JPH03280419A - 化合物半導体薄膜の成長方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の成長方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は伝導型がｎ型であるＩｎＧａＡｓ層を含む化合
物半導体薄膜の成長方法に関する。
物半導体薄膜の成長方法に関する。
（従来の技術）
ｎ型ＧａＡｓ、 ＡｌＧａＡｓ層への低抵抗オーミック
コンタクトを得る手段としてｎ型ＧａＡｓもしくはＡｌ
ＧａＡｓ層上にｎ型Ｉｎ、Ｇａ、−ｘＡｓ（０＜ Ｘ≦
１）を積層し、その後オーミック金属を蒸着させる手法
は極めて有用である。この場合にｎ型ＩｎＧａＡｓ層に
要求される特性として、表面のモフォロジーが良好であ
り、かつＩ Ｘ １０”ｃｗｔ−’以上の高濃度にドー
ピングされていることが必要である。分子線エピタキシ
ー法では、５５０℃以下の成長温度で上記特性を満足す
るｎ型ＩｎＧａＡｓ層の成長が可能である。
コンタクトを得る手段としてｎ型ＧａＡｓもしくはＡｌ
ＧａＡｓ層上にｎ型Ｉｎ、Ｇａ、−ｘＡｓ（０＜ Ｘ≦
１）を積層し、その後オーミック金属を蒸着させる手法
は極めて有用である。この場合にｎ型ＩｎＧａＡｓ層に
要求される特性として、表面のモフォロジーが良好であ
り、かつＩ Ｘ １０”ｃｗｔ−’以上の高濃度にドー
ピングされていることが必要である。分子線エピタキシ
ー法では、５５０℃以下の成長温度で上記特性を満足す
るｎ型ＩｎＧａＡｓ層の成長が可能である。
一方、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）ではｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓ層をＧａＡｓもしくはＡｌＧａＡｓ層上に成
長させる際に１分子線エピタキシー法と比較して次のよ
うな新たな問題が生じる。
ｎＧａＡｓ層をＧａＡｓもしくはＡｌＧａＡｓ層上に成
長させる際に１分子線エピタキシー法と比較して次のよ
うな新たな問題が生じる。
ＴｎＧａＡｓは、ＧａＡｓ、 ＡｌＧａＡｓと格子定数
が異なるため、標準的な成長温度６００−７５０℃でＧ
ａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ層上に成長させると表面モフオロ
ジーが悪くなり実用に耐えない。このように、格子不整
が大きい二つの異種材料をエピタキシャル成長させる場
合、第一層を成長後、第二層を成長させる際にその一部
を低温で成長させると表面モフオロジーが改善すること
は、よく見られる現象である。この手法をＭＯＣＶＤ法
でｎ型ＩｎＧａＡｓとｎ型ＧａＡｓからなる系に適用し
た場合にも、表面モフォロジーの改善が見られる。この
ことは、発明者も実験によって確認している。しかしな
がら、この低温成長層をｎ型にドーピングする際にシラ
ンガス（ＳｉＨ，）、ジシランガス（ＳｊｚＨＧ）等の
ドーパントガスを用いた場合、ドーパントガスの分解効
率が成長温度の低下と共に急激に小さくなるため、ｌ
Ｘ １０”ｃ＋ｓ−”以上の高濃度にドーピングするこ
とは難しかった。
が異なるため、標準的な成長温度６００−７５０℃でＧ
ａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ層上に成長させると表面モフオロ
ジーが悪くなり実用に耐えない。このように、格子不整
が大きい二つの異種材料をエピタキシャル成長させる場
合、第一層を成長後、第二層を成長させる際にその一部
を低温で成長させると表面モフオロジーが改善すること
は、よく見られる現象である。この手法をＭＯＣＶＤ法
でｎ型ＩｎＧａＡｓとｎ型ＧａＡｓからなる系に適用し
た場合にも、表面モフォロジーの改善が見られる。この
ことは、発明者も実験によって確認している。しかしな
がら、この低温成長層をｎ型にドーピングする際にシラ
ンガス（ＳｉＨ，）、ジシランガス（ＳｊｚＨＧ）等の
ドーパントガスを用いた場合、ドーパントガスの分解効
率が成長温度の低下と共に急激に小さくなるため、ｌ
Ｘ １０”ｃ＋ｓ−”以上の高濃度にドーピングするこ
とは難しかった。
（発明が解決しようとする課題）
上記、従来の化合物半導体薄膜の気相成長方法で、伝導
型がｎ型である第１の化合物半導体上にこれと格子常数
が異なり不純物濃度がより大きい少なくとも一層でなる
第２の化合物半導体層を気相成長させるに際し、第２の
化合物半導体層の一部を他の層よりも低温でＭＯＣＶＤ
成長させる場合、低温でドーパントガスの分解効率が急
激に低下して高濃度にドーピングを施すことが困難であ
るという重大な問題があった。
型がｎ型である第１の化合物半導体上にこれと格子常数
が異なり不純物濃度がより大きい少なくとも一層でなる
第２の化合物半導体層を気相成長させるに際し、第２の
化合物半導体層の一部を他の層よりも低温でＭＯＣＶＤ
成長させる場合、低温でドーパントガスの分解効率が急
激に低下して高濃度にドーピングを施すことが困難であ
るという重大な問題があった。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、低温で高濃度のドー
ピングを施すことのできる化合物半導体薄膜の気相成長
方法を提供する。
ピングを施すことのできる化合物半導体薄膜の気相成長
方法を提供する。
（課題を解決するための手段）
本発明に係る化合物半導体薄膜の成長方法は＝ ＭＯ
ＣＶＤ法により第１の化合物半導体上にこれと格子定数
が異なり伝導型がｎである第２の化合物半導体層を成長
温度３５０〜５００℃の低温成長を含む複数工程で成長
させる第２の化合物半導体層の成長方法において、前記
低温工程はＳｉのアルキル化物またはＳｎのアルキル化
物を含むドーパント原料を用いて成長を施すことを特徴
とする。
ＣＶＤ法により第１の化合物半導体上にこれと格子定数
が異なり伝導型がｎである第２の化合物半導体層を成長
温度３５０〜５００℃の低温成長を含む複数工程で成長
させる第２の化合物半導体層の成長方法において、前記
低温工程はＳｉのアルキル化物またはＳｎのアルキル化
物を含むドーパント原料を用いて成長を施すことを特徴
とする。
（作 用）
本発明に係る化合物半導体薄膜の気相成長方法は、伝導
型がｎである第１の化合物半導体上にこれと格子常数が
異なり不純物濃度がより大きい少なくとも一層でなる第
２の化合物半導体層を気相成長させるに際し、第２の化
合物半導体層の一部を他の層よりも低温で、かつ、Ｓｌ
のアルキル化物またはＳｎのアルキル化物を含むドーパ
ントを用いてＭＯＣＶＤ成長を施すことにより、低温で
もドーパントガスの急激な分解効率の低下を見ず、第２
の化合物半導体層が高濃度に得られる。また、電子濃度
は上記Ｓｉのアルキル化物またはＳｎのアルキル化物の
供給量を制御することによって精度良く、かつ再現性良
く制御することができる。
型がｎである第１の化合物半導体上にこれと格子常数が
異なり不純物濃度がより大きい少なくとも一層でなる第
２の化合物半導体層を気相成長させるに際し、第２の化
合物半導体層の一部を他の層よりも低温で、かつ、Ｓｌ
のアルキル化物またはＳｎのアルキル化物を含むドーパ
ントを用いてＭＯＣＶＤ成長を施すことにより、低温で
もドーパントガスの急激な分解効率の低下を見ず、第２
の化合物半導体層が高濃度に得られる。また、電子濃度
は上記Ｓｉのアルキル化物またはＳｎのアルキル化物の
供給量を制御することによって精度良く、かつ再現性良
く制御することができる。
−例として、ＭＯＣＶＤ法においてｎ型ＩｎＧａＡｓ層
をＧａＡｓもしくはＡｌＧａＡｓ層上に成長させる際に
、ＩｎＧａＡｓ層の一部に３５０〜５００℃の低温成長
工程を含めることにより表面のモフォロジーが良好なＩ
ｎＧａＡｓ層を成長できる。また、少なくとも該低温成
長工程のＩｎＧａＡｓ層について、ｎ型ドーパントとし
てＳｉもしくはＳｎのアルキル化物を用いることによっ
て、該ＳｉもしくはＳｎのアルキル化物の熱分解反応に
よりＳｉもしくはＳｎが成長層に取り込まれトナー準位
が形成される。ＳｉもしくはＳｎのアルキル化物は低温
でも熱分解効率が高いため、低温成長層でもＩ Ｘ １
０１９ｃｍ−３以上の高濃度ドーピングが可能である。
をＧａＡｓもしくはＡｌＧａＡｓ層上に成長させる際に
、ＩｎＧａＡｓ層の一部に３５０〜５００℃の低温成長
工程を含めることにより表面のモフォロジーが良好なＩ
ｎＧａＡｓ層を成長できる。また、少なくとも該低温成
長工程のＩｎＧａＡｓ層について、ｎ型ドーパントとし
てＳｉもしくはＳｎのアルキル化物を用いることによっ
て、該ＳｉもしくはＳｎのアルキル化物の熱分解反応に
よりＳｉもしくはＳｎが成長層に取り込まれトナー準位
が形成される。ＳｉもしくはＳｎのアルキル化物は低温
でも熱分解効率が高いため、低温成長層でもＩ Ｘ １
０１９ｃｍ−３以上の高濃度ドーピングが可能である。
そして、ＭＯＣＶＤ法による化合物半導体装置の製造過
程において、該成長工程を使ってｎ型ＩｎＧａＡｓ層を
ｎ型ＧａＡｓもしくはＡｌＧａＡｓ層上に成長させ、そ
の後オーミック金属を蒸着することにより、ｎ型ＧａＡ
ｓもしくはＡｌＧａＡｓ層への低抵抗オーミックコンタ
クトが得られる。
程において、該成長工程を使ってｎ型ＩｎＧａＡｓ層を
ｎ型ＧａＡｓもしくはＡｌＧａＡｓ層上に成長させ、そ
の後オーミック金属を蒸着することにより、ｎ型ＧａＡ
ｓもしくはＡｌＧａＡｓ層への低抵抗オーミックコンタ
クトが得られる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例につき図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例に用いられる減圧ＭＯＣＶＤ装
置の例を示す図である。図において、管状の反応容器１
１内に回転軸１２に支持されたグラファイト製のサセプ
タ１３がｉｔされ、このサセプタ１３上には単結晶Ｇａ
Ａｓ基板１４が置かれている。サセプタ】３は高周波コ
イル１５によって加熱され、ＧａＡｓ基板１４を所望の
温度に保持する。キャリアガスはガスライン］８に供給
されると共に、マスフローコントローラ２３ａ、２３ｂ
、２３ｃ、２３ｄを介して、恒温槽２］ａ、２１ｂ、２
］ｃ、 ２］、ｄにより所定の温度に保たれたテトラメ
チルシリコン（ＴＭＳｉ）またはテトラエチルすず（Ｔ
ＥＳｎ） ２４ａ、 トリメチルガリウム（ＴＭＧ）
２４ｂ。
置の例を示す図である。図において、管状の反応容器１
１内に回転軸１２に支持されたグラファイト製のサセプ
タ１３がｉｔされ、このサセプタ１３上には単結晶Ｇａ
Ａｓ基板１４が置かれている。サセプタ】３は高周波コ
イル１５によって加熱され、ＧａＡｓ基板１４を所望の
温度に保持する。キャリアガスはガスライン］８に供給
されると共に、マスフローコントローラ２３ａ、２３ｂ
、２３ｃ、２３ｄを介して、恒温槽２］ａ、２１ｂ、２
］ｃ、 ２］、ｄにより所定の温度に保たれたテトラメ
チルシリコン（ＴＭＳｉ）またはテトラエチルすず（Ｔ
ＥＳｎ） ２４ａ、 トリメチルガリウム（ＴＭＧ）
２４ｂ。
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡＩ） ２４ｃ、トリメ
チルインジウム（ＴＭＩｎ）２４ｄを夫々収容している
バブラ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、 ２２ｄに供給される
。前記バブラ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄを通過し
たキャリアガスは前記ガスライン１８を流れるキャリア
ガスと混合され、前記反応容量１１の上部に設けられた
ガス導入口１６を介して反応容器１１内に導入される。
チルインジウム（ＴＭＩｎ）２４ｄを夫々収容している
バブラ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、 ２２ｄに供給される
。前記バブラ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄを通過し
たキャリアガスは前記ガスライン１８を流れるキャリア
ガスと混合され、前記反応容量１１の上部に設けられた
ガス導入口１６を介して反応容器１１内に導入される。
前記反応容器１１内のガスは、油回転ポンプ２０が連結
されたガス排気管１７を通して排気される。また、前記
ガスライン１８にはアルシンガス（ＡｓＨａ）およびシ
ランガス（ＳｉＨ４）がマスフローコントローラ２３ｅ
、２３ｆを介して、それぞれ供給される。なお図中、１
９．２９ａ〜２９ｇ、３９ａ〜３９ｄはガスの供給、停
止を切り替えるバルブである。
されたガス排気管１７を通して排気される。また、前記
ガスライン１８にはアルシンガス（ＡｓＨａ）およびシ
ランガス（ＳｉＨ４）がマスフローコントローラ２３ｅ
、２３ｆを介して、それぞれ供給される。なお図中、１
９．２９ａ〜２９ｇ、３９ａ〜３９ｄはガスの供給、停
止を切り替えるバルブである。
このように構成された装置において、ＴＭＧ、 ＴＭＩ
、ＴＭＡの蒸気とＡｓＨ，ガスが混合されたキャリアガ
スを反応容器１１内に導入すると、基板１４上で熱分解
が生じ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ
層が成長する。これと同時にＴＭＳｉの蒸気、あるいは
ＳｉＨ４ガスを反応容器１１内に導入すると、Ｓｉが成
長層中に取り込まれ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓあるいは
ＡｌＧａＡｓ層の導電型はｎ型になる。
、ＴＭＡの蒸気とＡｓＨ，ガスが混合されたキャリアガ
スを反応容器１１内に導入すると、基板１４上で熱分解
が生じ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ
層が成長する。これと同時にＴＭＳｉの蒸気、あるいは
ＳｉＨ４ガスを反応容器１１内に導入すると、Ｓｉが成
長層中に取り込まれ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓあるいは
ＡｌＧａＡｓ層の導電型はｎ型になる。
本実施例方法を用いて、ＧａＡｓ基板上に、基板温度４
５０℃、反応容器内の圧カフ０ｔｏｒｒ、 ＴＭＳｉを
ドーパントとしてｎ型Ｉｎ、、５Ｇａａ、、Ａｓ層を３
０００人成長させた。ＴＭＳｉの供給量を変化させて、
成長層の電気的特性を測定したところ、Ｉ Ｘ １０”
〜２ Ｘ １０１ｇｃｍ−”という高濃度のキャリア
濃度が得られた。また、ドーパントとして、ＴＭＳｉの
代わりにテトラエチルすず（ＴＥＳｎ）を用いたところ
、同様にｌＸｌ０”〜３×１Ｑ１９ｃ「ｆｆという高濃
度のキャリア濃度が得られた。
５０℃、反応容器内の圧カフ０ｔｏｒｒ、 ＴＭＳｉを
ドーパントとしてｎ型Ｉｎ、、５Ｇａａ、、Ａｓ層を３
０００人成長させた。ＴＭＳｉの供給量を変化させて、
成長層の電気的特性を測定したところ、Ｉ Ｘ １０”
〜２ Ｘ １０１ｇｃｍ−”という高濃度のキャリア
濃度が得られた。また、ドーパントとして、ＴＭＳｉの
代わりにテトラエチルすず（ＴＥＳｎ）を用いたところ
、同様にｌＸｌ０”〜３×１Ｑ１９ｃ「ｆｆという高濃
度のキャリア濃度が得られた。
本実施例方法を用いて、第２図および第３図に夫々断面
図で示す構造の試料を形成した。第２図に示す試料は、
まず、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ基板４２上に基板温度６
５０℃で５ｉｎ４をドーパントとしてｎ型ＧａＡｓ層４
３を２０００人成長した。成長を中断して基板温度を４
５０℃に変えた後、ＴＭＳｉをドーパントとしてｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓ低温成長層４４を１５０人成長した。再び成
長を中断して基板温度を６５０℃に変えた後、５ｉ）１
４をドーパントとしてｎ型ＩｎＧａＡｓオーミックコン
タクト層４５を５００人成長した。このとき成長層の表
面のモフォロジーは良好であった。その後、メタル電極
４１．４６を蒸着した。第３図に示す試料は、ｎ型Ｇａ
Ａｓ層４３と低温成長層４４の間に、基板温度６５０℃
でＳｉＨ，をドーパントとしてｎ型ＩｎｘＧａニー。Ａ
ｓ組成傾斜層５１を５００人成長した。ｎ型Ｉｎ、ｔＧ
ａｌ−ｘＡｓ組成傾斜層５１において、そのＸはバッフ
ァ層のｎ型ＧａＡｓ層４３、から低温成長層に向かって
０から０．５まで連続的に変化させた。第３図において
、組成傾斜層５１以外の部分は、第２図に示した試料と
同様にして形成した。第３図におけるＩｎＧａＡｓ層の
表面モフォロジーは、第２図におけるＩｎＧａＡｓ層よ
りもさらに良好であった。第２図の電極４６の接触抵抗
を測定したところ、ｌＸｌ０−’Ωｄ以下の良好な値が
得られた。また第３図の電極４６の接触抵抗を測定した
ところ、同じ＜ Ｉ Ｘ １０−’Ωｄ以下の良好な値
が得られた。これらの値は。
図で示す構造の試料を形成した。第２図に示す試料は、
まず、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ基板４２上に基板温度６
５０℃で５ｉｎ４をドーパントとしてｎ型ＧａＡｓ層４
３を２０００人成長した。成長を中断して基板温度を４
５０℃に変えた後、ＴＭＳｉをドーパントとしてｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓ低温成長層４４を１５０人成長した。再び成
長を中断して基板温度を６５０℃に変えた後、５ｉ）１
４をドーパントとしてｎ型ＩｎＧａＡｓオーミックコン
タクト層４５を５００人成長した。このとき成長層の表
面のモフォロジーは良好であった。その後、メタル電極
４１．４６を蒸着した。第３図に示す試料は、ｎ型Ｇａ
Ａｓ層４３と低温成長層４４の間に、基板温度６５０℃
でＳｉＨ，をドーパントとしてｎ型ＩｎｘＧａニー。Ａ
ｓ組成傾斜層５１を５００人成長した。ｎ型Ｉｎ、ｔＧ
ａｌ−ｘＡｓ組成傾斜層５１において、そのＸはバッフ
ァ層のｎ型ＧａＡｓ層４３、から低温成長層に向かって
０から０．５まで連続的に変化させた。第３図において
、組成傾斜層５１以外の部分は、第２図に示した試料と
同様にして形成した。第３図におけるＩｎＧａＡｓ層の
表面モフォロジーは、第２図におけるＩｎＧａＡｓ層よ
りもさらに良好であった。第２図の電極４６の接触抵抗
を測定したところ、ｌＸｌ０−’Ωｄ以下の良好な値が
得られた。また第３図の電極４６の接触抵抗を測定した
ところ、同じ＜ Ｉ Ｘ １０−’Ωｄ以下の良好な値
が得られた。これらの値は。
ｎ”−ＧａＡｓをオーミックコンタクト層として用いた
場合に得られるＩ Ｘ １０−’Ωｄという値と比較し
て小さくなっている。
場合に得られるＩ Ｘ １０−’Ωｄという値と比較し
て小さくなっている。
なお、前記低温成長層のオーミックコンタクト層内にお
ける配置は、単層に限られるものでなく、該オーミック
コンタクト層と交互に積層して設けられてもよい。
ける配置は、単層に限られるものでなく、該オーミック
コンタクト層と交互に積層して設けられてもよい。
次に、前記低温成長層の成長温度については、多くの実
験を重ねた結果から３５０〜５００℃の範囲内に設定し
て良いことが確められた。
験を重ねた結果から３５０〜５００℃の範囲内に設定し
て良いことが確められた。
本発明によれば、ＭＯＣＶＤ法により、表面モフォロジ
ーが良好な高４子濃度のｎ型化合物半導体層を成長する
ことができる顕著な利点がある。
ーが良好な高４子濃度のｎ型化合物半導体層を成長する
ことができる顕著な利点がある。
例えば、ＧａＡｓ、 ＡｌＧａＡｓ層上にｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＮを１×１０１１０ｌ９”の高電子濃度に成長させ
ることができる。
ＡｓＮを１×１０１１０ｌ９”の高電子濃度に成長させ
ることができる。
この結果、ｎ型ＧａＡｓ層のオーミックコンタクト層と
してｎ型ＩｎにａＡｓを用いることができる。このため
、電極の接触抵抗値は、従来の高濃度ｎ型ＧａＡｓをオ
ーミックコンタクト層として用いていた場合より非常に
小さな値が得られる。本発明は、ペテロ接合バイポーラ
トランジスタ、ＲＥＮＴ （ＨｉｇｈＥｌｅｃｔｒｏｎ
Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＥＳ
ＦＥＴ （ＭＥｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等
のＧａＡｓ層 ＡｌＧａＡｓ系デバイスのｎ型層の良好
なオーミックコンタクト層として非常に広い利用範囲を
備える。
してｎ型ＩｎにａＡｓを用いることができる。このため
、電極の接触抵抗値は、従来の高濃度ｎ型ＧａＡｓをオ
ーミックコンタクト層として用いていた場合より非常に
小さな値が得られる。本発明は、ペテロ接合バイポーラ
トランジスタ、ＲＥＮＴ （ＨｉｇｈＥｌｅｃｔｒｏｎ
Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＥＳ
ＦＥＴ （ＭＥｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等
のＧａＡｓ層 ＡｌＧａＡｓ系デバイスのｎ型層の良好
なオーミックコンタクト層として非常に広い利用範囲を
備える。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例で使用したＭＯＣＶＤ装置の概
略を示す構成図、第２図および第３図はいずれも夫々が
実施例で作成した接触抵抗測定用試料の断面図である。
略を示す構成図、第２図および第３図はいずれも夫々が
実施例で作成した接触抵抗測定用試料の断面図である。
Claims (1)
- 有機金属気相成長法により第１の化合物半導体上にこ
れと格子定数が異なり伝導型がｎである第２の化合物半
導体層を成長温度３５０〜５００℃での低温成長を含む
複数工程で成長させる際に、前記低温成長工程はＳｉの
アルキル化物またはＳｎのアルキル化物を含むドーパン
ト原料を用いて成長を施すことを特徴とする化合物半導
体薄膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02080291A JP3116954B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02080291A JP3116954B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280419A true JPH03280419A (ja) | 1991-12-11 |
| JP3116954B2 JP3116954B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=13714171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02080291A Expired - Lifetime JP3116954B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116954B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459331A (en) * | 1993-05-10 | 1995-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, heterojunction bipolar transistor, and high electron mobility transistor |
| JP2014078595A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Hitachi Metals Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
| CN108376640A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-08-07 | 北京邮电大学 | InGaAs/Si外延材料的制备方法 |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP02080291A patent/JP3116954B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459331A (en) * | 1993-05-10 | 1995-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, heterojunction bipolar transistor, and high electron mobility transistor |
| JP2014078595A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Hitachi Metals Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
| CN108376640A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-08-07 | 北京邮电大学 | InGaAs/Si外延材料的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3116954B2 (ja) | 2000-12-11 |
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