JPS6251219A - 間隙設定装置 - Google Patents
間隙設定装置Info
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- JPS6251219A JPS6251219A JP60189516A JP18951685A JPS6251219A JP S6251219 A JPS6251219 A JP S6251219A JP 60189516 A JP60189516 A JP 60189516A JP 18951685 A JP18951685 A JP 18951685A JP S6251219 A JPS6251219 A JP S6251219A
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- JP
- Japan
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- mask
- wafer
- objective lens
- clearance
- gap
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/703—Gap setting, e.g. in proximity printer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマスクとウェハの間隙を高精度で出す間隙設定
装置に係り、特に密着式マスタブラ。。
装置に係り、特に密着式マスタブラ。。
イナのマスクとウェハの間隙設定に好適なもの。
である。
密着式マスク了う、イナに於けるマスクとウニ。
ハの間隙を出す方法として1例えば特開昭54−・83
380号公報に配さ第1ている通り1球面座を使・弔す
る方法が一般的である。この方法は1球面〜座に対して
下方から微小圧を加え8球と座の部・分を自在にし、あ
らかじめマスクにウニノ・ヲ当・てて、平行出しを行い
、その後6球と座の部分++1を真空状態にして密着固
定する方法を取ってい。
380号公報に配さ第1ている通り1球面座を使・弔す
る方法が一般的である。この方法は1球面〜座に対して
下方から微小圧を加え8球と座の部・分を自在にし、あ
らかじめマスクにウニノ・ヲ当・てて、平行出しを行い
、その後6球と座の部分++1を真空状態にして密着固
定する方法を取ってい。
た。この方法ではマスクとウニノ・を接触させる。
ため、マスクに傷、異物が付着しやすく歩留り。
の低下を招く恐れがあった。この問題点を解消。
1させる方法として、マスクとウニノーの間にスペー、
。
。
すを入れ、ウニ・・のパターン配置個所以外の部。
分をスペーサに当て、マスクとウニノ・の平行出。
しを行うという方法を取っている。しかしなか。
ら、この方法ではマスクとウニノ1はスペーサと。
、いう介在物が存在するため、 1/1000mmオ
ーダー2i1の高精度の間隙設定は期待できない。
。
ーダー2i1の高精度の間隙設定は期待できない。
。
一方、マスクとウェハを非接触で間隙を設定。
する方法としては、特開昭56−98F129号に記さ
。
。
れている方法があるが1本方法は振動子により・マスク
を振動させるとマスクとウェハ間で空気がダンパとなり
、ウェハから反射されマスクを再び振動させる。この空
気の波動の干渉から間・隙を検出する方法である。この
方法ではマスク・を振動させる。空気という(圧縮)流
体を使用・するということから1機械的誤差、温度変化
婢1,1の環境の変化が問題となる可能性がある。
を振動させるとマスクとウェハ間で空気がダンパとなり
、ウェハから反射されマスクを再び振動させる。この空
気の波動の干渉から間・隙を検出する方法である。この
方法ではマスク・を振動させる。空気という(圧縮)流
体を使用・するということから1機械的誤差、温度変化
婢1,1の環境の変化が問題となる可能性がある。
〔発明の目的1
本発明の目的は、前記従来技術の欠点をなく。
し、相対する薄板の間隙を非接触で検出し1間。
隙を一定あるいは任意の値に設定できる間隙設定装置を
提供するにある。
提供するにある。
本発明は、相対する薄板を保持する手段と。
保持手段の一方あるいは双方に接続し、保持手段をチル
ト移動が可能な変位手段と、剤種薄板に対し垂直方向に
結像系をなし、結偉位置付近。
ト移動が可能な変位手段と、剤種薄板に対し垂直方向に
結像系をなし、結偉位置付近。
の共役位置にパターンと光電変換手段とを具備。
した検出光学系と、パターンのコントラストな。
演算し、その演算結果から相対する薄板の間隙。
を算出する演算手段と、その間隙検出結果から・前記変
位手段を駆動する制御手段を具備側−てい・るものであ
り、さらに前記薄板の少なくとも2・個所に光の反射面
と透過面を配設した間隙設定・装置であることから9例
えば、検出光学系のパ・ターンを薄板の反射面と透過面
に投影し、透過1゜したパターンは相対する薄板に投影
するものであり、各々の薄板に投影したパターンの反射
光。
位手段を駆動する制御手段を具備側−てい・るものであ
り、さらに前記薄板の少なくとも2・個所に光の反射面
と透過面を配設した間隙設定・装置であることから9例
えば、検出光学系のパ・ターンを薄板の反射面と透過面
に投影し、透過1゜したパターンは相対する薄板に投影
するものであり、各々の薄板に投影したパターンの反射
光。
を光電変換手段に投影し、そのコントラスト量。
を演算し、あらかじめコントラスト量と焦点ズ。
し量とを算出したデータと比較すると各々の薄16゜板
の間隙を算出することができる。また、検出光学系及び
変位手段を薄板に対しで少なくとも3個所配設するごと
により、各々の薄板の間隙3個所を算出することができ
、互いに面を構成することがでλることから、変位手段
を移動す2.。
の間隙を算出することができる。また、検出光学系及び
変位手段を薄板に対しで少なくとも3個所配設するごと
により、各々の薄板の間隙3個所を算出することができ
、互いに面を構成することがでλることから、変位手段
を移動す2.。
・3 ・
ることにより、各々の薄板の間隙を一定に、マ。
たは任意の値にすることが可能となる。 。
以下1本発明の一実施例を図により説明する。。
第2図に従来の間隙設定装置の一実施例を示す。・本装
置は密着式マスクアライナの一ユニットであり、マスク
1はマスクペース2に真空吸着で固定されている。ウェ
ハ3はウニノ\チャック4・に真空吸着で固定されてい
る。ウニノ1チャック・4は球面部5と受け6との間に
回転自在で向き1.1を変えることが可能である。マス
ク1とウニノ・。
置は密着式マスクアライナの一ユニットであり、マスク
1はマスクペース2に真空吸着で固定されている。ウェ
ハ3はウニノ\チャック4・に真空吸着で固定されてい
る。ウニノ1チャック・4は球面部5と受け6との間に
回転自在で向き1.1を変えることが可能である。マス
ク1とウニノ・。
3の間隙を一様にするには、Zステージ7を下。
降させマスクlとウェハ3の間隔を空け、ここ。
で、受け6から球面部5に対して微小空気圧を。
かけ球面部5から上部を薄い空気層で浮かした1゜状態
とする。次にZステージ7を上昇させマス。
とする。次にZステージ7を上昇させマス。
りlにウェハ3を押し付けると球面部5と受け。
6が摺動しウェハ3の面がマスクlの面になら。
う様になる。ここで球面部5に加えている微小空気圧を
止め、真空引きをすると球面部5と受211・ 4 ・ け6が固定されることになり、マスクlとウニ。
止め、真空引きをすると球面部5と受211・ 4 ・ け6が固定されることになり、マスクlとウニ。
ハ3の平行出しが完了したことになる。実験の゛装置に
おいてはZステージ7を下降させ、マス。
おいてはZステージ7を下降させ、マス。
りlとウェハ3のアライメントを行い再びZス゛チーシ
フを上昇させて露光というステップを踏・む。
フを上昇させて露光というステップを踏・む。
第1図に本発明による一実施例を示す。氷見・明では1
球面座の変わりにZステージ7の上に・3個の圧電素子
(以下ピエゾ8と称す)を配置・し、その上にウェハチ
ャック4を載置する。−1,i方、マスクlの上方、ピ
エゾ8を配置した上方。
球面座の変わりにZステージ7の上に・3個の圧電素子
(以下ピエゾ8と称す)を配置・し、その上にウェハチ
ャック4を載置する。−1,i方、マスクlの上方、ピ
エゾ8を配置した上方。
位置に対物レンズ9を使用した検出光学系を3゜ユニッ
ト設ける。対物レンズ9の物体側(焦点。
ト設ける。対物レンズ9の物体側(焦点。
位置側)にマスクlとウニノ・3が来る様にし、。
結偉側にリニアイメージセンサ(以下C,C,D to
、。
、。
と称す)を配置し、また結像光路の途中にノー−。
フミラー11を挿入し照明系(図は略す)からの光をラ
イトガイド12で導き、落射照明が出来る様な構成とし
ている。
イトガイド12で導き、落射照明が出来る様な構成とし
ている。
C,C,Dloはマスク1とウェハ3の了ライメント用
のターゲットマーク13検出用に左右にそれ。
のターゲットマーク13検出用に左右にそれ。
ぞれ2個ずつ、もう1個所はマスクl、ウニツバ3面検
出用であるので、 C,C,DIOは1個設置し。
出用であるので、 C,C,DIOは1個設置し。
た。
C,C,Dloの出力はC’、 C,D駆動回路14と
インター・フェース回路15を介して計算機16で演算
する。・また、インターフェース回路15からピエゾ8
駆・動用の制御回路17に接続し1間隙計算結果なピ・
ニジ8にフィードバック可能な構成とした。 。
インター・フェース回路15を介して計算機16で演算
する。・また、インターフェース回路15からピエゾ8
駆・動用の制御回路17に接続し1間隙計算結果なピ・
ニジ8にフィードバック可能な構成とした。 。
第3図(at 、 (blにウニノ・チャック4の移動
機構1゜を示す。チャックベース18にピエゾ8を3個
設。
機構1゜を示す。チャックベース18にピエゾ8を3個
設。
定し、ピエゾ8先端の鋼球受け19は円錐I V ミ。
ゾ、フラットの形状とし、ピエゾ8の移動量は。
鋼球受け19部を電気マイクロメータ20で測定す。
る構成としている。またウニノ・チャック4とチ、3ヤ
ツクベースとは抜バネ21により可動自在に固。
ツクベースとは抜バネ21により可動自在に固。
定している。
第4図に本発明のマスク1に反射面22を設け。
反射面22と透過面23の双方に縞パターン24を投。
影した図を示す。マスクlに対して反射面22を2゜3
個所設け、そこに対物レンズ9を用いた検出。
個所設け、そこに対物レンズ9を用いた検出。
光学系を移動したものであり、縞パターン24を・対物
レンズ9を通してマスク1の反射面22とマ。
レンズ9を通してマスク1の反射面22とマ。
スフ1の透過面23を透過し、ウェハ3上に投影・した
ものである。
ものである。
第5図及び第6図に縞パターン24を用いた位・置検出
方法の概念を示す。検出光学系は対物し。
方法の概念を示す。検出光学系は対物し。
ンズ9と結像レンズ25.そしてハーフミラ−11・で
2つに分岐した結像位置にはC,C,Dloとガラ。
2つに分岐した結像位置にはC,C,Dloとガラ。
ス26の両面に交互に配設した縞パターン24を配置。
置した。ここで1例えばウニノS3が対物レンズ。
9の焦点位置にあった場合、結像位置にある縞。
パターン24をウェハ3上に投影すると、ウニノ1゜3
から反射した縞パターン24は、C,C,Dlo上に。
から反射した縞パターン24は、C,C,Dlo上に。
る。従ってC,C,Dloの出力も第5図(dlに示す
様。
様。
に規則正しく明暗を示す。ここで0例えば第6図に示す
様にウェハ3が対物レンズ9の焦点位置に対して下側に
ある時は、縞パターン24は交2,1・ 7 ・ 互に明暗を繰り返す。即ち結像位置に近い縞ツク。
様にウェハ3が対物レンズ9の焦点位置に対して下側に
ある時は、縞パターン24は交2,1・ 7 ・ 互に明暗を繰り返す。即ち結像位置に近い縞ツク。
ターン24の方がコントラストが高くなる。一方J第7
因に示す様にウニノ・3が対物レンズ9の焦。
因に示す様にウニノ・3が対物レンズ9の焦。
点位置に対して上側にある時は、第6図と反対。
の縞パターン24のコントラストが高くなる。 ′の画
素27の出力がコントラストであり、ガラス−26の両
面に縞パターン24を配設しているため、・4画素のう
ち2画素ずつのコントラストを比較+0することにより
、焦点位置を求めることができ。
素27の出力がコントラストであり、ガラス−26の両
面に縞パターン24を配設しているため、・4画素のう
ち2画素ずつのコントラストを比較+0することにより
、焦点位置を求めることができ。
る。コントラストを表す式を式(1)に示す。ここ。
で、対物レンズ9を移動した時のコントラスト。
量を演算すると、第8図(し)に示す様な値となる。。
即ちコントラスト量がOになった時が合焦点で1゜あり
、焦点からずれることにより、コントラス。
、焦点からずれることにより、コントラス。
ト量は+あるいは−の値となり、ガラス26のど。
ちらかの縞パターンに焦点が合った時に、コン。
トラスト量は+側あるいは一側で最大となり、。
さらにどちらかに移動すると完全に縞パターン2゜・
8 ・ 24がボケて検出不可能となりコントラスト量が。
8 ・ 24がボケて検出不可能となりコントラスト量が。
0になる。
次にマスク1とウェハ3の間隙を検出し、−定あるいは
任意の、値にする手段を説明する。 。
任意の、値にする手段を説明する。 。
第9図に検出の概念図を示す。マスク1には一′反射面
22と透過面23を設けている。ここで0例・えげ対物
レンズ9の焦点位置がマスク1の上方にある時、C,C
,DIOの出力は第9図(b)に示す様・にマスクl側
は出力差は大きいがアンバランス・に、一方マスク1を
通してウェハ3側の出力差、++ルベルともに小さく、
焦点位置から遠いことを。
22と透過面23を設けている。ここで0例・えげ対物
レンズ9の焦点位置がマスク1の上方にある時、C,C
,DIOの出力は第9図(b)に示す様・にマスクl側
は出力差は大きいがアンバランス・に、一方マスク1を
通してウェハ3側の出力差、++ルベルともに小さく、
焦点位置から遠いことを。
示している。その時のコントラスト1は第9図。
(Alに示す様になり、マスクlの方に対物レンズ。
の焦点位置が遠いことがわかる。
次に第10図ja)に示す様に対物レンズ9を下降I−
1させて、マスクlの反射面に焦点位置が来た時。
1させて、マスクlの反射面に焦点位置が来た時。
C,C,DIOの出力は第1θ図(b)に示す様に、マ
スク。
スク。
1側の出力差は等しくなる。一方つエバ3側の。
出力差は、第9図より多少大きくなる。同様の。
方法により、3軸の対物レンズ9の焦点位置とマスクl
の反射面22が一致する様に対物レンズ。
の反射面22が一致する様に対物レンズ。
9を移動させ合わせる。
マスクlと対物レンズ9の相対位置関係が出゛たならば
、ウェハ3をピエゾ8に電圧を加えてJマスク1とウェ
ハ3を接近させる。第11図(a)に・示す様にウェハ
3を上昇させると、第11図(blに・示す様にウニノ
・3に□対応するC、C,D10出力差はアンバランス
になるが大きくなる。さらにこの・ま〜ウェハ3を上昇
させると、C,C,Dtoの出力・差はなくなり、マス
クl側の出力差と同様なバ]1゜ランスとなる。この前
に、あらかじめコントラ。
、ウェハ3をピエゾ8に電圧を加えてJマスク1とウェ
ハ3を接近させる。第11図(a)に・示す様にウェハ
3を上昇させると、第11図(blに・示す様にウニノ
・3に□対応するC、C,D10出力差はアンバランス
になるが大きくなる。さらにこの・ま〜ウェハ3を上昇
させると、C,C,Dtoの出力・差はなくなり、マス
クl側の出力差と同様なバ]1゜ランスとなる。この前
に、あらかじめコントラ。
スト量と焦点位置の関係を演算し、記憶してお。
けば8例えばあるコントラスト量に対して焦点。
位置からウニノ・3がとのぐらい離れているか分。
る。従って、マスク1とウニノ・3の間隙を所定1、の
値に設定したい時は、コントラスト量を常時。
値に設定したい時は、コントラスト量を常時。
演算しなからピエゾ8を駆動し、コントラスト。
量が所定の値になったらピエゾ8を停止させる。。
この様に、コントラスト量と焦点ズレの関係をあらかじ
め求めておけば、マスクlとウニノ・3の間隙を任意の
値に設定可能であり、さらに。
め求めておけば、マスクlとウニノ・3の間隙を任意の
値に設定可能であり、さらに。
コントラスト量をピエゾ8の制御回路17にフィー。
ドパツクすれば1例えば露光装置において、プ゛ロキシ
シテイにも、密着式の双方に適用が可能。
シテイにも、密着式の双方に適用が可能。
である。即ち、密着式においてもマスク1とつ5エバ2
を密着させる直前迄、常時平行出しを行゛うことが可能
であり、高積度の平行出しが可能−となる。
を密着させる直前迄、常時平行出しを行゛うことが可能
であり、高積度の平行出しが可能−となる。
本発明(でよれば、相対する薄板の間隙を非接10触か
つ高精膨で検出できる。また一方の薄板を・間隙検出結
果を基に移動させ一定あるいは任意・の間隙にすること
が可能であるので0例えば半。
つ高精膨で検出できる。また一方の薄板を・間隙検出結
果を基に移動させ一定あるいは任意・の間隙にすること
が可能であるので0例えば半。
導体製品のマスクとウェハの間隙検出、平行出。
しが必要な密着式子ライナ、X線了うイチに対、5して
適用が考えらねる。
適用が考えらねる。
密着式アライナにおいては、従来の様にマス。
りとウェハを直接接触させて平行出しする方法。
に対して0本方式の様に非接触でマスクとウニ。
ハの平行出しが行えるのでマスクに与えるダメ−2゜、
11゜ ジが少なく歩留りが向上するという効果がある二またマ
スクとウニ・・が接触する直前迄平行出しができるため
、高精度の平行出しができマスクにウニ・・が密着する
際にズレな生じない、−1:た全面わたって完全に密着
するので1合わせ精度の向上、高解像度の焼付けが可能
となる。
11゜ ジが少なく歩留りが向上するという効果がある二またマ
スクとウニ・・が接触する直前迄平行出しができるため
、高精度の平行出しができマスクにウニ・・が密着する
際にズレな生じない、−1:た全面わたって完全に密着
するので1合わせ精度の向上、高解像度の焼付けが可能
となる。
第2図は従来の密着式子ライナの密着機構を示す段面図
、第1図は本発明の一実施例の間隙設定装置を示す構成
図、第3図hiウニ・・チャ・ツクの移動機構を示す段
面図と側面図、第4図は縞パターン投影個所を斜す斜視
図、第5図、第6図、第7図は縞パターン投影法を示す
概念”図。 第8図は縞パターン投影法による縞パターンのコントラ
スト量を算出する式及びコントラスト量と焦点位置の関
係を示すグラフ、第9図、第10図、第11図はマスク
とウェハの間隙を検出。 設定する概念図である。 l・・・マスク、 3・・・ウニノ1゜8・
・・ピエゾ、 9・・・対物レンズ。 ・12・ 16・・・計算機、17・・・制御回路、 。 22・・・反射面、23・・・透過面。 24・・・緋パターン、25・・・結像レンズ。 27・・・画素。 稟1 区 猶 ′3 口 (b) 第4 目 C約 第−fに (久) 第乙記 第8 圀 C(、D昌素 (Oン 第 り Bコ < c) (dン
り社 マズ71ノエノ\ 第1O口 (α) (C) (d
ン第11圀 αい
、第1図は本発明の一実施例の間隙設定装置を示す構成
図、第3図hiウニ・・チャ・ツクの移動機構を示す段
面図と側面図、第4図は縞パターン投影個所を斜す斜視
図、第5図、第6図、第7図は縞パターン投影法を示す
概念”図。 第8図は縞パターン投影法による縞パターンのコントラ
スト量を算出する式及びコントラスト量と焦点位置の関
係を示すグラフ、第9図、第10図、第11図はマスク
とウェハの間隙を検出。 設定する概念図である。 l・・・マスク、 3・・・ウニノ1゜8・
・・ピエゾ、 9・・・対物レンズ。 ・12・ 16・・・計算機、17・・・制御回路、 。 22・・・反射面、23・・・透過面。 24・・・緋パターン、25・・・結像レンズ。 27・・・画素。 稟1 区 猶 ′3 口 (b) 第4 目 C約 第−fに (久) 第乙記 第8 圀 C(、D昌素 (Oン 第 り Bコ < c) (dン
り社 マズ71ノエノ\ 第1O口 (α) (C) (d
ン第11圀 αい
Claims (1)
- 1、相対する薄板の間隙を設定する装置において、第一
の薄板を保持する手段と、第一の薄板に相対し、ほゞ平
行に第二の薄板を保持する手段と、第一または第二の保
持手段のいずれか、あるいは双方に接続しチルト移動が
可能な変位手段と、前記第一及び第二の薄板に対し垂直
方向に配設し、結像系をなし、結像位置付近の共役位置
にパターンと光電変換手段とを具備した検出光学系と、
光電変換手段により入力したパターン情報を演算し、そ
の結果を変位手段にフィードバックする演算・制御手段
を具備することを特徴とする間隙設定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60189516A JPS6251219A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 間隙設定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60189516A JPS6251219A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 間隙設定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6251219A true JPS6251219A (ja) | 1987-03-05 |
JPH0562810B2 JPH0562810B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=16242587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60189516A Granted JPS6251219A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 間隙設定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6251219A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0269608A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ギャップ測定装置 |
CN102341755A (zh) * | 2009-03-03 | 2012-02-01 | 国际商业机器公司 | 光刻设备 |
CN102455600A (zh) * | 2010-10-18 | 2012-05-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测晶片表面形貌的方法 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60189516A patent/JPS6251219A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0269608A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ギャップ測定装置 |
CN102341755A (zh) * | 2009-03-03 | 2012-02-01 | 国际商业机器公司 | 光刻设备 |
US8687170B2 (en) | 2009-03-03 | 2014-04-01 | International Business Machines Corporation | Asymmetric complementary dipole illuminator |
US8749760B2 (en) | 2009-03-03 | 2014-06-10 | International Business Machines Corporation | Asymmetric complementary dipole illuminator |
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