JPS6273620A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
- Publication number
- JPS6273620A JPS6273620A JP21290985A JP21290985A JPS6273620A JP S6273620 A JPS6273620 A JP S6273620A JP 21290985 A JP21290985 A JP 21290985A JP 21290985 A JP21290985 A JP 21290985A JP S6273620 A JPS6273620 A JP S6273620A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reaction gas
- susceptor
- reaction
- growth method
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
高速デバイス、光デバイス用材料である化合物半導体の
気相エピタキシャル成長に関するものである。
気相エピタキシャル成長に関するものである。
従来の技術
最近、化合物半導体を用いたベテロ接合デバイスの研究
開発が盛んに行われている。薄膜のエピタキシャル成長
法としては、従来の液相成長法にかわり、超薄膜多層構
造の形成が容易なこと及びヘテロ接合界面の急峻性がす
ぐれている点で、分子Ｓエビクキ−法（ＭＢＥ）や気相
成長法（）・ライドＶＰＥやＭＯＣＶＤ）が主流を占め
ている。
開発が盛んに行われている。薄膜のエピタキシャル成長
法としては、従来の液相成長法にかわり、超薄膜多層構
造の形成が容易なこと及びヘテロ接合界面の急峻性がす
ぐれている点で、分子Ｓエビクキ−法（ＭＢＥ）や気相
成長法（）・ライドＶＰＥやＭＯＣＶＤ）が主流を占め
ている。
このうち、ＭＯＣＶＤ法は有機金属を用いた有機金属熱
分解法のことで、特に注目を集めている。
分解法のことで、特に注目を集めている。
第３図に従来のＭＯＣＶＤ法のリアクタ付近の概略図を
示す。１は石英反応管、２は石英反応管１を保持するエ
ンドキャップ、３は反応ガス導入管、４は反応ガスの排
出口である。基板５はサセプタ６の上に載置し、ＲＦコ
イル７により、誘導加熱する。基板温度は、熱電対８に
よりモニタされ、制御する。
示す。１は石英反応管、２は石英反応管１を保持するエ
ンドキャップ、３は反応ガス導入管、４は反応ガスの排
出口である。基板５はサセプタ６の上に載置し、ＲＦコ
イル７により、誘導加熱する。基板温度は、熱電対８に
よりモニタされ、制御する。
例えば、Ｇ ａ Ａ ｓを成長させる際、ＴＭＧ（）リ
メチルカリウム） ＝ １ ｏｃｃ／ＭＲ、Ａ ’ Ｈ
３（アルシン）＝１ｓｃ、ｃ／諺講、Ｈ２ガス＝２Ｑ／
娼、基板温度＝７８０℃でＧ ａ Ａ ｓ基板上に良好
なＧ ａ Ａ ｓエピタキシャル薄膜が形成される。
メチルカリウム） ＝ １ ｏｃｃ／ＭＲ、Ａ ’ Ｈ
３（アルシン）＝１ｓｃ、ｃ／諺講、Ｈ２ガス＝２Ｑ／
娼、基板温度＝７８０℃でＧ ａ Ａ ｓ基板上に良好
なＧ ａ Ａ ｓエピタキシャル薄膜が形成される。
Ｇ ａ Ａ ｓ系デバイス（７）場合、Ａ４．−、Ｇａ
、ｃＡｓ（ＯくＸ＜：１ ）も同じこの成長管内でＧ
ａ Ａ ｓに続いてＡ２１．、、ｘＧａｘＡＳ も成長
させる必要がある。
、ｃＡｓ（ＯくＸ＜：１ ）も同じこの成長管内でＧ
ａ Ａ ｓに続いてＡ２１．、、ｘＧａｘＡＳ も成長
させる必要がある。
例えばＡｆｌ。、 ３Ｇａ０．７Ａｓの成長条件はＴＭ
Ｇ ＝ １０ＣＱ／ｓｉｎ 、 ＴＭＡ （）リメチル
アルミニウム）＝ １０ＣＣ／、７Ｍ、 Ａ ｓ Ｈ３
＝１５ ｃｅ／＝１ ＋ Ｈ２ガス−２１７ｗ１ｎ。
Ｇ ＝ １０ＣＱ／ｓｉｎ 、 ＴＭＡ （）リメチル
アルミニウム）＝ １０ＣＣ／、７Ｍ、 Ａ ｓ Ｈ３
＝１５ ｃｅ／＝１ ＋ Ｈ２ガス−２１７ｗ１ｎ。
基板温度＝７８０℃である。又１ｎＰ 系の場合ばＩｎ
ＰやＩｎ１−ｘＧａｘＡａｙＰｌ−、（０（ｘく１ 、
Ｏくｙく１）をＭＯＣＶＤ 成長させることができる。
ＰやＩｎ１−ｘＧａｘＡａｙＰｌ−、（０（ｘく１ 、
Ｏくｙく１）をＭＯＣＶＤ 成長させることができる。
これらの場合、例えばＡ Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓ ／Ｇ
ａ Ａ ｓダブルへテロ接合レーザ構造を作製する場合
、Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に順次ｎ−ＧａＡｇ／ｎ−ＡＱ
Ｏ，３Ｇａｏ、 ７Ａｓ／ｕｎｄｏｐｅＧａＡｓ／ｐ−
Ａｆｌ、。、 ３Ｇａｏ、 ７ＡＩ！／ｐ−ＧａＡｓの
多層を積層する。
ａ Ａ ｓダブルへテロ接合レーザ構造を作製する場合
、Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に順次ｎ−ＧａＡｇ／ｎ−ＡＱ
Ｏ，３Ｇａｏ、 ７Ａｓ／ｕｎｄｏｐｅＧａＡｓ／ｐ−
Ａｆｌ、。、 ３Ｇａｏ、 ７ＡＩ！／ｐ−ＧａＡｓの
多層を積層する。
これらの種々のエピタキシャル膜を成長してゆくと、石
英管１の内壁やサセプタθ上の表面に反応物９が付着し
てくる。
英管１の内壁やサセプタθ上の表面に反応物９が付着し
てくる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、この従来の方法だと、サセプタ６や石英
管１の内壁に付着した付着物９は、次の成長の際再蒸発
し、基板６上へ再付着し、組成やキャリア濃度の制御や
結晶性の制御が難しい。特に格子定数が少し狂うと、エ
ビ層の結晶性が悪くなったり、再蒸発しやすいｐ （Ｉ
Ｊン）を用いるＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ の成
長には大きな問題で１−Ｘ Ｘ ７１−７ ある。又この方法では、基板６の上部には数ｆｌ／Ｉｉ
の反応ガスのフローがあり、その影響で基板の端部と中
央部でかなりの温度差があり又基板温度と熱電対８のモ
ニタ温度も数１０度の温度差があり基板内の温度の均一
化や温度そのものの制御も難しい。又、石英管内壁とサ
セプタ６（基板１含む）の間隙ｄを狭くシ（例えば１ｍ
程度）、実質的な流速を上げて、ヘテロ多層構造におけ
るヘテロ界面の急峻性をよくする方法があるが、基板と
熱電対の温度差は更に大きくなると共に、基板５の表面
の流速が速くなったものの、石英管内壁の付着物９とは
距離的に近づき問題は残る。
管１の内壁に付着した付着物９は、次の成長の際再蒸発
し、基板６上へ再付着し、組成やキャリア濃度の制御や
結晶性の制御が難しい。特に格子定数が少し狂うと、エ
ビ層の結晶性が悪くなったり、再蒸発しやすいｐ （Ｉ
Ｊン）を用いるＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ の成
長には大きな問題で１−Ｘ Ｘ ７１−７ ある。又この方法では、基板６の上部には数ｆｌ／Ｉｉ
の反応ガスのフローがあり、その影響で基板の端部と中
央部でかなりの温度差があり又基板温度と熱電対８のモ
ニタ温度も数１０度の温度差があり基板内の温度の均一
化や温度そのものの制御も難しい。又、石英管内壁とサ
セプタ６（基板１含む）の間隙ｄを狭くシ（例えば１ｍ
程度）、実質的な流速を上げて、ヘテロ多層構造におけ
るヘテロ界面の急峻性をよくする方法があるが、基板と
熱電対の温度差は更に大きくなると共に、基板５の表面
の流速が速くなったものの、石英管内壁の付着物９とは
距離的に近づき問題は残る。
問題点を解決するだめの手段
上記、付着物や基板温度とモニタ温度との温度差等の問
題点を解決するだめの本発明の技術的手段は、エピタキ
シャル成長用基板を載置する第１のサセプタと上記基板
の一主面上部をおおう第２のサセプタの間に設けられた
反応ガスガイド部に、反応ガスを送り込む反応ガス導入
管を連結させて、上記反応ガスを基板上に導き、エピタ
キシャル薄膜を提供することにある。
題点を解決するだめの本発明の技術的手段は、エピタキ
シャル成長用基板を載置する第１のサセプタと上記基板
の一主面上部をおおう第２のサセプタの間に設けられた
反応ガスガイド部に、反応ガスを送り込む反応ガス導入
管を連結させて、上記反応ガスを基板上に導き、エピタ
キシャル薄膜を提供することにある。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、反応ガスは第１．第２のザセグタ間に設けら
れた反応ガスガイド部の空洞部のみに供給され、サセプ
タの外部の石英管内壁には反応物は付着しない。この第
１．第２のサセプタは成長の毎に新しいもの（新しく洗
浄したものも含む）に交換するだめ、第１．第２サセグ
タの空洞部に付着したものは問題とならない。それ故、
成長時の付着物の再蒸発による悪影響は避けることがで
きエピタキシャル膜の組成やキャリア濃度、結晶性の再
現性が向上する。又基板をカーボン製サセプタでおおう
ため、基板内での温度分布も数度以内に又モニタ温度と
の温度差も１０℃前後と極めて小さく良好な温度制御の
下に均質なエピタキシャル膜を提供することができる。
れた反応ガスガイド部の空洞部のみに供給され、サセプ
タの外部の石英管内壁には反応物は付着しない。この第
１．第２のサセプタは成長の毎に新しいもの（新しく洗
浄したものも含む）に交換するだめ、第１．第２サセグ
タの空洞部に付着したものは問題とならない。それ故、
成長時の付着物の再蒸発による悪影響は避けることがで
きエピタキシャル膜の組成やキャリア濃度、結晶性の再
現性が向上する。又基板をカーボン製サセプタでおおう
ため、基板内での温度分布も数度以内に又モニタ温度と
の温度差も１０℃前後と極めて小さく良好な温度制御の
下に均質なエピタキシャル膜を提供することができる。
実施例
本発明の実施例を第１図、第２図を用いて説明する。第
１図において、化合物半導体等の基板５ヲ載置した第１
のサセプタ１０の上に第２のサセプタ１１を置き、適当
な方法で石英反応管１内に固定する。反応ガスガイド部
１２は、第２図に示すように、第２のサセプタ１１の下
部をセットしだ時基板６の上面をおおうような形状でく
り抜かれたものでよい。反応ガス導入管（石英製）１３
は、反応ガスガイド部１２の端部に第１図のように連結
されている。基板５近傍にて、ガス流の乱れを生じさせ
ない様、反応ガスガイド部１２の内壁（サセグタ内部表
面と基板表面はほぼ面一とし、かつサセプタと反応ガス
導入管１３は最適に連結する。サセプタからの熱により
反応ガス導入管１３の温度が上り反応物が付着すること
があるが流速を速くしたり適当な方法での強制クリーニ
ングにより除去できるガス導入管１４は残留ガスの除去
。
１図において、化合物半導体等の基板５ヲ載置した第１
のサセプタ１０の上に第２のサセプタ１１を置き、適当
な方法で石英反応管１内に固定する。反応ガスガイド部
１２は、第２図に示すように、第２のサセプタ１１の下
部をセットしだ時基板６の上面をおおうような形状でく
り抜かれたものでよい。反応ガス導入管（石英製）１３
は、反応ガスガイド部１２の端部に第１図のように連結
されている。基板５近傍にて、ガス流の乱れを生じさせ
ない様、反応ガスガイド部１２の内壁（サセグタ内部表
面と基板表面はほぼ面一とし、かつサセプタと反応ガス
導入管１３は最適に連結する。サセプタからの熱により
反応ガス導入管１３の温度が上り反応物が付着すること
があるが流速を速くしたり適当な方法での強制クリーニ
ングにより除去できるガス導入管１４は残留ガスの除去
。
パージ用としてキャリアガスの一部を石英反応管１とサ
セプタ１０．１１の間を流すだめのものである（反応が
導入管１３の空冷にも効果がある。）基板の加熱はＲＦ
コイルを用いた誘導加熱方式を採用するが、ランプを用
いた光加熱でもよい。
セプタ１０．１１の間を流すだめのものである（反応が
導入管１３の空冷にも効果がある。）基板の加熱はＲＦ
コイルを用いた誘導加熱方式を採用するが、ランプを用
いた光加熱でもよい。
今、Ｉｎ１−、ＧａｘＡｓ、Ｐｌ−、ｔｙ）結晶成長＆
例にとって説明する。ＰＨ３はサセプタの熱を利用し
てたとえば予め熱分解されて反応ガス導入管１３の中に
導入されているとする。成長条件は装置にもかなり依存
するが、例えば基板温度６７０℃。
例にとって説明する。ＰＨ３はサセプタの熱を利用し
てたとえば予め熱分解されて反応ガス導入管１３の中に
導入されているとする。成長条件は装置にもかなり依存
するが、例えば基板温度６７０℃。
ＴＥＩ（トリエチルインジウム）のＮ２ ｆ １０ＮＶ
（３５℃）＝３５０ＣＣ／＋ｕ＋＋、ＴＥＧ（）リエチ
ルガリウム） ノＨ２ｆｌｏｗ （０℃） ＝ＢＯ（ｆ
：、／ｇｉｎ 。
（３５℃）＝３５０ＣＣ／＋ｕ＋＋、ＴＥＧ（）リエチ
ルガリウム） ノＨ２ｆｌｏｗ （０℃） ＝ＢＯ（ｆ
：、／ｇｉｎ 。
ＡＩＩＨ＝１００ｃｃ／＝ 、 ＰＨ３＝１７ｏＣＣ／
ｌｉｎ 、反応ガス導入管１３を流れるＮ２ｆ１．ｏｗ
の総流量ｅ Ｑ／ｍｔＲ。
ｌｉｎ 、反応ガス導入管１３を流れるＮ２ｆ１．ｏｗ
の総流量ｅ Ｑ／ｍｔＲ。
凱１５ＱＴｏｒｒ 下でＩｎＰ に格子整合した（１
Δａ ／ ａ ｌ（１Ｘ １０ ） Ｉ ｎ １−ｘ
Ｇ ａ ｘ Ａ ｓ ｙ Ｐ １−ｙ（Ｘ〜０．２７
．７〜０．５７） ４元混晶が得られる。サセプタ１０
．１１の石英反応管１内へのセット後、石英反応管１内
を真空に引き、石英反応管１内の残留ガス等のクリーニ
ングを行なうが、ガス導入管１４よりＮ２かＮ２をパー
ジすることにより、より効率を高めることができる。成
長中もＮ２かＮ２あるいは不活性ガス（Ｈｅ等）の類を
１〜２２／馴流してもよい。
Δａ ／ ａ ｌ（１Ｘ １０ ） Ｉ ｎ １−ｘ
Ｇ ａ ｘ Ａ ｓ ｙ Ｐ １−ｙ（Ｘ〜０．２７
．７〜０．５７） ４元混晶が得られる。サセプタ１０
．１１の石英反応管１内へのセット後、石英反応管１内
を真空に引き、石英反応管１内の残留ガス等のクリーニ
ングを行なうが、ガス導入管１４よりＮ２かＮ２をパー
ジすることにより、より効率を高めることができる。成
長中もＮ２かＮ２あるいは不活性ガス（Ｈｅ等）の類を
１〜２２／馴流してもよい。
この方法で、工ｎ１−８Ｇ、！１ｘＡＢｙＰ１−ｙ（ｘ
−０，２７゜ｙ〜０．５７）の成長を何回やっても組成
の変動及び膜厚の変動は極めて少なかった。成長の毎に
サセプタを交換し、３０回のｒｕｎの組成のバラツキ及
び膜厚変動（１時間の成長時間）はそれぞれｘ＝０．２
７±０．０２．ｙ＝０．５７±０．２．及び１μｍ±０
．ｏ３と極めて制御よく良好な４元混晶が再現性よく得
られた。サセプタは毎回新しいもの（クリーニングされ
たもの）と交換するのが望ましいが、数回のｒｕｎ程度
ならそれ程問題ではない。石英反応管１の内壁への付着
物９は石英反応管１を交換することで除去できるが極め
て非効率であり本発明を用いると内壁への付着物はほと
んどなく、石英反応管の交換は不要となる。温度制御の
点については、基板温度と熱電対８のモニタ温度差は１
０℃前後におさえることができ（Ｈ２ｆｌｏｗの流速が
大きいと１０℃以上となることがある。）又本実施例で
は基板の大きさは２．６α角のものを使用したが、６℃
以内の均熱が十分にとれ、基板内の結晶性も極めて均一
となった。
−０，２７゜ｙ〜０．５７）の成長を何回やっても組成
の変動及び膜厚の変動は極めて少なかった。成長の毎に
サセプタを交換し、３０回のｒｕｎの組成のバラツキ及
び膜厚変動（１時間の成長時間）はそれぞれｘ＝０．２
７±０．０２．ｙ＝０．５７±０．２．及び１μｍ±０
．ｏ３と極めて制御よく良好な４元混晶が再現性よく得
られた。サセプタは毎回新しいもの（クリーニングされ
たもの）と交換するのが望ましいが、数回のｒｕｎ程度
ならそれ程問題ではない。石英反応管１の内壁への付着
物９は石英反応管１を交換することで除去できるが極め
て非効率であり本発明を用いると内壁への付着物はほと
んどなく、石英反応管の交換は不要となる。温度制御の
点については、基板温度と熱電対８のモニタ温度差は１
０℃前後におさえることができ（Ｈ２ｆｌｏｗの流速が
大きいと１０℃以上となることがある。）又本実施例で
は基板の大きさは２．６α角のものを使用したが、６℃
以内の均熱が十分にとれ、基板内の結晶性も極めて均一
となった。
尚、Ａｎｌ−１ｃＧａｘＡｓ＋／ＧａＡｓ系の場合、サ
セプタの交換の際、空気中に触れたサセプタを用いるの
はよくない。この場合は、例えばサセプタの９暁き炉（
ベーキング炉）とロードロック機構を用いて、本実施例
の気相成長装置に連結し、新しいサセプロは空気に触れ
ずに成長に使用される必要がある。
セプタの交換の際、空気中に触れたサセプタを用いるの
はよくない。この場合は、例えばサセプタの９暁き炉（
ベーキング炉）とロードロック機構を用いて、本実施例
の気相成長装置に連結し、新しいサセプロは空気に触れ
ずに成長に使用される必要がある。
サセプタの形状は基板の大きさ、形状にもよるが四角柱
が望ましく、又反応ガスガイド部の寸法すは基板５の寸
法Ｃの２倍以上２寸法ａは１ｃｎ１程度がよい。又サセ
プタはきめの細かなボコ社裂カーボン（品番ＤＦＢ）や
ＳｉＣコートしたものが望ましく、石英反応管１も四角
形がよい。
が望ましく、又反応ガスガイド部の寸法すは基板５の寸
法Ｃの２倍以上２寸法ａは１ｃｎ１程度がよい。又サセ
プタはきめの細かなボコ社裂カーボン（品番ＤＦＢ）や
ＳｉＣコートしたものが望ましく、石英反応管１も四角
形がよい。
発明の効果
本発明を用いて、化合物半導体のＡＮ １− ｘＧａ
ＸＡｓ／ＧａＡｓや、特に格子整合度合がエビ層の結晶
性に大きく影響を与えるＩ ｎ １−ｘＧａ ｘＡｓ
ｙ Ｐ １−ｙ／ Ｉ ｎＰを成長する場合、数１Ｑ回
のｒｕｎに対し、組成、膜厚の制御が極めてよく、又均
一２正確な温度制御も可能となり基板内のバラツキも小
さく抑えることができることがわかった。又１回のｒｕ
ｎにおけ薄膜多層へテロ構造におけるヘテロ界面の急峻
性も極あて向上した。本発明は工ｎ１−エＧａ工Ａｓｙ
Ｐ１−アやＡ２１−エＧ ａ ｘＡ ｓ 以外の様々な
混晶半導体（（Ａｆ；ｔ 、Ｇａ １−、） 、Ｉ ｎ
ｌ−、Ｐや１ｎ１−ｘＡｌ！Ａｌ１ｙＰ１−ア等）にも
適用できる。ＭＯＣＶＤ法はＬＰＥ法に比べ、ｒｕｎ間
の再現性に問題があったが、本発明を用いることにより
再現性が大幅に向上し、ＭＯＣＶＤ法の量産化への期待
に大きく貢献できるものである。
ＸＡｓ／ＧａＡｓや、特に格子整合度合がエビ層の結晶
性に大きく影響を与えるＩ ｎ １−ｘＧａ ｘＡｓ
ｙ Ｐ １−ｙ／ Ｉ ｎＰを成長する場合、数１Ｑ回
のｒｕｎに対し、組成、膜厚の制御が極めてよく、又均
一２正確な温度制御も可能となり基板内のバラツキも小
さく抑えることができることがわかった。又１回のｒｕ
ｎにおけ薄膜多層へテロ構造におけるヘテロ界面の急峻
性も極あて向上した。本発明は工ｎ１−エＧａ工Ａｓｙ
Ｐ１−アやＡ２１−エＧ ａ ｘＡ ｓ 以外の様々な
混晶半導体（（Ａｆ；ｔ 、Ｇａ １−、） 、Ｉ ｎ
ｌ−、Ｐや１ｎ１−ｘＡｌ！Ａｌ１ｙＰ１−ア等）にも
適用できる。ＭＯＣＶＤ法はＬＰＥ法に比べ、ｒｕｎ間
の再現性に問題があったが、本発明を用いることにより
再現性が大幅に向上し、ＭＯＣＶＤ法の量産化への期待
に大きく貢献できるものである。
第１図は本発明の一実施例の成長装置の構造図、第２図
は本発明のサセプタ部の概略図、第３図は従来例の成長
装置の概略構造図である。 １・・・・・・石英反応管、５・・・・・・基板、９・
・・・・・付着物、１０・・・・・・第１のサセプタ、
１１・・・・・・第２のサセプタ、１３・・・・・・反
応ガス導入管、１４・・・・・・ガス導入管。
は本発明のサセプタ部の概略図、第３図は従来例の成長
装置の概略構造図である。 １・・・・・・石英反応管、５・・・・・・基板、９・
・・・・・付着物、１０・・・・・・第１のサセプタ、
１１・・・・・・第２のサセプタ、１３・・・・・・反
応ガス導入管、１４・・・・・・ガス導入管。
Claims (8)
- （１）複数の反応ガスを用いて基板上に薄膜をエピタキ
シャル成長させる際、上記基板を載置する第１のサセプ
タと上記基板の一主面上部をおおう第２のサセプタの間
に設けられた反応ガスガイド部を介して、上記反応ガス
が上記基板上に導かれ、上記基板上に薄膜を成長させる
ことを特徴とする気相成長方法。 - （２）基板を載置させた第１のサセプタ表面と該基板の
一主面とはほぼ面一であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の気相成長方法。 - （３）反応ガスガイド端部に反応ガス導入管を連結する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の気相成
長方法。 - （４）第１、２のサセプタは薄膜成長の毎に新しいもの
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の気相成長方法。 - （５）第１、第２のサセプタはカーボン製であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の気相成長方法
。 - （６）基板は誘導加熱あるいは光加熱方式で加熱を行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の気相
成長方法。 - （７）第１、第２のサセプタの外側にも水素ガスあるい
は窒素ガスを流すことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の気相成長方法。 - （８）反応ガスに有機金属を含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21290985A JPS6273620A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21290985A JPS6273620A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273620A true JPS6273620A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16630286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21290985A Pending JPS6273620A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273620A (ja) |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21290985A patent/JPS6273620A/ja active Pending
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