JPS63224326A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS63224326A JPS63224326A JP62058658A JP5865887A JPS63224326A JP S63224326 A JPS63224326 A JP S63224326A JP 62058658 A JP62058658 A JP 62058658A JP 5865887 A JP5865887 A JP 5865887A JP S63224326 A JPS63224326 A JP S63224326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- mark
- wafer
- exposed
- detection device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 48
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は被露光パターンを有する、レチクル等パターン
基板上のパターンをウェハ等の被露光基板上に転写する
際に、位置検出を行なうための位置検出装置を有する露
光装置に関するものである。
基板上のパターンをウェハ等の被露光基板上に転写する
際に、位置検出を行なうための位置検出装置を有する露
光装置に関するものである。
この種露光装置は、位置検出装置としてパターン転写の
ための投影光学系の光軸に直交する方向での位置検出を
行なう装置と、投影光学系の光軸の方向での位置検出を
行なう装置とを有する。さて、前者の位置検出を行なう
装置は、露光波長を用いた位置検出装置と非露光波長を
用いた位置検出装置の両方を持っており、ステージ上に
設けられた基準マークをステージを走らせることによっ
て2つの位置検出装置によって検出し、2つの位置検出
装置の検出位置の相対的な距離(ベースライン)をステ
ージの位置座標をモニターすることによって、ステージ
の移動量から計測し、レチクルのレチクルマークを露光
波長を用いた位置検出装置によってステージの基準マー
クに合わせ、非露光波長を用いた位置検出装置によって
ウェハマークを検出し、上述の相対距離(ベースライン
)だけステージを移動することによって、間接的に露光
波長の位置検出装置に対してレチクルマークとウェハマ
ークとを位置合わせしたのと同様の効果を出していた。
ための投影光学系の光軸に直交する方向での位置検出を
行なう装置と、投影光学系の光軸の方向での位置検出を
行なう装置とを有する。さて、前者の位置検出を行なう
装置は、露光波長を用いた位置検出装置と非露光波長を
用いた位置検出装置の両方を持っており、ステージ上に
設けられた基準マークをステージを走らせることによっ
て2つの位置検出装置によって検出し、2つの位置検出
装置の検出位置の相対的な距離(ベースライン)をステ
ージの位置座標をモニターすることによって、ステージ
の移動量から計測し、レチクルのレチクルマークを露光
波長を用いた位置検出装置によってステージの基準マー
クに合わせ、非露光波長を用いた位置検出装置によって
ウェハマークを検出し、上述の相対距離(ベースライン
)だけステージを移動することによって、間接的に露光
波長の位置検出装置に対してレチクルマークとウェハマ
ークとを位置合わせしたのと同様の効果を出していた。
ところが従来の装置ではレチクルをレチクルホルダーに
載置する際に相対距離の計測(ベースライン計測)を行
うのみであり、ウェハの位置合せ及び露光のシーケンス
ではレチクル設定時の相対距離を信用してレチクルを観
察することがなかった。
載置する際に相対距離の計測(ベースライン計測)を行
うのみであり、ウェハの位置合せ及び露光のシーケンス
ではレチクル設定時の相対距離を信用してレチクルを観
察することがなかった。
詳述すれば、前者はレチクルアライメントシーケンスで
あり、レチクルホルダーにレチクルを載置し、レチクル
をX、Y、θアライメントする。
あり、レチクルホルダーにレチクルを載置し、レチクル
をX、Y、θアライメントする。
その後、倍率の計測を行ない、レチクルとステージの基
準マークとを合焦し、2つの位置検出装置の相対距離を
計測する。また、後者のウェハ露光シーケンスでは、ウ
ェハホルダーにウェハを載置し、ウェハをX、Y、θグ
ローバルアライメントする。その後、各チップ毎のアラ
イメントを非露光波長を用いて行い、相対距離の補正後
露光する。
準マークとを合焦し、2つの位置検出装置の相対距離を
計測する。また、後者のウェハ露光シーケンスでは、ウ
ェハホルダーにウェハを載置し、ウェハをX、Y、θグ
ローバルアライメントする。その後、各チップ毎のアラ
イメントを非露光波長を用いて行い、相対距離の補正後
露光する。
上記の如き従来の技術に於いては、レチクルとステージ
の基準マークとを同一の光学系を通して同時に観察する
過程をレチクルの載置時にしか行なわないので、光学系
の経時変化によってウェハの位置検出がオフセットを持
ち、位置検出精度が向上しないという問題点があった。
の基準マークとを同一の光学系を通して同時に観察する
過程をレチクルの載置時にしか行なわないので、光学系
の経時変化によってウェハの位置検出がオフセットを持
ち、位置検出精度が向上しないという問題点があった。
一方、ウェハの交換ごとに2つの位置検出装置(倍率計
測もしくはベースライン計測に用いる。
測もしくはベースライン計測に用いる。
)の相対距離を計測(これは露光光軸に直交する面内で
の位置検出)したり、合焦状態の計測(これは露光光軸
方向での位置検出)、を行うことはスループットを低下
させることになり、行なわれていなかった。
の位置検出)したり、合焦状態の計測(これは露光光軸
方向での位置検出)、を行うことはスループットを低下
させることになり、行なわれていなかった。
本発明はこの様な従来の問題点に鑑みてなされたもので
、光学系の経時変化に依存せず、さらにスルーブツトの
低下がない位置検出精度の高い露光装置を得ることを目
的とする。
、光学系の経時変化に依存せず、さらにスルーブツトの
低下がない位置検出精度の高い露光装置を得ることを目
的とする。
〔問題点を解決する為の手段]
上記問題点の解決の為に本発明では、被露光基板の受渡
し位置において、ステージの基準マークが位置検出装置
で観察できる様な配置にして、被、露光基板の交換の際
に、2つの位置検出装置の間隔や合焦状態の検出を行な
えるようにしたので、装置の経時変化の影響を減少させ
て位置検出精度を向上させ、かつ処理能力を低下させる
ことがない。
し位置において、ステージの基準マークが位置検出装置
で観察できる様な配置にして、被、露光基板の交換の際
に、2つの位置検出装置の間隔や合焦状態の検出を行な
えるようにしたので、装置の経時変化の影響を減少させ
て位置検出精度を向上させ、かつ処理能力を低下させる
ことがない。
(作用)
本発明は、ステージ上の露光済被露光基板を未露光の被
露光基板と交換する際に、2つの位置検出装置の相対距
離の計測や、合焦位置の計測を行なっている。
露光基板と交換する際に、2つの位置検出装置の相対距
離の計測や、合焦位置の計測を行なっている。
そして、計測された相対距離は、被露光基板の各チップ
毎の位置合わせ時に補正量として加味され、計測された
合焦位置は、パターン基板と被露光基板とを共役になす
ために用いられる。
毎の位置合わせ時に補正量として加味され、計測された
合焦位置は、パターン基板と被露光基板とを共役になす
ために用いられる。
第1図は本発明の第1の実施例であって、非露光波長を
用いた位置検出装置(l、2.3.4.5.6.7.8
.17.30)の検出領域にステージ21上の基準マー
ク領域18があり(すなわち、ステージ21は受渡位置
にある)、ステージ21上のウェハ(数置光ウェハ)2
3と次に露光する為のウェハ(未露光ウェハ)24がウ
ェハアーム25とアーム駆動装置26によって交換され
る時の状態を示した構成図である。レーザチューブエよ
り照射されたビーム(非露光波長)はシリンドリカルレ
ンズ2(通常、レーザチューブ1とシリンドリカルレン
ズ2の間にはビームエキスパンダーが設けられるが、第
1図では省略しである)によって帯状のビームとなり、
ハーフミラ−3を通過後、反射板4によって偏向される
。偏光されたビームは、投影レンズ17によってステー
ジ21の基準マーク領域18の水平位置合せマーク18
0近傍に帯状のスポットlaとして形成される。(第3
図)この時制御装置30は、マーク180がスポット1
aを走査する様にステージの駆動装置29に駆動指令信
号を出力する(その結果、マーク180は第3図の矢印
Xの方向に移動する。)、マーク180は第4図に示し
たようにステージ21に形成したスリットであり、マー
ク180のエッヂFL、FRからの散乱光(第1図の破
線)は投影レンズ17を通って、ミラー4及びハーフミ
ラ−3によって偏向され、波長選択フィルター31を通
った後、シリンドリカルレンズ5を通って空間フィルタ
ー6まで戻ってくる。空間フィルター6で正反射はカッ
トされ、ディテクター7には散乱光のみが検出される。
用いた位置検出装置(l、2.3.4.5.6.7.8
.17.30)の検出領域にステージ21上の基準マー
ク領域18があり(すなわち、ステージ21は受渡位置
にある)、ステージ21上のウェハ(数置光ウェハ)2
3と次に露光する為のウェハ(未露光ウェハ)24がウ
ェハアーム25とアーム駆動装置26によって交換され
る時の状態を示した構成図である。レーザチューブエよ
り照射されたビーム(非露光波長)はシリンドリカルレ
ンズ2(通常、レーザチューブ1とシリンドリカルレン
ズ2の間にはビームエキスパンダーが設けられるが、第
1図では省略しである)によって帯状のビームとなり、
ハーフミラ−3を通過後、反射板4によって偏向される
。偏光されたビームは、投影レンズ17によってステー
ジ21の基準マーク領域18の水平位置合せマーク18
0近傍に帯状のスポットlaとして形成される。(第3
図)この時制御装置30は、マーク180がスポット1
aを走査する様にステージの駆動装置29に駆動指令信
号を出力する(その結果、マーク180は第3図の矢印
Xの方向に移動する。)、マーク180は第4図に示し
たようにステージ21に形成したスリットであり、マー
ク180のエッヂFL、FRからの散乱光(第1図の破
線)は投影レンズ17を通って、ミラー4及びハーフミ
ラ−3によって偏向され、波長選択フィルター31を通
った後、シリンドリカルレンズ5を通って空間フィルタ
ー6まで戻ってくる。空間フィルター6で正反射はカッ
トされ、ディテクター7には散乱光のみが検出される。
また、波長選択フィルター31はマーク180を下方か
ら通過した光源20からの光をカットする。ここにおい
て、光源20からの光の波長は露光波長に設定されてい
る。光源20からの光は光ファイバー19によってマー
ク180の下方に導かれる。制御装置30の指令によっ
て波形処理装置8は干渉計28が発するパルス間隔でサ
ンプリング及び位置解析を行なう。すなわち、マーク1
80がレーザスポット1aを走査すると、ディテクター
7からは第5図(A)の信号が得られるから、信号のピ
ーク位置がマーク180のエツジFL、FRに対応して
いる。従って、干渉計28からのパルスの計数によって
スポットlaの位置を知ることができる。第6図はレチ
クル9の上方からステージ21を見た図であるが、ステ
ージ21上には水平位置合せマークがX、Y方向に一対
になって3組18−1,18−2.18−3設けられて
いる。ステージ21の走査によりマーク18−1.1B
−2,18−3が第6図の経路■−■の様に各マーク1
B−L 18−2.18−3に対応させて設けたスポ
ット1a−1,1a−2,1a−3を傾めに走査した後
、ステージ21が経路■−■の走査を行なうと、露光用
照明と同じ波長をもつ光源20(露光光源でもよい)か
らの照明光はファイバー19を通ってマーク180下か
らマーク(スリット状である)180を照明し、投影レ
ンズ17を通っ・た後マーク18−1.18−2.18
−3の形状でレチクル9上に結像する。この光はレチク
ル9を透過してミラー11、対物レンズ13、ハーフミ
ラ−32、対物レンズ14を通ってディテクター15に
よって受光され、波形処理装置16によって、サンプリ
ング及び位置解析が行なわれる。すなわち、第6図で説
明すると、レチクルマークRR,RLとマーク18−1
.1日−3が重なっていない場合、第5図(B)に示し
たように、マーク18−1.18−3の光量がディテク
ター15で検出され、レチクルマークRR,RLとマー
ク18−L 18−3が重なると、マーク18−1.
18−3はレチクルマークRR,RLで遮光され、ディ
テクター15に達する光量はほとんどなくなる。従って
ディテクター15の出力の最低値となるステージの位置
が、レチクルマークRR,RLとマーク18−1.18
−3の重なった位置である。第6図では上述したように
、水平位置合せマークとして3つの発光型標準マーク1
8−1.18−2.18−3があり、ステージ2】の2
回の斜め走査(■−■、■−■)によって相対距離計測
、倍率計測が行える構成になっている。スポット1a−
1,1a−2,1a−3はウェハの位置合わせ用スポッ
ト(アライメントスポット)であり、スポット1a−1
はウェハのY方向アライメント、スポット1a−2はウ
ェハのX方向アライメント、スポット1a−3はウェハ
のθ方向アライメントのためのものである。
ら通過した光源20からの光をカットする。ここにおい
て、光源20からの光の波長は露光波長に設定されてい
る。光源20からの光は光ファイバー19によってマー
ク180の下方に導かれる。制御装置30の指令によっ
て波形処理装置8は干渉計28が発するパルス間隔でサ
ンプリング及び位置解析を行なう。すなわち、マーク1
80がレーザスポット1aを走査すると、ディテクター
7からは第5図(A)の信号が得られるから、信号のピ
ーク位置がマーク180のエツジFL、FRに対応して
いる。従って、干渉計28からのパルスの計数によって
スポットlaの位置を知ることができる。第6図はレチ
クル9の上方からステージ21を見た図であるが、ステ
ージ21上には水平位置合せマークがX、Y方向に一対
になって3組18−1,18−2.18−3設けられて
いる。ステージ21の走査によりマーク18−1.1B
−2,18−3が第6図の経路■−■の様に各マーク1
B−L 18−2.18−3に対応させて設けたスポ
ット1a−1,1a−2,1a−3を傾めに走査した後
、ステージ21が経路■−■の走査を行なうと、露光用
照明と同じ波長をもつ光源20(露光光源でもよい)か
らの照明光はファイバー19を通ってマーク180下か
らマーク(スリット状である)180を照明し、投影レ
ンズ17を通っ・た後マーク18−1.18−2.18
−3の形状でレチクル9上に結像する。この光はレチク
ル9を透過してミラー11、対物レンズ13、ハーフミ
ラ−32、対物レンズ14を通ってディテクター15に
よって受光され、波形処理装置16によって、サンプリ
ング及び位置解析が行なわれる。すなわち、第6図で説
明すると、レチクルマークRR,RLとマーク18−1
.1日−3が重なっていない場合、第5図(B)に示し
たように、マーク18−1.18−3の光量がディテク
ター15で検出され、レチクルマークRR,RLとマー
ク18−L 18−3が重なると、マーク18−1.
18−3はレチクルマークRR,RLで遮光され、ディ
テクター15に達する光量はほとんどなくなる。従って
ディテクター15の出力の最低値となるステージの位置
が、レチクルマークRR,RLとマーク18−1.18
−3の重なった位置である。第6図では上述したように
、水平位置合せマークとして3つの発光型標準マーク1
8−1.18−2.18−3があり、ステージ2】の2
回の斜め走査(■−■、■−■)によって相対距離計測
、倍率計測が行える構成になっている。スポット1a−
1,1a−2,1a−3はウェハの位置合わせ用スポッ
ト(アライメントスポット)であり、スポット1a−1
はウェハのY方向アライメント、スポット1a−2はウ
ェハのX方向アライメント、スポット1a−3はウェハ
のθ方向アライメントのためのものである。
相対距離計測は、第5図(A)のピークFL、FRの中
間のステージ座標値と、第5図(B)最低レベルの座標
値との差が、露光波長を用いた位置検出装置(20,1
9,11,13,32,14,15,16,30,28
,29)と非露光波長を用いた位置検出装置(1,2,
3,4,5,31,6,7,8,30,28,29)と
の相対的な距離に相当する。
間のステージ座標値と、第5図(B)最低レベルの座標
値との差が、露光波長を用いた位置検出装置(20,1
9,11,13,32,14,15,16,30,28
,29)と非露光波長を用いた位置検出装置(1,2,
3,4,5,31,6,7,8,30,28,29)と
の相対的な距離に相当する。
また第7図は第1図、第2図に示した光路長変換部材3
4の拡大平面図である(なお第1図では、第2図の部材
32.33.34.35を省略しである。)。この部材
34はガラス厚が異なるガラス板A5B、C,DSE、
Fを有し、モータ34aに結合したロータリーエンコー
ダによってその位置がサンプリングできる様になってい
る。また、撮像管35は、ステージ21が水平位置合せ
マーク18−1.18−2.18−3を第6図の■の位
置に移動すると基準マーク領域18上に水平位置合せマ
ーク180とは別に設けられたフォーカス用基準マーク
36とレチクル上のフォーカス用レチクルマーク37と
を対物レンズ33を通して同時に観察できる様になって
いる(第8図参照)。
4の拡大平面図である(なお第1図では、第2図の部材
32.33.34.35を省略しである。)。この部材
34はガラス厚が異なるガラス板A5B、C,DSE、
Fを有し、モータ34aに結合したロータリーエンコー
ダによってその位置がサンプリングできる様になってい
る。また、撮像管35は、ステージ21が水平位置合せ
マーク18−1.18−2.18−3を第6図の■の位
置に移動すると基準マーク領域18上に水平位置合せマ
ーク180とは別に設けられたフォーカス用基準マーク
36とレチクル上のフォーカス用レチクルマーク37と
を対物レンズ33を通して同時に観察できる様になって
いる(第8図参照)。
なお、第8図(A)の領域Pは撮像管35の撮像面であ
り、また、フォーカス用基準マーク36の像36はマー
ク180と兼用でき、フォーカス用レチクルマーク37
もレチクルマーク10と兼用できる。但し、本例のよう
に、両者を別マークとし、フォーカス用マーク36.3
7を、水平位置合せマーク18、レチクルマーク10よ
り幅の狭いパターンとすれば、焦点深度が浅くなるので
、合焦位置の検出精度が向上する。波形処理装置16は
、部材34が回転して光路に各A、B、C1D、E、F
の位置が通過したと同時に撮像管35の信号を領域サン
プリングし、1つのガラス板に対して第8図(B)の如
き信号を得、マーク36.37のコントラスト検出を行
なう。それによって、各ガラス厚(横軸)に対するコン
トラスト(@1軸)を得て第9図の様なグラフを作成し
、その頂点を検出することによってフォーカス用基準マ
ーク36、フォーカス用レチクルマーク37の合焦位置
(1+ 、qzを求め、レチクル9及び水平位置合せマ
ーク180上に換算して各々のフォーカス値を決定する
様な構成になっている(水平位置合せマーク180の表
面はウェハ22の表面と同じ高さ)。合焦動作は、上述
のフォーカス値に基づいて、まず、対物レンズ13を移
動してフォーカス用レチクルマーク37を撮像管35の
撮像面に共役にしくその結果、ディテクター15もフォ
ーカス用レチクルマーク37、すなわちレチクルマーク
10と共役になる)、その後、ステージ21を不図示の
上下動装置により上下動させ、レチクル9と水平位置合
せマーク180とを共役にする。
り、また、フォーカス用基準マーク36の像36はマー
ク180と兼用でき、フォーカス用レチクルマーク37
もレチクルマーク10と兼用できる。但し、本例のよう
に、両者を別マークとし、フォーカス用マーク36.3
7を、水平位置合せマーク18、レチクルマーク10よ
り幅の狭いパターンとすれば、焦点深度が浅くなるので
、合焦位置の検出精度が向上する。波形処理装置16は
、部材34が回転して光路に各A、B、C1D、E、F
の位置が通過したと同時に撮像管35の信号を領域サン
プリングし、1つのガラス板に対して第8図(B)の如
き信号を得、マーク36.37のコントラスト検出を行
なう。それによって、各ガラス厚(横軸)に対するコン
トラスト(@1軸)を得て第9図の様なグラフを作成し
、その頂点を検出することによってフォーカス用基準マ
ーク36、フォーカス用レチクルマーク37の合焦位置
(1+ 、qzを求め、レチクル9及び水平位置合せマ
ーク180上に換算して各々のフォーカス値を決定する
様な構成になっている(水平位置合せマーク180の表
面はウェハ22の表面と同じ高さ)。合焦動作は、上述
のフォーカス値に基づいて、まず、対物レンズ13を移
動してフォーカス用レチクルマーク37を撮像管35の
撮像面に共役にしくその結果、ディテクター15もフォ
ーカス用レチクルマーク37、すなわちレチクルマーク
10と共役になる)、その後、ステージ21を不図示の
上下動装置により上下動させ、レチクル9と水平位置合
せマーク180とを共役にする。
また、照明用レンズ12は、不図示の露光光源からの光
をレチクル9に導くもので、それによって、レチクル9
のパターンが投影レンズ17によってウェハ23上のチ
ップに縮小投影される(但し、第1図、第2図ではウェ
ハ23は露光位置にはない)。なお、10はレチクルマ
ーク、23はウェハマークである。
をレチクル9に導くもので、それによって、レチクル9
のパターンが投影レンズ17によってウェハ23上のチ
ップに縮小投影される(但し、第1図、第2図ではウェ
ハ23は露光位置にはない)。なお、10はレチクルマ
ーク、23はウェハマークである。
このような構成だから、ウェハ23の各チップの露光が
完了すると制御装置30は、駆動装置2゛9にステージ
21をウェハの受渡位置に移動するための移動指令信号
を入力し、ステージ21の座標を監視している干渉計2
8からの信号によって、ステージ21が受渡位置にきた
ことを検知するとステージ21を停止する。そして、駆
動制御装置27にウェハ交換のための指令信号を入力し
、その結果、アーム駆動装置26がウェハアーム25を
駆動し、未露光ウェハ24を数置光ウェハ23と交換す
る。一方、制御袋W30は、数置光ウェハ23がステー
ジ21から取り除かれ、未露光ウェハ24がステージ2
1に載置される間の時間を利用して、前述の相対位置検
出及び合焦位置検出の動作を行なう。すなわち、制御装
置30は、数置光ウェハ22がウェハ除去用アームに受
渡れ、このアームが所定位置に移動した信号によって、
駆動装置29に、ステージ21を第6図の経路■−■−
■のように動作させるような信号を入力する。また、モ
ータ34aを回転させる。その結果、波形処理装置8.
16は前述の動作を行ない、制in装置30には前述の
相対位置、合焦位置の情報が入力される。制御装置30
はこれら計測情報が入力されると、第6図の経路■−■
によってステージ21を受渡位置に戻すように駆動装置
29に指令信号を入力する。制御装置30は干渉計28
からの座標によってステージ21が受渡位置にあること
を確認する。
完了すると制御装置30は、駆動装置2゛9にステージ
21をウェハの受渡位置に移動するための移動指令信号
を入力し、ステージ21の座標を監視している干渉計2
8からの信号によって、ステージ21が受渡位置にきた
ことを検知するとステージ21を停止する。そして、駆
動制御装置27にウェハ交換のための指令信号を入力し
、その結果、アーム駆動装置26がウェハアーム25を
駆動し、未露光ウェハ24を数置光ウェハ23と交換す
る。一方、制御袋W30は、数置光ウェハ23がステー
ジ21から取り除かれ、未露光ウェハ24がステージ2
1に載置される間の時間を利用して、前述の相対位置検
出及び合焦位置検出の動作を行なう。すなわち、制御装
置30は、数置光ウェハ22がウェハ除去用アームに受
渡れ、このアームが所定位置に移動した信号によって、
駆動装置29に、ステージ21を第6図の経路■−■−
■のように動作させるような信号を入力する。また、モ
ータ34aを回転させる。その結果、波形処理装置8.
16は前述の動作を行ない、制in装置30には前述の
相対位置、合焦位置の情報が入力される。制御装置30
はこれら計測情報が入力されると、第6図の経路■−■
によってステージ21を受渡位置に戻すように駆動装置
29に指令信号を入力する。制御装置30は干渉計28
からの座標によってステージ21が受渡位置にあること
を確認する。
一方、未露光ウェハ24は、ウェハアーム25によって
ステージ21上に載置され、ステージ21の検出器もし
くはウェハアーム25の位置検出器からの信号により、
制御袋W30はステージ21に未露光ウェハ24が載置
されたことを知り、所定の露光シーケンスに入る。すな
わち、あらかじめ定めた手順によって、順次ステージ2
1が移動されるようにステップを送りし、各チップ毎に
アライメント、露光を繰り返す。
ステージ21上に載置され、ステージ21の検出器もし
くはウェハアーム25の位置検出器からの信号により、
制御袋W30はステージ21に未露光ウェハ24が載置
されたことを知り、所定の露光シーケンスに入る。すな
わち、あらかじめ定めた手順によって、順次ステージ2
1が移動されるようにステップを送りし、各チップ毎に
アライメント、露光を繰り返す。
なお、以上の説明では、ウェハ23.24の受渡シーケ
ンスと、相対位置検出及び合焦位置検出のシーケンスと
は並行して行なわれていたが、数置光ウェハ23をステ
ージ21から取除いてから未露光ウェハ24をステージ
に載せるまでの時間が、相対位置検出及び合焦位置検出
のシーケンスが終了するまでの時間より短い場合は、未
露光ウェハ24の載置動作を、相対位置検出及び合焦位
置検出のシーケンスが終了した信号によって始めるよう
にしてもよい。
ンスと、相対位置検出及び合焦位置検出のシーケンスと
は並行して行なわれていたが、数置光ウェハ23をステ
ージ21から取除いてから未露光ウェハ24をステージ
に載せるまでの時間が、相対位置検出及び合焦位置検出
のシーケンスが終了するまでの時間より短い場合は、未
露光ウェハ24の載置動作を、相対位置検出及び合焦位
置検出のシーケンスが終了した信号によって始めるよう
にしてもよい。
また、以上の実施例では、撮像管35がフォーカス用レ
チクルマーク37と、フォーカス用基準マーク36とを
同時に観察していたが、レチクル9と投影レンズ17と
の間に反射鏡を出入りさせ、はぼ光軸からフォーカス用
基準マーク36を観察できるようになせば、温度変化の
影響を最も受は易く、かつ投影においても最も必要な部
分である投影レンズ17の中央付近の合焦状態を知るこ
とができる。
チクルマーク37と、フォーカス用基準マーク36とを
同時に観察していたが、レチクル9と投影レンズ17と
の間に反射鏡を出入りさせ、はぼ光軸からフォーカス用
基準マーク36を観察できるようになせば、温度変化の
影響を最も受は易く、かつ投影においても最も必要な部
分である投影レンズ17の中央付近の合焦状態を知るこ
とができる。
以上の様に本発明によれば被露光基板の交換ごとに所望
の計測等の実行を行なえるから、経時変化による装置の
精度悪化を防ぐことができ、しかも被露光基板を交換し
ている間に実行しているのでスルーブツトの低下なく、
経時変化を除去できるという利点をもつ。
の計測等の実行を行なえるから、経時変化による装置の
精度悪化を防ぐことができ、しかも被露光基板を交換し
ている間に実行しているのでスルーブツトの低下なく、
経時変化を除去できるという利点をもつ。
第1図は本発明による実施例の構成図で、ウェハアライ
メント光学系で基準マークの位置を計測している所を示
す図、第2図は第1図と同じ構成図であり、レチクルマ
ークと基準マークの位置を計測している所を示す図、第
3図は基準マークがスポットを走査する様子を示す図、
第4図は基準マークの断面図、第5図(A)は第2図の
計測で得られる波形図、第5図(B)は第1図の計測で
得られる波形図、第6図はステージの移動を示す説明図
、第7図はフォーカス計測に用いる光路長変換部材の拡
大平面図、第8図(A)は2つのフォーカスマークと撮
像面との関係を示す図、第8図(B)は描像管から得ら
れる波形図、第9図は第8図(B)で得られた波形のコ
ントラストを縦軸にとって得られるグラフ、である。 〔主要部分の符号の説明〕
メント光学系で基準マークの位置を計測している所を示
す図、第2図は第1図と同じ構成図であり、レチクルマ
ークと基準マークの位置を計測している所を示す図、第
3図は基準マークがスポットを走査する様子を示す図、
第4図は基準マークの断面図、第5図(A)は第2図の
計測で得られる波形図、第5図(B)は第1図の計測で
得られる波形図、第6図はステージの移動を示す説明図
、第7図はフォーカス計測に用いる光路長変換部材の拡
大平面図、第8図(A)は2つのフォーカスマークと撮
像面との関係を示す図、第8図(B)は描像管から得ら
れる波形図、第9図は第8図(B)で得られた波形のコ
ントラストを縦軸にとって得られるグラフ、である。 〔主要部分の符号の説明〕
Claims (3)
- (1)所定の基準マークを形成したステージと、前記ス
テージを移動させるための駆動手段と、前記ステージが
前記駆動手段により所定の受渡位置に移動されると、前
記ステージ上に被露光基板を受渡す受渡手段と、被露光
パターンを有するパターン基板を前記ステージ上の被露
光基板に投影する投影光学系と、前記基準マークを検出
し、所定の位置合せシーケンスを実行する実行手段と、
を有する露光装置において、 前記ステージが前記受渡位置にくると、前記基準マーク
が前記検出手段による検出領域の中又はその近傍にくる
ように、前記検出領域と前記基準マークとの位置関係を
定め、前記受渡手段による受渡し動作中に前記実行手段
に前記所定の位置合せシーケンスを実行せしめる制御手
段を設けたことを特徴とする露光装置。 - (2)前記基準マークは、前記投影光学系の光軸に直交
する面内での位置合せを行なうためのマークであり、前
記実行手段は、前記マークを非露光波長を用いて検出す
る第1検出装置と、前記マークを露光波長を用いて検出
する前記第1検出装置とは別の位置に検出領域を有する
第2検出装置とを有し、前記マークを前記第1検出装置
が検出する第1位置と前記マークを前記第2検出装置が
検出する第2位置とで前記ステージを移動し、前記第1
位置と前記第2位置との間で移動した前記ステージの移
動量から前記第1検出装置と前記第2検出装置の相対間
隔を求めることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
記載の露光装置。 - (3)前記基準マークは、前記投影光学系の光軸方向で
の位置合せを行なうためのマークであり、前記実行手段
は前記マークの合焦状態から得られた補正信号に応じて
、前記パターン基板の前記被露光パターンを前記被露光
パターンに結像させるように制御することを特徴とする
特許請求の範囲第(1)項記載の露光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62058658A JP2550974B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 露光装置 |
US07/356,654 US4897553A (en) | 1987-03-13 | 1989-05-17 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62058658A JP2550974B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63224326A true JPS63224326A (ja) | 1988-09-19 |
JP2550974B2 JP2550974B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=13090690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62058658A Expired - Fee Related JP2550974B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4897553A (ja) |
JP (1) | JP2550974B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005175383A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置、アライメント方法、及び、デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5243195A (en) * | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
US6198527B1 (en) * | 1992-09-14 | 2001-03-06 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and exposure method |
DE69530757T2 (de) * | 1994-01-24 | 2004-03-18 | Asml Holding, N.V. | Gitter-gitter interferometrisches ausrichtsystem |
KR950033689A (ko) * | 1994-03-02 | 1995-12-26 | 오노 시게오 | 노광장치 및 이를 이용한 회로패턴 형성방법 |
US6169602B1 (en) | 1995-02-12 | 2001-01-02 | Nikon Corporation | Inspection method and apparatus for projection optical systems |
US6151122A (en) | 1995-02-21 | 2000-11-21 | Nikon Corporation | Inspection method and apparatus for projection optical systems |
US5841520A (en) * | 1995-08-09 | 1998-11-24 | Nikon Corporatioin | Exposure apparatus and method that use mark patterns to determine image formation characteristics of the apparatus prior to exposure |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US6842248B1 (en) * | 2000-11-28 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | System and method for calibrating mirrors of a stage assembly |
JPWO2002049083A1 (ja) * | 2000-12-11 | 2004-04-15 | 株式会社ニコン | 位置計測方法、露光方法及びその装置、デバイスの製造方法 |
US6768539B2 (en) * | 2001-01-15 | 2004-07-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US6525805B2 (en) * | 2001-05-14 | 2003-02-25 | Ultratech Stepper, Inc. | Backside alignment system and method |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52109875A (en) * | 1976-02-25 | 1977-09-14 | Hitachi Ltd | Position matching system for mask and wafer and its unit |
US4636626A (en) * | 1983-01-14 | 1987-01-13 | Nippon Kogaku K.K. | Apparatus for aligning mask and wafer used in semiconductor circuit element fabrication |
US4650983A (en) * | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
JPH0616478B2 (ja) * | 1983-12-19 | 1994-03-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置の位置合せ装置 |
JPH0722101B2 (ja) * | 1985-08-29 | 1995-03-08 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置用遮風装置 |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62058658A patent/JP2550974B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-17 US US07/356,654 patent/US4897553A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005175383A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置、アライメント方法、及び、デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4897553A (en) | 1990-01-30 |
JP2550974B2 (ja) | 1996-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100471524B1 (ko) | 노광방법 | |
KR100389976B1 (ko) | 얼라인먼트방법및장치 | |
JPH0945608A (ja) | 面位置検出方法 | |
JPS63224326A (ja) | 露光装置 | |
JPS61174717A (ja) | 位置合わせ装置 | |
JP4882384B2 (ja) | 面位置検出装置、面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JPH0122977B2 (ja) | ||
JPH0963924A (ja) | アライメント方法 | |
JP2000299276A (ja) | 露光装置 | |
JPH09236425A (ja) | 面位置検出方法 | |
JPH09246356A (ja) | 表面位置設定方法 | |
JPH09312251A (ja) | 投影露光装置 | |
JPH1047915A (ja) | 面位置検出方法 | |
JPS63107139A (ja) | 感光基板のアライメント方法 | |
JPH01194322A (ja) | 半導体焼付装置 | |
JP2007329384A (ja) | 面位置検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JPH08162393A (ja) | 位置合わせ装置 | |
JP2004108957A (ja) | 基板検査装置 | |
JP3291769B2 (ja) | 位置検出装置、露光装置及び露光方法 | |
JPH0954443A (ja) | 露光方法及び装置 | |
JP3339630B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
JPH0547635A (ja) | 投影露光装置 | |
JPH1050593A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
JPH10116769A (ja) | 投影露光装置 | |
JPH0142131B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |