JPH0562810B2 - - Google Patents
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- JPH0562810B2 JPH0562810B2 JP60189516A JP18951685A JPH0562810B2 JP H0562810 B2 JPH0562810 B2 JP H0562810B2 JP 60189516 A JP60189516 A JP 60189516A JP 18951685 A JP18951685 A JP 18951685A JP H0562810 B2 JPH0562810 B2 JP H0562810B2
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- setting device
- mask
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 101000857682 Homo sapiens Runt-related transcription factor 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100025368 Runt-related transcription factor 2 Human genes 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/703—Gap setting, e.g. in proximity printer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマスクとウエハの間隙を高精度で出す
間隙設定装置に係り、特に密着式マスクアライナ
のマスクとウエハの間隙設定に好適なものであ
る。
間隙設定装置に係り、特に密着式マスクアライナ
のマスクとウエハの間隙設定に好適なものであ
る。
密着式マスクアライナに於けるマスクとウエハ
の間隙を出す方法として、例えば特開昭54−
83380号公報に記されている通り、球面座を使用
する方法が一般的である。この方法は、球面座に
対して下方から微小圧を加え、球と座の部分を自
在にし、あらかじめマスクにウエハを当てて、平
行出しを行い、その後、球と座の部分を真空状態
にして密着固定する方法を取つていた。この方法
ではマスクとウエハを接触させるため、マスクに
傷、異物が付着しやすく歩留りの低下を招く恐れ
があつた。この問題点を解消させる方法として、
マスクとウエハの間にスペーサを入れ、ウエハの
パターン配置個所以外の部分をスペーサに当て、
マスクとウエハの平行出しを行うという方法を取
つている。しかしながら、この方法ではマスクと
ウエハはスペーサという介在物が存在しているた
め、1/1000mmオーダーの高精度の間隙設定は期待
できない。
の間隙を出す方法として、例えば特開昭54−
83380号公報に記されている通り、球面座を使用
する方法が一般的である。この方法は、球面座に
対して下方から微小圧を加え、球と座の部分を自
在にし、あらかじめマスクにウエハを当てて、平
行出しを行い、その後、球と座の部分を真空状態
にして密着固定する方法を取つていた。この方法
ではマスクとウエハを接触させるため、マスクに
傷、異物が付着しやすく歩留りの低下を招く恐れ
があつた。この問題点を解消させる方法として、
マスクとウエハの間にスペーサを入れ、ウエハの
パターン配置個所以外の部分をスペーサに当て、
マスクとウエハの平行出しを行うという方法を取
つている。しかしながら、この方法ではマスクと
ウエハはスペーサという介在物が存在しているた
め、1/1000mmオーダーの高精度の間隙設定は期待
できない。
一方、マスクとウエハを非接触で間隙を設定す
る方法としては、特開昭56−98829号に記されて
いる方法があるが、本方法は振動子によりマスク
を振動させるとマスクとウエハ間で空気がダンパ
となり、ウエハから反射されマスクを再び振動さ
せる。この空気の波動の干渉から間隙を検出する
方法である。この方法ではマスクを振動させる、
空気という（圧縮）流体を使用するということか
ら、機械的誤差、温度変化等の環境の変化が問題
となる可能性がある。
る方法としては、特開昭56−98829号に記されて
いる方法があるが、本方法は振動子によりマスク
を振動させるとマスクとウエハ間で空気がダンパ
となり、ウエハから反射されマスクを再び振動さ
せる。この空気の波動の干渉から間隙を検出する
方法である。この方法ではマスクを振動させる、
空気という（圧縮）流体を使用するということか
ら、機械的誤差、温度変化等の環境の変化が問題
となる可能性がある。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点をなく
し、相対する薄板の間隙を非接触で検出し、間隙
を一定あるいは任意の値に設定できる間隙設定装
置を提供するにある。
し、相対する薄板の間隙を非接触で検出し、間隙
を一定あるいは任意の値に設定できる間隙設定装
置を提供するにある。
本発明は、相対する一対の薄板のうち第１の薄
板は少なくとも２箇所に光を透過する部分と反射
する部分とを併設し、第１の薄板を保持する第１
の保持手段と、一対の薄板のうち他の第２の薄板
を保持する第２の保持手段と、光学系と検出パタ
ーンとを備えて第１の薄板と第２の薄板とに該検
出パターンを透過した光を照射して該照射した光
の反射光を検出する照射検出手段と、該照射検出
手段の出力に基づいて第１の薄板と第２の薄板と
の間隔を算出する算出手段と、該算出手段の出力
に基づいて第２の保持手段を駆動する駆動手段と
を有し、前記算出手段は前記照射検出手段で検出
した前記光学系の焦点位置を変化させた時の前記
光を反射する部分からの反射光の変化と、前記光
を透過する部分を透過した前記第２の薄板からの
反射光の変化とに基づいて前記駆動手段を駆動し
て前記第１の薄板と前記第２の薄板との間隔を所
定の値に設定することにより、対向する一対の薄
板の間隙を所定の量に設定することが可能にな
る。
板は少なくとも２箇所に光を透過する部分と反射
する部分とを併設し、第１の薄板を保持する第１
の保持手段と、一対の薄板のうち他の第２の薄板
を保持する第２の保持手段と、光学系と検出パタ
ーンとを備えて第１の薄板と第２の薄板とに該検
出パターンを透過した光を照射して該照射した光
の反射光を検出する照射検出手段と、該照射検出
手段の出力に基づいて第１の薄板と第２の薄板と
の間隔を算出する算出手段と、該算出手段の出力
に基づいて第２の保持手段を駆動する駆動手段と
を有し、前記算出手段は前記照射検出手段で検出
した前記光学系の焦点位置を変化させた時の前記
光を反射する部分からの反射光の変化と、前記光
を透過する部分を透過した前記第２の薄板からの
反射光の変化とに基づいて前記駆動手段を駆動し
て前記第１の薄板と前記第２の薄板との間隔を所
定の値に設定することにより、対向する一対の薄
板の間隙を所定の量に設定することが可能にな
る。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第２図に従来の間隙設定装置の一実施例を示す。
本装置は密着式マスクアライナの一ユニツトであ
り、マスク１はマスクベース２に真空吸着で固定
されている。ウエハ３はウエハチヤツク４に真空
吸着で固定されている。ウエハチヤツク４は球面
部５と受け６との間に回転自在で向きを変えるこ
とが可能である。マスク１とウエハ３の間隙を一
様にするには、Ｚステージ７を下降させマスク１
とウエハ３の間隔を空け、ここで、受け６から球
面部５に対して微小空気圧をかけ球面部５から上
部を薄い空気層で浮かした状態とする。次にＺス
テージ７を上昇させマスク１にウエハ３を押し付
けると球面部５と受け６が摺動しウエハ３の面が
マスク１の面にならう様になる。ここで球面部５
に加えている微小空気圧を止め、真空引きをする
と球面部５と受け６が固定されることになり、マ
スク１とウエハ３の平行出しが完了したことにな
る。実際の装置においてはＺステージ７を下降さ
せ、マスク１とウエハ３のアライメントを行い再
びＺステージ７を上昇させて露光というステツプ
を踏む。
第２図に従来の間隙設定装置の一実施例を示す。
本装置は密着式マスクアライナの一ユニツトであ
り、マスク１はマスクベース２に真空吸着で固定
されている。ウエハ３はウエハチヤツク４に真空
吸着で固定されている。ウエハチヤツク４は球面
部５と受け６との間に回転自在で向きを変えるこ
とが可能である。マスク１とウエハ３の間隙を一
様にするには、Ｚステージ７を下降させマスク１
とウエハ３の間隔を空け、ここで、受け６から球
面部５に対して微小空気圧をかけ球面部５から上
部を薄い空気層で浮かした状態とする。次にＺス
テージ７を上昇させマスク１にウエハ３を押し付
けると球面部５と受け６が摺動しウエハ３の面が
マスク１の面にならう様になる。ここで球面部５
に加えている微小空気圧を止め、真空引きをする
と球面部５と受け６が固定されることになり、マ
スク１とウエハ３の平行出しが完了したことにな
る。実際の装置においてはＺステージ７を下降さ
せ、マスク１とウエハ３のアライメントを行い再
びＺステージ７を上昇させて露光というステツプ
を踏む。
第１図に本発明による一実施例を示す。本発明
では、球面座の変わりにＺステージ７の上に３個
の圧電素子（以下ピエゾ８と称す）を配置し、そ
の上にウエハチヤツク４を載置する。一方、マス
ク１の上方、ピエゾ８を配置した上方位置に対物
レンズ９を使用した検出光学系を３ユニツト設け
る。対物レンズ９の物体側（焦点位置側）にマス
ク１とウエハ３が来る様にし、結像側にリニアイ
メージセンサ（以下C.C.D１０と称す）を配置
し、また結像光路の途中にハーフミラー１１を挿
入し照明系（図は略す）からの光をライトガイド
１２で導き、落射照明が出来る様な構成としてい
る。
では、球面座の変わりにＺステージ７の上に３個
の圧電素子（以下ピエゾ８と称す）を配置し、そ
の上にウエハチヤツク４を載置する。一方、マス
ク１の上方、ピエゾ８を配置した上方位置に対物
レンズ９を使用した検出光学系を３ユニツト設け
る。対物レンズ９の物体側（焦点位置側）にマス
ク１とウエハ３が来る様にし、結像側にリニアイ
メージセンサ（以下C.C.D１０と称す）を配置
し、また結像光路の途中にハーフミラー１１を挿
入し照明系（図は略す）からの光をライトガイド
１２で導き、落射照明が出来る様な構成としてい
る。
C.C.D１０はマスク１とウエハ３のアライメン
ト用のターゲツトマーク１３検出用に左右にそれ
ぞれ２個ずつ、もう１個所はマスク１、ウエハ３
面検出用であるので、C.C.D１０は５個設置し
た。
ト用のターゲツトマーク１３検出用に左右にそれ
ぞれ２個ずつ、もう１個所はマスク１、ウエハ３
面検出用であるので、C.C.D１０は５個設置し
た。
C.C.D１０の出力はC.C.D駆動回路１４とイン
ターフエース回路１５を介して計算機１６で演算
する。また、インターフエース回路１５からピエ
ゾ８駆動用の制御回路１７に接続し、間隙計算結
果をピエゾ８にフイードバツク可能な構成とし
た。
ターフエース回路１５を介して計算機１６で演算
する。また、インターフエース回路１５からピエ
ゾ８駆動用の制御回路１７に接続し、間隙計算結
果をピエゾ８にフイードバツク可能な構成とし
た。
第３図ａ，ｂにウエハチヤツク４の移動機構を
示す。チヤツクベース１８にピエゾ８を３個設定
し、ピエゾ８先端の鋼球受け１９は円錐、Ｖミ
ゾ、フラツトの形状とし、ピエゾ８の移動量は鋼
球受け１９部を電気マイクロメータ２０で測定す
る構成としている。またウエハチヤツク４とチヤ
ツクベースとは板バネ２１により可動自在に固定
している。
示す。チヤツクベース１８にピエゾ８を３個設定
し、ピエゾ８先端の鋼球受け１９は円錐、Ｖミ
ゾ、フラツトの形状とし、ピエゾ８の移動量は鋼
球受け１９部を電気マイクロメータ２０で測定す
る構成としている。またウエハチヤツク４とチヤ
ツクベースとは板バネ２１により可動自在に固定
している。
第４図に本発明のマスク１に反射面２２を設
け、反射面２２と透過面２３の双方に縞パターン
２４を投影した図を示す。マスク１に対して反射
面２２を３個所設け、そこに対物レンズ９を用い
た検出光学系を移動したものであり、縞パターン
２４を対物レンズ９を通してマスク１の反射面２
２とマスク１の透過面２３を透過し、ウエハ３上
に投影したものである。
け、反射面２２と透過面２３の双方に縞パターン
２４を投影した図を示す。マスク１に対して反射
面２２を３個所設け、そこに対物レンズ９を用い
た検出光学系を移動したものであり、縞パターン
２４を対物レンズ９を通してマスク１の反射面２
２とマスク１の透過面２３を透過し、ウエハ３上
に投影したものである。
第５図及び第６図は縞パターン２４を用いた位
置検出方法の概念を示す。検出光学系は対物レン
ズ９と結像レンズ２５、そしてハーフミラー１１
で２つに分岐した結像位置にはそれぞれC.C.D１
０とガラス２６の両面に交互に配設した縞パター
ン２４を配置した。ここで、例えばウエハ３が対
物レンズ９の焦点位置にあつた場合、結像位置に
ある縞パターン２４をウエハ３上に投影すると、
ウエハ３から反射した縞パターン２４は、C.C.D
１０上に投影されるが、ガラス２６の両側の縞パ
ターン２４のコントラストは第５図ｂ，ｃに示す
様に等しくなる。従つてC.C.D１０の出力も第５
図ｄに示す様に規則正しく明暗を示す。ここで、
例えば第６図に示す様にウエハ３が対物レンズ９
の焦点位置に対して下側にある時は、縞パターン
２４は交互に明暗を繰り返す。即ち結像位置に近
い縞パターン２４の方がコントラストが高くな
る。一方、第７図に示す様にウエハ３が対物レン
ズ９の焦点位置に対して上側にある時は、第６図
と反対の縞パターン２４のコントラストが高くな
る。
置検出方法の概念を示す。検出光学系は対物レン
ズ９と結像レンズ２５、そしてハーフミラー１１
で２つに分岐した結像位置にはそれぞれC.C.D１
０とガラス２６の両面に交互に配設した縞パター
ン２４を配置した。ここで、例えばウエハ３が対
物レンズ９の焦点位置にあつた場合、結像位置に
ある縞パターン２４をウエハ３上に投影すると、
ウエハ３から反射した縞パターン２４は、C.C.D
１０上に投影されるが、ガラス２６の両側の縞パ
ターン２４のコントラストは第５図ｂ，ｃに示す
様に等しくなる。従つてC.C.D１０の出力も第５
図ｄに示す様に規則正しく明暗を示す。ここで、
例えば第６図に示す様にウエハ３が対物レンズ９
の焦点位置に対して下側にある時は、縞パターン
２４は交互に明暗を繰り返す。即ち結像位置に近
い縞パターン２４の方がコントラストが高くな
る。一方、第７図に示す様にウエハ３が対物レン
ズ９の焦点位置に対して上側にある時は、第６図
と反対の縞パターン２４のコントラストが高くな
る。
第８図に、コントラストの演算方法及び式を示
す。第８図ａ，ｂに示す様に、隣り合うC.C.D１
０の画素２７の出力がコントラストであり、ガラ
ス２６の両面に縞パターン２４を配設しているた
め、４画素のうち２画素ずつのコントラストを比
較することにより、焦点位置を求めることができ
る。すなわち、第８図ｂに示したC.C.D.画素とC.
C.D.出力との関係において、２組の隣接する画素
間の出力の差、（V4i+1−V4i+2）と（V4i+3−
V4i+4）との差を比較することにより求めること
ができる。上記２組の隣接する画素間の出力の差
を、対物レンズ９を移動したときの移動量とコン
トラスト量とで比較すると、第８図Ｃに示すよう
な関係になる。即ちコントラスト量が０になつた
時が合焦点であり、焦点からずれることにより、
コントラスト量は＋あるいは−の値となり、ガラ
ス２６のどちらかの縞パターンに焦点が合つた時
に、コントラスト量は＋側あるいは−側で最大と
なり、さらにどちらかに移動すると完全に縞パタ
ーン２４がボケて検出不可能となりコントラスト
量が０になる。
す。第８図ａ，ｂに示す様に、隣り合うC.C.D１
０の画素２７の出力がコントラストであり、ガラ
ス２６の両面に縞パターン２４を配設しているた
め、４画素のうち２画素ずつのコントラストを比
較することにより、焦点位置を求めることができ
る。すなわち、第８図ｂに示したC.C.D.画素とC.
C.D.出力との関係において、２組の隣接する画素
間の出力の差、（V4i+1−V4i+2）と（V4i+3−
V4i+4）との差を比較することにより求めること
ができる。上記２組の隣接する画素間の出力の差
を、対物レンズ９を移動したときの移動量とコン
トラスト量とで比較すると、第８図Ｃに示すよう
な関係になる。即ちコントラスト量が０になつた
時が合焦点であり、焦点からずれることにより、
コントラスト量は＋あるいは−の値となり、ガラ
ス２６のどちらかの縞パターンに焦点が合つた時
に、コントラスト量は＋側あるいは−側で最大と
なり、さらにどちらかに移動すると完全に縞パタ
ーン２４がボケて検出不可能となりコントラスト
量が０になる。
次にマスク１とウエハ３の間隙を検出し、一定
あるいは任意の値にする手段を説明する。
あるいは任意の値にする手段を説明する。
第９図に検出の概念図を示す。マスク１には反
射面２２と透過面２３を設けている。ここで、例
えば対物レンズ９の焦点位置がマスク１の上方に
ある時、C.C.D１０の出力は第９図ｂに示す様に
マスク１側は出力差は大きいがアンバランスに、
一方マスク１を通してウエハ３側からの反射光
は、出力差、レべルともに小さく、焦点位置から
遠いことを示している。その時のコントラスト量
ｂは第９図ｃおよびｄに示すようになり、マスク
１の方に対物レンズの焦点位置が遠いことがわか
る。
射面２２と透過面２３を設けている。ここで、例
えば対物レンズ９の焦点位置がマスク１の上方に
ある時、C.C.D１０の出力は第９図ｂに示す様に
マスク１側は出力差は大きいがアンバランスに、
一方マスク１を通してウエハ３側からの反射光
は、出力差、レべルともに小さく、焦点位置から
遠いことを示している。その時のコントラスト量
ｂは第９図ｃおよびｄに示すようになり、マスク
１の方に対物レンズの焦点位置が遠いことがわか
る。
次に第１０図ａに示す様に対物レンズ９を下降
させて、マスク１の反射面に焦点位置が来た時C.
C.D１０の出力は第１０図ｂに示す様に、マスク
１側の出力差は等しくなる。一方ウエハ３側の出
力差は、第９図より多少大きくなる。同様の方法
により、３軸の対物レンズ９の焦点位置とマスク
１の反射面２２が一致する様に対物レンズ９を移
動させ合わせる。
させて、マスク１の反射面に焦点位置が来た時C.
C.D１０の出力は第１０図ｂに示す様に、マスク
１側の出力差は等しくなる。一方ウエハ３側の出
力差は、第９図より多少大きくなる。同様の方法
により、３軸の対物レンズ９の焦点位置とマスク
１の反射面２２が一致する様に対物レンズ９を移
動させ合わせる。
マスク１と対物レンズ９の相対位置関係が出た
ならば、ピエゾ８に電圧を加えてマスク１とウエ
ハ３を接近させる。第１１図ａに示す様にウエハ
３を上昇させると、第１１図ｂに示す様にウエハ
３に対応するC.C.D１０出力差はアンバランスに
なるが大きくなる。さらにこのまゝウエハ３を上
昇させると、C.C.D１０の出力差はなくなり、マ
スク１側の出力差と同様なバランスとなる。この
前に、あらかじめコントラスト量と焦点位置の関
係を演算し、記憶しておけば、例えばあるコント
ラスト量に対して焦点位置からウエハ３がどのぐ
らい離れているか分る。従つて、マスク１とウエ
ハ３の間隙を所定の値に設定したい時は、コント
ラスト量を常時演算しながらピエゾ８を駆動し、
コントラスト量が所定の値になつたらピエゾ８を
停止させる。
ならば、ピエゾ８に電圧を加えてマスク１とウエ
ハ３を接近させる。第１１図ａに示す様にウエハ
３を上昇させると、第１１図ｂに示す様にウエハ
３に対応するC.C.D１０出力差はアンバランスに
なるが大きくなる。さらにこのまゝウエハ３を上
昇させると、C.C.D１０の出力差はなくなり、マ
スク１側の出力差と同様なバランスとなる。この
前に、あらかじめコントラスト量と焦点位置の関
係を演算し、記憶しておけば、例えばあるコント
ラスト量に対して焦点位置からウエハ３がどのぐ
らい離れているか分る。従つて、マスク１とウエ
ハ３の間隙を所定の値に設定したい時は、コント
ラスト量を常時演算しながらピエゾ８を駆動し、
コントラスト量が所定の値になつたらピエゾ８を
停止させる。
この様に、コントラスト量と焦点ズレの関係を
あらかじめ求めておけば、マスク１とウエハ３の
間隙を任意の値に設定可能であり、さらにコント
ラスト量をピエゾ８の制御回路１７にフイードバ
ツクすれば、例えば露光装置において、プロキシ
シテイにも、密着式の双方に適用が可能である。
即ち、密着式においてもマスク１トウエハ２を密
着させる直前迄、常時平行出しを行うことが可能
であり、高精度の平行出しが可能となる。
あらかじめ求めておけば、マスク１とウエハ３の
間隙を任意の値に設定可能であり、さらにコント
ラスト量をピエゾ８の制御回路１７にフイードバ
ツクすれば、例えば露光装置において、プロキシ
シテイにも、密着式の双方に適用が可能である。
即ち、密着式においてもマスク１トウエハ２を密
着させる直前迄、常時平行出しを行うことが可能
であり、高精度の平行出しが可能となる。
本発明によれば、相対する薄板の間隙を非接触
かつ高精度で検出できる。また一方の薄板を間隙
検出結果を基に移動させ一定あるいは任意の間隙
にすることが可能であるので、例えば半導体製品
のマスクとウエハの間隙検出、平行出しが必要な
密着式アライナ、Ｘ線アライナに対して適用が考
えられる。
かつ高精度で検出できる。また一方の薄板を間隙
検出結果を基に移動させ一定あるいは任意の間隙
にすることが可能であるので、例えば半導体製品
のマスクとウエハの間隙検出、平行出しが必要な
密着式アライナ、Ｘ線アライナに対して適用が考
えられる。
密着式アライナにおいては、従来の様にマスク
とウエハを直接接触させて平行出しする方法に対
して、本方式の様に非接触でマスクとウエハの平
行出しが行えるのでマスクに与えるダメージが少
なく歩留りが向上するという効果がある。またマ
スクとウエハが接触する直前迄平行出しができる
ため、高精度の平行出しができマスクにウエハが
密着する際にズレを生じない。また全面にわたつ
て完全に密着するので、合わせ精度の向上、高解
像度の焼付けが可能となる。
とウエハを直接接触させて平行出しする方法に対
して、本方式の様に非接触でマスクとウエハの平
行出しが行えるのでマスクに与えるダメージが少
なく歩留りが向上するという効果がある。またマ
スクとウエハが接触する直前迄平行出しができる
ため、高精度の平行出しができマスクにウエハが
密着する際にズレを生じない。また全面にわたつ
て完全に密着するので、合わせ精度の向上、高解
像度の焼付けが可能となる。
第２図は従来の密着式アライナの密着機構を示
す段面図、第１図は本発明の一実施例の間隙設定
装置を示す構成図、第３図はウエハチヤツクの移
動機構を示す段面図と側面図、第４図は縞パター
ン投影個所を斜す斜視図、第５図、第６図、第７
図は縞パターン投影法を示す概念図、第８図は縞
パターン投影法による縞パターンのコントラスト
量を算出する式及びコントラスト量と焦点位置の
関係を示すグラフ、第９図、第１０図、第１１図
はマスクとウエハの間隙を検出、設定する概念図
である。 １……マスク、３……ウエハ、８……ピエゾ、
９……対物レンズ、１６……計算機、１７……制
御回路、２２……反射面、２３……透過面、２４
……縞パターン、２５……結像レンズ、２７……
画素。
す段面図、第１図は本発明の一実施例の間隙設定
装置を示す構成図、第３図はウエハチヤツクの移
動機構を示す段面図と側面図、第４図は縞パター
ン投影個所を斜す斜視図、第５図、第６図、第７
図は縞パターン投影法を示す概念図、第８図は縞
パターン投影法による縞パターンのコントラスト
量を算出する式及びコントラスト量と焦点位置の
関係を示すグラフ、第９図、第１０図、第１１図
はマスクとウエハの間隙を検出、設定する概念図
である。 １……マスク、３……ウエハ、８……ピエゾ、
９……対物レンズ、１６……計算機、１７……制
御回路、２２……反射面、２３……透過面、２４
……縞パターン、２５……結像レンズ、２７……
画素。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 相対する一対の薄板の間隙を設定する装置で
あつて、前記一対の薄板のうち第１の薄板は少な
くとも２箇所に光を透過する部分と反射する部分
とを併設し、前記第１の薄板を保持する第１の保
持手段と、前記一対の薄板のうち他の第２の薄板
を保持する第２の保持手段と、光学系と検出パタ
ーンとを備えて前記第１の薄板と前記第２の薄板
とに該検出パターンを透過した光を照射して該照
射した光の反射光を検出する照射検出手段と、該
照射検出手段の出力に基づいて前記第１の薄板と
前記第２の薄板との間隔を算出する算出手段と、
該算出手段の出力に基づいて前記第２の保持手段
を駆動する駆動手段とを有し、前記算出手段は前
記照射検出手段で検出した前記光学系の焦点位置
を変化させた時の前記光を反射する部分からの反
射光の変化と、前記光を透過する部分を透過した
前記第２の薄板からの反射光の変化とに基づいて
前記駆動手段を駆動して前記第１の薄板と前記第
２の薄板との間隔を所定の値に設定することを特
徴とする間隙設定装置。 ２ 前記検出パターンは、縞状のパターンから成
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
間隙設定装置。 ３ 前記縞状のパターンは、薄い透明板の両側に
交互に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の間隙設定装置。 ４ 前記光学系はリニアセンサを備え、前記検出
用パターンと前記リニアセンサとは、それぞれ前
記光学系の前記検出用パターン結像面の共役位置
の近傍に配置したことを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の間隙設定装置。 ５ 前記対物レンズは対物レンズを駆動するレン
ズ駆動部を備え、該レンズ駆動部で該対物レンズ
を前記光学系の光軸方向に移動させることによ
り、前記共役位置を前記リニアセンサの検出面の
前後にずらすことを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の間隙設定装置。 ６ 前記算出部は、前記光を反射する部分で反射
し前記リニアセンサ上に投影された前記縞状のパ
ターンの明暗コントラストに基づく前記リニアセ
ンサの第１の出力と、前記光を透過する部分を透
過して前記第２の薄板で反射して前記リニアセン
サ上に投影された前記縞状のパターンの明暗コン
トラストに基づく前記リニアセンサの第２の出力
と、予め求めておいた前記光を反射する部分又は
前記第２の薄板の前記パターン結像面からのずれ
量と前記リニアセンサの出力との関係とを比較す
ることにより前記第１の薄板と前記第２の薄板と
の間隔の所定の値からのずれ量を算出し、該算出
したずれ量に基づいた信号を出力することを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の間隙設定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60189516A JPS6251219A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 間隙設定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60189516A JPS6251219A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 間隙設定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251219A JPS6251219A (ja) | 1987-03-05 |
| JPH0562810B2 true JPH0562810B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=16242587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60189516A Granted JPS6251219A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 間隙設定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6251219A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269608A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ギャップ測定装置 |
| US8749760B2 (en) | 2009-03-03 | 2014-06-10 | International Business Machines Corporation | Asymmetric complementary dipole illuminator |
| CN102455600B (zh) * | 2010-10-18 | 2014-07-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测晶片表面形貌的方法 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60189516A patent/JPS6251219A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6251219A (ja) | 1987-03-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |