JPS62149128A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPS62149128A
JPS62149128A JP60262552A JP26255285A JPS62149128A JP S62149128 A JPS62149128 A JP S62149128A JP 60262552 A JP60262552 A JP 60262552A JP 26255285 A JP26255285 A JP 26255285A JP S62149128 A JPS62149128 A JP S62149128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
wafer
mark
optical system
contrast amount
Prior art date
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Pending
Application number
JP60262552A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Tanaka
勉 田中
Minoru Yoshida
実 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS62149128A publication Critical patent/JPS62149128A/ja
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の利用分野) 本発明は対峙して配設されるマスクおよびウェハ間の平
行度を非接触で高精度に調整するに好適な露光装置に関
するものである。
(発明の背景) 半導体製品、液晶製品等の高精度のホ) IJングラフ
ィが必要な露光装置1例えばコンタクトアライナ(プロ
キシミティアライナを含む)、X線アライナ等において
はマスクパターンを紫外線露光によりウェハに焼付ける
手段が採用される。この露光の前工程としてマスクとウ
ェハの平行度を高精度に調整保持せしめることが必要と
される。この手段としてマスクおよびウェハを密着せし
めて精度出しを行うものや(例えば特開昭54−833
80号)、非接触状態にて平行度を出すもの(例えば特
開昭56−98829号)等採用されているが精度の面
および信頬性等の面で問題点があった。すなわち、特開
昭54−83380に開示するものはベース上に支持さ
れたマスクに球面支持部を有するチャック上に載置され
るウェハを接触せしめ、上記チャックに空気圧を付加し
、マスクとウェハとを均一に接触せんとしたものである
。この手段では上記の如くマスクとウェハとを直接接触
させるためその間にレジスト、異物等が混入し、マスク
にこれ等が付着すると共に傷が生じ歩留りを低下せしめ
る欠点があった。またマスクとウェハを直接接触せしめ
る代りにその間にスペーサを介在せしめる手段もあるが
、スペーサ自身の寸法平行精度が問題となる他、スペー
サ自体にレジスト、異均等が付着し、スペーサの厚さが
一定せず、マスクおよびウェハ間の間隙を一定のものに
高精度に保持できない欠点が生ずる。
また特開昭56−98829号はマスクとウェハとを間
隙を隔てて対峙せしめ、振動子によりマスクを振動させ
、両者間の空気の波動干渉の状態から上記間隙を検出し
両者間の平行度を調整するものである。この従来技術は
非接触のため上記した如き欠点がないが圧縮性流体たる
空気を利用することから、温度、湿度等の環境的要素の
影響を受けやすく、信頼性に劣る欠点があった。
(発明の目的) 本発明は上記欠点を解決すべく創案されたものであり、
その目的はマスクとウェハとの高精度間隙設定が可能と
なり、高精度の露光ができると共に製品の歩留り、信頼
性を向上し得る露光装置を提供することにある。
(発明の(既要) 本発明は上記目的を達成するためにマスクとウェハの一
方又は双方をX、Y、Z方向およびチル1一方向に移動
し得るアライメント調整装置に上記マスクおよびウェハ
を係合せしめると共に、上記マスクおよびウェハに表示
されるマーク又はパターンを結像し、これを光電変換す
る検出光学系と、該検出光学系の上記結像のコントラス
ト量を演算すると共に該コントラスト量に基づき上記ア
ライメント調整装置を動作制御する演算制御装置とから
構成される装置 (発明の実施例) 以下、本発明の実施例を図面に基づき説明する。
まず第1図により本実施例の概要を説明する。
アライメント調整装置はウェハ2を真空吸着するチャン
ク3を支持する圧電素子4 (以下ピエゾ4という)と
、ピエゾ4を載置するステージ5 (X。
Y,Z方向の移動およびX, Y,平面上の回動(θ)
可能に形成)と、マスク1を載置するべ一ス(図示しな
いが固定又はステージ5により移動および回動可能に形
成される)等とから構成される。
検出光学系は対物レンズ6、ランプハウス(図示せず)
からの光を導くライトガイド1o、ハーフミラー8,9
、マスク1およびウェハ2に表示されるターゲットマー
ク11(以下、マーク11という)を結像すると共に結
像される光の強弱に比例する出力信号を制御系に送るリ
ニアイメージセンサ7(以下CCD7という)等とから
構成される。演算制御装置はCCD7の結像のコントラ
スト量を演算するリニアイメージセンサ駆動回路12(
以下、CCD駆動回路12)、インターフェース回路1
3、計算機14、演算結果に基づきピエゾ4を制御する
ピエゾ駆動回路15およびステージ5を制御するステー
ジ駆動回路16等とから構成される。
以上の構成により、マスク1およびウェハ2のマーク1
1の結像のコントラストlを求め、この最大値を求め、
両者間の間隙が所定値にあることを確認し高精度の平行
度を確保するようにしたちのである。
次に、本実施例を更に詳細に説明する。
まずアライメント調整装置を説明する。
第2図に示す如く、マスク1には一本ラインからなる間
隙設定用のターゲソトマーク11−1 (以下、マーク
1l−1という)が120度分割で3箇所接線方向に表
示される。またウェハ2にはマーク11−1と対峙する
位置にこれと直交するターゲソトマーク11−2 (以
下マーク11−2という)が表示される。後に説明する
リニアイメージセンサ7−1.7−2  (以下CCD
74.7−2という)はマーク11−1.11−2と対
峙してそれぞれ配置され、マーク11−1およびマーク
11−2の配置方向にそれぞれ直交して配設される。
ステージ5は第1図に示す如く、モータ5a,5b。
5cによりX.Y.Z方向に移動すべく形成され、ピエ
ゾ4はチャンク3に相当するウエハ吸着ブロノク19に
第3図(a) 、 (b)に示す如く係合する。すなわ
ちピエゾ4は120度分割で3箇所配置され、この先端
と対峙する位置にはウエハ吸着ブロソク19に固定する
受け18があり、受け18とピエゾ4の先端間には拙球
17が介設される。
また隣接するピエゾ4の中間にはウェハ吸!ブロック1
9を弾性支持板ばね20が架設される。ピエゾ4の変位
はウェハ吸着ブロック19をチルトさせるべく作用する
検出光学系を第4図(a) 、 (b)により説明する
対物レンズ6は無限筒長型のものを用い、結像レンズ2
1はライトガイド10からハーフミラ−9により反射さ
れた束をマスク1およびウェハ2のマーク11−1.1
1−2に照射し反射してこれをC0D7−1.7−2に
結像すべく配置される。
なお対物レンズ6は位置移動可能に形成される(図示せ
ず)。CCD7−1の結像点(イ)とCCD7−2の結
像点(ロ)は対物レンズ6の倍率をAとし、マスク1と
ウェハ2との間隙をdとするとA2×゛dだけ離れて配
置される。すなわちCOD7−1とCCD7−’2はA
2×dだけ離れて配設される。詳しくにはCCI)7−
1への光はハーフミラ−8により90度曲げられ第4図
(a)の点線に示す位置に配設されるが、CCD7−1
とCOD7−2の位置関係は上記の如くA2×dだけ離
隔して配設される。
またC CD7−1.7−2の前方には光束の1方向の
みを集□光するシリンドリ力ルレンス21.22が配置
される。従って第4図(b)に示す如く、横軸に画素、
縦軸にCCD出力をとるとCCD7−1にはマーク11
−1に相当する光のみが結像1、C0D7−2にはマー
ク11−2に相当する光のみが結像される。なおコント
ラスト量の最大値の画素の番地が横軸により確認され記
憶される。
演算制御手段は上記した如き構成から形成されるがCC
D7−C7−2に結像する光と下地とのコントラスト差
をコントラスト量として演算し、光の焦点がマスク1お
よびウェハ2のそれぞれのマーク11−1.11−2に
一致した場合に最大のコントラスト量を示すことを基本
としてマスクlとウェハ2この間隙の調整量を計算すべ
く形成される。
次に本実施例の作用を第5図、第6図により説明する。
第5図は横軸に焦点位置、縦軸にコントラスト量を示し
たものであり、第6図(a)ないしくb)は対物レンズ
6からの光の焦点とマーク11−L 11−2との合致
状態を表示するものである。
まずマスク1およびウェハ2のマーク11−1.11−
2の3本の内の1本に対物レンズ6からの光を照射する
(ステージ5により行う)。第6図(a)に示す如くマ
スク1のマーク11−1の上方に焦点がある場合には第
5図の曲線の(a)位置に示すコントラスト量が求めら
れる。また第6図(c)に示す如く下方にある場合には
(c)位置で示すコントラスト量が求められる。第6図
(b)は焦点が一致した場合を示し、この場合には曲線
の(b)位置に示す最大のコントラスト量が求められる
上記の焦点合せは対物レンズ6を移動して行う。
父上記はCCD7−1を用いて行うコントラスト量が最
大となったらこの位置で対物レンズ6を固定し、次にC
CD7−2を用い、ウェハ2のマーク11−2の最大の
コントラスト量を求める。すなわち対”l ”’!−’
71ビエヅ4を移動し、第6図(e)に示す如く光の焦
点がマーク11−2に一致する位置を見出す。
第5図の(e)位置がこれに相当する。第5図の(d)
位置、(f)位置は第6図(d) 、 (f)に対応し
、焦点がウェハ2の上方又は下方にあった場合のコント
ラスト量を示すものである。以上の如くしてコントラス
ト量の最大値を求めれば、マスク1とウェハ2とが所定
の間隙を有する位置に配設されたことになる。同様のこ
とを3本の残りのマーク11−1.11−2についても
行なうことによりマスク1とウェハ2との位置合せが完
了する。
第7図(a)は上記の如くして求めたマーク11(11
−1,1l−2)のCOD 7 (7−1,7−2)に
おける画素25の位置を示す。今マスクlの1つのマー
ク11−1の画素番地をPH1とし、ウェハ2の1つの
マーク11−2の画素番地をPw+:とじ、これを求め
て記憶する。同様に残りの2つのマーク11−1.11
−2について同様に画素番地P M2 、P M:I 
、P W−2+  P W−3を求めて記憶する。1組
のマスク1とウェハ2との位置合せが上記の如く、完了
した後、新にアライメントを要するマスク1′とウェハ
2′との位置合わせを行うには、これ等について上記と
同様にコントラスト量の最大値となる画素番地PMPい
 を求め(第7図(c)に示す)、これ等を記憶されて
いる画素番地PMI〜3 +  P W l””:lの
位置にステージ5により移動することにより相対位置合
せが完了される。本実施例は上記の如くマスク1とウェ
ハ2とが非接触で位置合わせができ、異物の付着等の不
具合が生ずることなく歩留りが向上すると共に、極めて
高精度の間隙合せができ、高精度の露光が行われ信頼性
を向上することができる。
第8図は、本発明の他の実施例を示すもである。
本実施例はクーゲットマーク11を用いる替りに縞状パ
ターン23 (23−1,23−2)をライトガイド1
oとハーフミラ−9間に配置し、これをマスク1とウェ
ハ2上に照射して行うものである。マスク1に対応する
縞状パターン23−1とウェハ2に対応する縞状パター
ン23−2とは上記実施例の場合と同様にA2×dだけ
離れて配置され、CCD7−1.7−2もA2Xdだけ
離れて配置される。なおこの場合マスク1には縞状パタ
ーン23−1を反射させる反対面24を形成する。上記
実施例と同様にCCD7−1.7−2の結像が最大のコ
ントラスト量を示すようにマスク1およびウェハ2を移
動せしめ、縞状パターン23−1 。
23−2の照射位置に光の焦点を合わせ両者の間隙位置
合せを行う。本実施例はマスク1およびウェハ2にマー
ク114.11−2を配置しなくともよい利点があると
共に上記実施例と同様の効果が上げられる。
第9図は第8図の応用例であり、縞状パターン23−1
 、23−2は上記実施例と同様に配置されるが、CC
D7は1個しか使用しない点が相異する。この場合対物
レンズ6による光の焦点をマスク1とウェハ2の間隙の
中間位置に来るようにCCD 7の位置を設定する。縞
状パターン23−1 、23−2はマスク1上およびウ
ェハ2上に照射するようにする。
本実施例ではCCD7が1個のため、コントラスト量の
最大値を求めることにはならないが、マスク1およびウ
ェハ2からの結像のコントラスト量が同一になるように
マスク1およびウェハ2を移動位置合わせすることによ
り両者の間隙を所定値に調整することができる。
(発明の効果) 以上の説明によって明らかな如く、本発明によれば高精
度の間隙設定が可能となり高精度露光ができると共に、
非接触により製品の歩留り、信頼性を向上し得る効果が
上げられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明一実施例の全体構成を示す斜視図、第2
図はマスクとウェハのマーク位置とリニアイメージセン
サとの保合状態を示す平面図、第3図(a)はウェハに
係合する圧電素子まわりの構造を示す第3図(b)のm
−(a) −m−(b)線断面図、第4図(a)は検出
光学系の基本光路図およびリニアイメージセンサ出力の
概念図、第4図(b)は第4図(a)における結像の出
力と画素位置を示す説明図、第5図は検出光学系の焦点
位置とコントラスl−1との関係を示す線図、第6図(
a)ないしくf)は光束の焦点合わせ位置とコントラス
ト量との関係を説明するための説明図、第7図(a)は
マークの画素位置を示す平面図、第7図(b)は第7図
(a)における画素位置とリニアイメージセンサ出力と
の関係を示す線図、第7図(c)は新しいアライメント
時の画素合せを説明するための線図、第8図は本発明の
他の実施例の検出光学系の基本光路図とリニアイメージ
センサの概念図、第9図は第8図の応用例の基本光路図
とリニアイメージセンサの概念図である。 l・・・マスク、2・・・ウェハ、3・・・チャック、
4・・・圧電素子(ピエゾ)、5・・・ステージ、5a
 、5b 、5c・・・モータ、6・・・対物レンズ、
7・・・リニアイメージセンサ(CCD) 、8.9・
・・ハーフミラ−110・・・ライトガイド、11 (
11−L 1l−2)・・・ターゲットマーク、12・
・・リニアイメージセンサ駆動回路(CCD駆動回路)
、13・・・インターフェース回路、14・・・計算機
、15・・・ピエゾ駆動回路、16・・・ステージ駆動
回路、17・・・鋼球、18・・・受け、19・・・ウ
ェハ吸着ブロック、20・・・仮バネ、2122・・・
シリンドリカルレンズ、23 (23−1、23−2)
・・・縞状パターン、24・・・反射面、25・・・画
素。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ベース上に載置されるマスクとこれに対峙して配設され
    チャックに保持されるウェハとの一方又は双方を移動お
    よび回動させるアライメント調整装置と、上記マスクお
    よびウェハに表示されるマーク又はパターンを結像し、
    これを光電変換する検出光学系と、該検出光学系の上記
    結像のコントラスト量を演算すると共に、該コントラス
    ト量に基づき上記アライメント調整装置を動作制御する
    演算制御装置とを有することを特徴とする露光装置。
JP60262552A 1985-11-25 1985-11-25 露光装置 Pending JPS62149128A (ja)

Priority Applications (1)

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JP60262552A JPS62149128A (ja) 1985-11-25 1985-11-25 露光装置

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JP60262552A JPS62149128A (ja) 1985-11-25 1985-11-25 露光装置

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JPS62149128A true JPS62149128A (ja) 1987-07-03

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ID=17377389

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JP60262552A Pending JPS62149128A (ja) 1985-11-25 1985-11-25 露光装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007512694A (ja) * 2003-11-28 2007-05-17 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング マスク位置調節装置における直接的アライメント
JP2015130384A (ja) * 2014-01-06 2015-07-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007512694A (ja) * 2003-11-28 2007-05-17 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング マスク位置調節装置における直接的アライメント
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