JPS6251741B2 - - Google Patents
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- JPS6251741B2 JPS6251741B2 JP59047147A JP4714784A JPS6251741B2 JP S6251741 B2 JPS6251741 B2 JP S6251741B2 JP 59047147 A JP59047147 A JP 59047147A JP 4714784 A JP4714784 A JP 4714784A JP S6251741 B2 JPS6251741 B2 JP S6251741B2
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶用デイスプレー用多層ラミネー
トフイルムであつて、ガスバリアー性及び水蒸気
バリアー性のすぐれた偏光膜付き透明導電フイル
ムに関するものである。
トフイルムであつて、ガスバリアー性及び水蒸気
バリアー性のすぐれた偏光膜付き透明導電フイル
ムに関するものである。
従来技術
従来より、液晶表示用透明導電体のベース材料
としてはガラスが用いられているが、ガラスベー
スの場合、非常に脆い点、又厚みが0.5mm以下に
することが困難である点で量産化及び耐久性の点
で欠点があつた、従つて液晶表示装置の量産化、
薄肉化、耐久性向上のために衝撃に強く、薄肉
化、巻物化が可能な高分子フイルムを用いること
が種々検討されて来た。
としてはガラスが用いられているが、ガラスベー
スの場合、非常に脆い点、又厚みが0.5mm以下に
することが困難である点で量産化及び耐久性の点
で欠点があつた、従つて液晶表示装置の量産化、
薄肉化、耐久性向上のために衝撃に強く、薄肉
化、巻物化が可能な高分子フイルムを用いること
が種々検討されて来た。
一方高分子フイルムをベースとして用いる場
合、ガラスベースに比して耐熱性が小さい、導電
体層の付着強度が低い等の欠点の他に通気性、透
湿性が大きいという欠点が有り酸素の透過による
液晶物質の劣化、水分の透過による表示装置消費
電力の増加等の問題が生じるため、液晶表示装置
の寿命と信頼性に大きな影響を与える結果とな
る。
合、ガラスベースに比して耐熱性が小さい、導電
体層の付着強度が低い等の欠点の他に通気性、透
湿性が大きいという欠点が有り酸素の透過による
液晶物質の劣化、水分の透過による表示装置消費
電力の増加等の問題が生じるため、液晶表示装置
の寿命と信頼性に大きな影響を与える結果とな
る。
又、液晶表示用透明導電体の上層に形成される
偏光膜層は一般に、ヨウ素や染料を用いる偏光素
子を含む一軸延伸ポリビニルアルコールフイルム
を偏光基体とし、トリアセテートフイルム等のプ
ラスチツクフイルムで上下層をはさんだ構成とな
つているが偏光基体及び偏光素子も水蒸気及び酸
素の影響を受けやすく、特に水蒸気の影響で偏光
度が大巾に低下するという欠点がある。
偏光膜層は一般に、ヨウ素や染料を用いる偏光素
子を含む一軸延伸ポリビニルアルコールフイルム
を偏光基体とし、トリアセテートフイルム等のプ
ラスチツクフイルムで上下層をはさんだ構成とな
つているが偏光基体及び偏光素子も水蒸気及び酸
素の影響を受けやすく、特に水蒸気の影響で偏光
度が大巾に低下するという欠点がある。
発明の目的
本発明はかかる欠点を改良し、より信頼性の高
い、高分子フイルムをベースとした、液晶表示用
高ガスバリアー性偏光膜付き透明導電フイルムを
提供することを目的とするものである。
い、高分子フイルムをベースとした、液晶表示用
高ガスバリアー性偏光膜付き透明導電フイルムを
提供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は最外層はポリ塩化ビニリデン又はエチ
レン・ビニルアルコール共重合体、第二層は偏光
素子を含有する偏光基体を基板の中間に設けた偏
光膜、第三層はガラス転移温度が130℃以上の非
晶性高分子よりなり、厚みが10〜300μで全光線
透過率が70％以上である耐熱透明フイルム、及び
第四層は厚み50〜1000Åの金属酸化物の透明導電
膜よりなることを特徴とする高ガスバリアー性偏
光膜付き透明導電フイルムである。
レン・ビニルアルコール共重合体、第二層は偏光
素子を含有する偏光基体を基板の中間に設けた偏
光膜、第三層はガラス転移温度が130℃以上の非
晶性高分子よりなり、厚みが10〜300μで全光線
透過率が70％以上である耐熱透明フイルム、及び
第四層は厚み50〜1000Åの金属酸化物の透明導電
膜よりなることを特徴とする高ガスバリアー性偏
光膜付き透明導電フイルムである。
本発明の透明導電性フイルムにつき、図に従つ
て構成の説明に行う。
て構成の説明に行う。
第１図において第一層１はガスバリアー層であ
りポリ塩化ビニリデンもしくはエチレン・ビニル
アルコール共重合体層が１〜20μの厚みで形成さ
れる。この層はガスバリアー、水蒸気バリアーと
称すべき層で、第二層の偏光素子及び偏光基体を
又、第四層の下層に形成される液晶物質を酸素ガ
ス及び水蒸気から遮断し、寿命及び信頼性を向上
させる直接的な役割を有する層である。
りポリ塩化ビニリデンもしくはエチレン・ビニル
アルコール共重合体層が１〜20μの厚みで形成さ
れる。この層はガスバリアー、水蒸気バリアーと
称すべき層で、第二層の偏光素子及び偏光基体を
又、第四層の下層に形成される液晶物質を酸素ガ
ス及び水蒸気から遮断し、寿命及び信頼性を向上
させる直接的な役割を有する層である。
第二層２は偏光膜であり、ヨウ素又は、染料等
の偏光素子を含む一軸延伸ポリビニルアルコール
フイルムからなる偏光基体２１とトリアセテート
もしくはポリカーボネート等フイルムからなる基
板２２からなつている。基板２２と偏光基体２１
は必要に応じて接着剤層を介することがある。
の偏光素子を含む一軸延伸ポリビニルアルコール
フイルムからなる偏光基体２１とトリアセテート
もしくはポリカーボネート等フイルムからなる基
板２２からなつている。基板２２と偏光基体２１
は必要に応じて接着剤層を介することがある。
第三層３は透明電極の支持体層であり、厚みが
10〜300μでかつ、ガラス転移温度が130℃以上で
ある非晶性高分子であり、かつ全光線透過率が70
％以上である耐熱フイルムで形成されている。該
当しうる高分子としては、ポリカーボネート、ポ
リサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテ
ルイミド等を挙げることが出来る。耐熱性、非着
色性、透明性の点でポリエーテルサルホンが最も
好ましい。非晶性は、液晶表示装置が偏光膜以外
の層で余分な旋光を示さない為に必要な基本性能
である光学等方性と大きな相関があるためであ
る。耐熱性は、第四層の金属酸化物膜を形成する
に当り、相当の温度が第三層の支持体層に負荷さ
れるために必要となるからである。
10〜300μでかつ、ガラス転移温度が130℃以上で
ある非晶性高分子であり、かつ全光線透過率が70
％以上である耐熱フイルムで形成されている。該
当しうる高分子としては、ポリカーボネート、ポ
リサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテ
ルイミド等を挙げることが出来る。耐熱性、非着
色性、透明性の点でポリエーテルサルホンが最も
好ましい。非晶性は、液晶表示装置が偏光膜以外
の層で余分な旋光を示さない為に必要な基本性能
である光学等方性と大きな相関があるためであ
る。耐熱性は、第四層の金属酸化物膜を形成する
に当り、相当の温度が第三層の支持体層に負荷さ
れるために必要となるからである。
第四層４は透明導電層であり、形成される透明
導電層としては金属インジウムと金属スズの酸化
物、金属スズと金属アンチモンとの酸化物、金属
スズと金属カドミウムとの酸化物などが挙げられ
るがインジウムとスズの組合せが好ましいもので
ある。このような導電層の形成法としては真空蒸
着法、スパツタリング法、化学蒸着法、スプレー
法等があり、真空蒸着法、及びスパツタリング法
が好ましい。透明導電層の厚みは50〜1000Åであ
り、抵抗値は、液晶表示用としては、1000Ω／□
以下であることが望ましい。第一層１、第二層
２、第三層３及び第四層４の層間は必要に応じて
接着剤を介することができる。各層の形成順序は
任意であるが、第三層３上に第四層４を形成する
時は、第三層上に第二層２及び第一層１は形成す
ることはできない。第四層４金属酸化膜形成時に
必要となる熱及び発生する熱のために第二層２及
び第一層１が悪影響を受けるためである。
導電層としては金属インジウムと金属スズの酸化
物、金属スズと金属アンチモンとの酸化物、金属
スズと金属カドミウムとの酸化物などが挙げられ
るがインジウムとスズの組合せが好ましいもので
ある。このような導電層の形成法としては真空蒸
着法、スパツタリング法、化学蒸着法、スプレー
法等があり、真空蒸着法、及びスパツタリング法
が好ましい。透明導電層の厚みは50〜1000Åであ
り、抵抗値は、液晶表示用としては、1000Ω／□
以下であることが望ましい。第一層１、第二層
２、第三層３及び第四層４の層間は必要に応じて
接着剤を介することができる。各層の形成順序は
任意であるが、第三層３上に第四層４を形成する
時は、第三層上に第二層２及び第一層１は形成す
ることはできない。第四層４金属酸化膜形成時に
必要となる熱及び発生する熱のために第二層２及
び第一層１が悪影響を受けるためである。
発明の効果
このようにして得られた、ガスバリアー性、水
蒸気バリアー性にすぐれた偏光膜付き透明導電性
フイルムを用い液晶表示装置を形成したものは、
従来のガラスベース表示装置と比べて厚みが大巾
に減少し、屈曲、衝撃に対しても耐久性を持つこ
とが分つた。又、酸素ガス遮断性、防湿性が大巾
に向上し偏光膜及び液晶物質の寿命を延ばし、装
置の信頼性と寿命の点で従来のプラスチツクフイ
ルムベースのものより向上させることができた。
蒸気バリアー性にすぐれた偏光膜付き透明導電性
フイルムを用い液晶表示装置を形成したものは、
従来のガラスベース表示装置と比べて厚みが大巾
に減少し、屈曲、衝撃に対しても耐久性を持つこ
とが分つた。又、酸素ガス遮断性、防湿性が大巾
に向上し偏光膜及び液晶物質の寿命を延ばし、装
置の信頼性と寿命の点で従来のプラスチツクフイ
ルムベースのものより向上させることができた。
実施例 １
LCI社のポリエーテルサルホンフイルムをＴダ
イ押出機で押出し、100μ厚みのフイルムを得
た。次に得られたポリエーテルサルホンフイルム
に高周波マグネトロンスパツタ装置を用い酸化ス
ズを7.5重量％含む酸化インジウムからなるター
ゲツトを用いて、５×10-3Torrのアルゴンプラ
ズマ中で約300Åの厚みの透明導電性被膜を形成
した。
イ押出機で押出し、100μ厚みのフイルムを得
た。次に得られたポリエーテルサルホンフイルム
に高周波マグネトロンスパツタ装置を用い酸化ス
ズを7.5重量％含む酸化インジウムからなるター
ゲツトを用いて、５×10-3Torrのアルゴンプラ
ズマ中で約300Åの厚みの透明導電性被膜を形成
した。
一方ヨウ素を偏光素子とする偏光素子を含有し
た一軸延伸ポリビニルアルコールフイルムを偏光
基体とし、その両面をトリアセテートフイルムで
接着剤を介してラミネートし偏光膜を作製した。
得られた偏光膜のトリアセテート面にポリ塩化ビ
ニリデン溶液をコーテイングし、５μ厚みのポリ
塩化ビニリデン膜を形成した。先に得られた透明
導電性被膜付きポリエーテルサルホンフイルムの
ポリエーテルサルホンフイルム面と、上記のポリ
塩化ビニリデン膜付き偏光膜のポリ塩化ビニリデ
ン膜を形成していない方のトリアセテート面を、
アルキルチタネート系接着剤でラミネートし、目
的とする偏光膜付き透明導電フイルムを得た。得
られた高ガスバリアー偏光膜付き透明導電フイル
ムを用いて作製した液晶表示装置は、酸素ガス遮
断性、防湿性、耐衝撃性、屈曲性に優れ、信頼性
を一層増すものとなつた。
た一軸延伸ポリビニルアルコールフイルムを偏光
基体とし、その両面をトリアセテートフイルムで
接着剤を介してラミネートし偏光膜を作製した。
得られた偏光膜のトリアセテート面にポリ塩化ビ
ニリデン溶液をコーテイングし、５μ厚みのポリ
塩化ビニリデン膜を形成した。先に得られた透明
導電性被膜付きポリエーテルサルホンフイルムの
ポリエーテルサルホンフイルム面と、上記のポリ
塩化ビニリデン膜付き偏光膜のポリ塩化ビニリデ
ン膜を形成していない方のトリアセテート面を、
アルキルチタネート系接着剤でラミネートし、目
的とする偏光膜付き透明導電フイルムを得た。得
られた高ガスバリアー偏光膜付き透明導電フイル
ムを用いて作製した液晶表示装置は、酸素ガス遮
断性、防湿性、耐衝撃性、屈曲性に優れ、信頼性
を一層増すものとなつた。
実施例 ２
実施例１において、ポリ塩化ビニリデンの代り
にエチレン・ビニルアルコール共重合体に置き換
え、他は全く同等の構成の偏光膜付き透明導電フ
イルムを得た。エチレン・ビニルアルコール共重
合体膜の厚みは同じく５μとした。得られた高ガ
スバリアー偏光膜付き透明導電フイルムを用いて
作製した液晶表示装置は、酸素ガス遮断性、防湿
性、耐衝撃性、屈曲性に優れ、液晶表示装置とし
て高度の信頼性のものを得ることができた。
にエチレン・ビニルアルコール共重合体に置き換
え、他は全く同等の構成の偏光膜付き透明導電フ
イルムを得た。エチレン・ビニルアルコール共重
合体膜の厚みは同じく５μとした。得られた高ガ
スバリアー偏光膜付き透明導電フイルムを用いて
作製した液晶表示装置は、酸素ガス遮断性、防湿
性、耐衝撃性、屈曲性に優れ、液晶表示装置とし
て高度の信頼性のものを得ることができた。
第１図は本発明のフイルム構成を示す模式的断
面図である。 図中の１は第一層であるガスバリアー層。２は
第二層である偏光膜層。３は第三層である透明電
極のための支持体層。４は第四層である透明導電
層。
面図である。 図中の１は第一層であるガスバリアー層。２は
第二層である偏光膜層。３は第三層である透明電
極のための支持体層。４は第四層である透明導電
層。
Claims (1)
- １ 最外層はポリ塩化ビニリデン又はエチレン・
ビニルアルコール共重合体、第二層は偏光素子を
含有する偏光基体を基板の中間に設けた偏光膜、
第三層は、ガラス転移温度が130℃以上の非晶性
高分子よりなり、厚みが10〜300μで全光線透過
率が70％以上である耐熱透明フイルム、及び第四
層は厚み50〜1000Åの金属酸化物の透明導電膜よ
りなることを特徴とする高ガスバリアー性偏光膜
付き透明導電フイルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047147A JPS60192621A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 高ガスバリア−性偏光膜付き透明導電性フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047147A JPS60192621A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 高ガスバリア−性偏光膜付き透明導電性フイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60192621A JPS60192621A (ja) | 1985-10-01 |
| JPS6251741B2 true JPS6251741B2 (ja) | 1987-10-31 |
Family
ID=12766984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59047147A Granted JPS60192621A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | 高ガスバリア−性偏光膜付き透明導電性フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60192621A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114844A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | コニカ株式会社 | 導電性積層体 |
| JPH01169425A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 液晶表示セル用基板 |
| JPH0289084A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-29 | Sumitomo Chem Co Ltd | 帯電防止性透光性フィルター |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55135817A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-23 | Seiko Epson Corp | Plastic substrate for display element |
| JPS5711319A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-21 | Toyobo Co Ltd | Transparent conductive film for liquid crystal display device |
| JPS5720718A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-03 | Toyobo Co Ltd | Polarizing plate with transparent conductive layer |
| JPS5764710A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | Polarizing plate |
| JPS5850501A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-25 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 偏光板 |
-
1984
- 1984-03-14 JP JP59047147A patent/JPS60192621A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55135817A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-23 | Seiko Epson Corp | Plastic substrate for display element |
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| JPS5850501A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-25 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 偏光板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60192621A (ja) | 1985-10-01 |
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