JPS6252177A - 窒化珪素質焼結体の製造方法 - Google Patents

窒化珪素質焼結体の製造方法

Info

Publication number
JPS6252177A
JPS6252177A JP60192721A JP19272185A JPS6252177A JP S6252177 A JPS6252177 A JP S6252177A JP 60192721 A JP60192721 A JP 60192721A JP 19272185 A JP19272185 A JP 19272185A JP S6252177 A JPS6252177 A JP S6252177A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
firing
sintered body
pressure
silicon nitride
pores
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60192721A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0688838B2 (ja
Inventor
祥二 高坂
松木 祐一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP60192721A priority Critical patent/JPH0688838B2/ja
Publication of JPS6252177A publication Critical patent/JPS6252177A/ja
Publication of JPH0688838B2 publication Critical patent/JPH0688838B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 通常、セラミックスの焼結は、中期以降第1図にて進行
する。焼結がある程度、進行した段階では、成形体には
成形体を構成する粉体粒子1の粒界に多くの気孔が存在
する。これらの気孔には、周囲が完全に粒子1によって
密閉された閉気孔2と・周囲が粒子1によって囲まれる
ものの、その一部が雰囲気と導通状態にあり、常に雰囲
気圧と同等に保たれた開気孔3が存在する〔第1図a〕
焼成時、特に高温高圧下で行う場合、閉気孔は高圧によ
り体積は小さく成り得るが、開気孔は、高温による粉体
粒子の焼結によって高圧ガスがトラップされた状態で封
入され閉気孔となる〔第1図b〕。さらに焼成が進行し
、閉気孔中はさらに高圧化するとともに焼結体の表面近
傍の閉気孔からは粒界拡散によりガス放出されて緻密化
が進行する〔第1図C〕。
このような気孔の挙動と対理論密度比との関係を第2図
に示す。第2図からも明らかなように焼成の進行にとも
なう対理論密度比の増加に対応して、全気孔率は減少す
る。全気孔のうち、対理論密度比80%以下ではそのほ
とんどを開気孔が占めるが、密度比85%付近以降開気
孔は閉気孔に変わり急激に減少する一方、閉気孔が発生
し増加する。
さらに密度比が高い状態では、開気孔は存在せず、閉気
孔のみが残存した状況下で緻密化が進行する。
しかしながら、焼結体が大型の場合、内部の閉気孔にト
ラップされた高圧ガスの放出は極めて困難であり、焼結
体の緻密化は進行しない。
本発明によれば気孔の上述したような挙動に対し、初期
焼成工程(a)として開気孔率が10体積%以下、特に
5体積%以下に達するまで焼成雰囲気における窒素ガス
分圧を1乃至5気圧、好ましくは1乃至3気圧低加圧下
で焼成を行うことが極めて重要である。これによって前
述したように開気孔から閉気孔への転換において、閉気
孔中にトラップされるガス圧を小さく制御することが可
能となる。また、焼成工程(a)での圧力は窒化珪素の
分解温度との兼ね合いから、分解窒素圧力以上であるこ
とが必須であり、分解抑制の効果とトラップされるガス
圧の兼ね合いから、また操炉上の簡易さから常圧以上、
分解窒素圧力の10倍以下であることが望ましい。開気
孔率が10体積%以下に達した後は焼成工程(b)とし
て5気圧を超える圧力、好ましくは焼結温度における窒
化珪素の分解平衡圧の5倍以上の高圧下で焼成すること
によって、緻密化を促進することができる。焼成工程(
a)において開気孔率が10体積%以下に達しない状態
で高温高圧下で焼成を行った場合、また、雰囲気のガス
圧が5気圧を超える場合、いずれも焼結体中の高圧ガス
をトラップした閉気孔の割合が大きいために、緻密化が
進行せず、特に大型品においては、均質な焼結体を得る
ことができない。
一方、開気孔率が10体積%に達するまでの雰囲気圧力
が1気圧を下回ると、窒化珪素の分解が激しく焼結が進
行しない。
本発明によれば、上述した焼成工程における焼成温度は
、各工程の設定された圧力において窒化珪素が分解しな
い範囲で1750乃至2300℃の温度範囲で焼成工程
(a)、焼成工程(b)共に同一温度に設定することも
可能であるが、特に焼成工程(a)を1750乃至19
00℃の比較的低温域で、焼成工程(b)を1900乃
至2300℃の比較的高温域で行うのが望ましい。これ
は、焼成工程(a)では、焼結助剤と窒化珪素、及び窒
化、珪素に不可避的に結合している酸素、例えば、Si
 Oユが反応し、焼結を促進する酸窒化物を主体するガ
ラス成分の生成が支配的であるが、これらのガラス成分
の存在下にて開気孔が減少していき、閉気孔となった後
、閉気孔の拡散による緻密化は初期の設定温度では遅い
。それゆえ、閉気孔の拡散消滅を早めるために、窒化珪
素の分解を抑制する条件下にて高温に保つことが重要と
なる。
本発明における焼成工程での雰囲気は窒素、もしくは窒
素ガスとアルゴンガス、ヘリウムガス、水素ガス等の不
活性ガスとの混合ガスのいずれでも採用し得る。
本発明の製造方法において用いられる窒化珪素粉末は平
均粒子径1.5μ以下であり、窒化珪素粉末と配合し得
る焼結助剤として1よ、イツトリア、マグネシア、アル
ミナ、ベリリア、セリア、ジルコニア、シリカ、窒化ア
ルミニウム等及びその混合物などが使用できる。これら
焼結助剤は原料粉全量に対し1乃至10重量%の割合で
配合される。
所定の割合で混合された原料粉体は金型成型法、泥しょ
う鋳込法、ラバープレス法、射出成形法等の成形法によ
って、任意の形にされた後・前述した焼成工程(a)、
(b)に賦されることによって高密度の均質な焼結体が
得られる。
本発明を次の例で説明する。
(実施例) 粒子径0.6μの窒化珪素粉末と、所望の焼結助剤を第
1表に示す組成比で混合した後、1 (t/cot)の
圧力によってプレス成形し、40x 40x 70の成
形体を得た。得られた成形体を第1表に示す焼成工程(
a)の条件で焼成し、開気孔率が10体積%以下になっ
たことを確認した後、焼成工程(b)の条件によって焼
成を行った。
得られた焼結体光1乃至3に対し、JIS R−160
1による4点曲げ法による抗折強度、およびアルキメデ
ス法によって比重を測定した。また開気孔率の測定はJ
IS C2141−1974に基づいて求めた。結果は
第1表に示す。
(比較例) 実施例とまったく同様にして得られた成形体に対し、焼
成工程(a)での圧力を5気圧よりも大きい20気圧に
設定して焼成を行い、焼成工程(b)では実施例での圧
力では焼成が困難であったため、圧力を4Qat+n 
、若しくは1100atにして焼成するか、あるいは熱
間静水圧プレス法(HI P法)により、2000a 
tmの雰囲気中にて焼成工程(b)を行い、焼結体随4
乃至7を得た。
得られた焼結体は、実施例と同様にして抗折強度および
比重を測定した。
本発明の方法による患1乃至3の焼結体はいずれも高密
度、高強度を示すとともに、11h3で明らかなように
外部、内部ともにほとんど物性に変化がないことから、
均一な焼結体であることが理解される。
これに対し、焼成工程で当初から高圧下にて行った場合
、同一組成でのN[LlとNlX4とを比較しても、比
重、強度共に寛1の方が優れていた。また一旦当初から
高圧下で焼結したものをさらに高温高圧で焼成しても(
1’&L5)緻密化は達成されず、HIP法で行っても
本発明11hl〜3はど緻密化は進まなかった。
さらに、初期焼成工程(a)での圧力を本発明の範囲に
設定したとしても、開気孔率10体積%より大きいまま
では、!1h7 から明らかなように内部外部に緻密差
が生じ、全体としても十分な緻密化が保たれないことか
ら、本発明の方法による有効性が認識される。
(発明の効果) 本発明の製造方法によれば、焼結体の開気孔率の割合に
応じて、焼成工程での圧力を制御することにより、窒化
珪素の分解を抑制しつつ、焼結体中の閉気孔中にトラッ
プされたガスの圧力を小さくすることが可能となること
から、焼結体の気孔率を低減し、高密度の緻密で且つ均
質な窒化珪素質焼結体を得ることができる。特に本発明
の製造方法によれば厚みが10+nを超えるような大型
の焼結体を得る場合においても、緻密で均質な高強度の
焼結体を得ることができる。
は気孔の挙動と対理論密度比との関係を示す図である。
1・・・粉体粒子  2・・・閉気孔 3・・・開気孔 特許出願人  京 セ ラ 株 式 会 社対理實I比
(%)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  窒化珪素粉末と焼結助剤との混合粉体を成形する工程
    と、成形体を窒素ガス分圧が1気圧乃至5気圧の雰囲気
    中で焼成して、開気孔率を10体積%以下にする焼成工
    程(A)と、 該焼成工程(A)によって得られた焼結体を窒素ガス分
    圧が5気圧よりも大きい雰囲気下で焼成する焼成工程(
    B)と、 を備え、且つ上記焼成工程(A)、(B)が1750乃
    至2300℃の焼成温度で行われることを特徴とする窒
    化珪素質焼結体の製造方法。
JP60192721A 1985-08-31 1985-08-31 窒化珪素質焼結体の製造方法 Expired - Lifetime JPH0688838B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60192721A JPH0688838B2 (ja) 1985-08-31 1985-08-31 窒化珪素質焼結体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60192721A JPH0688838B2 (ja) 1985-08-31 1985-08-31 窒化珪素質焼結体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6252177A true JPS6252177A (ja) 1987-03-06
JPH0688838B2 JPH0688838B2 (ja) 1994-11-09

Family

ID=16295958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60192721A Expired - Lifetime JPH0688838B2 (ja) 1985-08-31 1985-08-31 窒化珪素質焼結体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0688838B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6452678A (en) * 1987-05-09 1989-02-28 Kyocera Corp Production of sintered silicon nitride

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5918165A (ja) * 1982-07-19 1984-01-30 日本特殊陶業株式会社 窒化珪素焼結体の製造方法
JPS61215260A (ja) * 1985-03-19 1986-09-25 日本碍子株式会社 SrO―MgO―CeO2系窒化珪素セラミックスの製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5918165A (ja) * 1982-07-19 1984-01-30 日本特殊陶業株式会社 窒化珪素焼結体の製造方法
JPS61215260A (ja) * 1985-03-19 1986-09-25 日本碍子株式会社 SrO―MgO―CeO2系窒化珪素セラミックスの製造法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6452678A (en) * 1987-05-09 1989-02-28 Kyocera Corp Production of sintered silicon nitride

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0688838B2 (ja) 1994-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4354990A (en) Process for sintering silicon nitride compacts
US4351787A (en) Process for sintering reaction bonded silicon nitride
JPH02296771A (ja) 複合セラミックスとその製造方法
JPH021793B2 (ja)
JPS6252177A (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法
JPS5918165A (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JP2696735B2 (ja) 窒化珪素質焼結体の製造法
JP3036207B2 (ja) 窒化ケイ素焼結体の製造方法
JPH04260669A (ja) 炭化珪素含有窒化珪素複合体の製造方法
JPS6146431B2 (ja)
JP2970131B2 (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JP3570676B2 (ja) セラミックス多孔体及びその製造方法
JP3124866B2 (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法
JP2949936B2 (ja) 窒化ケイ素焼結体の製造方法
JPS5939769A (ja) 窒化けい素の焼結方法
JP2916934B2 (ja) サイアロン質焼結体の製造方法
JPS5945970A (ja) 窒化硅素の焼結方法
JPS5951515B2 (ja) サイアロン焼結体の製造方法
JP2694368B2 (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法
JPH02307871A (ja) セラミックス焼結体の製造方法
JPH06166569A (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JPH046160A (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JP2747627B2 (ja) 窒化珪素系焼結体及びその製造方法
JP2747635B2 (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JP2506519B2 (ja) 低温・低圧焼結窒化ケイ素質焼結体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term