JPS6255725B2 - - Google Patents
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- JPS6255725B2 JPS6255725B2 JP56010569A JP1056981A JPS6255725B2 JP S6255725 B2 JPS6255725 B2 JP S6255725B2 JP 56010569 A JP56010569 A JP 56010569A JP 1056981 A JP1056981 A JP 1056981A JP S6255725 B2 JPS6255725 B2 JP S6255725B2
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- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、特に異常検出の方法を改善し、保
護範囲をより拡大できるようにした出力トランジ
スタ保護回路に関する。 一般に、電子装置等の出力信号を発生する出力
回路に使用される出力トランジスタは、外部回路
あるいは電源等からのノイズ、または短絡等の悪
影響を受けることが多い。そのために、従来から
種々の出力トランジスタ保護回路が考えられてい
る。この保護回路は、通常出力トランジスタのコ
レクタ電流に応じて、電流または電圧を検出し、
この検出された電流または電圧が、異常すなわち
出力トランジスタの定格を越えるものであれば、
例えば出力トランジスタへの電源供給をカツトす
る様な動作がなされる。また、上記の様な異常検
出の方法に、出力トランジスタのコレクタ・エミ
ツタ間電圧の検出結果を加味して、異常検出をす
る方法等もある。このように、出力トランジスタ
の保護回路では、異常検出の方法が重要である
が、従来の異常検出方法では、出力トランジスタ
のASO(Area of safe operation:安全動作領
域)のライン、すなわちコレクタ電圧とコレクタ
電流の最大定格値、および2次降伏現象の起きる
範囲内の、安全動作領域に沿う検出レベルに設定
して検出することは困難である。すなわち、例え
ば出力トランジスタのコレクタ電流に応じた電流
を検出した場合、そのときのコレクタ電圧を加味
しても、検出レベルの設定範囲が狭いため、過電
流または過電圧のいずれか一方のみに、異常検出
の範囲が限定される欠点がある。 この発明は上記の様な事情に鑑みなされたもの
で、出力トランジスタの電力レベル、すなわち安
全動作領域に沿う検出レベルを設定できることに
よつて、広範囲な異常検出を行うことのできる出
力トランジスタ保護回路を提供することを目的と
する。 以下図面を参照してこの発明の一実施例につい
て説明する。図はその回路の構成を示すものでト
ランジスタ11,13は相補型B級プツシユ・プ
ル増幅器の出力トランジスタである。今、正の半
サイクルの動作を考えると、端子10に供給され
る電源Vccがコレクタに供給される出力トランジ
スタ11(この例ではNPN型トランジスタ)の
ベース回路に入力信号が供給され、このトランジ
スタ11のエミツタ回路は出力端子12に接続し
て、この端子12から出力信号が取り出されるよ
うになつている。この出力トランジスタ11のベ
ース回路に供給される入力信号は、さらにトラン
ジスタ15のベースに供給され、このトランジス
タ15のエミツタは抵抗14、出力コンデンサ2
2を介して出力端子12と接続される。このトラ
ンジスタ15のコレクタは、トランジスタ17の
ベースに接続し、このトランジスタ17のコレク
タはトランジスタ15のコレクタに共通接続さ
れ、そのエミツタ回路には電源Vccが抵抗16を
介して供給される。さらにトランジスタ17のコ
レクタ電流は、コレクタ回路に電源Vccが供給さ
れるトランジスタ18のベースに供給され、この
トランジスタ18のエミツタ電流は抵抗19、出
力コンデンサ22を介して出力端子12へ供給さ
れる。このトランジスタ18のエミツタは、トラ
ンジスタ20のベースに接続し、このトランジス
タ20のエミツタはダイオード接続したトランジ
スタ21を介して電源端子10に接続する。そし
てこのトランジスタ20のコレクタ電流は、例え
ば出力トランジスタ11のバイアス・カツト回路
等へ供給する保護検出信号として取り出す。 ここで、上記の様に構成される回路におけるト
ランジスタ11,15,17,18,20,21
それぞれについて、 トランジスタのコレクタ電流をIcn, トランジスタの飽和電流をIsn, トランジスタのエミツタ面積をAen, トランジスタのコレクタ・エミツタ間電圧をV
cEo とする。但しnはトランジスタの番号を示す。い
ま出力トランジスタ11にベース電流および電源
Vccが供給されると、ベース・エミツタ間電圧V
BE11とコレクタ電流Ic11関係は VBE11=KT/qlnIc11/Is11・Ae11…
(1) となる。ここで q:電子の電荷 K:ボルツマン定数 T:絶対温度 ln:自然対数 である。「そして抵抗14,16が等しい値であ
れば、電源端子10とトランジスタ15のコレク
タ回路のa点間の電圧Vaは、ほぼ出力トランジ
スタ11のVBE11と等しくなり、」以下の様な関
係式 VBE11=KT/qlnIc15/Is15・Ae15+
Ic15・R14 ≒KT/qlnIc17/Is17・Ae17+Ic17
・R16…(2) が成立する。ここでR14,R16はそれぞれ抵抗1
4,16の抵抗値である。上記かぎかつこ内の文
章の理由は、 VBE11=VBE15+VR14 であり、IC15=IC17(〓IE17)であれば、VR14
=VR16、またVBE15〓VBE17が成立すれば VBE15+VR14=VBE17+VR16 =VBE11 となるからである。 すなわち、出力トランジスタ11のコレクタ電
流Ic11に応じた電流Ic15がトランジスタ15およ
び抵抗14によつて検出されたことになり、また
このトランジスタ15のコレクタ電流Ic15に応じ
た対数的な電圧をトランジスタ17および抵抗1
6によつて電源端子10とa点間に発生させたこ
とになる。さらに、トランジスタ18のベース・
エミツタ間電圧VBE18は VBE18=KT/qlnIc18/Is18・Ae18…
(3) となり、またこのVBE18は VBE18≒KT/qlnVCE11−2VF/Is18・
Ae18・R19…(4) となる。ここで R19:抵抗19の抵抗値 VCE11:出力トランジスタ11のコレクタ・
エミツタ間電圧 VF:トランジスタ17,18のベース・エ
ミツタ間電圧 である。ここで上記(4)式を導く過程を説明してお
く、即ちIC18≒IE18(IC18はトランジスタ18
のコレクタ電流、IE18はトランジスタ18のエ
ミツタ電流)であれば、 IE18={VCE11−VBE18 −(VBE17+VR16)}/R19 ≒{VCE11−VBE18−VBE18}/R19 ここで−VBE18−VBE11〓−2VBE=−2VF だから IE18={VCE11−2VBE)/R19 を得る。ゆえに となる。いま仮にトランジスタ18のエミツタと
トランジスタ20のベースの共通接続点をbとす
れば、電源端子10とb点間の電圧Vbは(Va+
トランジスタ18のベース・エミツタ間電圧)と
なり、これは上記(式(1)+式(4))と同値である。
すなわち、 Vb=KT/qlnIc11/Is11・Ae11+KT/
qlnVCE11−2VF/Is18・Ae18・R19
…(5) となり、さらにこの式(5)を変形して Vb=KT/qlnIc11(VCE11−2VF)/I
s11・Is18・Ae11・Ae18・R19…(6) となる。即ち上記VbはIC11とVCE11との積に応
じて変化する電圧となつている。またトランジス
タ20は、ダイオード接続したトランジスタ21
を介して電源端子10に接続されているため、電
圧Vbはトランジスタ20,21のベース・エミ
ツタ間電圧を加えたものとなる。 すなわち、 Vb=KT/qlnIc20/Is20・Ae20+KT
/qlnIc21/Is21・Ae21…(7) となり、さらに変形して Vb=KT/qlnIc20・Ic21/Is20・Is
21・Ae20・Ae21…(8) となる。ここでIc20=Ic21と考えられるから上記
式(8)は Vb=KT/qln(Ic20)2/Is20・Is21
・Ae20・Ae21…(9) となる。そして上記(式(6)=式(9))より、 (Ic20)2=Is20・Is21・Ae20・Ae2
1/Is11・Is18・Ae12・Ae18・R19
Ic11(VCE11−2VF) …(10) となる関係式が成立する。 ここで Is20・Is21・Ae20・Ae21/Is11
・Is18・Ae11・Ae18・R19 は、変化しない値であるから、仮にKとすると上
記式(10)は (IC20)2=K・IC11(VCE11−2VF) …(11) となる。すなわちトランジスタ20のコレクタ電
流IC20は出力トランジスタ11の消費電力に応
じた変化を検出する電流となるものである。 上記の様に、出力トランジスタ11のコレクタ
電流IC11に応じた電流IC15が検出され、この電
流IC15に応じた電圧Vaが発生する。また出力ト
ランジスタ11のコレクタ・エミツタ間電圧VCE
11に応じた電流IC18を検出するトランジスタ18
によつて、このトランジスタ18のベース・エミ
ツタ間電圧VBE18に電圧Vaが加えられた電圧Vb
が発生する。そして、この電圧Vbの変化をコレ
クタ電流IC20に変換するトランジスタ20によ
つて、出力トランジスタ11の消費電力(VCE1
1・IC11)に応じた電流検出を行うことができ
るものである。 なお、上記抵抗14,16,19の設定値を変
化させることにより、出力トランジスタ11の消
費電力に応じた電流検出レベルを任意に設定する
ことができる。 第2図はこの発明の他の実施例を示すもので、
上記実施例と同様にトランジスタ11,13は相
補型B級プツシユプル増幅器の出力トランジスタ
であるが、出力トランジスタ11がPNP型トラン
ジスタで負の半サイクルの動作を考えた場合であ
る。従つてトランジスタ15,18,21はPNP
型トランジスタ、またトランジスタ13,17,
20はNPN型トランジスタとなる。この場合の
検出信号は、例えば反転させることによつて、上
記実施例の検出信号が供給される端子と同一の端
子に供給されることによつて上記実施例と同様の
効果を得ることができる。なお、回路の動作説明
は第1図と同様の符号を付して省略する。 第3図はこの発明のさらに他の実施例を示すも
ので、上記第1図に示した回路に定電流源回路3
1を設けたものである。すなわち、この定電流源
回路31は、電源Vccが抵抗32を介してコレク
タおよびベースに供給されるトランジスタ33が
設けられ、このトランジスタ33のエミツタはダ
イオード34を介して接地される。さらにトラン
ジスタ20,21の両エミツタとコレクタが接続
するトランジスタ35が設けられ、このトランジ
スタ35のエミツタは抵抗36を介して接地さ
れ、またそのベースはトランジスタ33のベース
と共通接続されている。このような定電流源回路
31を設け、その値を変えることによつて、出力
トランジスタ11の消費電力に応じた電流検出レ
ベルの設定値を変えることができるものである。
なお、出力トランジスタ保護回路の構成および効
果は第1図に示した回路と同様であるため、同一
符号を付して動作説明は省略する。 以上詳述したように、この発明によれば、その
第1、第2の手段によつて、出力トランジスタの
エミツタ・コレクタ間電圧を出力トランジスタの
コレクタ電流を容易にこれら両者の積に変換でき
るので、この積つまりトランジスタの電力レベル
すなわち安全動作領域に沿う検出レベルを任意に
設定することができることによつて、広範囲な異
常検出を行うことができる出力トランジスタ保護
回路を提供することができる。
護範囲をより拡大できるようにした出力トランジ
スタ保護回路に関する。 一般に、電子装置等の出力信号を発生する出力
回路に使用される出力トランジスタは、外部回路
あるいは電源等からのノイズ、または短絡等の悪
影響を受けることが多い。そのために、従来から
種々の出力トランジスタ保護回路が考えられてい
る。この保護回路は、通常出力トランジスタのコ
レクタ電流に応じて、電流または電圧を検出し、
この検出された電流または電圧が、異常すなわち
出力トランジスタの定格を越えるものであれば、
例えば出力トランジスタへの電源供給をカツトす
る様な動作がなされる。また、上記の様な異常検
出の方法に、出力トランジスタのコレクタ・エミ
ツタ間電圧の検出結果を加味して、異常検出をす
る方法等もある。このように、出力トランジスタ
の保護回路では、異常検出の方法が重要である
が、従来の異常検出方法では、出力トランジスタ
のASO(Area of safe operation:安全動作領
域)のライン、すなわちコレクタ電圧とコレクタ
電流の最大定格値、および2次降伏現象の起きる
範囲内の、安全動作領域に沿う検出レベルに設定
して検出することは困難である。すなわち、例え
ば出力トランジスタのコレクタ電流に応じた電流
を検出した場合、そのときのコレクタ電圧を加味
しても、検出レベルの設定範囲が狭いため、過電
流または過電圧のいずれか一方のみに、異常検出
の範囲が限定される欠点がある。 この発明は上記の様な事情に鑑みなされたもの
で、出力トランジスタの電力レベル、すなわち安
全動作領域に沿う検出レベルを設定できることに
よつて、広範囲な異常検出を行うことのできる出
力トランジスタ保護回路を提供することを目的と
する。 以下図面を参照してこの発明の一実施例につい
て説明する。図はその回路の構成を示すものでト
ランジスタ11,13は相補型B級プツシユ・プ
ル増幅器の出力トランジスタである。今、正の半
サイクルの動作を考えると、端子10に供給され
る電源Vccがコレクタに供給される出力トランジ
スタ11(この例ではNPN型トランジスタ)の
ベース回路に入力信号が供給され、このトランジ
スタ11のエミツタ回路は出力端子12に接続し
て、この端子12から出力信号が取り出されるよ
うになつている。この出力トランジスタ11のベ
ース回路に供給される入力信号は、さらにトラン
ジスタ15のベースに供給され、このトランジス
タ15のエミツタは抵抗14、出力コンデンサ2
2を介して出力端子12と接続される。このトラ
ンジスタ15のコレクタは、トランジスタ17の
ベースに接続し、このトランジスタ17のコレク
タはトランジスタ15のコレクタに共通接続さ
れ、そのエミツタ回路には電源Vccが抵抗16を
介して供給される。さらにトランジスタ17のコ
レクタ電流は、コレクタ回路に電源Vccが供給さ
れるトランジスタ18のベースに供給され、この
トランジスタ18のエミツタ電流は抵抗19、出
力コンデンサ22を介して出力端子12へ供給さ
れる。このトランジスタ18のエミツタは、トラ
ンジスタ20のベースに接続し、このトランジス
タ20のエミツタはダイオード接続したトランジ
スタ21を介して電源端子10に接続する。そし
てこのトランジスタ20のコレクタ電流は、例え
ば出力トランジスタ11のバイアス・カツト回路
等へ供給する保護検出信号として取り出す。 ここで、上記の様に構成される回路におけるト
ランジスタ11,15,17,18,20,21
それぞれについて、 トランジスタのコレクタ電流をIcn, トランジスタの飽和電流をIsn, トランジスタのエミツタ面積をAen, トランジスタのコレクタ・エミツタ間電圧をV
cEo とする。但しnはトランジスタの番号を示す。い
ま出力トランジスタ11にベース電流および電源
Vccが供給されると、ベース・エミツタ間電圧V
BE11とコレクタ電流Ic11関係は VBE11=KT/qlnIc11/Is11・Ae11…
(1) となる。ここで q:電子の電荷 K:ボルツマン定数 T:絶対温度 ln:自然対数 である。「そして抵抗14,16が等しい値であ
れば、電源端子10とトランジスタ15のコレク
タ回路のa点間の電圧Vaは、ほぼ出力トランジ
スタ11のVBE11と等しくなり、」以下の様な関
係式 VBE11=KT/qlnIc15/Is15・Ae15+
Ic15・R14 ≒KT/qlnIc17/Is17・Ae17+Ic17
・R16…(2) が成立する。ここでR14,R16はそれぞれ抵抗1
4,16の抵抗値である。上記かぎかつこ内の文
章の理由は、 VBE11=VBE15+VR14 であり、IC15=IC17(〓IE17)であれば、VR14
=VR16、またVBE15〓VBE17が成立すれば VBE15+VR14=VBE17+VR16 =VBE11 となるからである。 すなわち、出力トランジスタ11のコレクタ電
流Ic11に応じた電流Ic15がトランジスタ15およ
び抵抗14によつて検出されたことになり、また
このトランジスタ15のコレクタ電流Ic15に応じ
た対数的な電圧をトランジスタ17および抵抗1
6によつて電源端子10とa点間に発生させたこ
とになる。さらに、トランジスタ18のベース・
エミツタ間電圧VBE18は VBE18=KT/qlnIc18/Is18・Ae18…
(3) となり、またこのVBE18は VBE18≒KT/qlnVCE11−2VF/Is18・
Ae18・R19…(4) となる。ここで R19:抵抗19の抵抗値 VCE11:出力トランジスタ11のコレクタ・
エミツタ間電圧 VF:トランジスタ17,18のベース・エ
ミツタ間電圧 である。ここで上記(4)式を導く過程を説明してお
く、即ちIC18≒IE18(IC18はトランジスタ18
のコレクタ電流、IE18はトランジスタ18のエ
ミツタ電流)であれば、 IE18={VCE11−VBE18 −(VBE17+VR16)}/R19 ≒{VCE11−VBE18−VBE18}/R19 ここで−VBE18−VBE11〓−2VBE=−2VF だから IE18={VCE11−2VBE)/R19 を得る。ゆえに となる。いま仮にトランジスタ18のエミツタと
トランジスタ20のベースの共通接続点をbとす
れば、電源端子10とb点間の電圧Vbは(Va+
トランジスタ18のベース・エミツタ間電圧)と
なり、これは上記(式(1)+式(4))と同値である。
すなわち、 Vb=KT/qlnIc11/Is11・Ae11+KT/
qlnVCE11−2VF/Is18・Ae18・R19
…(5) となり、さらにこの式(5)を変形して Vb=KT/qlnIc11(VCE11−2VF)/I
s11・Is18・Ae11・Ae18・R19…(6) となる。即ち上記VbはIC11とVCE11との積に応
じて変化する電圧となつている。またトランジス
タ20は、ダイオード接続したトランジスタ21
を介して電源端子10に接続されているため、電
圧Vbはトランジスタ20,21のベース・エミ
ツタ間電圧を加えたものとなる。 すなわち、 Vb=KT/qlnIc20/Is20・Ae20+KT
/qlnIc21/Is21・Ae21…(7) となり、さらに変形して Vb=KT/qlnIc20・Ic21/Is20・Is
21・Ae20・Ae21…(8) となる。ここでIc20=Ic21と考えられるから上記
式(8)は Vb=KT/qln(Ic20)2/Is20・Is21
・Ae20・Ae21…(9) となる。そして上記(式(6)=式(9))より、 (Ic20)2=Is20・Is21・Ae20・Ae2
1/Is11・Is18・Ae12・Ae18・R19
Ic11(VCE11−2VF) …(10) となる関係式が成立する。 ここで Is20・Is21・Ae20・Ae21/Is11
・Is18・Ae11・Ae18・R19 は、変化しない値であるから、仮にKとすると上
記式(10)は (IC20)2=K・IC11(VCE11−2VF) …(11) となる。すなわちトランジスタ20のコレクタ電
流IC20は出力トランジスタ11の消費電力に応
じた変化を検出する電流となるものである。 上記の様に、出力トランジスタ11のコレクタ
電流IC11に応じた電流IC15が検出され、この電
流IC15に応じた電圧Vaが発生する。また出力ト
ランジスタ11のコレクタ・エミツタ間電圧VCE
11に応じた電流IC18を検出するトランジスタ18
によつて、このトランジスタ18のベース・エミ
ツタ間電圧VBE18に電圧Vaが加えられた電圧Vb
が発生する。そして、この電圧Vbの変化をコレ
クタ電流IC20に変換するトランジスタ20によ
つて、出力トランジスタ11の消費電力(VCE1
1・IC11)に応じた電流検出を行うことができ
るものである。 なお、上記抵抗14,16,19の設定値を変
化させることにより、出力トランジスタ11の消
費電力に応じた電流検出レベルを任意に設定する
ことができる。 第2図はこの発明の他の実施例を示すもので、
上記実施例と同様にトランジスタ11,13は相
補型B級プツシユプル増幅器の出力トランジスタ
であるが、出力トランジスタ11がPNP型トラン
ジスタで負の半サイクルの動作を考えた場合であ
る。従つてトランジスタ15,18,21はPNP
型トランジスタ、またトランジスタ13,17,
20はNPN型トランジスタとなる。この場合の
検出信号は、例えば反転させることによつて、上
記実施例の検出信号が供給される端子と同一の端
子に供給されることによつて上記実施例と同様の
効果を得ることができる。なお、回路の動作説明
は第1図と同様の符号を付して省略する。 第3図はこの発明のさらに他の実施例を示すも
ので、上記第1図に示した回路に定電流源回路3
1を設けたものである。すなわち、この定電流源
回路31は、電源Vccが抵抗32を介してコレク
タおよびベースに供給されるトランジスタ33が
設けられ、このトランジスタ33のエミツタはダ
イオード34を介して接地される。さらにトラン
ジスタ20,21の両エミツタとコレクタが接続
するトランジスタ35が設けられ、このトランジ
スタ35のエミツタは抵抗36を介して接地さ
れ、またそのベースはトランジスタ33のベース
と共通接続されている。このような定電流源回路
31を設け、その値を変えることによつて、出力
トランジスタ11の消費電力に応じた電流検出レ
ベルの設定値を変えることができるものである。
なお、出力トランジスタ保護回路の構成および効
果は第1図に示した回路と同様であるため、同一
符号を付して動作説明は省略する。 以上詳述したように、この発明によれば、その
第1、第2の手段によつて、出力トランジスタの
エミツタ・コレクタ間電圧を出力トランジスタの
コレクタ電流を容易にこれら両者の積に変換でき
るので、この積つまりトランジスタの電力レベル
すなわち安全動作領域に沿う検出レベルを任意に
設定することができることによつて、広範囲な異
常検出を行うことができる出力トランジスタ保護
回路を提供することができる。
第1図はこの発明の一実施例に係る出力トラン
ジスタ保護回路の概略的構成図、第2図はこの発
明の他の実施例に係る出力トランジスタ保護回路
の概略的構成図、第3図はこの発明のさらに他の
実施例に係る出力トランジスタ保護回路の概略的
構成図。 10…電源端子、11,13,15,17,1
8,20,21…トランジスタ、12…出力端
子、14,16,19…抵抗、22…出力コンデ
ンサ、31…定電流源。
ジスタ保護回路の概略的構成図、第2図はこの発
明の他の実施例に係る出力トランジスタ保護回路
の概略的構成図、第3図はこの発明のさらに他の
実施例に係る出力トランジスタ保護回路の概略的
構成図。 10…電源端子、11,13,15,17,1
8,20,21…トランジスタ、12…出力端
子、14,16,19…抵抗、22…出力コンデ
ンサ、31…定電流源。
Claims (1)
- 1 出力トランジスタのコレクタ電流に応じた電
圧を第1のトランジスタのベース・エミツタ間電
圧として取り出す第1の手段と、前記出力トラン
ジスタのコレクタ・エミツタ間電圧に応じた電流
を第2のトランジスタのベース・エミツタ間電圧
として取り出す第2の手段と、前記両ベース・エ
ミツタ間電圧の和をつくり、トランジスタのコレ
クタ電流とベース・エミツタ間電圧の対数特性を
用い前記出力トランジスタのエミツタ・コレクタ
間電圧と前記出力トランジスタのコレクタ電流の
積に比例する値を得る第3の手段とを具備し、こ
の第3の手段の前記値を用いて前記出力トランジ
スタの保護動作を行なわせるようにしたことを特
徴とする出力トランジスタ保護回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56010569A JPS57124909A (en) | 1981-01-27 | 1981-01-27 | Output transistor protection circuit |
EP82300362A EP0058005B1 (en) | 1981-01-27 | 1982-01-25 | Protection circuit for an output transistor |
DE8282300362T DE3265316D1 (en) | 1981-01-27 | 1982-01-25 | Protection circuit for an output transistor |
US06/515,680 US4538198A (en) | 1981-01-27 | 1984-07-21 | Protection circuit for an output transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56010569A JPS57124909A (en) | 1981-01-27 | 1981-01-27 | Output transistor protection circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57124909A JPS57124909A (en) | 1982-08-04 |
JPS6255725B2 true JPS6255725B2 (ja) | 1987-11-20 |
Family
ID=11753867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56010569A Granted JPS57124909A (en) | 1981-01-27 | 1981-01-27 | Output transistor protection circuit |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4538198A (ja) |
EP (1) | EP0058005B1 (ja) |
JP (1) | JPS57124909A (ja) |
DE (1) | DE3265316D1 (ja) |
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JPH0618294B2 (ja) * | 1987-02-27 | 1994-03-09 | 株式会社東芝 | 音声出力増幅器 |
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US5896263A (en) * | 1997-06-27 | 1999-04-20 | Allen-Bradley Company, Llc | Output circuit having electronic overload protection activated by voltage drop across output transistor |
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DE2705583C2 (de) * | 1977-02-10 | 1982-04-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Transistorschaltung mit einem vor thermischer Zerstörung zu schützenden Transistor |
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US4355341A (en) * | 1980-06-30 | 1982-10-19 | Rca Corporation | Power protection circuit for transistors |
-
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- 1981-01-27 JP JP56010569A patent/JPS57124909A/ja active Granted
-
1982
- 1982-01-25 EP EP82300362A patent/EP0058005B1/en not_active Expired
- 1982-01-25 DE DE8282300362T patent/DE3265316D1/de not_active Expired
-
1984
- 1984-07-21 US US06/515,680 patent/US4538198A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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EP0058005B1 (en) | 1985-08-14 |
DE3265316D1 (en) | 1985-09-19 |
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