JPS6274692A - 光学記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学記録体に関する０ 〔従来の技術〕 レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望まれ
ている。

光学記録の一例としては、光ディスクをあげる事ができ
る。

一般に光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録
層に、１μｍ８度に集束したレーザー光を照射し、高密
度の情報記録を行なうものである。

記録は、照射されたレーザーエネルギーの吸収により、
その個所に生じた、記録層９１分解、蒸発、溶解等の熱
的変形によシ生成し、そして記録された情報の再生は、
レーザー光によシ、変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取る事によシ行なわれる。

したがって、記鈴体としては、レーザー光のエネルギー
を効率良く吸収する必要があるため、記録に使用する特
定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、情報の再
生を正確に行なうため、再生に使用する特定波長のレー
ザー光に対する反射率が高い事が必要である。

この様な光学記録体としては、これまで、各種の金属、
金属化合物やカルコゲナイド勢の無機化合物が提案され
ているが、これらの薄膜は、空気酸化を受けやすく、長
期間の保存が困難であったり、紫外部や可視部の光に対
して感応性であわ、日光、その他の光に弱い尋の欠点が
あった。

有機化合物を用いた記録体としては、シアニン系色素、
スクワリリウム系色素、フタロシアニン系色素等が提案
されているが、溶媒に対する溶解度が低くて真空蒸着法
を用いなければ均一な薄膜が得られないことが多く、経
済的に有利な塗布方式による薄膜形成が難しいという欠
点を有していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、レーザー光、特に半導体レーザー光による書
き込み感度が高く、かつ保存安定性の良好な有機物の光
学記録体を提供する事を目的とする。

〔問題点を解決するだめの手段〕 基板と、下記一般式ＣＩ）で示される光学吸収物質を含
有する記録ノーとからなることを特徴とする光学記録体
をその要旨とする。

一般式（１） （式中、環Ａは複素環を表わし、Ｒ１−Ｒ８は、水素原
子、ジアルキルアミノ基で置換されていてもよいアルキ
ル基、アルコキシ基、アシル基またはアリール基を表わ
す。） 前記一般式［１）における複素環Ａとしては、例えばピ
リジン環、チアピラン環、アゼピン環等が挙げられ、置
換基Ｒ１〜Ｒ６におけるジアルキルアミン基で置換され
ていてもよいアルキル基としては、ジアルキルアミノ基
で置換されていてもよいＣ，−Ｃ，。アルキル基、好ま
しくはジーＣ８〜Ｃ，アルキルアミノ基で置換されてい
てもよいＣ１〜Ｃ，アルキル基が挙げられ、アルコキシ
基としてはＣＩ＝　Ｃ１Ｇアルコキシ基、好ましくはＣ
，〜Ｃｓアルコキク基が拳げられ、アシル基としては、
ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基等が挙げられ
、アリール基としては、フェニル基等が挙げられる。

また、一般式（Ｉ）で示される光学吸収物質としては、
以下の化合物が挙げられる。

ハコｌ　ｊ　ｌクーテトラメチルシクロヘプタ（ｄ、ｅ
　）　−／　−ピリンジン。

／−ｎ−プロピル−２，Ａ−、？　−）リメチルシクロ
ヘブタ（ｄ、ｅ　）　−／−ピリンジン。

／−ｎ−プチルーコ、５．７−ドリメチルシクロヘブタ
（ｄ、ｅ　”ｌ　−／−ピリンジン。

／−ｎ−へブタ−２，！ｒ、７−）リメチルシクロヘブ
タ（ｄ、ｅ　）　−／−ピリンジン。

／　−ｎ−オクタ−Ｊ、ｊ、？−）リメチルシクロヘブ
タ（ｄ、ｅ　）　−／−ピリンジン。

／、！；、７−　）　リメチルーコーフェニルシクロへ
ブタ（ｄ、ｅ　）　−／−ピリンジン。

／−プチルーコーフェニルー５．クージメチルシクロヘ
プタ（ａ、ｅ　）　−／−ピリンジン。

へハフートリメチルーλ−エチルシクロヘプタ（ｄ、ｅ
　）−７−ピリンジン。

／、！、７−　）　ジメチル−２−ｎ−プロピルシクロ
ヘプタ（ａ、θ〕−／−ピリンジン。

／、ｌ、ｇ−トリメチル−６−イツプロビルシクロヘブ
タ［ｄ、θ〕−／−ピリンジン。

／　−ｎ　−７’チル−２，ｇ−ジメチル−６−イツプ
ロビルシクロヘブタ（ｄ、ｅ）−／−ピリンジン。

７１ｇ−ジメチル＝コ＝フェニルー６−インブロビルシ
クロへブタ（ｄ、ｅ）−／−ピリンジン。

ｌ、ざ−ジメチルーコーＤ−プロピル−６−イツプロビ
ルシクロヘブタ（ｄ、ｅ　）　−／−ピリンジン。

／、２．？−）リメテルー５−メトキシシクロへブタ（
ｄ、ｑ　）　−／−ピリンジン。

／、、２．７−　ト１ｊ　メチル−５−フェニルシクロ
へブタ（ｄ、θ）−／−ピリンジン ／、ｇ−ジメチルーコー（ｍ−ニトロフェニル）−６−
イツプロビルシクロヘブタ（ｄ、ｅ）　−／−ビリンジ
ン以上のシクロヘプタ［ｄ、ｅ　］　−］／−ピリンジ
ンは、Ｊ、　Ａｍ、　Ｃｈａｍ、　Ｓｏｃ、、　’ＫＡ
　３／３７　（／９４４り記載の方法等によシ合成する
ことが出来る。なニーフェニル−５，７〜ジメチルアズ
レノ（／、ｒ−ｂｃ）チアピラン。

ニー（ｐ−ｎ−ブチルフェニル）−！ｒ、７−シメチル
アズレノ（／、ｒ−ｂｃ）チアピラン。

−一（ｐ−ｎ−オクチルフェニル）−！ｔ、７−シメチ
ルアズレノ［／、ｇ−ｂｅ］チアピラン。

２−フェニル−６−インプロビル−５−メチルアズレノ
（／、ｆｆ−ｂｅ）チアピラン。

２−（ｐ−メトキシ２エニル）−６−イソプロピル−ｔ
−メチルアズレノ（／、ざ−ｂｃ）チアピラン。

λ−（ｐ−ｎ−プロピルフェニル）−６−イツプロビル
ーｇ−メチルアズレノ（／、ｆ−ｂｅ）チアピラン。

ニー（ｐ−エトキシエトキシフェニル）−６−イツプロ
ビルーｇ−メチルアズレノ（／、ｆｆ−ｂｃ）チアピラ
ン。

トベｐ−ｎ−ブトキシフェニル）−６−イツプロビルー
ｇ−メチルアズレノ（ｌ、ｒ−ｂｅ）チアピラン。

ニー（ｐ　−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−イソプ
ロピルーざ一メチルアズレノ〔ｔ、ｔ−ｂｅ）チアピラ
ン。

２−（ｐ−ｎ−へブチルフェニル）−６−イングロビル
ーｇ−メチルアズレノ〔ｌ、ｔ−ｂｅ）チアピラン。

２−（ｒｎ−ニトロフェニル）ｉ−イソプロピル−ざ−
メチルアズレノ（／、ｆｆ−ｂｃ”ｌチアピラン。

コ３−ジフェニル−クーメチルアズレノ〔ｔ、ｔ−ｂｃ
）チアピラン。

ニーフェニル−６−イソプロビル−Ｓ−メチル−９−ジ
メチルアミノメチルアズレノ（ｉ、ｇ−ｂｃ、）チアピ
ラン。

ニーフェニル−６−イングロビルーｔ−メチル−デーホ
ルミルアズレノ〔／、ざ−ｂＣ）チアピラン。

ニーフェニルー６−イソプロビルーｇ〜メチル−９−ア
セチルアズレノ（／、ｒ−ｂｅ）チアピラン。

コーフェニル−ダ−ホルミル−６−イソプロビル−５−
メチルアズレノ（ｌ、ｇ−’ｂｅ）チアピラン。

以上のアズレノ（ｌ、ｇ−ｂｃ）チアピラン類は、Ｊ、
　Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｍ、、　、？、７　ｔ２Ｊｃ／９１
ｓｌ：）　　またはＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ　２！　２０り？　（／９７に’）　　記載の方
法等により合成することが出来る。

／、、７−シフエニルー７−インプロビルー９−メチル
アズレノ（ｌ、ｒ−ｃａ）アゼピン。

／、３−ビス（ｐ−ｎ−ブチルフェニル）−７−イソプ
ロビル−９−メチルアズレノ（／、ｆ−ｃｄ）アゼピン
。

１．３−ビス（ｍ−二トロフェニル）−７−イングロピ
ルーヂーメチルアズレノ（／、ｆｆ−ｃｄ）アゼピン。

／、３−ジフェニル−Ａ、ｆｆ−ジメチルアズレノ〔八
ｇ−〇（１）アゼピン。

／、３−ジフェニル−６−メドキシーざ−メチルアズレ
ノ（／、Ａ’−ｃｄ）アゼピン。

以上のアズレノ（／、ｌ！；　−Ｃｄ　）アゼピン類は
、Ｊ、　Ｏｒｇ、　Ｃ！ｈｅｍ、、　３３　ｔコ３　Ｃ
／９ｂｔ）　　記載の方法等により合成することが出来
る。

本発明の一般式〔夏〕で示される光学吸収物質は、１１
０００ｏ付近までの長波長領域にわたシ吸収を有し、ま
た広範囲の種々の溶媒に対し、可溶°である。

たとえば、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエ
タン、ジブロモエタン、テトラクロルエタン等の含ハロ
ゲン炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジオキサン、
テトラヒト７口７ラン、ジメトキシエタン等のエーテル
系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素
系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶
媒、アセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、メタノール、エ
タノール、メチルピロリドン等のアルコール系溶媒、ジ
メチルスルホキシド等の溶媒に可溶である。

本発明の基板材料としては、ガラス、プラスチックス等
があげられる。プラスチックスは、安全性、軽量性の点
で好適である。プラスチックスとしては、アクリル樹脂
、メタクリル樹脂、−−塩化ビニル樹脂、ポリ カーボネート樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂
、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる
。

記録層の成膜方法としては、基板上に真空蒸着する方法
、樹脂溶液と混合して塗布する方法、溶媒に溶解させて
、塗布または浸漬する方法等の公知の方法があげられる
。一 本発明の一般式ＣＩ）で示される光学吸収物質は、真空
蒸着法によっても成膜出来るが、溶媒に対する溶解性が
良好な為、塗布方式に適している。

塗布による製膜は、上記一般式［１）で示される光学吸
収物質を例えば、溶媒中に溶解し、場合によってはバイ
ンダーとともに混合し、スピンコードすることによシ得
られる。バインダーとしては１．ポリイミド樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース系樹脂
等を挙げることができる。

膜厚としては、２００〜１Ｉｏｏｏλ、好ましくは、２
００〜３０００λの範囲が挙げられる。

その際樹脂に対する光学吸収物質の比率は／　Ｏｗｔ％
以上が望ましい。

溶媒としては、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケ
トン、メチルセルソルブ、エタノール、テトラヒドロフ
ラン、ジクロロメタン、ジブロモエタン、テトラクロル
エタン、クロロベンゼン等各種のものを用いる事ができ
る。

本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設けてもよい。

上記の様にして得られた記録体への記録は、基体の両面
または、片面に設けた記録層に／μｍ程度に集束したレ
ーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる事
によシ行なう。レーザー光の照射された部分には、レー
ザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の記
録層の熱的変形が起こる。

記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。

光源としては、Ｈθ−Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー、半
導体レーザー等の各種のレーザーを用いる事ができるが
、価格、大きさの点で、半導体レーザーが特に好ましい
。

半導体レーザーとしては、中心波長ｇ　３０　ｎｍ。

中心波長７ｔＯｎｍ、そしてそれより短波長のレーザー
を使用する事ができる。

実施例 以下、実施例によシ、本発明を説明するが、本発明は実
施例によシ限定されるものではない。

実施例／ エーテル１０ｍ１中に、７−Ｎ−メチルアセトアミドグ
アイアズレン０．６ｇを加え、この中に、０．３　Ａ　
Ｎのナトリウム−Ｎ−メチルアニリド−エーテル溶液１
０ｍ１を滴下した。次いで昇温後、加熱還流下、ｖ時間
反応し、処理して、ムコ。ｆｆ−トリメチル−６−イツ
プロビルシクロヘブタ（ｄ、ｅ　］　−］／−ピリンジ
ンｏ、３ｏｙを得た。

シクロヘキサン中で溶液状態での吸収スペクトルを測定
したところ７ｂＯＤｍ、ｇｌｓコｎｍ　。

９９　＆　ｎｍに極大吸収を有していた。

上記と同様にして得られた不発明の化合物へ−９ざ一ト
リメチル−６−イツプロビルシクロヘブタ（ｄ、ｅ）／
−ピリンジン０．！；　９を、／、八−、コーチトラク
ロルエタンｊＯ−に溶解し、スピンコードにより／　！
ｒ　００　ｒｐｍで、メタアクリル樹脂基板上に塗布し
、７０℃で７０分乾燥して、膜厚約ｉｇｏｏ又の薄膜を
得た。　　　　　−この薄膜に中心波長ｔ　３０　ｎｍ
の半導体レーザー光を出力／　／　ｍＷでビーム径約／
μｍで、照射し書き込んだ。光ディスクの表面を顕微鏡
で観察した所、明瞭な孔（ビット）が巾約／μｍ１長さ
約−μｍの大きさで形成されていた。更にディスク表面
上で０．ｇｍＷである３３０　ｎｍレーザ−光で読み出
し、再生を行った所、信号を再生することが出来た。

実施例コ ／−メチル−３−チオシアノ−弘−ベンゾイルメチルー
７−イソプロピルアズレンｏ、ｓ　ｒ　ｙ、酢酸２１Ｉ
ｒｓｔおよび亜鉛末へ６ｇを無水エタノールｇＯｍｔに
加え、３時間室温にて反応した。濾過後、水中に排出し
、石油エーテルで抽出、石油エーテルを留去して残渣を
得た０残渣全量を酢酸１０−に溶解し、更に、ざ３％リ
ン酸八へｔｎｉを加えた。室温下、５分反応し処理して
、−一フェニル−６−インプロビルーｇ−メチルアズレ
ノ（−／、ｇ−ｂｃ：ｌチアピランＯ，ダ９を得た０シ
クロヘキサン中で溶液状態の吸収スペクトルを測定した
所、ｇ　２　、？　ｎｍ　、　９２３；　ｎｍに極大吸
収を有していた。

上記と同様にして得られた本発明の化合物２−フェニル
７ローイソプロビルーｇ−メチルアズレノ（／、ｇ−ｂ
ｅ）チアピランｏ、；　ｙ　ｙを／、／、／　−）リク
ロルエタン５θ−に溶解し、他は実施例／と同様な方法
で塗布、記録、再生を行った。実施例／と同様巾約／μ
ｍ、長さ約＝μｍの大きさのビットで記録出来、信号再
生も同様に出来た。

実施例Ｊ グアイアズレン／、ル９を無水エーテル５ｗｔに溶解し
、この中ＫＳ窒素を通じつつ、０．１．７Ｎナトリウム
Ｎ−メチルアニリド−エーテル溶液／　、２．ｊ−を滴
下し、更にベンゾニトリル／Ａｍを加えた。室温下３０
分反応し、処理して、１１３−ジフェニル−クーイソプ
ロピル−デーメチルアズレノ（／ｊ−ｃｄ）アゼピンｏ
、ｌＩｐを得た。シクロヘキサン中で溶液状態の吸収ス
ペクトルを測定した所、７　ｊ　Ｏｎｍ　、　ｇ　００
　ｎｍ　。

ｔ　？　Ｏｎｍに極大吸収を有していた。

上記と同様にして得られた本発明の化合物／、３−ジフ
ェニルーク−イソグロビル−９−メチルアズレノ（ｔ、
ｔ−ｃｄ）アゼピン＜７．１．ＩＩを／、八−１−一テ
トラクロルエタン５０−に溶解し他は実施例１と同様な
方法で塗布、記録、再生を行った。実施例１と同様巾約
１μｍ１長さ約コμｍの大きさのビットで記録出来、信
号再生も同様に出来た。

出　願　人　　三菱化成工業株式会社 代　理　人　弁理士長香川　　− （ほか７名）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と、下記一般式〔 I 〕で示される光学吸収
   物質を含有する記録層とからなることを特徴とする光学
   記録体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔 I
   〕 （式中、環Ａは複素環を表わし、Ｒ＾１〜Ｒ＾６は、水
   素原子、ジアルキルアミノ基で置換されていてもよいア
   ルキル基、アルコキシ基、アシル基またはアリール基を
   表わす。）