制空気対流炉内で焼付けした。焼付
けののちウェーハな紫外線または電子ビームに露光した
ホトリソグラフィーは同一ウェーハ上に種々の露光水準
を与えるために種々の光学濃度の窓を備えたオプト−ラ
イン(0pto−Line )ステップタブレット解像
マスクを通して被覆ウェーハを露光することからなるも
のであった。入射紫外線露光量は、ステップタブレット
マスクを通して露光量ゼロからレジストが基板まで現像
されるのに十分な露光tまでの範囲の露光後を与えるも
のであった。評価のために既知の露光水準の領域または
ウェーハを得るために、当莱者は他の方法を採用するこ
とOlできる。
電子ビーム露光は改造されていないパーキン−エルマー
自動走査型電子顕微鏡を手動調整により用いて行わ4た
。加速電圧20 KeV をビーム電a6nAで用いた
。電子ビームのラスターパターンは倍率ろooox、作
業距離12す1においてほぼ各通約20.αmの長さを
もつ正方形状であった。
しかしラスター領域の露光量は不均一であった。
電子ビーム露光パターンを完全にクリアーするのに必要
な最小露光時間を比較することにより感度の相対的変化
を評価した。
電子ビーム露光レジストについて本発明の採用により得
た感度の増大は例28と29の比較によって示さ4る。
比較例の現像液と比べて本発明については塩基の濃度が
低く、界面活性剤の濃度6”−高い点て注目されたい。
これらの変化は共に系の総本体的感度を低下させる傾向
をもつと思われた。
それにもかかわらず、本発明によればファクター5の感
度増大が得られた。
露光後にレジストを既知の現像液に適した方法。
たとえば浸液法、噴霧法およびパドル法のいずれによっ
ても本発明の現像用組成物と接触させることができる。
本発明の新規な現像用組成物は少なくとも9のpH5好
ましくは約10.5以上、より好ましくは12以上のp
Hにおいて作動する。現像ののち、工作物を水でリンス
し、さらに常法により処理することができる。残留する
ホトレジストの厚さを適切な方法、たとえば干渉計法、
プロフィル測定法および楕円偏光測定法のいずれによっ
ても測定できる。
現像液の約o、oooi〜約1.0重量%の量のカルボ
キシル化界面活性剤を用いることが有利である。
より有効なカルボキシル化界面活性剤の水準は0.00
5〜0.5%である。好ましい範囲は0.01〜0.1
%である。従って水酸化カリウムの一度を変化させて感
度水準を維持しなければならない。界面活性剤が多いほ
ど現像液は濃厚でなければならない。すなわち界面活性
剤の一度が高くなると、感度が−低下。この効果は本発
明を説明する各側において明瞭に証明される。たとえば
に2G034%を含有する0、175 N−KOH溶液
については、界面活性剤濃度が120ppmから48 
[1ppmに上昇すると感度がはぼファクター2低下す
る(例18および19)。カルボキシル化界面活性剤と
組会わせて現像液の約0.001〜約20%の量の無機
塩を使用することが有利である。より有効な水準の無機
塩は0.1〜15%である。好ましい範囲は1−10%
である。従って一定のカルボキシル化界面活性剤および
カルボキシル化界面活性剤彦度について目的とする、ま
たは最大の感度を得るために、水酸化カリウムおよび無
機塩の濃度を変化させなければならない。塩が−多量る
ほど感度は現像液b;非露光フィルムを攻撃し始める時
点まで高くなる。例19と20の比較によりこの効果が
きわめて顕著に示される。カルボキシル(1面活性剤4
80 ppmを含有する0、175 N−KOH溶液に
ついて、K2CO3濃度が4%から8%に上昇するのに
伴い、感度は17mJ/m2から5mJ/cM2に増大
する。しかし結果的にゼロから1%へのフィルム損失の
増加も生じる。
アルカリ金属塩基にはKOHのほかVCNaOHlLi
OH,ケイ酸す) IJウムなと、または水性現像液に
溶解したとき等しいイオン塩基度の水酸化カリウムを供
給しうる化合物も含まれる。たとえばケイ酸ナトリウム
を用いる場合、Na2O: 5in2の比率は好ましく
は1:1〜5=1である。アルカリ金属水酸化物の量は
、たとえばKOHを用いる場合的0.1〜約10%、好
ましくは0.5〜5%の範囲にある。炭酸カリウムのほ
かに使用できる塩ニハ、陰イオンCo3”−、Cl−、
 So、−2,、Cl−。
Br−、NO3−、ボレートまたはシリケートと陽イオ
ンK+、Na+、Ca2+、Mg+、Ll+、またはH
+を含むものが含まれる。溶液中でこれらのイオン種を
生成しうる試薬は、塩基の濃度が中和される塩基の量を
適正に補償する限り適している。塩の量は、たとえば炭
酸カリウムを用いる場合、0.1〜約20%、好ましく
は1〜10%の範囲にある。
ppmまたは%の値で表わした濃度は、生成現像液の重
量に対するものである。
以下の例は本発明をさらに説明するために提示される。
各別における詳細な列挙は特許請求の範囲に表示された
もの以外は限定と解すべきでない。
表示された部は特に指示しない限り現像液の重量に対す
る重量部である。
例1(比較例) ノボラック樹脂および表1の式15VC示される光増感
剤の浴液からフィルムを回転塗布することによりホトレ
ジスト被膜を調製した。基板は7Uコンウエーハであり
、これは少なくとも1分間ホットプレー1−Jzで50
0℃の脱水ベーク処理され。
次いで被覆直前てヘキサメチルジシラザン蒸気で10分
間、室温において処理されていた。次いで、ウェーハを
回転させて、1μmの厚さの感光性樹脂組成物のフィル
ムを得た。被覆したウェーハを90℃で50分間、強制
空気対流炉内でベーキングした。ベーキングののち、同
一ウェーハとに種々の露光水準を得ろために1種々の光
学濃度の窓を備えたオプト−ラインステップタブレット
解像マスクを通してウェーハを紫外線に露光した。入射
露光量は透光量ゼロからレジストが基根まで現像される
のに十分なにに光量までの範囲のものであった。0.2
0ON水性水酸化カリウム現像−液を調製した。被覆さ
れた基板をこの現像液中で22°Cにおいて60秒間浸
漬現像した。工作物を脱イオン水中テリンスし、乾燥さ
せた。コントラストおよび感度のデータを表1に示す。
例2(比較例) エーロゾルO8(イソプロピルナフタリンスルホン酸ナ
トリウム、アメリカンΦサイアナミツドから得られる非
フツ素化界面活性剤)0.005%を疹加して0.25
ON水性水酸化カリウム現浄液を調製した。基板は例1
の記載に従って調製された。処理された基板をこの現像
液中で22°Cにおいて60秒間浸漬現像した。工作物
を脱イオン水でリンスし、乾燥させた。コントラストお
よび感度のデータを表Uに示す。
例5(比較例) 0.20ON水性水酸化す) IJヮム現像液を調製し
た。基板は例1の記載に従って調製された。処理さねた
基板をこの現像液中で22℃において60秒間凝U現像
した。工作物を脱イオン水中でリンスし、乾燥させた。
コントラストおよび感度のデータを表1に示す。
例4(比較例) メタケイ酸ナトリウム0.180Mおよびリン酸ナトリ
ウム0.10Mの水性現像液を調製した。基板は例1の
記載に従って調製された。処理された基板をこの現像液
中で22℃において6o秒間陸偵現像した。工作物を脱
イオン水中でリンスし、乾燥させた。コントラストおよ
び感度のデータを表1に示す。
例5(比較例) 界面活性剤混合物R−0(C2H40)50H2−CO
OX(式中RはC1□H25〜CI5 H31の直鎖炭
化水素残基であり、XはH+である) 851)I)m
を用いて0.20ON水性水酸化カリウム状像液を調製
した。
基板は例1の記載に従って調製された。処理された基板
をこの現像液中で22°Cにおいて6o抄間MM現像し
た。工作物を脱イオン水中でリンスし。
乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表1に
示す。
例6.(比較例) 例5で用いた界面活性剤83ppmを添加して0.20
ON水性水酸化ナトリウム現像液を調製した。基板は例
1の記載に従って調製された。処理された基板をこの現
像液中で22℃において60秒間浸漬現像した。工作物
を脱イオン水中でリンスし、乾燥させた。コントラスト
およびA% 度のデータを表0に示す。
例7(比較例) 例5で用いた界面活性剤83ppmを添加してメタケイ
酸ナトリウム0.180Mおよびリン酸ナトリウム0.
100Mの水性現像液をM4製した。基板は例1の記@
VC従って調製された。処理された基板ヲこの現像液中
で22℃において60秒間浸漬現像した。工作物を脱イ
オン水中でリンスし、乾燥させた。コントラストおよび
感度のデータを表■に示す。
例8(比較例) 界tn活tllJme物R−o(C2H,0)5CH2
−COOH(式中RはCl2H25〜C15H31の分
枝炭化水素残基である)80p1)mを用いて0.20
ON水性水酸化カリウム現1象液を調製した。基板は例
1の記載に従って調製された。処理された基板をこの現
像液中で22°Cにおいて60秒間浸漬現像した。工作
物を脱イオン水中でリンスし、乾燥させた。得ら4.た
コントラストおよび感度のデータを表1に示す・ 例9(比較例) 例8で用いた界面活性剤s o ppruを用いて0.
20tlN水性水酸化ナトリウム現像液を調製した。基
板は例1の記載と同様にして調製された。処理された基
板をこの現像液中で22℃において60秒間浸漬現像し
た。工作物を脱イオン水中でリンスし、乾燥させた。コ
ントラストおよび感度のデータを表■に示す。
例10(比較例) 式G2H5−0−(C2H40)、CH2−COOHの
界面活性剤s o ppmを用いて0.20ON水性水
酸化カリウム現像液を調製した。基板は例1の記載に従
って調製された。処理された基板をこの現像液中で22
℃で60秒間浸漬現像した。工作−を脱イオン水中でリ
ンスし、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータ
を表口に示す、 例11(比較例) 式C,H80−(c2H,O)、−CR2−GOOHノ
界面活性剤s o ppmを用いて0.20ON水性水
酸化カリウム現1.*液を調製した。基板は例1の記載
に従って調製された。処理された基板をこの現像液中で
22℃において60秒間浸漬現像した。工作物を脱イオ
ン水中でリンスし、乾燥させた。コントラストおよび感
度のデータを表UVc示す。
例12(比較例) 式C23H270−(C2H40) 、8−CH2−C
0OHの界面活性剤s o ppmを用いて0.2[1
ON水性水酸化す) l]ウム現像液を調製した。基板
は例1の記載と同杼にして調iされた。処理された基板
をこの現像液中で22℃において60秒間浸漬現f象し
た。工作物を脱イオン水中でリンスし、乾燥させた。コ
ントラストおよび感度のデータを表1に示す。
例15(比較例) 式(i −CH> −0−(C2H40) 5CH2−
C0OHの痒面活性1arll 80 ppmを用いて
0.20ON水性水酸化カリウム現像液を調製した。基
板は例1の記載に従って調ネ“!さjた。処理された基
板なこの現像液中で22℃において60秒間&[現像し
た。
工作物を脱イオン水中でリンスし、乾燥させた、コント
ラストおよび感度のデータを表2に示す。
例14(比較例) 水酸化ナトリウム0.126Nおよびホウ酸ナトリウム
0.271Nの水性現像液をυ−4製した。基板は例1
の記載に従って調製された。処理された基板をこの現像
液中で22℃【おいて60秒間授i〃現像した、工作物
を脱イオン水中でリンスし、乾燥させた。コントラスト
および感度のデータを表1に示す。
例15(比較例) 世15で用いた界面活性剤85 ppmを添加して水酸
化ナトリウム0.126Nおよびホウ酸ナトリウム0.
271Nの水性現像液を調製した。基板は列1の記載に
従って調製さねた。処理された基板をこの現像液中で2
2℃において60秒間U泄現像した。工作物を脱イオン
水中で1)ンスし、乾燥させた。コントラストおよび感
度のデータを表11に示す。
例16 例5で用いた界面活性剤s [11)I)IIIおよび
iMA化カリウム1%を添加して0.20ON水性水酸
化カリウム現像液を調製した。基板に例1の記載に従っ
て調製された。処理された基板をこの現1人液中で22
℃において60秒間ダFZ現像した。工作物を脱イオン
水でリンスし、乾燥させた。コントラストおよび感度の
データを表[1に示す。
例17 例15で用いた界面活性剤1n2pptnおよび炭酸カ
リウム2%を添加して0.175N水性水酸化カリウム
#l像液を調製した。基板は例1の記載に従って調製さ
れた。処理された基板をこの現像液中で22℃において
60秒間浸漬現像した。工作物を脱イオン水中でリンス
し、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表
■に示す。
例1日 例15で用いた界面活性剤120p1)mおよび炭酸カ
リウム4%を添加して0.175N水性水酸化カリクム
現像液を調製した。基板は例1の記載に従って調製さね
た。処理された基板をこの現像液中で22℃において6
0秒間浸偵現イオした。工作物を脱イオン水中でリンス
し、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表
■に示す。
例19 例15で用いた界面活性剤480 ppmおよび炭酸カ
リウム4%を添加して0.175N水性水酸化カリウム
現像液を調製した。基板は例1の記載に従って調製さす
また。処理された基板をこの現像液中で22℃において
60秒間浸漬現像した。工作物を脱イオン水中でリンス
し、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表
11VC示す。
例20 例15で用いた界面活性剤480 pI)mおよび炭酸
カリウム8%を添加して0.175N水性水酸化カリウ
ム現像液を陶製した。基板は例1の記載に従って調製さ
れた。処理さねた基板をこの現像液中で22℃において
60秒間浸漬現像した。工作物を脱イオン水中でリンス
し、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータをN
ilに示す。
例21 例15で用いた界面活性剤601)I)mおよび炭酸カ
リウム2%を添加して0.15ON水性水酸化カリウム
現像液を調製した。基板は例1の記載に従って調製され
た。処理された基板ビこの現像液中で22℃において6
0秒間浸漬現像した。工作物を脱イオン水中でリンスし
、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表U
に示す。
例22 例15で用いた界面活性剤601)pmおよび炭酸カリ
ウム0.5%を添加して0.15ON水性水酸化カリウ
ム現像液を調製した。基板は例1の記載に従って調製さ
れた。処理された基板をこの現像液中で22℃において
60秒間浸漬現像した。工作物を脱イオン水中でリンス
し、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表
1に示す。
例25 例15で用いた界面活性剤240 ppmおよび炭酸カ
リウム4%を添加して0.175N水性水酸化カリウム
現像液を調製した。基板は例1の記載に従って調製され
た。処理された基板をこの現像液中で22℃において6
0秒間浸漬現像した。工作物を脱イオン水でリンスし、
乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表UK
示す。
例24 例15で用いた界面活性剤480 ppmおよび炭酸カ
リウム4%を添加して0.20ON水性水酸化カリウム
現像液を調製した。基板は例1の記載に従って調製され
た。処理された基板をこの現像液中で22℃において6
0秒間浸漬現像した。工作物を脱イオン水中でリンスし
、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表I
に示す。
例25 例15で用いた界面活性剤240ppmおよび炭酸カリ
ウム2%を添加して0.20ON水性水酸化カリウム現
像液を調製した。基板は例1の記載に従って調製された
。処理された基板をこの現像液中で22℃において60
秒間浸漬現f象した。工作物を脱イオン水中でリンスし
、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表■
に示す。
例26 例15で用いた界面活性剤120ppmおよび炭酸カリ
ウム2%を添加して0.20ON水性水酸化カリウム現
像液を調製した。基板を例1の記載に従って調製した。
処理された基板をこの現像液中で22℃において60秒
間浸漬現像した。工作物を脱イオン水中でリンスし、乾
燥させた。コントラストおよび感度のデータを表aに示
す。
例27(比較例) 炭酸カリウム0.5%を添加して0.20ON水酸化カ
リウム現像液を調製した。基板を例1の記載に従って調
製した。処理された基板をこの現像液中で22℃におい
て60秒間浸漬現像した。工作物を脱イオン水でリンス
し、乾燥させた。コントラストおよび感度のデータを表
「に示す。
例28(比較例) 例1の記載に従ってレジスト被膜を調製した。
試料を6nAの電子ビームに60秒間露光した。
この電子ビームにより生じたパターンの現像を、例15
で用いた界面活性剤s o ppmを含む0.20ON
炭酸カリウム溶液を用いて行った。走査型電子顕微鏡で
見たところパターンが得られていた。絶対的な感度およ
びコントラストは測定しなかった。
露光時間で表わした感度を表■に示す。
例29 例1の記載に従ってレジスト被膜を調製した。
試料を6nAの電子ビームに50秒以下露光した。
この電子ビームにより生じたパターンの現像を、例5で
用いた界面活性剤120ppmおよび炭酸カリウム6%
を含む0.15ON水酸化カリウム溶液を現(’I’Q
として用いて行った。生じたパターンは例60で得たも
のと同様であった。露光時間で表わした感度を表1に示
す。
表 1KOH(0,2ON)  なし 一タリ 5  Na0H(0,2ON)  なし4  Na S
iO(0,18M)/なしNa5PO,(0,1M) コOOH 5H1 o ppm 6   Na0H(0,2ON)   例5と同じ7 
  Na25iO3(0,18M)/  例5と同じN
a5PO,(0,10M ) C00 コ15H。
s o ppm 9   Na0H(0,2ON)   例8参照ン 14      1.5        822   
   1.5         5[(5580 表 0(続) 11    KOH(0,2ON)    0H−0−
(C2H,O)、−COOHs o ppm 12   KOH(0,2ON)    C13H27
−0−(C2H,O)、−COOH80ppm L5   KOH(0,2ON)    (i−C,8
H37)−0−(C2H,)5−COoppm 14NaOH(0,126N)/  なしNa5BO3
(0,271N) 15   Na0H(0,126N)/  例5参照N
a5BO3(0,271N) 16   KOH(0,20ON)   例5参照80
ppm ;  KCl 1% 17   KOH(0,175N)   例5参照11
02p1)  K2CO32% 18  KOH(0,175N)   例5参照120
 ppm  K2CO34% 19   KOH(0,t75N)   例5珍魚;4
80 ppm  Kz Co 34 %感度    コ
ントラスト  フィルム損失100      >10
      050      >10      0
0H52100 表 II(続) 例  塩基       界面活性剤/塩20   K
OH(0,175N)   例5参照;480ppm 
K2CO38% 21   KOH(0,15ON)   例5珍魚;6
0ppmK2CO32% 22   KOH(0,15ON)   例5参照;6
0ppm   K2CO30,5% 25   KOH(0,175N)   例5参照;2
40ppm  K2CO34% 25   KOH(0,20ON)   例5参照;2
40ppm、に2Go32% 26   KOH(0,20ON)   例5珍魚:1
20ppmK2CO32% *  例21に比べて比較的少量の塩による改良が示さ
れる。
感 度   コントラスト  フィルム損失(mJ 7
cm2)   (ガンマ)    (%)60*   
  6      0 表 1 (続) K2CO20,5% 28   KOH(0,20ON)   例51照s 
o ppm *  露光時間で表わす。
露光時間は感度に関連す−ある。
感度    コントラスト  フィルム損失(mJ/m
2)   Cガンマ)     (%)* 90秒    透明      0 * 50秒    透明      0 第12頁の続き 0発  明 者  スーザン・アントワネ  アメリカ
合ット・ファーガスン   力、ポック 0発 明 者  ロランド・リー・チン  アメリカ合
ル、セツジ の1発  明 者  ヴアレンテイン拳セオ  アメリ
カ合ドア・ザパ゛       −ンフイー衆国ニュー
ヨーク州14220.ウェスト・セネーズ・ロード 5
54 衆国ニューヨーク州14221.ウィリアムズヴイムー
ア・コート 39 衆国ニューヨーク州14075.ハムバーグ、グリルド
・ストリート 20

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(a)水性アルカリ金属塩基; (b)水; (c)総重量に対し少なくとも0.0001%の次式 R−O−(CH_2H_4O)_n−CH_2−COO
    X(式中Rは6〜18個の炭素原子を有する直鎖または
    分枝炭化水素残基よりなる群から選ばれ、nは1〜24
    の整数であり、XはK^+、Na^+およびH^+から
    選ばれる陽イオンである)のカルボキシル化界面活性剤
    ;および (d)現像液の重量に対し約0.01〜約20重量%の
    イオン供給性無機化合物 からなる放射感受性フィルム用現像液。
  2. (2)(a)水性アルカリ金属塩基; (b)水; (c)総重量に対し少なくとも0.0001%の次式 R−O−(CH_2H_4O)_n−CH_2−COO
    X(式中Rは6〜18個の炭素原子を有する直鎖または
    分枝炭化水素残基よりなる群から選ばれ、nは1〜24
    の整数であり、XはK^+、Na^+およびH^+から
    選ばれる陽イオンである)のカルボキシル化界面活性剤
    ;ならびに (d)現像液の重量に対し約0.01〜約20重量%の
    SO_4^2^−、CO_3^2^−、Cl^−、PO
    _4^3^−、Br^−、NO_3^−、ボレートおよ
    びシリケートよりなる群から選ばれる陰イオンと陽イオ
    ンK^+、Na^+、Ca^+^+、Mg^+^+、L
    i^+、およびH^+の無機塩 からなる放射感受性フィルム用現像液。
  3. (3)(a)が水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウム
    よりなる群から選ばれる、特許請求の範囲第1項に記載
    の現像液。
  4. (4)(d)が炭酸塩からなる、特許請求の範囲第1項
    、第2項または第3項に記載の現像液。
  5. (5)約10.5以上のpHを与えるのに十分なアルカ
    リ金属水酸化物を含有し、約0.0005〜約0.5%
    の次式 R−O−(CH_2H_4O)_n−CH_2−COO
    X(式中Rは6〜18個の炭素原子を有する直鎖または
    分枝炭化水素残基よりなる群から選ばれ、nは1〜24
    の整数であり、XはK^+、Na^+およびH^+から
    選ばれる陽イオンである)の界面活性剤、ならびに現像
    液の重量に対し約0.1〜約15%のSO_4^2−、
    CO_3^2^−、Cl^−、PO_4^3^−、Br
    ^−、NO_3^−、ボレートおよびシリケートよりな
    る群から選ばれる陰イオンと陽イオンK^+、Na^+
    、Ca^+^+、Mg^+^+、Li^+、およびH^
    +の無機塩を含有する水溶液からなる、基板上に施され
    、半導体デバイスまたは光学ホトマスクを形成する、露
    光された感光性フィルムを現像するための現像用組成物
  6. (6)アルカリ金属水酸化物が水酸化カリウムであり、
    無機塩が炭酸カリウムである、特許請求の範囲第5項に
    記載の組成物。
  7. (7)(a)水性アルカリ金属塩基; (b)水; (c)次式 R−O−(CH_2H_4O)_n−CH_2−COO
    X(式中Rは6〜18個の炭素原子を有する直鎖または
    分枝炭化水素残基よりなる群から選ばれ;nは1〜24
    の整数であり、XはK^+、Na^+およびH^+から
    選ばれる陽イオンである)のカルボキシル化界面活性剤
    ;ならびに (d)現像液の重量に対し約0.01〜約20重量%の
    、カーボネート陰イオンならびに陽イオンK^+、Na
    ^+、Ca^+^+、Mg^+^+、Li^+およびH
    ^+を供給する無機塩 からなる放射感受性フィルム用現像液。
  8. (8)(a)が水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウム
    よりなる群から選ばれ、(c)が約0.005〜約0.
    5%の量存在し、そして(d)が約0.10〜15重量
    %の量存在する(現像液の重量に対し)、特許請求の範
    囲第7項に記載の現像液。
  9. (9)露光されたフィルムを (a)現像液の重量に対し少なくとも0.0001%の
    次式 R−O−(CH_2H_4O)_n−CH_2−COO
    X(式中Rは6〜18個の炭素原子を有する直鎖または
    分枝炭化水素残基であり、nは1〜24の整数であり、
    XはH^+、Na^+、K^+よりなる群から選ばれる
    )のものから選ばれるカルボキシル化界面活性剤;およ
    び (b)現像液の重量に対し約0.01〜約20%のイオ
    ン供給性無機化合物 を含有する水性アルカリ系現像液を接触させることより
    なる、基板上に塗布され、放射線に露光された、表面レ
    リーフパターンを形成するためのキノンジアジドスルホ
    ン酸誘導体およびアルカリ可溶性樹脂からなるポジの放
    射感受性レジストフィルムの現像法。
  10. (10)露光されたフィルムを (a)現像液の重量に対し少なくとも0.0001%の
    次式 R−O−(CH_2H_4O)_n−CH_2−COO
    X(式中Rは6〜18個の炭素原子を有する直鎖または
    分枝炭化水素残基であり、nは1〜24の整数であり、
    XはH^+、Na^+、K^+よりなる群から選ばれる
    )のものから選ばれるカルボキシル化界面活性剤;なら
    びに (b)現像液の重量に対し約0.01〜約20%の、S
    O_4^2^−、CO_3^2^−、Cl^−、PO_
    4^3^−、Br^−、NO_3^−、ボレートおよび
    シリケートよりなる群から選ばれる陰イオンと陽イオン
    K^+、Na^+、Ca^+^+、Mg^+^+、Li
    ^+、およびH^+の無機塩 を含有する水性アルカリ系現像液と、フィルムの露光部
    分が少なくとも一部は溶解するまで接触させる ことよりなる、基板上に塗布され、放射線に露光された
    、表面レリーフパターンを形成するための、キノンジア
    ジドスルホン酸誘導体およびアルカリ可溶性樹脂からな
    るポジの放射感受性レジストフィルムの現像法。
  11. (11)カルボキル化界面活性剤が現像液の総重量に対
    し0.001〜0.5%の範囲で存在し、無機塩が現像
    液の約0.1〜15重量%の量存在する、特許請求の範
    囲第1項に記載の方法。
  12. (12)無機塩が炭酸カリウムである、特許請求の範囲
    第9項に記載の方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4027299A1 (de) * 1990-08-29 1992-03-05 Hoechst Ag Entwicklerzusammensetzung fuer bestrahlte, strahlungsempfindliche, positiv und negativ arbeitende sowie umkehrbare reprographische schichten und verfahren zur entwicklung solcher schichten
GB9404301D0 (en) * 1994-03-04 1994-04-20 Atotech Uk Limited Stripper compositions and their use
KR101432446B1 (ko) * 2013-06-13 2014-08-20 삼성전기주식회사 포토레지스트 현상용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 현상방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5051324A (ja) * 1973-09-04 1975-05-08
JPS5660441A (en) * 1979-10-22 1981-05-25 Asahi Chem Ind Co Ltd Photosensitive resin composition improved in water development property and manufacture of photosensitive resin plate using this composition
JPH0562984A (ja) * 1991-09-04 1993-03-12 Fujitsu Ltd 半導体結晶の熱処理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL170716B (nl) * 1951-06-30 Agfa Gevaert Nv Werkwijze voor de vervaardiging van polymeerfoelie door extrusie.
BE528604A (ja) * 1953-05-06
US3819538A (en) * 1972-05-15 1974-06-25 Dow Chemical Co Environmentally compatible laundry detergent
JPS5614970B2 (ja) * 1974-02-01 1981-04-07
NL8301168A (nl) * 1983-03-31 1984-10-16 Chem Y Reinigingsmiddel op basis van actief chloor en alkali.
DE3325022A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
EP0148787A3 (en) * 1984-01-10 1987-05-06 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Positive type photosensitive resin composition
US4670372A (en) * 1984-10-15 1987-06-02 Petrarch Systems, Inc. Process of developing radiation imaged photoresist with alkaline developer solution including a carboxylated surfactant

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5051324A (ja) * 1973-09-04 1975-05-08
JPS5660441A (en) * 1979-10-22 1981-05-25 Asahi Chem Ind Co Ltd Photosensitive resin composition improved in water development property and manufacture of photosensitive resin plate using this composition
JPH0562984A (ja) * 1991-09-04 1993-03-12 Fujitsu Ltd 半導体結晶の熱処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE3688481D1 (de) 1993-07-01
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