JPS6270529A - タングステン又はモリブデンの精製方法 - Google Patents
タングステン又はモリブデンの精製方法Info
- Publication number
- JPS6270529A JPS6270529A JP21143385A JP21143385A JPS6270529A JP S6270529 A JPS6270529 A JP S6270529A JP 21143385 A JP21143385 A JP 21143385A JP 21143385 A JP21143385 A JP 21143385A JP S6270529 A JPS6270529 A JP S6270529A
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- Japan
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- tungsten
- molybdenum
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- purity
- reaction vessel
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- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ハロゲン化物分解法によるタングステン又は
モリブデンの精製方法に関するものである。
モリブデンの精製方法に関するものである。
シリコン半導体素子の高集積化は急速に進んでおり、最
近、１メガビツトのＭＯＳ−ＬＳＩ （金属−８ｉＯ２
−８ｉ構造の大規模集積回路）がサンプル出荷されてい
る。これに伴い、電極及び配線の寸法がますます小さく
なり、従来使用されていた多結晶シリコンでは電気抵抗
が高過ぎて、信号伝搬遅延が問題となる。
近、１メガビツトのＭＯＳ−ＬＳＩ （金属−８ｉＯ２
−８ｉ構造の大規模集積回路）がサンプル出荷されてい
る。これに伴い、電極及び配線の寸法がますます小さく
なり、従来使用されていた多結晶シリコンでは電気抵抗
が高過ぎて、信号伝搬遅延が問題となる。
ＭＯＳ−ＬＳ Ｉの電極及び配線材料には、次に示すよ
うに電気抵抗率が低いことの他、各種特性が必要とされ
る。
うに電気抵抗率が低いことの他、各種特性が必要とされ
る。
（ａ＞！気抵抗率が低いこと。
（ｂ）耐熱性が高いこと。
（Ｃ）Ｓｉ０２膜との反応、拡散がないこと。
（ｄ）Ｓｉ０２ｒ！Ａとの密着性がよいこと。
（ｅ）Ｓｉ基板との安定なコンタクトが取れること。
（ｆ）多結晶シリコンゲートプロセスとの互換性がある
こと。
こと。
（０）イオン注入に対するマスク性が高いこと。
（は）多層配線が容易なこと。
（＋）純度が高いこと。
（ｊ）＾電流密度が安定なこと。
（ｋ）微細加工が可能なこと。
（１）熱膨張率がＳｉに近いこと。
（ｍ＞熱伝導度がＳｉに近いこと。
（ｎ＞高い内部応力を持たないこと。
現実には、上記全ての要件を満たす材料はないが、特に
重要な条件である電気抵抗率、耐熱性などで、モリブデ
ン（ＭＯ）、タングステン（Ｗ）。
重要な条件である電気抵抗率、耐熱性などで、モリブデ
ン（ＭＯ）、タングステン（Ｗ）。
チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）が最適であると言わ
れている。
れている。
通常、金属ｉｓを形成する場合にはｐｐｂ〜ｐｐｍ程度
の不純物は、膜の構造や電気抵抗率のような性質にほと
んど影響しないと考えられている。しかしＭＯ８−ＬＳ
Ｉ素子では極微量の不純物が素子に悪影響を及ぼす恐
れがある。Ｗ、ＭＯ等に含まれる不純物のうち、特に悪
影響を及ぼす元素は以下の通りである。
の不純物は、膜の構造や電気抵抗率のような性質にほと
んど影響しないと考えられている。しかしＭＯ８−ＬＳ
Ｉ素子では極微量の不純物が素子に悪影響を及ぼす恐
れがある。Ｗ、ＭＯ等に含まれる不純物のうち、特に悪
影響を及ぼす元素は以下の通りである。
■、Ｎａ、になどのアルカリ金属は、ＭＯ８−ＬＳＩ界
面特性の劣化を招く。
面特性の劣化を招く。
■、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素は、ソフトエラーを招く
。
。
■、Ｆｅ、Ｏｒなどの重金属は、界面接合部のトラブル
をひき起こす。
をひき起こす。
■、酸素は、特性劣化を引起こす。
ところで、スパッタリング法で金属膜を形成する際に用
いられているＷやＭＯツタ−ットの純度は３Ｎ （９９
，９％）ｒあり、他（７）ＭＯ８−ＬＳ１構成材料の５
Ｎ （９９，９９９％）に比べて２桁純度が低い。しか
しながら、Ｗ、ＭＯは高融点であるため、そのＩＸ純度
化技術はＳ；やＡ１等に比べてかなり遅れている。現在
、各社で開発中のＷ又はＭＯ（ここではＷを代表して示
す）の精製技術としては、第４図に示す方法が知られて
いる。
いられているＷやＭＯツタ−ットの純度は３Ｎ （９９
，９％）ｒあり、他（７）ＭＯ８−ＬＳ１構成材料の５
Ｎ （９９，９９９％）に比べて２桁純度が低い。しか
しながら、Ｗ、ＭＯは高融点であるため、そのＩＸ純度
化技術はＳ；やＡ１等に比べてかなり遅れている。現在
、各社で開発中のＷ又はＭＯ（ここではＷを代表して示
す）の精製技術としては、第４図に示す方法が知られて
いる。
この方法によれば小規模生産レベルでは５ＮのＷが得ら
れる。しかしなが′ら、かかる精製方法は第４図から分
るように多くの工程を必要とし、煩雑でとなる。従って
、Ｗの精製収率が低く生産コストが高くなるという問題
がある。
れる。しかしなが′ら、かかる精製方法は第４図から分
るように多くの工程を必要とし、煩雑でとなる。従って
、Ｗの精製収率が低く生産コストが高くなるという問題
がある。
（発明の目的）
本発明は、５Ｎ以上の高純度のタングステン又はモリブ
デンを簡単な工程にて高収率で得ることが可能な精製方
法を提供しようとするものである。
デンを簡単な工程にて高収率で得ることが可能な精製方
法を提供しようとするものである。
（発明の概要〕
本発明者らは、フッ素、塩素、臭素のうち少なくとも１
つを含むハロゲンとタングステンまたはモリブデンとが
比較的低い温度で反応してハロゲン化タングステンまた
はハロゲン化モリブデンを形成し、逆にハロゲン化タン
グステン又はハロゲン化モリブデンは比較的高い温度で
は分解して、ハロゲンとタングステン又はモリブデンを
生じるという化学現象に注目し、この技術をタングステ
ン又はモリブデンのＭＬに利用することによって、既述
の如＜５Ｎ以上の高純度のタングステン又はモリブデン
を簡単な工程にて高収率で得ることができる方法を見出
した。こうした２つの反応は、ハロゲンを媒介としてサ
イクルを形成するので、ハロゲンサイクルとも呼ばれる
。
つを含むハロゲンとタングステンまたはモリブデンとが
比較的低い温度で反応してハロゲン化タングステンまた
はハロゲン化モリブデンを形成し、逆にハロゲン化タン
グステン又はハロゲン化モリブデンは比較的高い温度で
は分解して、ハロゲンとタングステン又はモリブデンを
生じるという化学現象に注目し、この技術をタングステ
ン又はモリブデンのＭＬに利用することによって、既述
の如＜５Ｎ以上の高純度のタングステン又はモリブデン
を簡単な工程にて高収率で得ることができる方法を見出
した。こうした２つの反応は、ハロゲンを媒介としてサ
イクルを形成するので、ハロゲンサイクルとも呼ばれる
。
即ち、本発明はフッ素、塩素、および臭素のうち少なく
とも１つを含むハロゲンとタングステン又はモリブデン
とを反応させて、ハロゲン化タングステン又はハロゲン
化モリブデンを生成させ、該ハロゲン化タングステン又
はハロゲン化モリブデンを高温体の熱で分解させ、これ
により生じたタングステン又はモリブデンを前記高温体
の表面に析出させることを特徴とするものである。
とも１つを含むハロゲンとタングステン又はモリブデン
とを反応させて、ハロゲン化タングステン又はハロゲン
化モリブデンを生成させ、該ハロゲン化タングステン又
はハロゲン化モリブデンを高温体の熱で分解させ、これ
により生じたタングステン又はモリブデンを前記高温体
の表面に析出させることを特徴とするものである。
以下、本発明のタングステン又はモリブデンの１ｉ’ｌ
！方法について、図面を参照して説明する。
！方法について、図面を参照して説明する。
フッ素、塩素、および臭素のうち少なくとも１つを含む
ハロゲンを単に×２と表わす。金属Ｍとハロゲン×２と
の反応でハロゲン化物ＭＸ？Ｊが生成して、次式に示す
ハロゲンサイクルを形成し、Ｍを高純度化するに必要な
条件は以下の通りとなる。
ハロゲンを単に×２と表わす。金属Ｍとハロゲン×２と
の反応でハロゲン化物ＭＸ？Ｊが生成して、次式に示す
ハロゲンサイクルを形成し、Ｍを高純度化するに必要な
条件は以下の通りとなる。
Ｍ＋Ｘ２ヰＭＸど
（１）Ｍと×２とが反応し、ＭＸＨができること。
（２）ＭＸＨが気体、揮発性液体または昇華性固体であ
ること。
ること。
（３）ＭＸｙは高温では分解してＭと×２にもどること
。
。
、即ち、Ｍと×２は第１図に示すサイクルを形成するこ
とが必要である。このサイクルにより反応容器２内に配
置された高温体１の表面にＭが析出し高純度化する。
とが必要である。このサイクルにより反応容器２内に配
置された高温体１の表面にＭが析出し高純度化する。
本発明者らは、上記ハロゲンサイクルをタングステン（
Ｗ＞又はモリブデン（ＭＯ）の精製工程として適用すべ
く、各種の基礎実験を重ねた結果、タングステン又はモ
リブデンとハロゲンとの反応温度、つまり反応容器２の
内部温度（但し高温体の温度を除く）及びハロゲン化タ
ングステン又はハロゲン化モリブデンの分解温度、つま
り高温体湿度とを適切に調整すれば、Ｗ又はＭｏ （Ｍ
）とハロゲン（Ｘ２）との反応が、上記（１）〜（３）
の３条件を全て満足する結果、Ｗ又はＭＯが高温体上に
析出し、一方不純物であるＮａ、Ｕ、Ｔｈ、Ｆｅ、Ｃｒ
、Ｏ等とハロゲン（×２）との反応は（１）〜（３）の
３条件のうち少なくとも１つを満たさな、いので、ハロ
ゲンサイクルは形成されず、これら不純物は高温体１上
に析出しないことを見出した。こうした結果より、ＭＯ
８−ＬＳ Ｉの電極や配線の材料に適した特性を有する
ｌＩｉ純度（５Ｎ以上）のＷ又はＭＯを製造することが
可能になった。
Ｗ＞又はモリブデン（ＭＯ）の精製工程として適用すべ
く、各種の基礎実験を重ねた結果、タングステン又はモ
リブデンとハロゲンとの反応温度、つまり反応容器２の
内部温度（但し高温体の温度を除く）及びハロゲン化タ
ングステン又はハロゲン化モリブデンの分解温度、つま
り高温体湿度とを適切に調整すれば、Ｗ又はＭｏ （Ｍ
）とハロゲン（Ｘ２）との反応が、上記（１）〜（３）
の３条件を全て満足する結果、Ｗ又はＭＯが高温体上に
析出し、一方不純物であるＮａ、Ｕ、Ｔｈ、Ｆｅ、Ｃｒ
、Ｏ等とハロゲン（×２）との反応は（１）〜（３）の
３条件のうち少なくとも１つを満たさな、いので、ハロ
ゲンサイクルは形成されず、これら不純物は高温体１上
に析出しないことを見出した。こうした結果より、ＭＯ
８−ＬＳ Ｉの電極や配線の材料に適した特性を有する
ｌＩｉ純度（５Ｎ以上）のＷ又はＭＯを製造することが
可能になった。
上記タングステンのハロゲン化サイクルにおいては、ハ
ロゲンとしてフッ素を用いることが望ましい。この場合
、タングステンとフッ素との反応温度を２５０’Ｃ以下
に設定し、かつ該反応で生じたフッ化タングステンを分
解するための高温体温度を３００℃以上に設定すれば、
短時間で高収率の高純度のタングステンを得ることがで
きる。一方、上記モリブデンのハロゲン化サイクルにお
いては、ハロゲンとして塩素を用いることが望ましい。
ロゲンとしてフッ素を用いることが望ましい。この場合
、タングステンとフッ素との反応温度を２５０’Ｃ以下
に設定し、かつ該反応で生じたフッ化タングステンを分
解するための高温体温度を３００℃以上に設定すれば、
短時間で高収率の高純度のタングステンを得ることがで
きる。一方、上記モリブデンのハロゲン化サイクルにお
いては、ハロゲンとして塩素を用いることが望ましい。
この場合、モリブデンと塩素との反応温度を２００〜７
００℃の範囲に設定し、かつ該反応で生じた塩化モリブ
デンを分解するための高温体温度を１３００℃以上に設
定すれば、短時間で高収率の高純度のモリブデンを得る
ことができる。なお、こうしたタングステン又はモリブ
デンの精製において、反応温度及び高温体温度が上記条
件を外れると、析出速度が小さい、収率が低い、純度が
低い等の問題を生じ易くなる。
００℃の範囲に設定し、かつ該反応で生じた塩化モリブ
デンを分解するための高温体温度を１３００℃以上に設
定すれば、短時間で高収率の高純度のモリブデンを得る
ことができる。なお、こうしたタングステン又はモリブ
デンの精製において、反応温度及び高温体温度が上記条
件を外れると、析出速度が小さい、収率が低い、純度が
低い等の問題を生じ易くなる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
実施例１
まず、高温体１としてＷ線を用い、第２図に示すように
該高温体１を反応容器２内の給電治具３ａ、３ｂに保持
して精製装置を組立てた。給電治具３ａ、３ｂはリード
線４ａ、４ｂを介して電源５に接続されている。こうし
た装置の反応容器２内を脱気後、該容器１内に原料とし
の純度９９．９５％のＷ粉末６を３．Ｃ１とフッ素７を
１５ｇ夫々収容した。このフッ素は、実際には気体であ
るが、第２図ではわかりやすくするため、あたかも固体
のように描いである。つづいて、電源５により高温体１
を通電加熱して約６００℃にすると共に、反応容器２を
外部から約１５０℃に加熱した。この状態を２０時間維
持した結果、２．４８９のＷが高温体１の表面に析出し
た。
該高温体１を反応容器２内の給電治具３ａ、３ｂに保持
して精製装置を組立てた。給電治具３ａ、３ｂはリード
線４ａ、４ｂを介して電源５に接続されている。こうし
た装置の反応容器２内を脱気後、該容器１内に原料とし
の純度９９．９５％のＷ粉末６を３．Ｃ１とフッ素７を
１５ｇ夫々収容した。このフッ素は、実際には気体であ
るが、第２図ではわかりやすくするため、あたかも固体
のように描いである。つづいて、電源５により高温体１
を通電加熱して約６００℃にすると共に、反応容器２を
外部から約１５０℃に加熱した。この状態を２０時間維
持した結果、２．４８９のＷが高温体１の表面に析出し
た。
実施例２
実施例１と同様な精製装置を用い、反応容器内に原料と
しての純度９９．９５％のＷ粉末４．０に９と塩素４０
ｇとを収容し、高温体の温度を１６００℃、外部からの
反応容器の加熱温度を５００℃に設定した。３０時間の
析出操作により、２．６７（ｙのＷが高温体表面に析出
した。
しての純度９９．９５％のＷ粉末４．０に９と塩素４０
ｇとを収容し、高温体の温度を１６００℃、外部からの
反応容器の加熱温度を５００℃に設定した。３０時間の
析出操作により、２．６７（ｙのＷが高温体表面に析出
した。
実施例３
実施例１と同様な精製９ｉ置を用い、反応容器内に原料
としての純度９９．９５％のＷ粉末４．０Ｋｇと塩素３
０ｇ及び臭素２０ｇとを収容し、高温体の温度を１８０
０℃、外部からの反応容器の加熱温度を７００℃に設定
した。２５時間の析出操操とにより、２．７ｇのＷが高
温体表面に析出した。
としての純度９９．９５％のＷ粉末４．０Ｋｇと塩素３
０ｇ及び臭素２０ｇとを収容し、高温体の温度を１８０
０℃、外部からの反応容器の加熱温度を７００℃に設定
した。２５時間の析出操操とにより、２．７ｇのＷが高
温体表面に析出した。
しかして、本実施例１〜３により精製されたＷの収率は
、夫々８０％、６５％、６８％であった。
、夫々８０％、６５％、６８％であった。
また、本実施例１〜３により精製されたＷの成分を分析
したところ、下記第１表に示す結果を得た。
したところ、下記第１表に示す結果を得た。
なお、第１表中には原料としてのＷ粉の成分分析値を併
記した。
記した。
なお、上記実施例１〜３では反応容器内にＷ及び×２を
収容して高純度のＷを精製する場合について説明したが
、Ｗ Ｘ Ｍのみ、ＷＸΣとＷ、又はＷ Ｘ ＨとＷと
×２を反応容器に供給して高純度のＷを＃Ｉ製してもよ
い。また、析出操作は繰返し行なってもよい。
収容して高純度のＷを精製する場合について説明したが
、Ｗ Ｘ Ｍのみ、ＷＸΣとＷ、又はＷ Ｘ ＨとＷと
×２を反応容器に供給して高純度のＷを＃Ｉ製してもよ
い。また、析出操作は繰返し行なってもよい。
実施例４
まず、高温体１′としてＭＯ線を用い、第３図に示すよ
うに該高温体１′を反応容器２内の給電冶具３ａ、３ｂ
に保持してＭ製装置を組立てた。
うに該高温体１′を反応容器２内の給電冶具３ａ、３ｂ
に保持してＭ製装置を組立てた。
給電冶具３ ａ ：３ ｂはリード線４ａ、４ｂを介し
て電源５に接続されている。こうした装置の反応容器２
内を脱気後、該容器１内に原料としの純度９９．９３％
のＭＯ粉末８を１，５Ｋｙとフッ素７を１５ｇ夫々収容
した。このフッ素は、実際には気体であるが、第３図で
はわかりやすくするため、あたかも固体のように描いで
ある。つづいて、電源５により高温体１′を通電加熱し
て約８００℃にすると共に、反応容器２を外部から約１
００’Ｃに加熱した。この状態を３０時間維持した結果
、１．１ＫｙのＭＯが高温体１−の表面に析出した。
て電源５に接続されている。こうした装置の反応容器２
内を脱気後、該容器１内に原料としの純度９９．９３％
のＭＯ粉末８を１，５Ｋｙとフッ素７を１５ｇ夫々収容
した。このフッ素は、実際には気体であるが、第３図で
はわかりやすくするため、あたかも固体のように描いで
ある。つづいて、電源５により高温体１′を通電加熱し
て約８００℃にすると共に、反応容器２を外部から約１
００’Ｃに加熱した。この状態を３０時間維持した結果
、１．１ＫｙのＭＯが高温体１−の表面に析出した。
実施例５
実施例４と同様なｒａ製装置を用い、反応容器内に原料
としての純度９９．９３％のＭＯ粉末２．０Ｋｇと塩素
４０ｇとを収容し、高温体の温度を１５００℃、外部か
らの反応容器の加熱温度を４５０℃に設定した。２０時
間の析出操作により、１．６に９のＭＯが高温体表面に
析出した。
としての純度９９．９３％のＭＯ粉末２．０Ｋｇと塩素
４０ｇとを収容し、高温体の温度を１５００℃、外部か
らの反応容器の加熱温度を４５０℃に設定した。２０時
間の析出操作により、１．６に９のＭＯが高温体表面に
析出した。
実施例６
実施例４と同様な１！製装置を用い、反応容器内に原料
としての純度９９．９３％のＭＯ粉末２．０Ｋｇと塩素
３０ｇ及び臭素２０９とを収容し、高温体の温度を１６
００℃、外部からの反応容器の加熱温度を３５０℃に設
定した。２５時間の析出操作とにより、１．５ｇのＭＯ
が高温体表面に析出した。
としての純度９９．９３％のＭＯ粉末２．０Ｋｇと塩素
３０ｇ及び臭素２０９とを収容し、高温体の温度を１６
００℃、外部からの反応容器の加熱温度を３５０℃に設
定した。２５時間の析出操作とにより、１．５ｇのＭＯ
が高温体表面に析出した。
しかして、本実施例４〜６により精製されたＭＯの収率
は、夫々７３％、８０％、７５％であった。また、本実
施例４〜６により精製されたＭＯの成分を分析したとこ
ろ、下記第２表に示す結果を得た。なお、第２表中には
原料としてのＭＯ粉の成分分析値を併記した。
は、夫々７３％、８０％、７５％であった。また、本実
施例４〜６により精製されたＭＯの成分を分析したとこ
ろ、下記第２表に示す結果を得た。なお、第２表中には
原料としてのＭＯ粉の成分分析値を併記した。
なお、上記実施例４〜６では反応容器内にＭＯ及び×２
を収容して高純度のＭＯを精製する場合について説明し
たが・Ｍ ＯＸ ｙ、のみ・ＭＯＸＨとＭＯｌ又はＭＯ
ＸＩとＭＯと×２を反応容器に供給して高純度のＭＯを
精製してもよい。また、析出操作は繰返し行なってもよ
い。
を収容して高純度のＭＯを精製する場合について説明し
たが・Ｍ ＯＸ ｙ、のみ・ＭＯＸＨとＭＯｌ又はＭＯ
ＸＩとＭＯと×２を反応容器に供給して高純度のＭＯを
精製してもよい。また、析出操作は繰返し行なってもよ
い。
以上詳述した如く、本発明によれば簡単な工程で５Ｎ以
上の高純度のＷ又はＭＯを高収率で得ることができる等
の顕著な効果を有するタングステン又はモリブデンの精
製方法を提供できる。
上の高純度のＷ又はＭＯを高収率で得ることができる等
の顕著な効果を有するタングステン又はモリブデンの精
製方法を提供できる。
第１図は、本発明のタングステン又はモリブデンの精製
方法の原理を説明するための概略図、第２図は本実施例
１で用いた精製装置を示す概略図、第３図は本実施例４
で用いた精製装置を示す概略図、第４図は、従来のタン
グステンの精製工程を示すフローチャートである。 １．１ ” ・・・高１体、２・・・反応容器、３ａ、
３ｂ・・・給電治具、４ａ、４ｂ・・・リード線、５・
・・電源、６・・・Ｗ粉、７・・・フッ素、８・・・Ｍ
Ｏ粉。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第３図 第４図
方法の原理を説明するための概略図、第２図は本実施例
１で用いた精製装置を示す概略図、第３図は本実施例４
で用いた精製装置を示す概略図、第４図は、従来のタン
グステンの精製工程を示すフローチャートである。 １．１ ” ・・・高１体、２・・・反応容器、３ａ、
３ｂ・・・給電治具、４ａ、４ｂ・・・リード線、５・
・・電源、６・・・Ｗ粉、７・・・フッ素、８・・・Ｍ
Ｏ粉。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第３図 第４図
Claims (1)
- フッ素、塩素、及び臭素のうち、小なくとも１つを含む
ハロゲンとタングステン又はモリブデンとを反応させて
、ハロゲン化タングステン又はハロゲン化モリブデンを
生成させ、該ハロゲン化タングステン又はハロゲン化モ
リブデンを高温体の熱で分解し、これにより生じたタン
グステン又はモリブデンを前記高温体の表面に析出させ
ることを特徴とするタングステン又はモリブデンの精製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21143385A JPS6270529A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | タングステン又はモリブデンの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21143385A JPS6270529A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | タングステン又はモリブデンの精製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6270529A true JPS6270529A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16605867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21143385A Pending JPS6270529A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | タングステン又はモリブデンの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6270529A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227195A (en) * | 1989-04-04 | 1993-07-13 | Sri International | Low temperature method of forming materials using one or more metal reactants and a halogen-containing reactant to form one or more reactive intermediates |
| DE10231777A1 (de) * | 2002-07-13 | 2004-02-05 | Diehl Munitionssysteme Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Wolfram-Basismaterials und Verwendung desselben |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP21143385A patent/JPS6270529A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227195A (en) * | 1989-04-04 | 1993-07-13 | Sri International | Low temperature method of forming materials using one or more metal reactants and a halogen-containing reactant to form one or more reactive intermediates |
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