JPH0562809B2 - - Google Patents

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JPH0562809B2
JPH0562809B2 JP60096685A JP9668585A JPH0562809B2 JP H0562809 B2 JPH0562809 B2 JP H0562809B2 JP 60096685 A JP60096685 A JP 60096685A JP 9668585 A JP9668585 A JP 9668585A JP H0562809 B2 JPH0562809 B2 JP H0562809B2
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wafer
mask
target pattern
objective lens
target
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Tsutomu Tanaka
Yoshitada Oshida
Ryuichi Funatsu
Minoru Yoshida
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0562809B2 publication Critical patent/JPH0562809B2/ja
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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の利用分野) 本発明は露光装置とくに2個の薄片状物体の間
隙量を非接触で高精度に設定を可能とする露光装
置に関するものである。
(発明の背景) 2個の薄片状物体たとえばマスクとウエハとを
平行に整合して露光する場合、マスクとウエハと
の位置整合を高精度の行なう必要がある。従来の
露光装置におけるマスクとウエハとの間隙量を設
定する方法としてはたとえば特開昭54−83380号
公報に記載されている如く、外周部をマスクベー
スおよびマスク押えによつて固定されたマスクに
対して上下動して間隙量を設定されるウエハを設
け、このウエハを搭載するウエハ台と、上下動す
る上下軸との対接部分を球面状に形成し、予じめ
ウエハをマスクに対接させて両者が平行になるよ
うに位置決めしたのち、上記ウエハ台と、上下軸
との間の球面部分を真空状態にしてウエハとマス
クを密着固定する方法が知られている。然るに上
記の方法においては、マスクと、ウエハとを直接
接触させるため、マスクに傷がついたり、異物が
付着したりして歩留りの低下を招く恐れがある。
そこで上記の問題を解決する方法として従来はマ
スクと、ウエハとの間のパターン部分以外の位置
にスペースを挿入してマスクとウエハとが平行に
なるように位置合せするものが実施されている。
然るにこの方法ではマスクと、ウエハとの間にス
ペースを介在させるため、マスクとウエハとの間
隙量を1/1000mmオーダの高精度に設定することは
期待できない。また一方マスクト、ウエハとを非
接触状態で間隙量を設定する方法としてはたとえ
ば、特開昭56−98829号公報に記載されている如
く、相互に平行配置されたマスクと、ウエハとの
何れか一方を振動させてその振動振幅を非接触で
測定し、この振動振幅がマスクと、ウエハとの間
隙量の大きさに応じて変化するのを利用してマス
クと、ウエハとの間隙量を設定するものが知られ
ている。然るにこの方法では、マスクを圧縮流体
である空気を使用して振動させた場合、機械的誤
差、温度変化などの環境の変化が問題となる可能
性がある。
(発明の目的) 本発明は前記の従来技術の問題点を解決し、マ
スクとウエハとの間隔を非接触で測定し、該間隔
を所定の量に設定することを可能にし、これによ
つて微細なパターンの露光を可能とする露光装置
を提供することにある。
(発明の概要) 本発明は前記の目的を達成するため、マスク上
の回路パターンをウエハ上に露光する露光装置に
おいて、第1のターゲツトパターンを表面に形成
したマスクと、第2のターゲツトパターンを表面
に形成したウエハとを用い、前記マスクを保持す
るマスク保持手段と、前記ウエハを保持するウエ
ハ保持手段と、前記第1のターゲツトパターンと
前記第2のターゲツトパターンとのそれぞれのコ
ントラストを光学的に検出する検出手段と、該検
出手段の出力に基づいて前記マスクと前記ウエハ
との間隔を算出する算出手段と、該算出手段の出
力に基づいて前記ウエハ保持手段を駆動する駆動
手段とを有し、前記検出手段は前記第1のターゲ
ツトパターンと前記第2のターゲツトパターンと
のそれぞれの焦点位置を変化させた時の前記それ
ぞれのコントラスト信号の変化に基づいて前記マ
スクと前記ウエハとの間隔を所定の値に設定する
構成とした。更に、前記検出手段は光学系とリニ
アセンサを有し、該光学系で前記リニアセンサ上
に投影される前記第1のターゲツトパターンおよ
び前記第2のターゲツトパターンの前記それぞれ
のコントラストを検出する構成とした。また、前
記光学系は対物レンズと該対物レンズを駆動する
レンズ駆動部とを有し、該レンズ駆動部を該対物
レンズを前記光学系の光軸方向に移動させること
により、前記第1のターゲツトパターンおよび前
記第2のターゲツトパターンのそれぞれの焦点位
置を、前記リニアセンサの検出面の前後にずらす
構成とした。また、前記算出部は、前記第1又は
前記第2のターゲツトパターンの前記光学系での
焦点位置を前記リニアセンサ上に合わせたときの
前記対物レンズの位置と、予め求めておいた前記
第1および前記第2のターゲツトパターンと前記
対物レンズとの間隔の前記リニアセンサの出力と
の関係とを比較することにより前記マスクと前記
ウエハとの間隔の所定の値からのずれ量を算出
し、該算出したずれ量に基づいた信号を出力する
構成とした。
(発明の実施例) 以下本発明の実施例を示す図面について説明す
る。第1図は本発明の一実施例を示す露光装置に
おけるマスクとウエハとの間隙量設定装置の要部
構成斜視図、第2図aはそのウエハチヤツクの移
動装置を示す正面図、bはそのA−A矢視平面
図、第3図はマスクとウエハの位置検出方法用説
明図、第4図aおよび第6図aは対物レンズの焦
点とマスクまたはウエハの位置とがズレている場
合のリニアイメージセンサ(以下C.C.Dという)
上のターゲツトパターンのコントラストを示し、
第4図bおよび第6図bはそのときのC.C.D出力
曲線図、第5図aは対物レンズの焦点とマスクま
たはウエハの位置とが一致している場合のC.C.D
上のターゲツトパターンのコントラストを示し、
bはそのときのC.C.Dの出力曲線図、第7図はマ
スクとウエハの間隙量を算出するフローチヤー
ト、第8図は対物レンズの焦点とマスクまたはウ
エハとの位置関係を示す説明図にして、aは対物
レンズの初期位置、bは対物レンズの焦点がマス
クターゲツトマークに一致した位置、cは対物レ
ンズの焦点がウエハターゲツトマークに一致した
位置を示し、第9図aは第8図bに示す対物レン
ズの位置におけるC.C.Dの出力曲線図、bはその
ときのC.C.D上のマスクターゲツトマークのコン
トラストを示す図、第10図aは第8図cに示す
対物レンズの位置におけるC.C.Dの出力曲線図、
bはそのときのC.C.D上のウエハターゲツトマー
クのコントラストを示す図である。第1図に示す
如く、従来使用されている球面状部分の代りにZ
ステージ7上に3個の圧電素子(以下ピエゾ8と
いう)を固定し、その3個のピエゾ8a,8b,
8cの上端部にウエハチヤツク4を載置してい
る。また上記ウエハチヤツク4上に固定されたウ
エハ3の上面に対向する如くマスクベース2に固
定されたマスク1を配置し、このマスク1の上方
上記3個のピエゾ8a,8b,8cに対向する如
く位置決めされた3個の対物レンズ9a,9b,
9cと、1個の対物レンズ9aの結像光路の途中
に配置されたハーフミラー11aと、照明系(図
示せず)から上記ハーフミラー11aに反射した
光を導いて落射照明するライトガイド12と、上
記3個の対物レンズ9a,9b,9cの結像位置
に配置された3個のC.C.D10a,10b,10
cと、2個の対物レンズ9a,9cの結像光路の
途中に配置された2個のハーフミラー11b,1
1cからの結像を入力する2個のC.C.D10d,
10eとからなる3ユニツトの光学系を設けてい
る。なお、上記C.C.D10a,10dおよび10
c,10eはマスク1とウエハとのアライメント
用ターゲツトマーク13用であり、C.C.D10d
はマスク1と、ウエハ3の面検出用である。また
上記C.C.D10a,10b,10c,10d,1
0eの出力はC.C.D駆動回路14と、インターフ
エース回路15を介して計算機16で計算され
る。さらに上記インターフエース回路15は3個
のピエゾ8a,8b,8cを駆動するための制御
回路17aに接続し、上記計算機16の計算結果
を上記3個のピエゾ8a,8b,8cにフイード
バツクするように形成されている。なお図示の1
7はZステージ制御回路にして、上記インターフ
エース回路15からの指令によつてZステージ7
を互いに直角な2方向に移動させる如くしてい
る。つぎにウエハチヤツク移動装置は第2図a,
bに示す如く、チヤツクベース18上に3個のピ
エゾ8a,8b,8cを固定し、これの上端球面
部と、ウエハチヤツクとの間に鋼球受け19およ
び電気マイクロメータ20の先端触針20aを介
挿している。上記鋼球受け19は上記ピエゾ8
a,8b,8cの上端球面部に対接する部分を円
錐、V溝、およびフラツト状に形成されている。
上記電気マイクロメータ20は上記ピエゾ8a,
8b,8cの上下方向移動量を鋼球受け19およ
び触針20aを介して検出するとともにチヤツク
ベース18を3点で上下方向に移動してこれに対
向するマスク1との間隙量を調整する如くしてい
る。また上記チヤツクベース18上に垂直方向に
固定されたボスト21aの上端部と、上記ウエハ
チヤツク4との間を板バネ21bにて弾性的に連
結支持している。上記の構成に基いて、マスク1
と、ウエハ3との位置検出方法について第3図に
より説明する。先づ対物レンズ9の焦点0がマス
ク1またはウエハ3に位置するとき、その対物レ
ンズ9の結像がC.C.D10に位置するようにC.C.
D10の位置を設定する。また照明系からの光が
ライトガイド12を介して対物レンズ9に入つて
落射照明するようにしている。この状態で対物レ
ンズ9の焦点がマスク1またはウエハ3に位置す
るときには、第5図aに示す如く、C.C.D10上
のターゲツトパターンのコントラスト量および同
図bに示す如く、C.C.D10の出力が最大にな
る。これに対して対物レンズ9の焦点がマスク1
またはウエハ3に対してズレているときには、第
4図aおよび第6図aに示す如くC.C.D10上の
ターゲツトパターンのコントラスト量および同図
bに示す如く、C.C.D10上の出力が減少する。
つぎに上記C.C.D10上のターゲツトマークのコ
ントラスト量を演算する方法について第7図乃至
第10図について説明する。第8図aに示す如
く、対物レンズ9の初期位置ではその焦点がマス
ク1の上方位置にある。この位置から対物レンズ
9が下降すると、これに伴なつて第9図aに示す
如くマスクターゲツト22の2本線の位置に対応
するC.C.D10の出力が増加する。ここでC.C.D
10の出力の変曲線の画素を求め、この画素を中
心にしてその両側のコントラスト量を演算するC.
C.D10上の範囲を設定し、マスクターゲツト2
2のコントラスト量CMをつぎの式(1)で求める。
CMoi=1 (V(i)−()) ……(1) ただし、()=ΣV(i)/n ただし、iは画素数、V(i)は画素の数量i
のC.C.D出力、nは任意の画素数である。
然るのち、対物レンズ9の焦点がマスクターゲ
ツト22の位置に達して第9図aに示す如く、C.
C.Dの出力が最大になり、かつ第9図bに示す如
くマスクターゲツト22のコントラスト量CM
最大になつたときの対物レンズ9の上下方向位置
PMを記憶しておく、つぎにさらに対物レンズ9
が下降すると、C.C.D10上でのウエハターゲツ
ト23の出力で増加する。ここでC.C.D10の出
力を変曲点の画素を求め、この画素を中心にして
その両側のコントラスト量を演算するC.C.D10
上の範囲を設定し、ウエハターゲツト23のコン
トラスト量CWをつぎの式(2)で求める。
CWoi=1 (V(i)−()) ……(2) ただし、()=ΣV(i)/n 然るのち、対物レンズ9の焦点がウエハターゲ
ツト23の位置に達して第10図aに示す如く、
C.C.D10の出力が最大になり、かつ同図bに示
す如く、ウエハターゲツト23のコントラスト量
CWが最大になつたときの対物レンズ9の上下方
向位置PWを求め、この対物レンズ9が上下方向
位置PWと、先きに記憶してある対物レンズ9の
上下方向位置PMとの差を求めると、対物レンズ
9の上下方向移動量すなわちマスク1と、ウエハ
3との間隙量が求められる。この場合、本実施例
においては、前記の如く3ユニツトの検出光学系
が設置され、その内の2ユニツトの検出光学系に
て第1図に示す2個のアライメント用ターゲツト
13を検出し、残りの1ユニツトの検出光学系に
てスクライブライン(図示せず)を検出し、これ
ら3ユニツトの検出光学系にてマスク1と、ウエ
ハ3とを3点で両者の間隙量を検出演算してい
る。このようにしてマスク1とウエハ3との間隙
量が検出されると、その結果に基いてインターフ
エース回路15から制御回路17を介して3個の
ピエゾ8a,8b,8cに独立して指令を与え、
マスク1とウエハ3との3点における間隙量が互
いに等しくなるようにウエハチヤツク4を上下動
させてマスク1とウエハ3との間隙量を調整す
る。
次に、本発明の原理の説明としてアライメント
用ターゲツト13を使用しないで、マスク1とウ
エハ3との間隙量を設定する場合について第11
図乃至第13図により説明する。本発明の原理の
説明においては、検出光学系として対物レンズ
9、C.C.D10および照明系を使用することは前
記第3図と同一であるが、ハーフミラー11から
の反射光の焦点に縞パターン24を設け、マスク
1のパターン面と同一位置に反射面25を設けて
いる点が相異する。而して本実施例においては、
対物レンズ9が第11図aに示す位置すなわち、
対物レンズ9の焦点がマスク1の反射面25と一
致する位置より上方に位置して下降すると、それ
に伴なつてC.C.D10上のマスク1の反射面25
に対応する出力が増加する。ここでC.C.D10上
におけるマスク1およびウエハ3の検出範囲を設
定し、前記式(1)および(2)と同様に縞パターン25
のコントラスト量を算出する。然るのち、第11
図aに示す如く、対物レンズ9の焦点がマスク1
の反射面26に達し、第12図aに示す如く対物
レンズ9の焦点がウエハ1のターゲツト23に達
してC.C.D10上の縞パターンのコントラスト量
が第11図bおよび第12図bに示すようになり
かつC.C.D10の出力が第11図cおよび第12
図cに示すような曲線となつたときの対物レンズ
9の夫々の上下方向位置からマスク1とウエハ3
との間隙量を求める。この場合、上記反射面25
は第13図に示す如くマスク1上に3個所設け、
かつ上記縞パターン24は上記反射面25と、マ
スク1の透過面の両方に略半分づつ投影されるよ
うに配置されている。また上記縞パターン24を
投影する方法はアライメント用ターゲツトマーク
13を使用す方法に比較してコントラストの変化
量が2倍になり、かつ縞パターン24を多数本検
出するようにすれば、さらに検出精度が向上す
る。なお上記した本発明の原理の説明においては
ウエハチヤツク4を3個のピエゾ8a,8b,8
cにて駆動する場合について述べたが、これに限
定されるものでなく、たとえば、ウエハチヤツク
4の支持を1個は固定、2個はピエゾ8にて駆動
するように構成しても上記と同一効果を期待する
ことができる。
(発明の効果) 以上述べたる如く、本発明は、マスクおよびウ
エハの各位置を非接触で、高精度の検出ができ
る。またウエハを固定するウエハチヤツクが少な
くとも3点で、しかも各点が独立して支持すると
ともに上下動させるので、高精度でマスクとウエ
ハとの間隙量を位置決めすることができる。した
がつて密着式マスクアライナに本発明を実施する
と、最初のマスクとウエハとの密着時点で露光を
行なうことができるし、プロキシミテイ露光の場
合には、マスクとウエハとを1度も接触させない
で、露光が可能になり、これによつてマスクに与
えるダメージが少なくなつて歩留りを向上するこ
とができる。さらにマスクとウエハとの平行度を
高精度にすることができるので、マスクとウエハ
とを密着するさいにズレを発生することがなく高
精度の位置合せを行なうことができ、これによつ
て高微細なパターンの露光を行なうことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す露光装置に使
用される間隙設定装置の構成斜視図、第2図aは
そのウエハチヤツク移動装置を示す正面図、bは
そのA−A矢視平面図、第3図はマスクとウエハ
の位置検出方法用説明図、第4図aおよび第6図
aは対物レンズの焦点とマスクまたはウエハの位
置がズレているときのC.C.D上のターゲツトパタ
ーンのコントラストを示す図、第4図bおよび第
6図bはそのときのC.C.Dの出力曲線図、第5図
aは対物レンズの焦点とマスクまたはウエハの位
置が一致しているときのC.C.D上のターゲツトパ
ターンのコントラストを示す図、bはそのC.C.D
の出力曲線図、第7図はマスクとウエハとの間隙
量を算出するフローチヤート、第8図は対物レン
ズの焦点とマスクおよびウエハの位置関係を示す
説明図にしてaは初期位置、bは対物レンズの焦
点がマスクと一致した場合、cは対物レンズの焦
点がウエハと一致した場合を示し、第9図aは第
8図bの場合のC.C.Dの出力曲線図、bはそのマ
スクのコントラストを示す図、第10図aは前記
第8図cの場合のC.C.Dの出力曲線図、bはその
ウエハのコントラストを示す図、第11図aおよ
び第12図aは本発明の原理を示す間隙設定装置
の要部説明図にして第11図bおよび第12図b
は夫々の場合のC.C.D上の縞パターンのコントラ
ストを示し、第11図cおよび第12図cは夫々
の場合のC.C.Dの出力曲線図、第13図aは縞パ
ターンの1例を示す斜視図、bはその縞パターン
の投影位置を示す斜視図である。 1……マスク、2……マスクベース、3……ウ
エハ、4……ウエハチヤツク、7……Zステー
ジ、8……ピエゾ、9……対物レンズ、10……
C.C.D、11……ハーフミラー、12……ライト
ガイド、13……アライメント用ターゲツトマー
ク、14……C.C.D駆動回路、15……インター
フエース回路、16……計算機、17……制御回
路、18……チヤツクベース、19……鋼球受
け、20……電気マイクロメータ、21……板バ
ネ、22……マスクターゲツト、23……ウエハ
ターゲツト、24……縞パターン、25……反射
面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 マスク上の回路パターンをウエハ上に露光す
    る露光装置であつて、前記マスクは第1のターゲ
    ツトパターンが表面に形成され、前記ウエハは第
    2のターゲツトパターンが表面に形成されてお
    り、前記マスクを保持するマスク保持手段と、前
    記ウエハを保持するウエハ保持手段と、前記第1
    のターゲツトパターンと前記第2のターゲツトパ
    ターンとのそれぞれのコントラストを光学的に検
    出する検出手段と、該検出手段の出力に基づいて
    前記マスクと前記ウエハとの間隔を算出する算出
    手段と、該算出手段の出力に基づいて前記ウエハ
    保持手段を駆動する駆動手段とを有し、前記検出
    手段は前記第1のターゲツトパターンと前記第2
    のターゲツトパターンとのそれぞれの焦点位置を
    変化させた時の前記それぞれのコントラスト信号
    の変化に基づいて前記マスクと前記ウエハとの間
    隔を所定の値に設定することを特徴とする露光装
    置。 2 前記検出手段は光学系とリニアセンサを有
    し、該光学系で前記リニアセンサ上に投影される
    前記第1のターゲツトパターンおよび前記第2の
    ターゲツトパターンの前記それぞれのコントラス
    トを検出することを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の露光装置。 3 前記光学系は対物レンズと該対物レンズを駆
    動するレンズ駆動部とを有し、該レンズ駆動部で
    該対物レンズを前記光学系の光軸方向に移動させ
    ることにより、前記第1のターゲツトパターンお
    よび前記第2のターゲツトパターンのそれぞれの
    焦点位置を、前記リニアセンサの検出面の前後に
    ずらすことを特徴とする特許請求の範囲第2項記
    載の露光装置。 4 前記算出部は、前記第1又は前記第2のター
    ゲツトパターンの前記光学系での焦点位置を前記
    リニアセンサ上に合わせたときの前記対物レンズ
    の位置と、予め求めておいた前記第1および前記
    第2のターゲツトパターンと前記対物レンズとの
    間隔と前記リニアセンサの出力との関係とを比較
    することにより前記マスクと前記ウエハとの間隔
    の所定の値からずれた量を算出し、該算出したず
    れ量に基づいた信号を出力することを特徴とする
    特許請求の範囲第3項記載の露光装置。
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