JP2593518B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料Info
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- JP2593518B2 JP2593518B2 JP12127188A JP12127188A JP2593518B2 JP 2593518 B2 JP2593518 B2 JP 2593518B2 JP 12127188 A JP12127188 A JP 12127188A JP 12127188 A JP12127188 A JP 12127188A JP 2593518 B2 JP2593518 B2 JP 2593518B2
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- epoxy resin
- epoxy
- molding material
- resin
- resin molding
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は半導体封止用エポキシ樹脂成形材料に関し、
特に耐熱衝撃性、耐湿性に優れたものである。
特に耐熱衝撃性、耐湿性に優れたものである。
（従来の技術） 近年、電子部品の小形化や半導体素子の大型化、集積
度の増大等に伴い、耐熱衝撃性、耐湿性に優れた封止用
樹脂の開発が望まれている。特に、チップ面積が大きい
大型素子をFP（フラットパッケージ）、SO（スモールア
ウトラインパッケージ）などの薄形パッケージ化した場
合の信頼性の確保が重要な課題となっている。つまり、
FPタイプやSOタイプの樹脂封止パッケージを高温ハンダ
で表面実装する際に、パッケージ内部に吸湿された水分
が一気にガス化してパッケージクラックを生じたり、素
子と樹脂がひきはがされて水分が侵入しやすくなり、耐
湿性が急激に劣化することが問題となっている。
度の増大等に伴い、耐熱衝撃性、耐湿性に優れた封止用
樹脂の開発が望まれている。特に、チップ面積が大きい
大型素子をFP（フラットパッケージ）、SO（スモールア
ウトラインパッケージ）などの薄形パッケージ化した場
合の信頼性の確保が重要な課題となっている。つまり、
FPタイプやSOタイプの樹脂封止パッケージを高温ハンダ
で表面実装する際に、パッケージ内部に吸湿された水分
が一気にガス化してパッケージクラックを生じたり、素
子と樹脂がひきはがされて水分が侵入しやすくなり、耐
湿性が急激に劣化することが問題となっている。
従来、電子部品の封止用樹脂としては、フェノールノ
ボラック樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂成形材料が使
用されてきた。しかし、こうしたエポキシ樹脂成形材料
は半導体の封止樹脂として要求される上記特性を満足す
るものではなかった。
ボラック樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂成形材料が使
用されてきた。しかし、こうしたエポキシ樹脂成形材料
は半導体の封止樹脂として要求される上記特性を満足す
るものではなかった。
そこで、フェノールノボラック硬化タイプのエポキシ
樹脂成形材料を耐熱化することにより、上記問題点の解
決を図ることが試みられてきた。例えば、硬化促進剤の
変更、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の高分子量化や
低当量化によるガラス転移温度の向上や高温破断強度の
改善が検討されたが、上記問題点の解決までには至って
いない。
樹脂成形材料を耐熱化することにより、上記問題点の解
決を図ることが試みられてきた。例えば、硬化促進剤の
変更、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の高分子量化や
低当量化によるガラス転移温度の向上や高温破断強度の
改善が検討されたが、上記問題点の解決までには至って
いない。
また、フェノールノボラック樹脂の代わりに、トリス
（ヒドロキシフェニル）メタンのような低OH当量のフェ
ノール性化合物を用いて耐熱性を向上させる試み（特開
昭62−184012号）がすでになされている。こうしたエポ
キシ樹脂成形材料では、確かにガラス転移温度や高温で
の破断強度は向上する。しかし、実際に表面実装後の耐
湿信頼性を調べてみると、その向上はほとんど認められ
なかった。この理由として、従来のフェノールノボラッ
ク硬化タイプのエポキシ樹脂成形材料と比べて吸湿率が
高い、電気絶縁特性が低い、接着力が低いなどが考えら
れる。
（ヒドロキシフェニル）メタンのような低OH当量のフェ
ノール性化合物を用いて耐熱性を向上させる試み（特開
昭62−184012号）がすでになされている。こうしたエポ
キシ樹脂成形材料では、確かにガラス転移温度や高温で
の破断強度は向上する。しかし、実際に表面実装後の耐
湿信頼性を調べてみると、その向上はほとんど認められ
なかった。この理由として、従来のフェノールノボラッ
ク硬化タイプのエポキシ樹脂成形材料と比べて吸湿率が
高い、電気絶縁特性が低い、接着力が低いなどが考えら
れる。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は上記問題点を解決するためになされたもので
あり、半導体封止用成形材料として要求される耐熱衝撃
性やその他の特性、特に表面実装時の高温半田に耐えて
高い耐湿性を保証できる高信頼性のエポキシ樹脂成形材
料を提供することを目的とする。
あり、半導体封止用成形材料として要求される耐熱衝撃
性やその他の特性、特に表面実装時の高温半田に耐えて
高い耐湿性を保証できる高信頼性のエポキシ樹脂成形材
料を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段と作用） 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料は、
（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）以下の構造式で示されるフ
ェノール性化合物 （式中、Ｒは水素、アリール基又はアルキル基を表わ
し、それらの基は同一でも、それぞれ異なっていてもよ
い）、（ｃ）フェノールアラルキル樹脂、（ｄ）硬化促
進剤、及び（ｅ）無機質充填剤を必須成分とすることを
特徴とするものである。
（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）以下の構造式で示されるフ
ェノール性化合物 （式中、Ｒは水素、アリール基又はアルキル基を表わ
し、それらの基は同一でも、それぞれ異なっていてもよ
い）、（ｃ）フェノールアラルキル樹脂、（ｄ）硬化促
進剤、及び（ｅ）無機質充填剤を必須成分とすることを
特徴とするものである。
本発明のエポキシ樹脂成形材料では、硬化剤として
（ｂ）のフェノール性化合物と（ｃ）のフェノールアラ
ルキル樹脂を併用することにより、ガラス転移温度の向
上、高温破断強度の向上、吸湿率の低減、破断時の伸び
量の向上、接着性の向上が達成でき、その結果本発明の
エポキシ樹脂成形材料で封止した半導体デバイスでは耐
熱衝撃性と耐湿性を大幅に改善できる。
（ｂ）のフェノール性化合物と（ｃ）のフェノールアラ
ルキル樹脂を併用することにより、ガラス転移温度の向
上、高温破断強度の向上、吸湿率の低減、破断時の伸び
量の向上、接着性の向上が達成でき、その結果本発明の
エポキシ樹脂成形材料で封止した半導体デバイスでは耐
熱衝撃性と耐湿性を大幅に改善できる。
以下、本発明に係るエポキシ樹脂成形材料の構成成分
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
本発明に係る成形材料中の一成分である（ａ）エポキ
シ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有
するものであればいかなるものでもよい。ただし、耐熱
性の面からはエポキシ当量が250以下のエポキシ樹脂が
好ましい。エポキシ樹脂としては、例えばフェノールノ
ボラック形エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック
形エポキシ樹脂、ナフトールタイプのノボラック形エポ
キシ樹脂、メタクレゾールノボラック形エポキシ樹脂、
各種の耐熱エポキシ樹脂（例えばトリス（ヒドロキシフ
ェニル）メタンのエポキシ化物）が挙げられる。なお、
本発明の効果は以上に例示したエポキシ樹脂を使用した
場合に限られるものではなく、あらゆるエポキシ樹脂を
（ｂ）及び（ｃ）の硬化剤系との組合せで使用できる。
シ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有
するものであればいかなるものでもよい。ただし、耐熱
性の面からはエポキシ当量が250以下のエポキシ樹脂が
好ましい。エポキシ樹脂としては、例えばフェノールノ
ボラック形エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック
形エポキシ樹脂、ナフトールタイプのノボラック形エポ
キシ樹脂、メタクレゾールノボラック形エポキシ樹脂、
各種の耐熱エポキシ樹脂（例えばトリス（ヒドロキシフ
ェニル）メタンのエポキシ化物）が挙げられる。なお、
本発明の効果は以上に例示したエポキシ樹脂を使用した
場合に限られるものではなく、あらゆるエポキシ樹脂を
（ｂ）及び（ｃ）の硬化剤系との組合せで使用できる。
こうしたエポキシ樹脂を具体的に例示すると、ESCN−
195XL（住友化学（株）、軟化点79℃、エポキシ当量19
7）、ESX−220（住友化学（株）、軟化点87℃、エポキ
シ当量214）、ESMN−220（住友化学（株）、軟化点70
℃、エポキシ当量197）、EPPN−502N（日本化薬
（株）、軟化点71℃、エポキシ当量167）、EPPN−202
（日本化薬（株）、軟化点77℃、エポキシ当量189）、Y
L−933（油化シェルエポキシ（株）、軟化点59℃、エポ
キシ当量189）などが挙げられる。
195XL（住友化学（株）、軟化点79℃、エポキシ当量19
7）、ESX−220（住友化学（株）、軟化点87℃、エポキ
シ当量214）、ESMN−220（住友化学（株）、軟化点70
℃、エポキシ当量197）、EPPN−502N（日本化薬
（株）、軟化点71℃、エポキシ当量167）、EPPN−202
（日本化薬（株）、軟化点77℃、エポキシ当量189）、Y
L−933（油化シェルエポキシ（株）、軟化点59℃、エポ
キシ当量189）などが挙げられる。
本発明に係る成形材料中の一成分である（ｂ）フェノ
ール性化合物としては、以下の構造式で示される化合物
であればいかなるものでもよい。
ール性化合物としては、以下の構造式で示される化合物
であればいかなるものでもよい。
（式中、Ｒは水素、アリール基又はアルキル基を表わ
し、それらの基は同一でも、それぞれ異なっていてもよ
い） この場合、Ｒ又はOH基はフェニル基のどの位置に結合
していてもよい。
し、それらの基は同一でも、それぞれ異なっていてもよ
い） この場合、Ｒ又はOH基はフェニル基のどの位置に結合
していてもよい。
このようなフェノール性化合物としては、以下に示す
構造の化合物を例示できる。
構造の化合物を例示できる。
フェノール性化合物の具体例としては、［Ｉ］の構造
を有するものとして、YL−6065（油化シェルエポキシ
（株）、軟化点110℃、OH当量100）が挙げられる。
を有するものとして、YL−6065（油化シェルエポキシ
（株）、軟化点110℃、OH当量100）が挙げられる。
本発明に係る成形材料中の一成分である（ｃ）フェノ
ールアラルキル樹脂は、アラルキルエーテルとフェノー
ルとをフリーデルクラフツ触媒で反応させた樹脂で、フ
リーデルクラフツ形樹脂とも呼ばれる。このフェノール
アラルキル樹脂としては、以下の構造を有する2,2′−
ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノールモノマーとの縮
合重合化合物がよく知られている。
ールアラルキル樹脂は、アラルキルエーテルとフェノー
ルとをフリーデルクラフツ触媒で反応させた樹脂で、フ
リーデルクラフツ形樹脂とも呼ばれる。このフェノール
アラルキル樹脂としては、以下の構造を有する2,2′−
ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノールモノマーとの縮
合重合化合物がよく知られている。
フェノールアラルキル樹脂の具体例としては、XL−22
5（三井東圧化学（株）、軟化点90〜93℃、OH当量約19
6）、XYLOK−225（アルブライト・アンド・ウィルソン
（株）、軟化点85〜105℃）などがある。
5（三井東圧化学（株）、軟化点90〜93℃、OH当量約19
6）、XYLOK−225（アルブライト・アンド・ウィルソン
（株）、軟化点85〜105℃）などがある。
以上の樹脂成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の配合比は、
（ａ）のエポキシ基と（ｂ）＋（ｃ）のフェノール性水
酸基との当量比が、フェノール性水酸基／エポキシ基＝
0.7〜1.2となることが好ましい。これは、当量比が0.7
未満ではガラス転移温度が低くなり、一方1.2を超える
と耐湿性が低下する傾向があるためである。
（ａ）のエポキシ基と（ｂ）＋（ｃ）のフェノール性水
酸基との当量比が、フェノール性水酸基／エポキシ基＝
0.7〜1.2となることが好ましい。これは、当量比が0.7
未満ではガラス転移温度が低くなり、一方1.2を超える
と耐湿性が低下する傾向があるためである。
また、（ｂ）フェノール性化合物と（ｃ）フェノール
アラキル樹脂との配合比は、重量比で（ｃ）／（ｂ）＝
5/95〜50/50となることが好ましい。これは、フェノー
ルアラルキル樹脂の配合率が５重量％未満では耐湿性の
向上効果が少なく、一方50重量％を超えるとガラス転移
温度が低下し、耐熱性が低下する傾向があるためであ
る。
アラキル樹脂との配合比は、重量比で（ｃ）／（ｂ）＝
5/95〜50/50となることが好ましい。これは、フェノー
ルアラルキル樹脂の配合率が５重量％未満では耐湿性の
向上効果が少なく、一方50重量％を超えるとガラス転移
温度が低下し、耐熱性が低下する傾向があるためであ
る。
本発明に係る成形材料の一成分である（ｄ）硬化促進
剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との反応
を促進するものであればいかなるものであってもよく、
例えば各種のアミン類、各種のイミダゾール類、ジアザ
ビシクロアルケン類、有機ホスフィン類などが挙げられ
る。
剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との反応
を促進するものであればいかなるものであってもよく、
例えば各種のアミン類、各種のイミダゾール類、ジアザ
ビシクロアルケン類、有機ホスフィン類などが挙げられ
る。
こうした硬化促進剤を具体的に例示すると、２−エチ
ルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、ジアミノ
ジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ヘプ
タデシルイミダゾール、ジメチルアミノメチルフェノー
ル、ベンジルジメチルアミン、1,8−ジアザビシクロ
（5,4,0）ウンデセン−７（DBU）、DBUのフェノール塩
（例えば、Ｕ−CAT SA No1、サンアボット（株））、ト
リフェニルホスフィンなどが挙げられる。これらの硬化
促進剤のうちでは、電気特性の点から、DBU、DBUのフェ
ノール塩、トリフェニルホスフィンなどが好ましい。
ルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、ジアミノ
ジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ヘプ
タデシルイミダゾール、ジメチルアミノメチルフェノー
ル、ベンジルジメチルアミン、1,8−ジアザビシクロ
（5,4,0）ウンデセン−７（DBU）、DBUのフェノール塩
（例えば、Ｕ−CAT SA No1、サンアボット（株））、ト
リフェニルホスフィンなどが挙げられる。これらの硬化
促進剤のうちでは、電気特性の点から、DBU、DBUのフェ
ノール塩、トリフェニルホスフィンなどが好ましい。
このような硬化促進剤は、それぞれの触媒によって触
媒活性が異なるため、添加量の好適範囲は一概に決めら
れないが、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の総量に対して0.1
〜５重量％の範囲で加えることが好ましい。これは、0.
1重量％未満では硬化性能が劣化し、一方５重量％を超
えると耐湿性が劣化する傾向があるためである。
媒活性が異なるため、添加量の好適範囲は一概に決めら
れないが、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の総量に対して0.1
〜５重量％の範囲で加えることが好ましい。これは、0.
1重量％未満では硬化性能が劣化し、一方５重量％を超
えると耐湿性が劣化する傾向があるためである。
本発明に係る成形材料中の一成分である（ｅ）無機充
填剤として、例えば溶融シリカ粉末、結晶性シリカ粉
末、球状シリカ粉末、球状ガラス粉末に代表される各種
のガラス粉末、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウ
ム粉末、炭酸カルシウム粉末、各種のセラミックス粉
末、ガラス繊維、低ソーダガラス繊維、セラミックス繊
維などが挙げられる。
填剤として、例えば溶融シリカ粉末、結晶性シリカ粉
末、球状シリカ粉末、球状ガラス粉末に代表される各種
のガラス粉末、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウ
ム粉末、炭酸カルシウム粉末、各種のセラミックス粉
末、ガラス繊維、低ソーダガラス繊維、セラミックス繊
維などが挙げられる。
これらのうちでも、電気特性や半導体封止用途として
の特殊性を考慮すると、溶融シリカ粉末、球状シリカ粉
末、低ソーダガラス繊維、セラミックス繊維が好まし
い。なお、メモリーデバイスを封止する用途では、Ｕ、
Th等から発生するα線によるソフトエラーを防止するた
め、Ｕ、Thが1ppb以下の溶融シリカ粉末や球状シリカ粉
末を使用することが好ましい。
の特殊性を考慮すると、溶融シリカ粉末、球状シリカ粉
末、低ソーダガラス繊維、セラミックス繊維が好まし
い。なお、メモリーデバイスを封止する用途では、Ｕ、
Th等から発生するα線によるソフトエラーを防止するた
め、Ｕ、Thが1ppb以下の溶融シリカ粉末や球状シリカ粉
末を使用することが好ましい。
こうした無機充填剤の使用量は、比重によって好まし
い添加範囲が異なるが、エポキシ樹脂成形材料中の70〜
82重量％の範囲が好ましい。これは、70重量％未満では
成形材料の熱膨張係数が大きくなるため耐熱衝撃性が劣
化する傾向にあり、一方82重量％を超えると流動性が低
下し、その結果成形性が低下する傾向にあるためであ
る。
い添加範囲が異なるが、エポキシ樹脂成形材料中の70〜
82重量％の範囲が好ましい。これは、70重量％未満では
成形材料の熱膨張係数が大きくなるため耐熱衝撃性が劣
化する傾向にあり、一方82重量％を超えると流動性が低
下し、その結果成形性が低下する傾向にあるためであ
る。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を構成す
る成分としては、上記の各必須成分の他にも、例えばブ
ロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンなどの難燃剤；
例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸や
その金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類な
どの離形剤；例えばカーボンブラック、二酸化チタンな
どの顔料；シリカップリング剤などのフィラーの表面処
理剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム、各種プラス
チック粉末、各種エンジニアリングプラスチック粉末、
ABS樹脂やMBS樹脂の粉末などの低応力化剤などを適宣添
加してもよい。
る成分としては、上記の各必須成分の他にも、例えばブ
ロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンなどの難燃剤；
例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸や
その金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類な
どの離形剤；例えばカーボンブラック、二酸化チタンな
どの顔料；シリカップリング剤などのフィラーの表面処
理剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム、各種プラス
チック粉末、各種エンジニアリングプラスチック粉末、
ABS樹脂やMBS樹脂の粉末などの低応力化剤などを適宣添
加してもよい。
本発明に係るエポキシ樹脂成形材料は、原料成分を例
えばヘンシェルミキサーなどのミキサーによって充分混
合し、更に熱ロールによる溶融処理又は二軸の押し出し
機などによる溶融混合処理を加えた後、冷却、粉砕する
ことにより調製することができる。そして、こうして得
られた成形材料は粉末のまま、又はタブレット化した状
態で、コンプレッション成形、トランスファー成形、イ
ンジェクション成形などに供され、半導体デバイスの封
止が行われる。
えばヘンシェルミキサーなどのミキサーによって充分混
合し、更に熱ロールによる溶融処理又は二軸の押し出し
機などによる溶融混合処理を加えた後、冷却、粉砕する
ことにより調製することができる。そして、こうして得
られた成形材料は粉末のまま、又はタブレット化した状
態で、コンプレッション成形、トランスファー成形、イ
ンジェクション成形などに供され、半導体デバイスの封
止が行われる。
（実施例） 以下、本発明を実施例に基づき更に具体的に説明する
が、本発明の技術適思想を逸脱しない限り、本発明はこ
れら実施例に何ら限定されるものではない。
が、本発明の技術適思想を逸脱しない限り、本発明はこ
れら実施例に何ら限定されるものではない。
実施例１〜７及び比較例１〜６ 以下に示す成分を第２表に示す配合割合（重量％）で
配合し、ミキサーで混合した後、二軸ロールで加熱混練
し、冷却・粉砕してエポキシ樹脂成形材料を調製した。
配合し、ミキサーで混合した後、二軸ロールで加熱混練
し、冷却・粉砕してエポキシ樹脂成形材料を調製した。
エポキシ樹脂A:ESCN−195XL（住友化学（株）、軟化点7
9℃、エポキシ当量197） エポキシ樹脂B:YL−932H（油化シェルエポキシ（株）、
軟化点63℃、エポキシ当量166） エポキシ樹脂C:ESX−220（住友化学（株）、軟化点87
℃、エポキシ当量214） フェノール樹脂:BRG−558（昭和高分子（株）、軟化点9
7℃、OH当量105…フェノールノボラック樹脂） フェノール性化合物:YL−6065（油化シェルエポキシ
（株）、軟化点110℃、OH当量100…トリス（ヒドロキシ
フェニル）メタン） フェノールアラルキル樹脂A:XL−225（三井東圧化学
（株）、軟化点90℃、OH当量約196） フェノールアラキル樹脂B:XL−225L（三井東圧化学
（株）、軟化点83℃、OH当量約196） 硬化促進剤A:トリフェニルホスフィン 硬化促進剤B:1,8−ジアザビシクロ（5,4,0）ウンデセン
−７ 硬化促進剤C:2−メチルイミダゾール 無機質充填剤A:GR−80T（東芝セラミックス（株）、平
均粒径22.6μｍ） 無機質充填剤B:SGA（東芝セラミックス（株）、平均粒
径5.25μｍ） 難燃エポキシ樹脂:BREN−Ｓ（日本化薬（株）、軟化点8
4℃、エポキシ当量278、Br含有量35.7％） 難燃助剤：三酸化アンチモン 離形剤：カルナバワックス 顔料：カーボンブラック 表面処理剤：エポキシシラン系カップリング剤 以上のようにして得られた実施例１〜７及び比較例１
〜６のエポキシ樹脂成形材料を用い、175℃、３分の成
形条件でトランスファー成形により試験片を作製し、体
積抵抗率、曲げ強さ、曲げ弾性率、ガラス転移温度、熱
膨張係数、吸水率、接着力の測定を行った。なお、吸水
率は85℃、85％RH雰囲気中に、168時間保持した後の値
を測定した。また、接着力は半導体フレームとして使用
される42Alloyとの接着力である。
9℃、エポキシ当量197） エポキシ樹脂B:YL−932H（油化シェルエポキシ（株）、
軟化点63℃、エポキシ当量166） エポキシ樹脂C:ESX−220（住友化学（株）、軟化点87
℃、エポキシ当量214） フェノール樹脂:BRG−558（昭和高分子（株）、軟化点9
7℃、OH当量105…フェノールノボラック樹脂） フェノール性化合物:YL−6065（油化シェルエポキシ
（株）、軟化点110℃、OH当量100…トリス（ヒドロキシ
フェニル）メタン） フェノールアラルキル樹脂A:XL−225（三井東圧化学
（株）、軟化点90℃、OH当量約196） フェノールアラキル樹脂B:XL−225L（三井東圧化学
（株）、軟化点83℃、OH当量約196） 硬化促進剤A:トリフェニルホスフィン 硬化促進剤B:1,8−ジアザビシクロ（5,4,0）ウンデセン
−７ 硬化促進剤C:2−メチルイミダゾール 無機質充填剤A:GR−80T（東芝セラミックス（株）、平
均粒径22.6μｍ） 無機質充填剤B:SGA（東芝セラミックス（株）、平均粒
径5.25μｍ） 難燃エポキシ樹脂:BREN−Ｓ（日本化薬（株）、軟化点8
4℃、エポキシ当量278、Br含有量35.7％） 難燃助剤：三酸化アンチモン 離形剤：カルナバワックス 顔料：カーボンブラック 表面処理剤：エポキシシラン系カップリング剤 以上のようにして得られた実施例１〜７及び比較例１
〜６のエポキシ樹脂成形材料を用い、175℃、３分の成
形条件でトランスファー成形により試験片を作製し、体
積抵抗率、曲げ強さ、曲げ弾性率、ガラス転移温度、熱
膨張係数、吸水率、接着力の測定を行った。なお、吸水
率は85℃、85％RH雰囲気中に、168時間保持した後の値
を測定した。また、接着力は半導体フレームとして使用
される42Alloyとの接着力である。
また、各エポキシ樹脂成形材料を用い、上記成形条件
で耐熱衝撃性試験用の半導体素子（6.7×6.7mm2）を封
止し、175℃×４時間のアフターキュア後、得られたモ
ールドデバイスを−65℃（30分）→25℃（５分）→150
℃（30分）→25℃（50分）を１サイクルとして冷熱サイ
クルテスト（TCT）を行い、不良の発生を調べた。
で耐熱衝撃性試験用の半導体素子（6.7×6.7mm2）を封
止し、175℃×４時間のアフターキュア後、得られたモ
ールドデバイスを−65℃（30分）→25℃（５分）→150
℃（30分）→25℃（50分）を１サイクルとして冷熱サイ
クルテスト（TCT）を行い、不良の発生を調べた。
更に、各エポキシ樹脂成形材料を用い、上記成形条件
で耐湿性評価用素子（6.7×6.7mm2）を封止し、175℃×
４時間のアフターキュア後、135℃×85％RHの高温高湿
雰囲気中に48時間投入し、その後215℃×２分のVPS（ベ
ーパーフェーズリフロー）処理を実施し、テストデバイ
スを作製した。この時点で成形品の破裂不良を調べた。
次いで、127℃×2.5気圧のPCT（プレッシャークッカテ
スト）を行い、不良の発生を調べた。
で耐湿性評価用素子（6.7×6.7mm2）を封止し、175℃×
４時間のアフターキュア後、135℃×85％RHの高温高湿
雰囲気中に48時間投入し、その後215℃×２分のVPS（ベ
ーパーフェーズリフロー）処理を実施し、テストデバイ
スを作製した。この時点で成形品の破裂不良を調べた。
次いで、127℃×2.5気圧のPCT（プレッシャークッカテ
スト）を行い、不良の発生を調べた。
これらの結果を第２表に示す。
［発明の効果］ 以上詳述したように本発明のエポキシ樹脂成形材料
は、従来のエポキシ樹脂成形材料と比べて、耐熱衝撃
性、耐半田浸漬性等が極めて優れており、特に半導体デ
バイスの封止に用いた場合に高信頼性を保証でき、工業
的価値が極めて大きい。
は、従来のエポキシ樹脂成形材料と比べて、耐熱衝撃
性、耐半田浸漬性等が極めて優れており、特に半導体デ
バイスの封止に用いた場合に高信頼性を保証でき、工業
的価値が極めて大きい。
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）エポキシ樹脂、 （ｂ）以下の構造式で示されるフェノール性化合物 （式中、Ｒは水素、アリール基又はアルキル基を表わ
し、それらの基は同一でも、それぞれ異なっていてもよ
い）、 （ｃ）フェノールアラルキル樹脂、 （ｄ）硬化促進剤、及び （ｅ）無機質充填剤 を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12127188A JP2593518B2 (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12127188A JP2593518B2 (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292029A JPH01292029A (ja) | 1989-11-24 |
| JP2593518B2 true JP2593518B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=14807120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12127188A Expired - Lifetime JP2593518B2 (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2593518B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2675746B2 (ja) * | 1993-10-26 | 1997-11-12 | 松下電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP12127188A patent/JP2593518B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01292029A (ja) | 1989-11-24 |
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