JPS6253343A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS6253343A JPS6253343A JP60192970A JP19297085A JPS6253343A JP S6253343 A JPS6253343 A JP S6253343A JP 60192970 A JP60192970 A JP 60192970A JP 19297085 A JP19297085 A JP 19297085A JP S6253343 A JPS6253343 A JP S6253343A
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- JP
- Japan
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- plasma
- treatment
- gas
- processing
- plasma processing
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、オレフィン系樹脂等の樹脂材料の塗装性、接
着性を改質するために該樹脂材料の表面にプラズマ処理
を施すプラズマ処理装置に関し、特にプラズマ処理の均
一化対策に関する。
着性を改質するために該樹脂材料の表面にプラズマ処理
を施すプラズマ処理装置に関し、特にプラズマ処理の均
一化対策に関する。
(従来の技術)
近年、自aS部品の材料として軽量ひかつ意匠性に優れ
る樹脂が使用される傾向にあるが、例えば比較的安価な
ボリプロビレンヤポリエチレン等をバンパーや車体外板
として使用してその表面に塗装を施す場合、無極性であ
ることから樹脂表面と塗膜との密着が悪く、層間剥離が
生じるという問題がある。
る樹脂が使用される傾向にあるが、例えば比較的安価な
ボリプロビレンヤポリエチレン等をバンパーや車体外板
として使用してその表面に塗装を施す場合、無極性であ
ることから樹脂表面と塗膜との密着が悪く、層間剥離が
生じるという問題がある。
このため、従来、このような樹脂材料の塗装性、接着性
を改質する技術として、酸素ガス、窒素ガス、不活性ガ
ス又はこれらの混合ガス等を高周波放電等の放電により
励起してラジカルガスつまり低温プラズマを発生させ、
この低温プラズマを処I!l!槽内に装入された樹脂製
の被処理物の表面に照射してプラズマ処理を施すことは
知られている(例えば時間11r160 25733
号公報参照)。
を改質する技術として、酸素ガス、窒素ガス、不活性ガ
ス又はこれらの混合ガス等を高周波放電等の放電により
励起してラジカルガスつまり低温プラズマを発生させ、
この低温プラズマを処I!l!槽内に装入された樹脂製
の被処理物の表面に照射してプラズマ処理を施すことは
知られている(例えば時間11r160 25733
号公報参照)。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、このようなプラズマ処理を白!1111部品
等の徂産品に適用する場合には被処理物に対してプラズ
マ処1!I!を均一に行うことが必要である。
等の徂産品に適用する場合には被処理物に対してプラズ
マ処1!I!を均一に行うことが必要である。
しかるに、従来は、プラズマ処理量が、プラズマ発生器
出力、照射処理時間およびプラズマガス導入機に比例し
、プラズマ処理槽内の圧力および容積に反比例すること
から、照射処理時間をタイマー等で予め設定された所定
値に制御することにより、プラズマ処理の均一化を図る
ようにしているが、プラズマ生成用の高周波発振器の異
常時等の外乱によりプラズマ処理の不足や過多を生じや
すいという問題がある。このため、処理後その効果を確
認1°るために、接触角の測定や塗装後の塗IIQ剥離
強度の検査などの作業が行われるが、この接触角の測定
には高度な熟練作業を要し、また剥離検査は破壊検査と
なるため、実生産上の面で不利である。
出力、照射処理時間およびプラズマガス導入機に比例し
、プラズマ処理槽内の圧力および容積に反比例すること
から、照射処理時間をタイマー等で予め設定された所定
値に制御することにより、プラズマ処理の均一化を図る
ようにしているが、プラズマ生成用の高周波発振器の異
常時等の外乱によりプラズマ処理の不足や過多を生じや
すいという問題がある。このため、処理後その効果を確
認1°るために、接触角の測定や塗装後の塗IIQ剥離
強度の検査などの作業が行われるが、この接触角の測定
には高度な熟練作業を要し、また剥離検査は破壊検査と
なるため、実生産上の面で不利である。
また、上記公報では、処理槽の内容積に対するプラズマ
ガス導入量と照(ト)処理時間との関係を規定して、プ
ラズマ処理を均一に行うようにしているが、ガス導入量
や処理時間などを検出するためのセンサの数が多いため
、構造が複雑となるとともにその弁制御の上で誤差が生
じゃすい。しがも、処理槽内の真空79の変化やシール
性の経時変化などの外乱にも影響を受け、プラズマ処理
の均一化を十分に図り得ないものであった。
ガス導入量と照(ト)処理時間との関係を規定して、プ
ラズマ処理を均一に行うようにしているが、ガス導入量
や処理時間などを検出するためのセンサの数が多いため
、構造が複雑となるとともにその弁制御の上で誤差が生
じゃすい。しがも、処理槽内の真空79の変化やシール
性の経時変化などの外乱にも影響を受け、プラズマ処理
の均一化を十分に図り得ないものであった。
本発明はかかる諸点に鑑みてなされたもので、プラズマ
発生時に発光現象を伴うことがら、このプラズマ発光度
はプラズマ発生量と比例関係になることに着目し、この
プラズマ発光度に基づいてプラズマ発生量つまりプラズ
マ処理量が所定値になるように制御することにより、外
乱等に影響を受けることなく、簡単な構造でもって樹脂
製の被処理物に対しプラズマ処理をより均一に行い得る
ようにすることを目的とする。
発生時に発光現象を伴うことがら、このプラズマ発光度
はプラズマ発生量と比例関係になることに着目し、この
プラズマ発光度に基づいてプラズマ発生量つまりプラズ
マ処理量が所定値になるように制御することにより、外
乱等に影響を受けることなく、簡単な構造でもって樹脂
製の被処理物に対しプラズマ処理をより均一に行い得る
ようにすることを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
上記の目的を達成するため、本発明の解決手段は、1!
2素ガス、窒素ガス、不活性ガス又はこれらの混合ガス
等を高周波放電等の放電により励起して低湿プラズマを
発生させるプラズマ発生器を備え、該プラズマ発生器で
生起された低温プラズマをプラズマ処理槽内に装入され
たオレフィン系樹脂等の樹脂材料よりなる被処理物の表
面に照射してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処
理装置を対重とする。そして、上記プラズマ処理槽内に
照射されるプラズマの発光度を検出する照度検出手段と
、該照度検出手段の出力を積分してプラズマ発光度の積
算値を粋出する積q手段と、該積算手段の出力を受け、
プラズマ発光度の積算値が没定値に達するとプラズマ処
J!!!停止信号を出力する制御手段とを備える構成と
したものである。
2素ガス、窒素ガス、不活性ガス又はこれらの混合ガス
等を高周波放電等の放電により励起して低湿プラズマを
発生させるプラズマ発生器を備え、該プラズマ発生器で
生起された低温プラズマをプラズマ処理槽内に装入され
たオレフィン系樹脂等の樹脂材料よりなる被処理物の表
面に照射してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処
理装置を対重とする。そして、上記プラズマ処理槽内に
照射されるプラズマの発光度を検出する照度検出手段と
、該照度検出手段の出力を積分してプラズマ発光度の積
算値を粋出する積q手段と、該積算手段の出力を受け、
プラズマ発光度の積算値が没定値に達するとプラズマ処
J!!!停止信号を出力する制御手段とを備える構成と
したものである。
(作用)
上記の構成により、本発明では、プラズマ発生量と比例
関係にあるプラズマ発光度の積算値を咋出し、この積算
値が設定(1αに達するとプラズマ処理を停止するよう
に制御されるので、外乱等に影響されることがなく、所
定量のプラズマ発生量に基づいたプラズマ処理により被
処理物に対するプラズマ処理を正確に均一に行うことが
できることになる。
関係にあるプラズマ発光度の積算値を咋出し、この積算
値が設定(1αに達するとプラズマ処理を停止するよう
に制御されるので、外乱等に影響されることがなく、所
定量のプラズマ発生量に基づいたプラズマ処理により被
処理物に対するプラズマ処理を正確に均一に行うことが
できることになる。
また、検出手段(センナ)としてはプラズマ発光度を検
出するだけの一つのもので済むので、構造が簡i1iに
なるとともに、制御、Eの誤差も小さく抑えられてプラ
ズマ処理の均一化が一層向上することになる。
出するだけの一つのもので済むので、構造が簡i1iに
なるとともに、制御、Eの誤差も小さく抑えられてプラ
ズマ処理の均一化が一層向上することになる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明覆る。
第1図および第2図において、1はステンレス製のプラ
ズマ処理槽であって、該処l!Il!槽1内には、ポリ
プロピレン等オレフィン系樹脂などよりなる樹脂成形物
である被処理物Wが装入されている。
ズマ処理槽であって、該処l!Il!槽1内には、ポリ
プロピレン等オレフィン系樹脂などよりなる樹脂成形物
である被処理物Wが装入されている。
上記プラズマ処理槽1は排気口2を介してロータリボン
13に接続されており、該ポンプ3により処理槽1内の
ガスを排気して減圧真空状態にするようにしている。ま
た、排気口2とロータリポンプ3との間にはプラズマ処
理槽1内を大気に開放するための大気開放弁4が介設さ
れている。
13に接続されており、該ポンプ3により処理槽1内の
ガスを排気して減圧真空状態にするようにしている。ま
た、排気口2とロータリポンプ3との間にはプラズマ処
理槽1内を大気に開放するための大気開放弁4が介設さ
れている。
上記プラズマ処理槽1内には、多数のプラズマ噴射口5
a・・・を有するシャワー管5が配設されていて、該シ
ャワー管5はプラズマ発生炉6に連通接続されている。
a・・・を有するシャワー管5が配設されていて、該シ
ャワー管5はプラズマ発生炉6に連通接続されている。
該プラズマ発生炉6には、酸素ガスボンベ7および窒素
ガスボンベ8がそれぞれ開閉弁7a 、 8a 、流量
制御弁7b 、6bおよび逆止弁7C,8Cを介して連
通接続されており、プラズマ発生炉6内に酸素ガスと窒
素ガスとの混合ガスを処理ガスとして供給するようにし
ている。
ガスボンベ8がそれぞれ開閉弁7a 、 8a 、流量
制御弁7b 、6bおよび逆止弁7C,8Cを介して連
通接続されており、プラズマ発生炉6内に酸素ガスと窒
素ガスとの混合ガスを処理ガスとして供給するようにし
ている。
さらに、プラズマ発生炉6と両ガスボンベ7.8との間
には、処理ガスのプラズマ発生炉6への供給およびその
停止を制御する処理ガス供給電磁弁9が介設されている
。
には、処理ガスのプラズマ発生炉6への供給およびその
停止を制御する処理ガス供給電磁弁9が介設されている
。
上記プラズマ発生炉6には、マイクロ波発振器10、ス
リースタブチューナ11およびプランジャ12が設けら
れていて、マイクロ波発振器10からマイクロ波を発振
させ、このマイクロ波によりプランジャ12を撮動させ
ることにより、プラズマ発生炉6にて処理ガス(11素
と窒素との混合ガス)を高周波放電によって励起させて
ラジカルガスつまり低温プラズマを発生させるようにし
たプラズマ発生器が構成されている。そして、該プラズ
マ発生炉6で生起された低温プラズマをシトワー管5の
各プラズマ噴DI口5a・・・から噴(ト)してプラズ
マ処理槽1内の被処理物Wの表面に照射することにより
プラズマ処理を施すようにしている。
リースタブチューナ11およびプランジャ12が設けら
れていて、マイクロ波発振器10からマイクロ波を発振
させ、このマイクロ波によりプランジャ12を撮動させ
ることにより、プラズマ発生炉6にて処理ガス(11素
と窒素との混合ガス)を高周波放電によって励起させて
ラジカルガスつまり低温プラズマを発生させるようにし
たプラズマ発生器が構成されている。そして、該プラズ
マ発生炉6で生起された低温プラズマをシトワー管5の
各プラズマ噴DI口5a・・・から噴(ト)してプラズ
マ処理槽1内の被処理物Wの表面に照射することにより
プラズマ処理を施すようにしている。
一方、13および14は上記プラズマ処理槽1内に配設
され、該処理槽1内に照射されたプラズマの発光度を検
出する照度検出手段としての第1および第2の照度検出
器であって、該照j女検出器13.14はそれぞれ、各
照度検出器13.14の出力を積分してプラズマ発光度
の積算値をq出する積算手段としての第1および第2の
積分器15.16に接続されている。山積分器15.1
6の出力は加粋器17で加悼されたのち、比較器18の
+側入力端子に入力されている一方、該比較器18の一
側入力端子には、被処理物Wに対するプラズマ処理にお
いて最適なプラズマ醋の2倍値に相当する所定の出力値
を予め設定するプラズマ邑設定器19が入力接続されて
おり、山積分器15・16からのプラズマ発光度積q値
の加算値とプラズマ量設定器1つからの設定値とを比較
してその大小に応じて比較器18からH信号又はし信号
を出力するようにしている。
され、該処理槽1内に照射されたプラズマの発光度を検
出する照度検出手段としての第1および第2の照度検出
器であって、該照j女検出器13.14はそれぞれ、各
照度検出器13.14の出力を積分してプラズマ発光度
の積算値をq出する積算手段としての第1および第2の
積分器15.16に接続されている。山積分器15.1
6の出力は加粋器17で加悼されたのち、比較器18の
+側入力端子に入力されている一方、該比較器18の一
側入力端子には、被処理物Wに対するプラズマ処理にお
いて最適なプラズマ醋の2倍値に相当する所定の出力値
を予め設定するプラズマ邑設定器19が入力接続されて
おり、山積分器15・16からのプラズマ発光度積q値
の加算値とプラズマ量設定器1つからの設定値とを比較
してその大小に応じて比較器18からH信号又はし信号
を出力するようにしている。
さらに、20は上記比較器18からのH信号又はL信号
に応じて0N−OFF作動するトランジスタであって、
該トランジスタ20にはその0N−OFFにより0N−
OFF作動するリレー21、およびスタート時に開操作
される常閉のスタートボタン22が直列に接続されてい
るとともに、トランジスタ20に並列にリレー21のO
Nにより閉じる常開の第1リレー接点21aが接続され
ていて、リレー21のON状態を保持する自己保持回路
を構成している。尚、23はリレー21に並列に接続さ
れたダイオードである。また、処理のスタート時、スタ
ートボタン22の操作により第1および第2積分器15
.16にリセット信号が入力されて、今までのプラズマ
発光度の積Pi値を雲にリセットするようになされてい
る。
に応じて0N−OFF作動するトランジスタであって、
該トランジスタ20にはその0N−OFFにより0N−
OFF作動するリレー21、およびスタート時に開操作
される常閉のスタートボタン22が直列に接続されてい
るとともに、トランジスタ20に並列にリレー21のO
Nにより閉じる常開の第1リレー接点21aが接続され
ていて、リレー21のON状態を保持する自己保持回路
を構成している。尚、23はリレー21に並列に接続さ
れたダイオードである。また、処理のスタート時、スタ
ートボタン22の操作により第1および第2積分器15
.16にリセット信号が入力されて、今までのプラズマ
発光度の積Pi値を雲にリセットするようになされてい
る。
また、24は上記処理ガス供給電磁弁9を供給位置に切
換作動さぼる電磁弁作動回路であって・該電磁弁作動回
路24には、上記リレー21のONにより開く常閉の第
2リレー接点21bが介設されている。。また、25は
上記マイクロ波発振器10を作動させる発振器作動回路
であって、該発振器作動回路25には、上記リレー21
のONにより同く常閉の第3リレー接点21Gが介設さ
れている。以上の比較器18、プラズマ檄設定器19、
トランジスタ20、リレー21および第1〜第3リレー
接点21a〜210などによって、プラズマ発光度の積
算値〈第1および第2積分器15.16の両出力の加算
値)を設定値と比較して設定値以上に達すると、リレー
21をON作動せしめて、処理ガス供給電磁弁9の供給
位置への作動およびマイクロ波発揚器10の作動を停止
するプラズマ処理停止信号を出力するようにした制御手
段26が構成されている。
換作動さぼる電磁弁作動回路であって・該電磁弁作動回
路24には、上記リレー21のONにより開く常閉の第
2リレー接点21bが介設されている。。また、25は
上記マイクロ波発振器10を作動させる発振器作動回路
であって、該発振器作動回路25には、上記リレー21
のONにより同く常閉の第3リレー接点21Gが介設さ
れている。以上の比較器18、プラズマ檄設定器19、
トランジスタ20、リレー21および第1〜第3リレー
接点21a〜210などによって、プラズマ発光度の積
算値〈第1および第2積分器15.16の両出力の加算
値)を設定値と比較して設定値以上に達すると、リレー
21をON作動せしめて、処理ガス供給電磁弁9の供給
位置への作動およびマイクロ波発揚器10の作動を停止
するプラズマ処理停止信号を出力するようにした制御手
段26が構成されている。
次に、上記実施例の作動について説明するに、電磁弁作
動回路24の開成による処理ガス供給電磁弁9の供給位
置の作動および発振鼎作動回路25の開成によるマイク
ロ波発振器10の作動により、プラズマ発生炉6に酸素
ガスと窒素ガスとの混合ガスが処理ガスとして供給され
て、該プラズマ発生炉6においてこの処理ガスが励起さ
れて低温ブラズ7が発生する。この低温プラズマはシャ
ワー管5の各プラズマ噴射口5a・・・から噴射されて
、プラズマ処理[1内に装入された樹脂製の彼処1ψ物
Wの表面に照射されることにより、該被処理物Wに対し
てプラズマ処理が行われる。
動回路24の開成による処理ガス供給電磁弁9の供給位
置の作動および発振鼎作動回路25の開成によるマイク
ロ波発振器10の作動により、プラズマ発生炉6に酸素
ガスと窒素ガスとの混合ガスが処理ガスとして供給され
て、該プラズマ発生炉6においてこの処理ガスが励起さ
れて低温ブラズ7が発生する。この低温プラズマはシャ
ワー管5の各プラズマ噴射口5a・・・から噴射されて
、プラズマ処理[1内に装入された樹脂製の彼処1ψ物
Wの表面に照射されることにより、該被処理物Wに対し
てプラズマ処理が行われる。
このプラズマ処理の状態は、被処理物Wに照的されるプ
ラズマの発生量と比例関係にあるプラズマ発光度にて第
1.第2照汝検出器13.14により検出されており、
この各照度検出器13,14の出力はそれぞれ第1.第
2積分器15.16で積分されてプラズマ発光度の積算
値が算出されて行く。そして、この両積鋒(nの加Rl
aがプラズマ量設定器19で最適なプラズマ邑として予
め設定された設定値に達すると、比較器18からH信号
が出力されてトランジスタ20がON作動する。
ラズマの発生量と比例関係にあるプラズマ発光度にて第
1.第2照汝検出器13.14により検出されており、
この各照度検出器13,14の出力はそれぞれ第1.第
2積分器15.16で積分されてプラズマ発光度の積算
値が算出されて行く。そして、この両積鋒(nの加Rl
aがプラズマ量設定器19で最適なプラズマ邑として予
め設定された設定値に達すると、比較器18からH信号
が出力されてトランジスタ20がON作動する。
このことにより、リレー21がON作動するとともに、
このリレー21のONにより第1リレー接点21aが閉
じて該リレー21のON状態が自己保持される。それと
同時に、リレー21のONにより、第2リレー接点21
bffi開いて処理ガス供給電磁弁9が停止位置に1,
7J換るとともに、第3リレー接点21cが開いてマイ
クロ波発振器11の作動が停止することにより、プラズ
マ処理が停止されることになる。
このリレー21のONにより第1リレー接点21aが閉
じて該リレー21のON状態が自己保持される。それと
同時に、リレー21のONにより、第2リレー接点21
bffi開いて処理ガス供給電磁弁9が停止位置に1,
7J換るとともに、第3リレー接点21cが開いてマイ
クロ波発振器11の作動が停止することにより、プラズ
マ処理が停止されることになる。
その後、スタートボタン22を押操作づると、第1.第
2積分器15.16がリセットされるとともに、該スタ
ートボタン22が一時的に開操作されてリレー21がO
FF作動し、このリレー21のOFFにより第1リレー
接点21aが開となる一方、第2および第3リレー接点
21b、21Cが閏となり、処理ガス供給電磁弁9が供
給位置に切換るとともにマイクロ波発振器11が作動し
始めて、次の被処理物Wに対するプラズマ処理が開始さ
れ、以後、同様の動作が行われて被処理物Wに対するプ
ラズマ処理が順次行われる。
2積分器15.16がリセットされるとともに、該スタ
ートボタン22が一時的に開操作されてリレー21がO
FF作動し、このリレー21のOFFにより第1リレー
接点21aが開となる一方、第2および第3リレー接点
21b、21Cが閏となり、処理ガス供給電磁弁9が供
給位置に切換るとともにマイクロ波発振器11が作動し
始めて、次の被処理物Wに対するプラズマ処理が開始さ
れ、以後、同様の動作が行われて被処理物Wに対するプ
ラズマ処理が順次行われる。
したがって、被処理物Wに対するプラズマ処理がプラズ
マ発光度つまり実質的にプラズマ処理に寄与するプラズ
マ発生長に基づいて最適量に制御されるので、プラズマ
処理槽1の真空麿の変化やシール性の経時変化等の外乱
に影響されることがな(、各被処理物Wに対しプラズマ
処理を均一にかつ正確に行うことができる。
マ発光度つまり実質的にプラズマ処理に寄与するプラズ
マ発生長に基づいて最適量に制御されるので、プラズマ
処理槽1の真空麿の変化やシール性の経時変化等の外乱
に影響されることがな(、各被処理物Wに対しプラズマ
処理を均一にかつ正確に行うことができる。
さらに、上記の如(プラズマ処理の制御のためにプラズ
マ発光度を検1)1する照度検出器13,14を設ける
だけで済み、他の検出器、センサを必要としないので、
構造が簡単なものとなるとともに、制御上の誤差が小さ
く抑えられて上記プラズマ処理の均一化をより一層図る
ことができる。しかし、上記実施例では第1及び第2の
一対の照度検出器13.14を設けているので、プラズ
マ発光はを平均化して正確に検出でき、検出精j女の向
上ひいてはプラズマ処理の均一化の向上を図ることがで
き有利である。
マ発光度を検1)1する照度検出器13,14を設ける
だけで済み、他の検出器、センサを必要としないので、
構造が簡単なものとなるとともに、制御上の誤差が小さ
く抑えられて上記プラズマ処理の均一化をより一層図る
ことができる。しかし、上記実施例では第1及び第2の
一対の照度検出器13.14を設けているので、プラズ
マ発光はを平均化して正確に検出でき、検出精j女の向
上ひいてはプラズマ処理の均一化の向上を図ることがで
き有利である。
尚、上記実施例では、酸素ガスと窒素ガスとの混合ガス
を処理ガスとしてプラズマを生起させており、この場合
、プラズマの発光色が黄色であるので・照度検出器によ
る発光検出を容易にでき好適であるが、処理ガスとして
酸素ガスを用いる場合にはプラズマ発光色が淡桃色であ
るので、照度検出器の検出精度を上げる必要があるもの
の、同様に適用可能である。
を処理ガスとしてプラズマを生起させており、この場合
、プラズマの発光色が黄色であるので・照度検出器によ
る発光検出を容易にでき好適であるが、処理ガスとして
酸素ガスを用いる場合にはプラズマ発光色が淡桃色であ
るので、照度検出器の検出精度を上げる必要があるもの
の、同様に適用可能である。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明のプラズマ処理装置によれ
ば、プラズマ発生間と比例関係にあるプラズマ発光度の
積算値に基づいてプラズマ処理を制御するようにしたの
で、簡単な構造でもって樹脂製の被処理物に対するプラ
ズマ処理をより均一かつ正確に行うことができ、構造の
簡略化と処理精度の向上とを併せ図ることができるもの
である。
ば、プラズマ発生間と比例関係にあるプラズマ発光度の
積算値に基づいてプラズマ処理を制御するようにしたの
で、簡単な構造でもって樹脂製の被処理物に対するプラ
ズマ処理をより均一かつ正確に行うことができ、構造の
簡略化と処理精度の向上とを併せ図ることができるもの
である。
図面は本発明の実施例を示し、第1図は全体概略構造を
示す正面概略図、第2図はプラズマ処理槽部分の側面図
である。 1・・・プラズマ処理槽、6・・・プラズマ発生炉、1
0・・・マイクロ波発振器、13・・・第1照度検出器
、14・・・第2照度検出器、15・・・第1積分器、
16°°°第2積分器、18・・・比較器、19・・・
プラズマ量設定器、20・・・トランジスタ、21・・
・Iル−、21a・・・第1リレー接点、21b・・・
第21ル−接点、21C・・・第3リレー接点、26・
・・fl、+J御千手段W・・・被処理物。
示す正面概略図、第2図はプラズマ処理槽部分の側面図
である。 1・・・プラズマ処理槽、6・・・プラズマ発生炉、1
0・・・マイクロ波発振器、13・・・第1照度検出器
、14・・・第2照度検出器、15・・・第1積分器、
16°°°第2積分器、18・・・比較器、19・・・
プラズマ量設定器、20・・・トランジスタ、21・・
・Iル−、21a・・・第1リレー接点、21b・・・
第21ル−接点、21C・・・第3リレー接点、26・
・・fl、+J御千手段W・・・被処理物。
Claims (1)
- (1)酸素ガス、窒素ガス、不活性ガス又はこれらの混
合ガス等を高周波放電等の放電により励起して低温プラ
ズマを発生させるプラズマ発生器を備え、該プラズマ発
生器で生起された低温プラズマをプラズマ処理槽内に装
入されたオレフィン系樹脂等の樹脂材料よりなる被処理
物の表面に照射してプラズマ処理を施すようにしたプラ
ズマ処理装置であって、上記プラズマ処理槽内に照射さ
れるプラズマの発光度を検出する照度検出手段と、該照
度検出手段の出力を積分してプラズマ発光度の積算値を
算出する積算手段と、該積算手段の出力を受け、プラズ
マ発光度の積算値が設定値に達するとプラズマ処理停止
信号を出力する制御手段とを備えたことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60192970A JPS6253343A (ja) | 1985-08-31 | 1985-08-31 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60192970A JPS6253343A (ja) | 1985-08-31 | 1985-08-31 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6253343A true JPS6253343A (ja) | 1987-03-09 |
JPH0528255B2 JPH0528255B2 (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=16300072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60192970A Granted JPS6253343A (ja) | 1985-08-31 | 1985-08-31 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6253343A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0347370A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-02-28 | Kobunshi Giken Kk | コンクリート型枠用板及びその製造方法 |
JPH0386731A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH07279414A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Nobuhito Michimae | コンクリート用型枠並びにその製造方法および製造装置 |
JP2015193216A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-11-05 | 株式会社リコー | 被処理物改質装置、印刷装置、被処理物改質システム、印刷システム、印刷物の製造方法、およびプログラム |
-
1985
- 1985-08-31 JP JP60192970A patent/JPS6253343A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0347370A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-02-28 | Kobunshi Giken Kk | コンクリート型枠用板及びその製造方法 |
JPH0386731A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH07279414A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Nobuhito Michimae | コンクリート用型枠並びにその製造方法および製造装置 |
JP2015193216A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-11-05 | 株式会社リコー | 被処理物改質装置、印刷装置、被処理物改質システム、印刷システム、印刷物の製造方法、およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0528255B2 (ja) | 1993-04-23 |
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