JPS6272713A - 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS6272713A JPS6272713A JP60212606A JP21260685A JPS6272713A JP S6272713 A JPS6272713 A JP S6272713A JP 60212606 A JP60212606 A JP 60212606A JP 21260685 A JP21260685 A JP 21260685A JP S6272713 A JPS6272713 A JP S6272713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- parts
- epoxy resin
- weight
- epoxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置封Ｉｈ用エポキシ樹脂組成物に関し
、更に詳しくは、優れた耐熱衝撃性を有する硬化物を与
える半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
、更に詳しくは、優れた耐熱衝撃性を有する硬化物を与
える半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
近年、半導体装置の封１Ｆに関する分野においては、半
導体素子の高集積化に伴って、素子上の各種機億単位の
細密化、素子ペレット自体の大型化が急速に進んでいる
。これらの素子ペレットの変化により封止用樹脂も従来
の封！Ｆ用樹脂では耐熱衝撃性等の要求が満足できなく
なってきた。
導体素子の高集積化に伴って、素子上の各種機億単位の
細密化、素子ペレット自体の大型化が急速に進んでいる
。これらの素子ペレットの変化により封止用樹脂も従来
の封！Ｆ用樹脂では耐熱衝撃性等の要求が満足できなく
なってきた。
従来、半導体装置の封止用樹脂として用いられているフ
ェノールポラ−７り樹脂で硬化させるエポキシ樹脂組成
物は吸湿性、高温電気特性、成形性などが優れ、モール
ド用樹脂の主流となっている。
ェノールポラ−７り樹脂で硬化させるエポキシ樹脂組成
物は吸湿性、高温電気特性、成形性などが優れ、モール
ド用樹脂の主流となっている。
しかし、この系統の樹脂組成物を用いて大型でかつ微細
な表面構造を有する素子ペレットを封止すると、素子ペ
レット表面のアルミニウム（ｌｊ ）パターンを保護す
るための被覆材であるリンケイ酸ガラス（ｐｓｃ）膜や
窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜に割れを生じたり、素子ペレッ
トに割れを生じたりする。
な表面構造を有する素子ペレットを封止すると、素子ペ
レット表面のアルミニウム（ｌｊ ）パターンを保護す
るための被覆材であるリンケイ酸ガラス（ｐｓｃ）膜や
窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜に割れを生じたり、素子ペレッ
トに割れを生じたりする。
特に冷熱サイクル試験を実施した場合に、その傾向が非
常に大きい。その結果、ペレット割れによる素子特性の
不良や保護膜の割れに起因してＡｎパターンの腐食によ
る不良などを生じる。
常に大きい。その結果、ペレット割れによる素子特性の
不良や保護膜の割れに起因してＡｎパターンの腐食によ
る不良などを生じる。
そこで、このような問題の対策としては、封止樹脂の内
部封入物に対する応力を小さくし、かつ封止樹脂と素子
上のＰＳＧ膜やＳｉＮ膜などのガラス膜との密着性を大
きくする必要がある。しかも、硬化物については、素子
表面のＡｎパターンの腐食を極力防市するために、加水
分解性のハロゲン化合物、特に塩素濃度を低くおさえ、
かつ吸湿時や高温時の電気絶縁性能を高レベルに保つ必
要がある。
部封入物に対する応力を小さくし、かつ封止樹脂と素子
上のＰＳＧ膜やＳｉＮ膜などのガラス膜との密着性を大
きくする必要がある。しかも、硬化物については、素子
表面のＡｎパターンの腐食を極力防市するために、加水
分解性のハロゲン化合物、特に塩素濃度を低くおさえ、
かつ吸湿時や高温時の電気絶縁性能を高レベルに保つ必
要がある。
特開昭５８〜１８４２０４号公報には、エポキシ樹脂。
ノボラック型フェノール樹脂及びポリエステルエラスト
マーからなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が記載さ
れているが、この組成物は十分に満足できる耐熱衝撃性
を有する硬化物を与えるものではなかった。
マーからなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が記載さ
れているが、この組成物は十分に満足できる耐熱衝撃性
を有する硬化物を与えるものではなかった。
本発明の目的は、−上記した欠点の解消にあり優れた１
耐熱衝撃性を有する硬化物を与える半導体装置封止用エ
ポキシ樹脂組成物を提供することにある。
耐熱衝撃性を有する硬化物を与える半導体装置封止用エ
ポキシ樹脂組成物を提供することにある。
本発明者らは、樹脂封止型の半導体装置の信頼性を改善
すべく鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物の成分として
フェノールアラルキル樹脂と後述する粒径のポリエステ
ルエラストマーとを併用することにより、その組成物が
優れた耐熱衝撃性を有する硬化物を与えることを見い出
し、本発明を完成するに到った。
すべく鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物の成分として
フェノールアラルキル樹脂と後述する粒径のポリエステ
ルエラストマーとを併用することにより、その組成物が
優れた耐熱衝撃性を有する硬化物を与えることを見い出
し、本発明を完成するに到った。
すなわち、本発明の半導体装置封止用エポキシ樹１ｆｆ
Ｌ組成物は、 ａ） １分子中にエポキシ基を少なくとも２個有する
エポキシ樹脂 １００重量部ｂ） ノボラ
ック型フェノール樹脂 １０〜５０重量部 Ｃ）フェノールアラルキル樹脂 １０〜５０重量部 であって （ｂ）＋（ｃ）の合計量が５０〜９０重量部
ｄ）粒径 ２５０戸以下のポリエステルエラストマー粉
末 ２〜４０重量部から成ることを特
徴とするものである。
Ｌ組成物は、 ａ） １分子中にエポキシ基を少なくとも２個有する
エポキシ樹脂 １００重量部ｂ） ノボラ
ック型フェノール樹脂 １０〜５０重量部 Ｃ）フェノールアラルキル樹脂 １０〜５０重量部 であって （ｂ）＋（ｃ）の合計量が５０〜９０重量部
ｄ）粒径 ２５０戸以下のポリエステルエラストマー粉
末 ２〜４０重量部から成ることを特
徴とするものである。
本発明に係る組成物中の一成分であるエポキシ樹脂（ａ
）は１分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するもの
であればいかなるものであってもよく、例えば、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂。
）は１分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するもの
であればいかなるものであってもよく、例えば、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂。
ノボラック型エポキシ樹脂、脂項型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂が挙げられ、これらを組
み合わせても良い。これらのエポキシ樹脂の具体例とし
ては、 ＥＯＣＮ−１０２３（日本化薬■、を化点７ａ
℃、エポキシ当量２１５）、ＥＳｃＮ−１９５ＸＬ（仕
置化学■、軟化点７１℃、エポキシ当ｒｌ１９８）、Ｅ
Ｃ：Ｎ−１２７３（チパヵイギー社、軟化点７３℃、エ
ポキシ当ｉ ２３０）、ＥＰＰＮ−２０１（Ｅ本化薬■
、軟化点６５℃、エポキシ当量１８］）、エピコート＋
００１ （シェル化学、軟化点７０℃、エポキシ当量４
７５）、チッソノックス２０１（チッソ株、粘度１８０
０ｃｐｓ（２５℃）、エポキシ当量１５４）、チッソノ
ックス２８９（チッソ■、粘度８？０ｃｐｓ （２５℃
）、エポキシ当量２１ｓ）などが挙げられる。上記エポ
キシ樹脂の中でも、軟化点６０〜１００℃を有するもの
が好ましく、特に好ましくは７０〜８５℃を有するもの
である。また、エポキシ当量 １００〜３００を有する
ものが好ましく、特に好ましくは １７５〜２２０を有
するものである。
シジルエステル型エポキシ樹脂が挙げられ、これらを組
み合わせても良い。これらのエポキシ樹脂の具体例とし
ては、 ＥＯＣＮ−１０２３（日本化薬■、を化点７ａ
℃、エポキシ当量２１５）、ＥＳｃＮ−１９５ＸＬ（仕
置化学■、軟化点７１℃、エポキシ当ｒｌ１９８）、Ｅ
Ｃ：Ｎ−１２７３（チパヵイギー社、軟化点７３℃、エ
ポキシ当ｉ ２３０）、ＥＰＰＮ−２０１（Ｅ本化薬■
、軟化点６５℃、エポキシ当量１８］）、エピコート＋
００１ （シェル化学、軟化点７０℃、エポキシ当量４
７５）、チッソノックス２０１（チッソ株、粘度１８０
０ｃｐｓ（２５℃）、エポキシ当量１５４）、チッソノ
ックス２８９（チッソ■、粘度８？０ｃｐｓ （２５℃
）、エポキシ当量２１ｓ）などが挙げられる。上記エポ
キシ樹脂の中でも、軟化点６０〜１００℃を有するもの
が好ましく、特に好ましくは７０〜８５℃を有するもの
である。また、エポキシ当量 １００〜３００を有する
ものが好ましく、特に好ましくは １７５〜２２０を有
するものである。
この （ａ）成分には、好ましくは、エポキシ樹脂１０
０重量部に対して、３０重量部までの難燃エポキシ樹脂
を加えることで、構成される。
０重量部に対して、３０重量部までの難燃エポキシ樹脂
を加えることで、構成される。
本発明に係るノボラック型フェノール樹脂（ｂ）は（ａ
）成分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであ
り、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラック樹脂などのフェノール性水酸基を２個以上有す
るものが挙げられる。前記ノボラック型フェノール樹脂
の中でも、軟化点６０〜１２０℃を有するものが好まし
く、特に好ましくは８０〜１００℃を有するものであり
、水酸基当量１００〜１５０を有するものが好ましく、
特に好ましくは １００〜１１０を有するものである。
）成分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであ
り、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラック樹脂などのフェノール性水酸基を２個以上有す
るものが挙げられる。前記ノボラック型フェノール樹脂
の中でも、軟化点６０〜１２０℃を有するものが好まし
く、特に好ましくは８０〜１００℃を有するものであり
、水酸基当量１００〜１５０を有するものが好ましく、
特に好ましくは １００〜１１０を有するものである。
本発明に係るフェノールアラルキル樹脂（ｃ）はアラル
キルエーテルとフェノールとをフリーデルクラフッ触媒
で反応させた樹脂で、フリーゾルタラフッ型樹脂とも呼
ばれる。α、α°−ジメトキシーＰ−キシレンと２エノ
ールモノマーのｍ合１合化合物が良く知られている。（
プラスチックスＶｏＬ ３４． Ｎｏ ２． Ｐ８５）
、具体的には、ＸＬ−２２５（三井東圧化学■、軟化点
８５℃〜１０５℃） 、 ＸＹＬＯＫ−２２５フルブラ
イト−アンド・ウィルソン■、軟化点８５°Ｃ〜 １０
５℃）などが挙げられる。これらフェノールアラルキル
樹脂の中でも軟化点８０℃〜 １２０℃を有するものが
好ましく、特に好ましくは８５℃〜１０５℃を有するも
のであり水酸基当量は、１９５〜２３５℃を有するもの
が好ましい。
キルエーテルとフェノールとをフリーデルクラフッ触媒
で反応させた樹脂で、フリーゾルタラフッ型樹脂とも呼
ばれる。α、α°−ジメトキシーＰ−キシレンと２エノ
ールモノマーのｍ合１合化合物が良く知られている。（
プラスチックスＶｏＬ ３４． Ｎｏ ２． Ｐ８５）
、具体的には、ＸＬ−２２５（三井東圧化学■、軟化点
８５℃〜１０５℃） 、 ＸＹＬＯＫ−２２５フルブラ
イト−アンド・ウィルソン■、軟化点８５°Ｃ〜 １０
５℃）などが挙げられる。これらフェノールアラルキル
樹脂の中でも軟化点８０℃〜 １２０℃を有するものが
好ましく、特に好ましくは８５℃〜１０５℃を有するも
のであり水酸基当量は、１９５〜２３５℃を有するもの
が好ましい。
」二足（ｂ）、 （ｃ）の添加量は、 （ｂ） ＋ （
ｃ）の合計量がエポキシ樹脂１００重量部に対し、５０
重量部〜８０重量部の範囲で加えることが必要である。
ｃ）の合計量がエポキシ樹脂１００重量部に対し、５０
重量部〜８０重量部の範囲で加えることが必要である。
この配合割合が５０重量部未満の場合には、樹脂硬化物
の強度が弱くなり好ましくなく、一方８０重量部を超え
る場合には、封止樹脂の耐湿性が低下し、好ましくない
、ノボラック型フェノール樹脂とフェノールアラルキル
樹脂の添加量は、上記条件を満たす範囲内で、かつ、そ
れぞれ１０〜５０屯驕部の範囲内で選択できる。
の強度が弱くなり好ましくなく、一方８０重量部を超え
る場合には、封止樹脂の耐湿性が低下し、好ましくない
、ノボラック型フェノール樹脂とフェノールアラルキル
樹脂の添加量は、上記条件を満たす範囲内で、かつ、そ
れぞれ１０〜５０屯驕部の範囲内で選択できる。
フェノール樹脂が１０重量部未満では十分な成形品の硬
さが得られず、一方、フェノールアラルキル樹脂がＩＱ
＋！′ｆ、４部未満では十分な耐８衝撃性が得られない
。
さが得られず、一方、フェノールアラルキル樹脂がＩＱ
＋！′ｆ、４部未満では十分な耐８衝撃性が得られない
。
また、フェノール樹脂が５０重量部を超える場合には、
十分な耐湿性が得られず、一方、フェノールアラルキル
樹脂が５０重量部を超える場合には。
十分な耐湿性が得られず、一方、フェノールアラルキル
樹脂が５０重量部を超える場合には。
粘度が高く成形品が悪くなる。
本発明にかかるポリエステルエラストマー粉末は、一般
にポリエステルエラストマーとして知られているもので
あって、粒径２５０ｕ＋以下の粒径を有するものであれ
ばいかなるものであってもよい。ポリエステルエラスト
マーとしては１例えば、ハードセグメントとして芳香族
ポリエステルを有し、かつソフトセグメントとして脂肪
族ポリエーテルを有するポリエステル−ポリエーテル型
のポリエステルエラストマー；ハードセグメントとして
芳香族ポリエステルを有し、かつソフトセグメントとし
て脂肪族ポリエステルを有するポリエステル−ポリエス
テル型のポリエステルエラストマーが挙げられる。この
ポリエステルエラストマーは、通常、 １２０〜２５０
℃の融点を有するものであり、好ましくは １４０〜２
２０℃の融点を有するものである。また、ポリエステル
エラストマー粉末の粒径は、組成物の成形性を考慮すれ
ば、粒径を２５０ｕ以下のものであることが必要である
。好ましくは １４９−以下のものである。なお、粉末
の形態は格別限定されない。
にポリエステルエラストマーとして知られているもので
あって、粒径２５０ｕ＋以下の粒径を有するものであれ
ばいかなるものであってもよい。ポリエステルエラスト
マーとしては１例えば、ハードセグメントとして芳香族
ポリエステルを有し、かつソフトセグメントとして脂肪
族ポリエーテルを有するポリエステル−ポリエーテル型
のポリエステルエラストマー；ハードセグメントとして
芳香族ポリエステルを有し、かつソフトセグメントとし
て脂肪族ポリエステルを有するポリエステル−ポリエス
テル型のポリエステルエラストマーが挙げられる。この
ポリエステルエラストマーは、通常、 １２０〜２５０
℃の融点を有するものであり、好ましくは １４０〜２
２０℃の融点を有するものである。また、ポリエステル
エラストマー粉末の粒径は、組成物の成形性を考慮すれ
ば、粒径を２５０ｕ以下のものであることが必要である
。好ましくは １４９−以下のものである。なお、粉末
の形態は格別限定されない。
これらのポリエステルエラストマーの具体例としては、
ペルプレンＰＩ３０Ｎ（東洋紡１ａｆｌｌＪ、融点１７
０℃）、ペルプレンＰ７０Ｂ （東洋紡績■、融点２０
０℃）、ペルプレンＳ−３０００（東洋紡績■、融点２
１６℃）、ハイトレルＨＴＣ−２３５１（デュポン■、
融点１４７℃）、ハイトレル４０７５ （デュポン■、
融点１７４ ℃）、ハイトレル４７８Ｂ （デュポン■
、融点２１３℃）、ハイトレルＨＴＣ−２８１１（デュ
ポン■、融点２１４℃）が挙げられる。
ペルプレンＰＩ３０Ｎ（東洋紡１ａｆｌｌＪ、融点１７
０℃）、ペルプレンＰ７０Ｂ （東洋紡績■、融点２０
０℃）、ペルプレンＳ−３０００（東洋紡績■、融点２
１６℃）、ハイトレルＨＴＣ−２３５１（デュポン■、
融点１４７℃）、ハイトレル４０７５ （デュポン■、
融点１７４ ℃）、ハイトレル４７８Ｂ （デュポン■
、融点２１３℃）、ハイトレルＨＴＣ−２８１１（デュ
ポン■、融点２１４℃）が挙げられる。
この（ｄ）成分の配合割合は、通常、２〜４（ｌ［ｉｉ
部で、好ましくはｌＯ〜３０重賃部である。この配合割
合が２重畳部未満の場合には、＃熱＃ｒ撃性能の改良効
果が十分でなく、４０重脣部を超える場合には樹脂の成
形性が劣化して好ましくない。
部で、好ましくはｌＯ〜３０重賃部である。この配合割
合が２重畳部未満の場合には、＃熱＃ｒ撃性能の改良効
果が十分でなく、４０重脣部を超える場合には樹脂の成
形性が劣化して好ましくない。
つぎに１本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物
の製造方法について述べる。
の製造方法について述べる。
本発明の組成物は、丑記した各成分を、加熱ロールによ
る溶融混練、ニーダ−による溶融混線、押出機による溶
融混練、微粉砕後の特殊混合機による混合及びこれらの
各方法の適宜な組合せによって容易に製造することがで
きる。
る溶融混練、ニーダ−による溶融混線、押出機による溶
融混練、微粉砕後の特殊混合機による混合及びこれらの
各方法の適宜な組合せによって容易に製造することがで
きる。
なお１本発明の組成物は、必要に応じて、イミダゾール
もしくはその誘導体、第三級アミン系誘ｉ体、ホスフィ
ン誘導体、シクロアミジン誘導体などの硬化促進剤；ジ
ルコン、シリカ、溶融石英ガラス、アルミナ、水酸化ア
ルミニウム、ガラス石英ガラス、ケイ酸カルシウム、石
コウ、炭酸カルシウム、マグネサイト、クレー、カオリ
ン、タルク、鉄粉、銅粉、マイカ、アスベスト、炭化珪
素、窒化ホウ素、二酸化モリブデン、鉛化合物、鉛醜化
物、亜鉛華、チタン白、カーボンブラックなどの充填剤
；高級脂肪酸、ワックス類などの離型剤；エポキシシラ
ン、ビニルシラン、アミノシラン、ポラン系化合物、ア
ルコキシチタネート系化合物、アルミキレート系化合物
などのカップリング剤；アンチモン、リン化合物、臭素
や塩素を含む公知の難燃化剤が配合されてもよい、又、
耐熱衝撃性等の改良目的でシリコーンオイルなど各種の
改良剤を添加してもよい。
もしくはその誘導体、第三級アミン系誘ｉ体、ホスフィ
ン誘導体、シクロアミジン誘導体などの硬化促進剤；ジ
ルコン、シリカ、溶融石英ガラス、アルミナ、水酸化ア
ルミニウム、ガラス石英ガラス、ケイ酸カルシウム、石
コウ、炭酸カルシウム、マグネサイト、クレー、カオリ
ン、タルク、鉄粉、銅粉、マイカ、アスベスト、炭化珪
素、窒化ホウ素、二酸化モリブデン、鉛化合物、鉛醜化
物、亜鉛華、チタン白、カーボンブラックなどの充填剤
；高級脂肪酸、ワックス類などの離型剤；エポキシシラ
ン、ビニルシラン、アミノシラン、ポラン系化合物、ア
ルコキシチタネート系化合物、アルミキレート系化合物
などのカップリング剤；アンチモン、リン化合物、臭素
や塩素を含む公知の難燃化剤が配合されてもよい、又、
耐熱衝撃性等の改良目的でシリコーンオイルなど各種の
改良剤を添加してもよい。
以上に詳述した通り、本発明の半導体装置封止エポキシ
樹脂組成物は、その硬化剤が優れた耐熱衝撃性を有する
ものであり、高集積度の半導体装置等の用途における実
用的価値は極めて大と言える。
樹脂組成物は、その硬化剤が優れた耐熱衝撃性を有する
ものであり、高集積度の半導体装置等の用途における実
用的価値は極めて大と言える。
以下において、実施例及び比較例を掲げ、本発明を更に
詳しく説明する。
詳しく説明する。
なお、実施例及び比較例中、「部」は全て「重に部」を
示す。
示す。
凡呈遺」
オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＳＣＮ
−１９５ＸＬ ：仕置化学株）（軟化点＝７１℃、エポ
キシ当−３： ＩＬ８） １００部、ブロム化フェノ
ールノポラックエボキシ樹脂（ＢＲＥＮ−Ｓ ：日本化
薬■）（臭素含有量３ｏｚ、軟化点＝８７℃、エポキシ
当ｆｉ ２８８）１８部、フェノールノボラック樹脂（
ＢＲＭ−５５８：昭和ユニオン合！ｉ、ｆｌ）（軟化点
９８°Ｃ１水酸基当ｌ １０４）３６部、フェノールア
ラルキル樹脂（ＸＬ−２２５：三井東圧化学■）（軟化
点９５℃、水酸基当量１９ｆｌ）３８部、ポリエステル
エラストマー（ベルプレンＰ−１５０Ｍ； 東洋紡績■
）（６０メツシユ（２５０μｓ）バス、融点 １７０’
Ｃり１２部、更に硬化促進剤としてトルフェニルポスフ
ィン １．５部、離型剤としてカルナウバろう１部、着
色剤としてカーボン粉末 １．８部、充填剤として溶融
シリカ粉５０５部、難燃助剤として三酸化アンチモン粉
末１５部、充填剤の表面処理のためエポキシシラン系カ
ップリング剤２．４部を配合し、７０〜１００℃の二軸
ロールで混練し、冷却粉砕し、タブレット化して本発明
の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
−１９５ＸＬ ：仕置化学株）（軟化点＝７１℃、エポ
キシ当−３： ＩＬ８） １００部、ブロム化フェノ
ールノポラックエボキシ樹脂（ＢＲＥＮ−Ｓ ：日本化
薬■）（臭素含有量３ｏｚ、軟化点＝８７℃、エポキシ
当ｆｉ ２８８）１８部、フェノールノボラック樹脂（
ＢＲＭ−５５８：昭和ユニオン合！ｉ、ｆｌ）（軟化点
９８°Ｃ１水酸基当ｌ １０４）３６部、フェノールア
ラルキル樹脂（ＸＬ−２２５：三井東圧化学■）（軟化
点９５℃、水酸基当量１９ｆｌ）３８部、ポリエステル
エラストマー（ベルプレンＰ−１５０Ｍ； 東洋紡績■
）（６０メツシユ（２５０μｓ）バス、融点 １７０’
Ｃり１２部、更に硬化促進剤としてトルフェニルポスフ
ィン １．５部、離型剤としてカルナウバろう１部、着
色剤としてカーボン粉末 １．８部、充填剤として溶融
シリカ粉５０５部、難燃助剤として三酸化アンチモン粉
末１５部、充填剤の表面処理のためエポキシシラン系カ
ップリング剤２．４部を配合し、７０〜１００℃の二軸
ロールで混練し、冷却粉砕し、タブレット化して本発明
の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
得られた組成物を用いて、低圧トランスファー成形機（
東亜精機５０トンプレス）により １７５℃、８０Ｋｇ
／ ｃｍ 、 １２０秒の条件で表面にＰＳＧ層を有
する大型ベレット評価用試料素子（８ｍｍＸ ８部層）
を封止した。
東亜精機５０トンプレス）により １７５℃、８０Ｋｇ
／ ｃｍ 、 １２０秒の条件で表面にＰＳＧ層を有
する大型ベレット評価用試料素子（８ｍｍＸ ８部層）
を封止した。
得られた試料素子について耐熱衝撃性、機械特性（曲げ
弾性率、曲げ強さ）及び熱特性（ガラス転移点、熱膨張
係数）を評価するために、後述する各試験を実施した。
弾性率、曲げ強さ）及び熱特性（ガラス転移点、熱膨張
係数）を評価するために、後述する各試験を実施した。
耐熱衝撃性試験−得られた試料素子２０個を用い一り５
℃〜 １５０℃の範囲で表に示すサイクル数だけ急熱、
急冷し、クラック発生の有無により耐熱衝撃性を試験し
た。クラック発生の有無は発煙憤酸を用いて成形用樹脂
を溶かし去り、顕微鏡で確認した。
℃〜 １５０℃の範囲で表に示すサイクル数だけ急熱、
急冷し、クラック発生の有無により耐熱衝撃性を試験し
た。クラック発生の有無は発煙憤酸を用いて成形用樹脂
を溶かし去り、顕微鏡で確認した。
曲げ弾性率はＪＩＳＫ−６９１１に準じて測定した。
曲げ強さはＪＩＳＫ−Ｅｉ９１１に準じて測定した。
ガラス転移点は真空理工型の熱膨張計を用い、熱膨張カ
ーブの変曲点より求めた。
ーブの変曲点より求めた。
熱膨張係数は真空理工製膨張針を用いて測定した。
災Ｊｌヱ
実施例１のポリエステルエラストマー全２４部、溶融シ
リカ粉を ４９３部とした以外は、実施例１と同様にし
て本発明の組成物を得、同様の評価試験を実施した。結
果を表に示す。
リカ粉を ４９３部とした以外は、実施例１と同様にし
て本発明の組成物を得、同様の評価試験を実施した。結
果を表に示す。
支亙漬］
実施例１のポリエステルエラストマーをベルブＬ／ ７
Ｐ−２８０Ｂ （東洋紡績■、 １５０ メ−／ シュ
（１０５牌）パス、融点２１８℃）とした以外は、実施
例１と同様にして本発明の組成物を得、同様の評価試験
を実施した。結果を表に示す。
Ｐ−２８０Ｂ （東洋紡績■、 １５０ メ−／ シュ
（１０５牌）パス、融点２１８℃）とした以外は、実施
例１と同様にして本発明の組成物を得、同様の評価試験
を実施した。結果を表に示す。
支呈遺」
実施例１のフェノールノポラー２り樹脂を５０部、フェ
ノールアラルキル樹脂２０部とした以外は、実施例１と
同様にして本発明の組成物を得、同様の評価試験を実施
した。結果を表に示す。
ノールアラルキル樹脂２０部とした以外は、実施例１と
同様にして本発明の組成物を得、同様の評価試験を実施
した。結果を表に示す。
ル較逍」
実施例１のポリエステルエラストマー１２部と、フェノ
ールアラルキル樹脂３２部を用いず１代えてフェノール
ノボラック樹脂を５０部に増量し、フィラーの充＠量を
一定にするため、溶融シリカ粉を４３７部にした以外は
、実施例１と同様にして比較用の組成物を得、同様の評
価試験を実施した。結果を表に示す。
ールアラルキル樹脂３２部を用いず１代えてフェノール
ノボラック樹脂を５０部に増量し、フィラーの充＠量を
一定にするため、溶融シリカ粉を４３７部にした以外は
、実施例１と同様にして比較用の組成物を得、同様の評
価試験を実施した。結果を表に示す。
Ｌ笠逍」
実施例１のポリエステルエラストマー１２部を用いず、
代えて溶融シリカ粉１２部をさらに加えた以外は、実施
例１と同様にして比較用の組成物を得、同様の評価試験
を実施した。結果を表に示す。
代えて溶融シリカ粉１２部をさらに加えた以外は、実施
例１と同様にして比較用の組成物を得、同様の評価試験
を実施した。結果を表に示す。
皿狡皇」
実施例１のフェノールアラルキル樹脂３２部を用いず、
フェノールノボラック樹脂を５０部に、また溶融シリカ
粉を ４６８部に変更した以外は、実施例１と同様にし
て比較用の組成物を得、同様の評価試験を実施した。結
果を表に示す。
フェノールノボラック樹脂を５０部に、また溶融シリカ
粉を ４６８部に変更した以外は、実施例１と同様にし
て比較用の組成物を得、同様の評価試験を実施した。結
果を表に示す。
Ｌ狡■」
実施例１のポリエステルエラストマー粉末を６０メツシ
ユ（２５３ｇ） ハス粉末から３２メツシユ（５ｏｏｕ
）バス粉末に変えた以外は、実施例１と同様にして、
比較用の組成物を得た。得られた組成物を用いて、低圧
トランスファー成形機で成形したところ、成形品の表面
が汚れ、実用には不適であった。
ユ（２５３ｇ） ハス粉末から３２メツシユ（５ｏｏｕ
）バス粉末に変えた以外は、実施例１と同様にして、
比較用の組成物を得た。得られた組成物を用いて、低圧
トランスファー成形機で成形したところ、成形品の表面
が汚れ、実用には不適であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）１分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するエ
ポキシ樹脂１００重量部 （ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 １０〜５０重量部 （ｃ）フェノールアラルキル樹脂１０〜５０重量部であ
って、（ｂ）＋（ｃ）の合計量が ５０〜９０重量部 （ｄ）粒径２５０μｍ以下のポリエステルエラストマー
粉末２〜４０重量部 からなることを特徴とする半導体装置封止用エポキシ樹
脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212606A JPS6272713A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212606A JPS6272713A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272713A true JPS6272713A (ja) | 1987-04-03 |
Family
ID=16625473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212606A Pending JPS6272713A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6272713A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222322A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| WO1996002592A1 (fr) * | 1994-07-18 | 1996-02-01 | Toray Industries, Inc. | Composition de resine epoxyde, preimpregne et materiau composite renforce par des fibres |
| CN106866979A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-06-20 | 江苏中路交通科学技术有限公司 | 新型高性能水性环氧树脂的合成及其在防水粘结层中的应用 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60212606A patent/JPS6272713A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222322A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| WO1996002592A1 (fr) * | 1994-07-18 | 1996-02-01 | Toray Industries, Inc. | Composition de resine epoxyde, preimpregne et materiau composite renforce par des fibres |
| CN106866979A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-06-20 | 江苏中路交通科学技术有限公司 | 新型高性能水性环氧树脂的合成及其在防水粘结层中的应用 |
| CN106866979B (zh) * | 2017-03-22 | 2019-12-06 | 江苏中路交通科学技术有限公司 | 高性能水性环氧树脂的合成及其在防水粘结层中的应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890003362B1 (ko) | 반도체장치 봉합용 에폭시수지 조성물 | |
| JPH066626B2 (ja) | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| KR970004948B1 (ko) | 수지 봉지형 반도체 장치 | |
| JPH05331263A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JPH05259316A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP4067639B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び硬化物 | |
| JPS6272713A (ja) | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS63230725A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2002356539A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4379973B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPS61221219A (ja) | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6153320A (ja) | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3479818B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4145438B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPS6272714A (ja) | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS6245615A (ja) | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3204706B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2000309678A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPS62209127A (ja) | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS62181322A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP4639412B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| KR910008562B1 (ko) | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 | |
| JP2593518B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 | |
| JPH11343386A (ja) | フェノール樹脂組成物及びそれを配合したエポキシ樹脂組成物 | |
| JP3889482B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |