JPS6257708B2 - - Google Patents
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- JPS6257708B2 JPS6257708B2 JP61005898A JP589886A JPS6257708B2 JP S6257708 B2 JPS6257708 B2 JP S6257708B2 JP 61005898 A JP61005898 A JP 61005898A JP 589886 A JP589886 A JP 589886A JP S6257708 B2 JPS6257708 B2 JP S6257708B2
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイヤモンド状のきわめて硬質の炭
素を合成する方法に関するものである。 〔従来技術〕 超高圧、高温を用いずに減圧下の炭化水素と水
素との混合気流から加熱した基材の表面に、ダイ
ヤモンド状の硬質炭素を析出させる従来の技術と
して、たとえば特公昭59−27753号公報に示され
るように炭化水素と水素の混合ガスを1000℃以上
に加熱した熱電子放射材によつて予備加熱した
後、この加熱混合ガスを500〜1300℃に加熱した
基板表面に導入して炭化水素の熱分解によつて、
ダイヤモンドを析出させる方法、特公昭59−
27754号公報に示されるように水素ガスをマイク
ロ波無極電放電中を通過させた後、炭化水素と混
合したガス、または炭化水素と水素との混合ガス
をマイクロ波無極電放電中を通過させた混合ガス
を300〜1300℃に加熱した基板表面上に導入し、
炭化水素の熱分解によりダイヤモンドを析出させ
る方法などがある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ダイヤモンドを超高圧、高温を用いずに炭化水
素と水素との減圧下の混合ガスより加熱した基材
の表面に析出させる技術の原理は、炭化水素をプ
ラズマもしくは高温によつて高エネルギー状態に
励起させ、この高エネルギー励起炭化水素が基材
表面で熱分解して、安定相のグラフアイトではな
く準安定相のダイヤモンドが析出する。又添加さ
れた水素は、プラズマもしくは高温によつて一部
が原子状の水素に解離するが、この原子状水素が
基材表面上に、ダイヤモンドと共析出したダイヤ
モンド以外の炭素のみを選択エツチングするた
め、結果として純度の高いダイヤモンドを基材表
面上に合成しうるといわれている。 従来の超高圧、高温を用いないダイヤモンド合
成法のうち、マイクロ波無極電放電を用いるもの
（以下μ波プラズマ法と称す）は、μ波プラズマ
によつて、該炭化水素がきわめて高エネルギー状
態に励起されることから基板上に析出するもの
は、ほとんどダイヤモンドに近似の結晶質硬炭素
が主で、それ以外の炭素はほとんど析出しないと
いう特徴をもつ。 しかしながら、μ波プラズマを用いるため、プ
ラズマの特徴である鋭利な先端部に、プラズマが
集中するという欠点をもつ。そのため先端部は他
の部分に比べ異常に温度が上昇してしまう。 ダイヤモンドの合成にとつて基板の表面温度は
きわて重要で基材表面が1300℃以上では、ほとん
どグラフアイトおよび／又は無定形の炭素しか析
出しないことが知られている。また基材表面が
500℃以下ではほとんど炭化水素の熱分解が生じ
ないことも知られている。したがつてμ波プラズ
マ法によると、いかに基材表面温度を工業生産
上、限界ともいえる低温に保つても鋭利な基材先
端部は、プラズマの集中によつて1300℃以上に加
熱されてしまい、ダイヤモンドがほとんど析出せ
ず、グラフアイトおよび／又は無定形の炭素のみ
が析出してしまう。そのためμ波プラズマ法によ
るダイヤモンドの合成は、その基材形状が平面に
限定され、かつ平面でもその端の部分は満足なダ
イヤモンドが析出しないため均一性という意味か
ら、工業上、その応用範囲はきわめて限定された
ものであつた。 一方、熱電子放射材によつて混合ガスを予熱す
るもの（以下Ｗフイラメント法と称す）は、プラ
ズマをいつさい用いないため、μ波プラズマ法の
ような基材の鋭利な先端部へプラズマが集中する
といつた問題は、まつたくないため基材形状に関
しては、きわめて柔軟な選択が可能であり、かつ
平面の基材においても、その端部まで均一にダイ
ヤモンドを析出しうる。 しかしながら、このＷフイラメント法では、炭
化水素の励起が加熱した熱電子放射材（一般には
Ｗフイラメントを通電加熱して用いる）によるた
め、その励起はμ波プラズマ法に比べ、はなはだ
不十分であり、基材の表面にはダイヤモンド状の
結晶質硬質炭素以外の炭素が、かなりの量共析出
するという欠点をもつ。 この欠点を解消するためには、炭化水素を高エ
ネルギー状態に励起すべく、Ｗフイラメントの温
度を出来るだけ高温に保てばよいわけであるが、
Ｗフイラメントの温度を高温にすると、直下に設
置された基材表面が1300℃以上の高温になつてし
まうという問題が生じる。 これは基材表面がＷフイラメントの輻射によつ
て加熱されることによるため、基材表面を1300℃
以下に保つためには、Ｗフイラメントと基材との
間隔を広くするしか対策はありえない。しかしな
がら、Ｗフイラメントと基材との間隔を広くする
と、Ｗフイラメントの近辺で高温によつて高エネ
ルギー状態に励起された炭化水素が、基材表面に
到達するまでに、低エネルギー状態へ遷移してし
まい、かえつて、ダイヤモンドの析出をみない。
したがつて、実際には、Ｗフイラメントの温度の
上限はほゞ2100℃に限られていた。 〔発明の構成〕 (a) 問題点を解決するたの手段 Ｗフイラメント法の欠点である炭化水素の励起
が不充分であることを解決するためには、混合ガ
スの予熱温度を高くする。すなわちＷフイラメン
トの温度を出来る限り高いものにしなければなら
ない。ところがＷフイラメントの温度を2100℃以
上に上げると輻射のため、基材表面温度が高温に
なりすぎるという問題が生じる。そこで発明者
は、この基材の表面温度がいかなる理由によつて
定まるか、種々の検討を加えた。 その結果、たしかにＷフイラメントからの輻射
が基材表面を加熱する熱源として重要ではある
が、それ以外に混合ガスそのものが、Ｗフイラメ
ントによつて加熱され、Ｗフイラメントの下流に
設置された基材が、この混合ガスによつて加熱さ
れる割合がけつこう大きいことがわかつた。 これはダイヤモンドの合成にもちいる炭化水素
（一般にはCH4を用いるので以下CH4で説明す
る）およびH2がいずれもきわめて、熱伝導が良
いため、Ｗフイラメントによつてきわめて容易に
高温に加熱するためと考えられる。そこで発明者
は、まず混合ガスの熱伝導を小さくするため、反
応系の混合ガスの圧力を、通常Ｗフイラメント法
が用いられている20〜200Torrよりも、高真空で
ある0.1Torrに保つて実験をこころみた。 たしかに混合ガスの圧力を0.1Torrに保つと、
Ｗフイラメントの温度を2100℃以上に上げても、
基材表面の温度を1300℃以下に保つことは可能で
あつた。しかしながら反応系の圧力と高真空にし
ていくと、析出するダイヤモンドのつきまわりが
極端に悪くなり、実用上、基材の回転機構が必要
となること、さらには得られるダイヤモンドの析
出粒子がきめて粗粒化してしまい、成膜しがたく
なるという欠点を持つことがわかつた。そこで発
明者は、反応系の混合ガスの圧力を20〜200Torr
に保つたままで、混合ガスの熱伝導を低下させる
方法として、CH4やH2よりも熱伝導の低いガス
で、かつ炭化水素の熱分解反応に関与しないガス
で希釈すればよいのではないかと考えた。 具体的には、N2，Ar，Kr，Xe，Rnからなる群
より選んだ１種以上のガス、特に経済点の見地か
らN2および／又はArにて、希釈することが好ま
しい。なお、ガスの混合比に関する制限である
が、混合ガスにしめる割合で炭化水素は容積で10
％を越えると、ダイヤモンド状の結晶質硬質炭素
以外の炭素の析出が著しいため好ましくない。 又水素については容積で90％以上では、最も熱
伝導のよい水素の量が圧倒的になるため、Ｗフイ
ラメントの上限温度上昇効果が認められず、10％
以下になると水素（原子状水素といわれている）
によるダイヤモンド状結晶質硬質炭素以外の炭素
の選択エツチング効果が不充分で好ましくない。 (b) 作用効果 上記のようなN2，Ar，Kr，Xe，Rnからなる群
より選んだ１種以上のガスで、CH4とH2の混合ガ
スを希釈したところ、従来技術であるCH4とH2の
混合ガスをＷフイラメントにて予熱する場合と、
同様の装置（Ｗフイラメントと基材との間隔をか
えずに）において、Ｗフイラメント温度を従来の
2100℃以上、例えば2400℃に加熱しても、基材表
面温度は1300℃以下に保つことが可能であつた。 以上のような理由により、硬質の炭素膜を被覆
するには、炭化水素と水素の混合ガスをN2，
Ar，Kr，Xe，Rnからなる群より選んだ１種以上
のガスで希釈することが好ましいことがわかつ
た。 以下実施例によつて説明する。 実施例 １ 石英製の（内径60mm）反応容器内に、超硬合金
チツプ（TPGR332）を保持、その直上10mmのと
ころにＷフイラメントをおいた。Ｗフイラメント
上方よりCH40.5c.c.／min、H25c.c.／min、Ar5c.c.／
min反応容器内に導入するとともに、真空排気装
置で反応容器内で80Torrに保つた。 Ｗフイラメントに通電し、Ｗフイラメントの温
度を2300℃に保つとともに、反応容器外に設置し
た電気炉で基材を加熱し、基材の表面温度を950
℃に保つた。この状態で６時間被覆したのち、試
料を冷却し、被覆膜を反射電子線回折，Ｘ線回折
で調べたところダイヤモンド構造の結晶質のみが
被覆されていることがわかつた。次にLEELS−
ESCAおよびラマン分光にて、被覆膜を調べたと
ころ、ダイヤモンド以外の炭素の共存量は25％
（容積）以下であることがわかつた。なおSEMに
よるとダイヤモンド状結晶質の炭素膜の平均粒径
は約1.5μ、膜厚は３μであつた。 この試料をＡとする。全く同じ装置で同じ基材
を用い、CH4を１c.c.／min、H2を10c.c.／min、導
入し、反応容器内を80Torrに保つた場合、Ｗフ
イラメントの温度を2300℃にすると、反応容器外
の電気炉にまつたく通電しなくとも、基材の表面
温度は1350℃にまで上昇した。この状態で６時間
被覆すると試料表面にはダイヤモンドは全く析出
しなかつた。 そこで基材の表面温度を950℃になるように、
Ｗフイラメントの温度を調整したところ、Ｗフイ
ラメントの温度は2050℃であつた。この状態で６
時間被覆した。この試料をＢとし、ＢもやはりＡ
と同様の分析を行つた結果、ダイヤモンド以外の
炭素が容積で25〜50％共存していることがわかつ
た。 ＡとＢとで性能を比較するために、以下の条件
で切削テストをおこなつた。 被削材 ：AC4C 切削速度：1500m／min 送り ：0.1mm／rev 切り込み：１mm ホルダー：PTGNR2525−33 Ａは30分間切削してフランク摩耗が0.03mmであ
つたのに対し、Ｂは16分25秒間切削したとき、被
覆膜が剥離してしまい、18分間切削した時点でフ
ランク摩耗は0.34mmとなつてしまつた。 実施例 ２ 実施例１と同じ装置、同じ基材にて種々の条件
で硬質炭素膜の被覆を行つた。被覆条件および
LEELS−ESCAによつて測定した。被覆膜中の
ダイヤモンド以外の炭素の存在量（容積％）およ
び実施例１と同じ条件での切削テストの結果を表
−１に記す。
素を合成する方法に関するものである。 〔従来技術〕 超高圧、高温を用いずに減圧下の炭化水素と水
素との混合気流から加熱した基材の表面に、ダイ
ヤモンド状の硬質炭素を析出させる従来の技術と
して、たとえば特公昭59−27753号公報に示され
るように炭化水素と水素の混合ガスを1000℃以上
に加熱した熱電子放射材によつて予備加熱した
後、この加熱混合ガスを500〜1300℃に加熱した
基板表面に導入して炭化水素の熱分解によつて、
ダイヤモンドを析出させる方法、特公昭59−
27754号公報に示されるように水素ガスをマイク
ロ波無極電放電中を通過させた後、炭化水素と混
合したガス、または炭化水素と水素との混合ガス
をマイクロ波無極電放電中を通過させた混合ガス
を300〜1300℃に加熱した基板表面上に導入し、
炭化水素の熱分解によりダイヤモンドを析出させ
る方法などがある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ダイヤモンドを超高圧、高温を用いずに炭化水
素と水素との減圧下の混合ガスより加熱した基材
の表面に析出させる技術の原理は、炭化水素をプ
ラズマもしくは高温によつて高エネルギー状態に
励起させ、この高エネルギー励起炭化水素が基材
表面で熱分解して、安定相のグラフアイトではな
く準安定相のダイヤモンドが析出する。又添加さ
れた水素は、プラズマもしくは高温によつて一部
が原子状の水素に解離するが、この原子状水素が
基材表面上に、ダイヤモンドと共析出したダイヤ
モンド以外の炭素のみを選択エツチングするた
め、結果として純度の高いダイヤモンドを基材表
面上に合成しうるといわれている。 従来の超高圧、高温を用いないダイヤモンド合
成法のうち、マイクロ波無極電放電を用いるもの
（以下μ波プラズマ法と称す）は、μ波プラズマ
によつて、該炭化水素がきわめて高エネルギー状
態に励起されることから基板上に析出するもの
は、ほとんどダイヤモンドに近似の結晶質硬炭素
が主で、それ以外の炭素はほとんど析出しないと
いう特徴をもつ。 しかしながら、μ波プラズマを用いるため、プ
ラズマの特徴である鋭利な先端部に、プラズマが
集中するという欠点をもつ。そのため先端部は他
の部分に比べ異常に温度が上昇してしまう。 ダイヤモンドの合成にとつて基板の表面温度は
きわて重要で基材表面が1300℃以上では、ほとん
どグラフアイトおよび／又は無定形の炭素しか析
出しないことが知られている。また基材表面が
500℃以下ではほとんど炭化水素の熱分解が生じ
ないことも知られている。したがつてμ波プラズ
マ法によると、いかに基材表面温度を工業生産
上、限界ともいえる低温に保つても鋭利な基材先
端部は、プラズマの集中によつて1300℃以上に加
熱されてしまい、ダイヤモンドがほとんど析出せ
ず、グラフアイトおよび／又は無定形の炭素のみ
が析出してしまう。そのためμ波プラズマ法によ
るダイヤモンドの合成は、その基材形状が平面に
限定され、かつ平面でもその端の部分は満足なダ
イヤモンドが析出しないため均一性という意味か
ら、工業上、その応用範囲はきわめて限定された
ものであつた。 一方、熱電子放射材によつて混合ガスを予熱す
るもの（以下Ｗフイラメント法と称す）は、プラ
ズマをいつさい用いないため、μ波プラズマ法の
ような基材の鋭利な先端部へプラズマが集中する
といつた問題は、まつたくないため基材形状に関
しては、きわめて柔軟な選択が可能であり、かつ
平面の基材においても、その端部まで均一にダイ
ヤモンドを析出しうる。 しかしながら、このＷフイラメント法では、炭
化水素の励起が加熱した熱電子放射材（一般には
Ｗフイラメントを通電加熱して用いる）によるた
め、その励起はμ波プラズマ法に比べ、はなはだ
不十分であり、基材の表面にはダイヤモンド状の
結晶質硬質炭素以外の炭素が、かなりの量共析出
するという欠点をもつ。 この欠点を解消するためには、炭化水素を高エ
ネルギー状態に励起すべく、Ｗフイラメントの温
度を出来るだけ高温に保てばよいわけであるが、
Ｗフイラメントの温度を高温にすると、直下に設
置された基材表面が1300℃以上の高温になつてし
まうという問題が生じる。 これは基材表面がＷフイラメントの輻射によつ
て加熱されることによるため、基材表面を1300℃
以下に保つためには、Ｗフイラメントと基材との
間隔を広くするしか対策はありえない。しかしな
がら、Ｗフイラメントと基材との間隔を広くする
と、Ｗフイラメントの近辺で高温によつて高エネ
ルギー状態に励起された炭化水素が、基材表面に
到達するまでに、低エネルギー状態へ遷移してし
まい、かえつて、ダイヤモンドの析出をみない。
したがつて、実際には、Ｗフイラメントの温度の
上限はほゞ2100℃に限られていた。 〔発明の構成〕 (a) 問題点を解決するたの手段 Ｗフイラメント法の欠点である炭化水素の励起
が不充分であることを解決するためには、混合ガ
スの予熱温度を高くする。すなわちＷフイラメン
トの温度を出来る限り高いものにしなければなら
ない。ところがＷフイラメントの温度を2100℃以
上に上げると輻射のため、基材表面温度が高温に
なりすぎるという問題が生じる。そこで発明者
は、この基材の表面温度がいかなる理由によつて
定まるか、種々の検討を加えた。 その結果、たしかにＷフイラメントからの輻射
が基材表面を加熱する熱源として重要ではある
が、それ以外に混合ガスそのものが、Ｗフイラメ
ントによつて加熱され、Ｗフイラメントの下流に
設置された基材が、この混合ガスによつて加熱さ
れる割合がけつこう大きいことがわかつた。 これはダイヤモンドの合成にもちいる炭化水素
（一般にはCH4を用いるので以下CH4で説明す
る）およびH2がいずれもきわめて、熱伝導が良
いため、Ｗフイラメントによつてきわめて容易に
高温に加熱するためと考えられる。そこで発明者
は、まず混合ガスの熱伝導を小さくするため、反
応系の混合ガスの圧力を、通常Ｗフイラメント法
が用いられている20〜200Torrよりも、高真空で
ある0.1Torrに保つて実験をこころみた。 たしかに混合ガスの圧力を0.1Torrに保つと、
Ｗフイラメントの温度を2100℃以上に上げても、
基材表面の温度を1300℃以下に保つことは可能で
あつた。しかしながら反応系の圧力と高真空にし
ていくと、析出するダイヤモンドのつきまわりが
極端に悪くなり、実用上、基材の回転機構が必要
となること、さらには得られるダイヤモンドの析
出粒子がきめて粗粒化してしまい、成膜しがたく
なるという欠点を持つことがわかつた。そこで発
明者は、反応系の混合ガスの圧力を20〜200Torr
に保つたままで、混合ガスの熱伝導を低下させる
方法として、CH4やH2よりも熱伝導の低いガス
で、かつ炭化水素の熱分解反応に関与しないガス
で希釈すればよいのではないかと考えた。 具体的には、N2，Ar，Kr，Xe，Rnからなる群
より選んだ１種以上のガス、特に経済点の見地か
らN2および／又はArにて、希釈することが好ま
しい。なお、ガスの混合比に関する制限である
が、混合ガスにしめる割合で炭化水素は容積で10
％を越えると、ダイヤモンド状の結晶質硬質炭素
以外の炭素の析出が著しいため好ましくない。 又水素については容積で90％以上では、最も熱
伝導のよい水素の量が圧倒的になるため、Ｗフイ
ラメントの上限温度上昇効果が認められず、10％
以下になると水素（原子状水素といわれている）
によるダイヤモンド状結晶質硬質炭素以外の炭素
の選択エツチング効果が不充分で好ましくない。 (b) 作用効果 上記のようなN2，Ar，Kr，Xe，Rnからなる群
より選んだ１種以上のガスで、CH4とH2の混合ガ
スを希釈したところ、従来技術であるCH4とH2の
混合ガスをＷフイラメントにて予熱する場合と、
同様の装置（Ｗフイラメントと基材との間隔をか
えずに）において、Ｗフイラメント温度を従来の
2100℃以上、例えば2400℃に加熱しても、基材表
面温度は1300℃以下に保つことが可能であつた。 以上のような理由により、硬質の炭素膜を被覆
するには、炭化水素と水素の混合ガスをN2，
Ar，Kr，Xe，Rnからなる群より選んだ１種以上
のガスで希釈することが好ましいことがわかつ
た。 以下実施例によつて説明する。 実施例 １ 石英製の（内径60mm）反応容器内に、超硬合金
チツプ（TPGR332）を保持、その直上10mmのと
ころにＷフイラメントをおいた。Ｗフイラメント
上方よりCH40.5c.c.／min、H25c.c.／min、Ar5c.c.／
min反応容器内に導入するとともに、真空排気装
置で反応容器内で80Torrに保つた。 Ｗフイラメントに通電し、Ｗフイラメントの温
度を2300℃に保つとともに、反応容器外に設置し
た電気炉で基材を加熱し、基材の表面温度を950
℃に保つた。この状態で６時間被覆したのち、試
料を冷却し、被覆膜を反射電子線回折，Ｘ線回折
で調べたところダイヤモンド構造の結晶質のみが
被覆されていることがわかつた。次にLEELS−
ESCAおよびラマン分光にて、被覆膜を調べたと
ころ、ダイヤモンド以外の炭素の共存量は25％
（容積）以下であることがわかつた。なおSEMに
よるとダイヤモンド状結晶質の炭素膜の平均粒径
は約1.5μ、膜厚は３μであつた。 この試料をＡとする。全く同じ装置で同じ基材
を用い、CH4を１c.c.／min、H2を10c.c.／min、導
入し、反応容器内を80Torrに保つた場合、Ｗフ
イラメントの温度を2300℃にすると、反応容器外
の電気炉にまつたく通電しなくとも、基材の表面
温度は1350℃にまで上昇した。この状態で６時間
被覆すると試料表面にはダイヤモンドは全く析出
しなかつた。 そこで基材の表面温度を950℃になるように、
Ｗフイラメントの温度を調整したところ、Ｗフイ
ラメントの温度は2050℃であつた。この状態で６
時間被覆した。この試料をＢとし、ＢもやはりＡ
と同様の分析を行つた結果、ダイヤモンド以外の
炭素が容積で25〜50％共存していることがわかつ
た。 ＡとＢとで性能を比較するために、以下の条件
で切削テストをおこなつた。 被削材 ：AC4C 切削速度：1500m／min 送り ：0.1mm／rev 切り込み：１mm ホルダー：PTGNR2525−33 Ａは30分間切削してフランク摩耗が0.03mmであ
つたのに対し、Ｂは16分25秒間切削したとき、被
覆膜が剥離してしまい、18分間切削した時点でフ
ランク摩耗は0.34mmとなつてしまつた。 実施例 ２ 実施例１と同じ装置、同じ基材にて種々の条件
で硬質炭素膜の被覆を行つた。被覆条件および
LEELS−ESCAによつて測定した。被覆膜中の
ダイヤモンド以外の炭素の存在量（容積％）およ
び実施例１と同じ条件での切削テストの結果を表
−１に記す。
この発明は以上説明したように、ダイヤモンド
減圧下の炭化水素と水素より合成する際に、反応
に関与しないが熱伝導のきわめて少ないガスで希
釈することによつて、基材表面温度を所定の温度
以下に保つたままで、十分に混合ガスと予熱しう
るという効果がある。
減圧下の炭化水素と水素より合成する際に、反応
に関与しないが熱伝導のきわめて少ないガスで希
釈することによつて、基材表面温度を所定の温度
以下に保つたままで、十分に混合ガスと予熱しう
るという効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 炭化水素と水素と、窒素、アルゴン、クリプ
トン、キセノン、ラドンからなる群より選んだ１
種以上の気体の混合ガスを、2000℃以上に加熱し
た発熱体によつて予熱した後で、この加熱混合ガ
スを500〜1300℃に加熱した基板表面に導入し
て、炭化水素の熱分解によつて、硬質炭素膜を基
板表面上に析出させることを特徴とする硬質炭素
膜合成法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の硬質炭素膜合成
法において、混合ガスにおける炭化水素のしめる
割合が、容積で10％以下であり、かつ水素のしめ
る割合が容積で10％以上90％以下であることを特
徴とする硬質炭素膜合成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005898A JPS62164878A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 硬質炭素膜合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005898A JPS62164878A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 硬質炭素膜合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62164878A JPS62164878A (ja) | 1987-07-21 |
| JPS6257708B2 true JPS6257708B2 (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=11623708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61005898A Granted JPS62164878A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 硬質炭素膜合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62164878A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981717A (en) * | 1989-02-24 | 1991-01-01 | Mcdonnell Douglas Corporation | Diamond like coating and method of forming |
-
1986
- 1986-01-14 JP JP61005898A patent/JPS62164878A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62164878A (ja) | 1987-07-21 |
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