JPS625658A - ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法

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JPS625658A
JPS625658A JP14552485A JP14552485A JPS625658A JP S625658 A JPS625658 A JP S625658A JP 14552485 A JP14552485 A JP 14552485A JP 14552485 A JP14552485 A JP 14552485A JP S625658 A JPS625658 A JP S625658A
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江田　和生
Masaki Inada
稲田　雅紀
Toshimichi Oota
順道 太田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4967252A (en) * 1988-03-18 1990-10-30 501 Fujitsu Limited Compound semiconductor bipolar device with side wall contact
US5485025A (en) * 1994-12-02 1996-01-16 Texas Instruments Incorporated Depleted extrinsic emitter of collector-up heterojunction bipolar transistor
JP2017152550A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 日本電信電話株式会社 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5485025A (en) * 1994-12-02 1996-01-16 Texas Instruments Incorporated Depleted extrinsic emitter of collector-up heterojunction bipolar transistor
JP2017152550A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 日本電信電話株式会社 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

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