JPH1070065A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH1070065A
JPH1070065A JP8225474A JP22547496A JPH1070065A JP H1070065 A JPH1070065 A JP H1070065A JP 8225474 A JP8225474 A JP 8225474A JP 22547496 A JP22547496 A JP 22547496A JP H1070065 A JPH1070065 A JP H1070065A
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Japan
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stage
substrate
leveling
displacement
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JP8225474A
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Masayuki Murayama
正幸 村山
Yuji Imai
裕二 今井
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Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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    • GPHYSICS
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板ステージの走りによるZ方向の変位の影
響を受けずにレベリング制御を行う。 【解決手段】 基板ステージの走りによるZ方向変位を
あらかじめ計測し、装置に記憶させておく。基板ステー
ジを移動しながら実際に計測された感光基板上の複数の
計測点の高さ位置から、その計測点のXY座標に対して
記憶されている基板ステージのZ方向変位を差し引くこ
とで基板ステージの走りによる誤差を補正し(S1
2)、感光基板表面の真の傾斜を求める(S13)。そ
の傾斜に基づいてレベリング制御を行う(S14,S1
5)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
液晶表示デバイス等を製造するためのフォトリソグラフ
ィー工程で使用される露光装置に関するものであり、特
に感光基板の表面を投影光学系の結像面に一致させるた
めのレベリング手段を備える露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体デバイス等をフォトリ
ソグラフィー技術を用いて製造する際に、フォトマスク
又はレチクル(以下、マスクという)に形成されたパタ
ーンを投影光学系を介してフォトレジスト等の感光剤が
塗布された半導体ウエハ又はガラスプレート等の感光基
板上の各ショット領域に投影露光する露光装置が使用さ
れている。露光装置としては、2次元的に移動自在な基
板ステージ上に感光基板を載置し、この基板ステージに
より感光基板をステッピングさせてマスクのパターン像
を感光基板上の各ショット領域に順次露光する動作を繰
り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の露
光装置、特に縮小投影型の露光装置が多用されている。
また、感光基板上の各ショット領域へのパターン露光を
縮小投影で、かつ走査露光方式で行うとともに、各ショ
ット間の移動をステッピング方式で行うステップ・アン
ド・スキャン方式の露光装置も用いられている。
【0003】一般に、露光装置においては、開口数が大
きく焦点深度の浅い投影光学系が使用されるため、微細
なパターンを高い解像度で転写するためには、感光基板
の表面の傾斜角を投影光学系の結像面の傾斜角に平行に
合わせ込むためのレベリング制御、及び感光基板の表面
の高さ(焦点位置)を投影光学系の結像面の位置に合わ
せ込むオートフォーカス制御が必要とされる。
【0004】レベリング制御を行うためには、感光基板
表面の全体又は局所的部分の平均的な傾き量を正確に計
測することが必要とされる。その計測方法として従来よ
り、特公平3−5652号公報、特公平4−42601
号公報、米国特許第4,084,903号、米国特許第
4,383,757号などに様々のものが提案されてい
る。例えば、感光基板上の3個所以上の点において光軸
方向(Z方向)の高さ位置をエアマイクロメーター等の
ギャップセンサーで計測し、その計測値に基づいて感光
基板表面の近似平面式を特定し、その近似平面が投影光
学系の結像面に一致するように基板ステージに備えられ
るレベリング機構を駆動する。また、従来は、感光基板
の周辺領域に存在するショット領域で、焦点位置検出光
がけられるなどしてオートフォーカス制御が困難なショ
ット領域については、そのショットに隣接するショット
領域の焦点位置で露光を行っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】感光基板のZ方向の高
さ位置を計測するセンサーは装置本体に固定されていて
移動させることができない。したがって、感光基板表面
の複数の点のZ方向位置を計測するためには、基板ステ
ージによって感光基板を移動させて、感光基板上の複数
の点を順次センサーの計測点にもっていかなければなら
ない。そのため、基板ステージの走り自体がZ方向に変
位量を持っていると、基板ステージの走りによる感光基
板表面のZ方向変位と感光基板の面内Z方向変位とを分
離できないため、たとえ感光基板の表面自体はZ方向に
垂直であったとしても感光基板表面が傾いていると判断
してしまい、誤ったレベリング制御をしてしまうという
問題があった。
【0006】図13を用いて、従来のレベリング制御の
問題について説明する。ここでは、基板ステージの走り
方向をX方向、光軸に平行な方向をZ方向として、破線
で示す位置に計測点を有するセンサーの計測値に基づい
てレベリング制御を行う様子を説明する。図13(a)
〜(c)は基板ステージの走りがZ方向に変位をもって
いない場合のレベリング制御の概念を説明する図、図1
3(d)〜(f)は基板ステージの走りがZ方向に変位
をもっている場合のレベリング制御の概念を説明する図
である。
【0007】いま、感光基板80の表面SF1 が図13
(a)に示すように傾斜していたとする。最初、基板ス
テージ85の移動により感光基板を実線位置に位置づけ
て感光基板表面SF1 の点P1 の高さ位置を計測する。
点P1 のX座標はX1 であり、このときの高さ計測値は
1 であったとする。続いて、基板ステージの移動によ
って感光基板80を矢印で示すように仮想線の位置まで
移動して感光基板表面SF1 の別の点P2 の高さ位置を
計測する。点P2 のX座標はX2 であり、高さ計測値は
2 であるとする。
【0008】このとき露光装置は、点P1 の座標値(X
1,Z1)と点P2 の座標値(X2,Z2)とから、感光基
板の表面SF1 が図13(b)に示すように傾斜してい
ると認識する。したがって、図13(c)に示すよう
に、基板ステージのレベリング機構82a,82bを作
動させて感光基板80を載置している載物テーブル81
を傾斜させ、感光基板80の表面SF1 が水平になるよ
うにレベリング制御を行う。このように基板ステージ8
5の走りがZ方向に変位をもっていなければ、従来の露
光装置は高さ計測値に基づいた適切なレベリング制御を
行うことができる。
【0009】一方、図13(d)に波打った仮想線で示
すように、基板ステージ85の走りがZ方向に変位をも
っている場合には、従来の露光装置は適切なレベリング
制御を行うことができない。いま、図13(d)に示す
ように感光基板87は面内に傾斜を有していないとす
る。最初、基板ステージ85の移動により感光基板87
を実線のように位置づけて感光基板表面SF2 の点P3
の高さ位置を計測する。点P3 のX座標はX3 であり、
このときの高さ計測値はZ3 であったとする。続いて、
基板ステージの移動によって感光基板87をを矢印で示
すように仮想線で示される位置まで移動して感光基板表
面SF2 の別の点P4 の高さ位置を計測する。このと
き、基板ステージ85の走りがZ方向に変位を有してい
るため感光基板87はZ方向にも移動し、点P4 の高さ
計測値はZ4 になったとする。点P4のX座標はX4
ある。
【0010】このとき露光装置は、点P3 の座標値(X
3,Z3)と点P4 の座標値(X4,Z4)から、感光基板
の表面SF2 が実際は水平であるにもかかわらず、図1
3(e)に示すように傾斜していると認識する。したが
って、基板ステージ85のレベリング機構82a,82
bを作動させて感光基板87を載置している載物テーブ
ル81を傾斜させ、点P3 の高さ位置Z3 と点P4 の高
さ位置Z4 を等しくするような制御を行う。その結果、
図13(d)に示すように、誤ったレベリング制御が行
われ、感光基板87の表面SF2 は水平から外れてしま
うことになる。また、従来の露光装置は、感光基板周辺
のショットで、露光位置での焦点位置検出を行わず、隣
接ショットの焦点位置で露光する場合、基板ステージの
走りによるZ方向変化があっても焦点位置補正がされな
いため焦点位置ずれによる不良が発生するという問題が
あった。
【0011】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、基板ステージの走りによるZ方
向の変位の影響を受けずにレベリング制御を行うことの
できる露光装置を提供することを目的とする。また、本
発明は、感光基板周辺のショットに対しても焦点ずれの
ない露光を行うことのできる露光装置を提供することを
目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板ステー
ジの走りによるZ方向変位をあらかじめ計測し、装置に
記憶させておくことで前記目的を達成する。この基板ス
テージの走りによるZ方向変位の主な原因はステージ部
材の製造誤差であり、これが要因となっているXY平面
のある任意の座標点におけるZ方向変位は長期的に一定
である。そのため、表裏両面の平行度が既知の標準基板
等を用いて、予めXY平面の複数点で基板ステージの走
りに基づくZ方向変位を測定して記憶しておく。基板ス
テージのXY平面内のZ方向変位は装置ごとに異なるた
め、この計測は装置毎に行う必要がある。そして、基板
ステージを移動しながら実際に計測された感光基板上の
複数の計測点の高さ位置から、その計測点のXY座標に
対して記憶されている基板ステージのZ方向変位を差し
引くことによって感光基板表面の真の傾斜を求め、その
傾斜に基づいてレベリング制御を行う。
【0013】すなわち本発明は、マスクに形成されたパ
ターンを感光基板上に投影する投影光学系と、感光基板
を保持する載物テーブルと、2次元移動座標系に沿って
載物テーブルを位置決めする位置決め用ステージと、2
次元移動座標系内での載物テーブルの位置を検出するス
テージ座標計測手段と、2次元移動座標系に対して固定
された計測点において感光基板の表面から所定の基準面
までの投影光学系の光軸方向の偏差を検出する高さ計測
手段と、位置決め用ステージに対する載物テーブルの傾
斜を調整するレベリング手段と、感光基板の表面を基準
面に一致させるために必要なレベリング手段の制御量を
算出する演算手段と、演算手段の演算結果に基づいてレ
ベリング手段を制御する制御手段とを含む露光装置にお
いて、位置決め用ステージが2次元移動座標系に沿って
移動するとき計測点で生じる載物テーブルの光軸方向変
位量をステージ座標計測手段によって計測される載物テ
ーブルの位置に対応させて記憶する記憶手段を備え、演
算手段は高さ計測手段による計測値から記憶手段に記憶
されている載物テーブルの光軸方向変位量を控除した値
に基づいてレベリング手段の制御量を算出することを特
徴とする。
【0014】このように基板ステージ自体の走りによる
Z方向変化量を予め計測して装置に記憶させておくこと
で、感光基板の面内複数点でZ方向高さを測定する際
に、基板ステージの走りに起因する高さ変化量を除いた
測定値を得ることができる。このため、より高精度な感
光基板のレベリング制御を行うことができる。また、隣
接ショットに対する焦点位置と記憶手段に記憶されてい
る載物テーブルの光軸方向の変位量とに基づいて焦点位
置を算出する手段を備えることにより、焦点検出がされ
ていない感光基板周辺のショット領域においても、より
正確な傾斜補正と焦点位置合わせが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は、本発明による露光装置の
一例の概略図である。DUV光を射出する例えばエキシ
マレーザーやHgランプのような光源及びオプティカル
・インテグレータ等を含む光源系1からの露光用の照明
光ILは、第1リレーレンズ2、マスクブラインド(可
変視野絞り)3、第2リレーレンズ4、ミラー5及び主
コンデンサーレンズ6を介して、均一な照度分布でマス
ク7のパターンを照明する。マスクブラインド3の配置
面はマスク7のパターン形成面とほぼ共役であり、マス
クブラインド3の開口の位置及び形状により、マスク7
上の照明領域8の位置及び形状が設定される。マスク7
はマスクステージ9上に保持されている。
【0016】マスク7のパターン像は投影光学系11に
よって、フォトレジストが塗布された感光基板12上の
ショット領域13に投影露光される。ここで、投影光学
系11の光軸に平行にZ軸を取り、その光軸に垂直な2
次元平面内で図1の紙面に平行にX軸を、図1の紙面に
垂直にY軸を取る。
【0017】感光基板12は、不図示の感光基板ホルダ
を介して載物テーブル14上に保持される。載物テーブ
ル14は3個のZ方向に移動自在なアクチュエータ16
A〜16Cを介して、XY座標系内で移動自在な位置決
め用ステージ上に載置されている。位置決め用ステージ
はYステージ15YとXステージ15Xからなり、Yス
テージ15Yは、Xステージ15X上に例えば送りねじ
方式でY方向に移動されるように載置される。Xステー
ジ15Xは、装置ベース17上に例えば送りねじ方式で
X方向に移動されるように載置されている。3個のアク
チュエータ16A〜16Cを平行に伸縮させることによ
り、載物テーブル14のZ方向の位置(焦点位置)の調
整が行われ、3個のアクチュエータ16A〜16Cの伸
縮量を個別に調整することにより、載物テーブル14の
X軸及びY軸の回りの傾斜角の調整が行われる。
【0018】また、載物テーブル14の上端に固定され
たX軸用の移動鏡22X及び外部のレーザ干渉計23X
により、感光基板12のX座標が常時モニタされ、同様
にY軸用の移動鏡22Y及び外部のレーザ干渉計23Y
(図7参照)により、感光基板12のY座標が常時モニ
タされ、検出されたX座標、Y座標は主制御系20に供
給される。主制御系20は、供給された座標に基づいて
基板ステージ駆動系24を介してXステージ15X、Y
ステージ15Y及び載物テーブル14の動作を制御す
る。
【0019】ここで、アクチュエータ16A〜16Cの
構成例につき説明する。図6は、アクチュエータ16A
の断面図である。図1のYステージ15Y上に駆動機構
ハウジング40が固定され、駆動機構ハウジング40内
に送りねじ41が回転自在に収納され、送りねじ41の
左端にカップリング42を介して回転角検出用のロータ
エンコーダ43が接続され、送りねじ41の右端にカッ
プリング44を介してロータリモータ45が接続されて
いる。また、送りねじ41にナット39が螺合され、ナ
ット39に支柱38を介して上端が傾斜した斜面部36
Aが固定され、斜面部36Aの上端に回転体36Bが接
触している。回転体36Bは、図1の載物テーブル14
内に回転自在に、且つ横方向には移動できないように埋
め込まれている。
【0020】また、斜面部36Aは直線ガイド37に沿
って送りねじ41に平行な方向に移動できるように支持
されている。図1の基板ステージ制御系24から駆動制
御信号がロータリモータ45に供給され、ロータリモー
タ45は制御信号を受けて送りねじ41を回転する。こ
れにより、ナット39が送りねじ41に沿ってX方向に
移動し、斜面部36Aも送りねじ41に沿って移動す
る。従って、斜面部36Aの上端に接触する回転体36
Bは、回転しながら駆動機構ハウジング40に対して上
下方向(Z方向)に変位する。また、送りねじ41の回
転角度をロータリエンコーダ43により計測することに
より、回転体36Bの上下方向への変位量が検出され
る。他のアクチュエータ16B,16Cも同じ構成を有
する。
【0021】なお、アクチュエータ16A〜16Cは、
図6のようにロータリーモータを使用する方式の外に、
例えば積層型圧電素子(ピエゾ素子)等を使用して構成
してもよい。このようにアクチュエータ16A〜16C
として直線的に変位する駆動素子を使用する場合、Z方
向の位置を検出するためのエンコーダとしては光学式又
は静電容量式等のリニアエンコーダを使用することがで
きる。
【0022】次に、感光基板12の表面のZ方向の位置
(焦点位置)を検出するための多点の焦点位置検出系
(以下、「多点AFセンサ」という)25の構成につき
説明する。この多点AFセンサ25の光源26からは、
フォトレジストに対して非感光性の検出光が照射され
る。検出光はコンデンサーレンズ27を介して送光スリ
ット板28内の多数のスリットを照明し、それらスリッ
トの像が対物レンズ29を介して、投影光学系11の光
軸に対して斜めに感光基板12上のショット領域13の
9個の計測点P11〜P33に投影される。このとき、感光
基板12の表面が投影光学系11の最良結像面にある
と、送光スリット板28のスリットの像が対物レンズ2
9によって感光基板12の表面に結像される。
【0023】図2は、感光基板12上の計測点の配置を
示したものであり、図示されるようにショット領域13
内には3行×3列の合計9個の計測点P11〜P33が設定
される。ここでは、ショット領域13内の9個の計測点
での焦点位置の情報からショット領域13内での平均的
な焦点位置を求める。図1に戻り、それらの計測点から
の反射光が、集光レンズ30を介して振動スリット板3
1上に集光され、振動スリット板31上にそれら計測点
に投影されたスリット像が再結像される。振動スリット
板31は、主制御系20からの駆動信号DSにより駆動
される加振器32により所定方向に振動している。振動
スリット板31の多数のスリットを通過した光が光電検
出器33上の多数の光電変換素子によりそれぞれ光電変
換され、これら光電変換信号が信号処理系34に供給さ
れ、信号処理された後に主制御部20に供給される。
【0024】図3は、図1中の送光スリット板28の略
図である。送光スリット板28には、図2の感光基板上
の計測点P11〜P33に対応する位置にそれぞれスリット
2811〜2833が形成されている。また、図1中の振動
スリット板31上にも、図4に示すように、図2の感光
基板上の計測点P11〜P33に対応する位置にそれぞれス
リット3111〜3133が形成され、振動スリット板31
は加振器32により各スリットの長手方向に直交する計
測方向に振動している。
【0025】図5は、図1中の光電検出器33及び信号
処理系34を示す図である。光電検出器33上の1行目
の光電変換素子3311〜3313には、それぞれ図2の計
測点P11〜P13から反射されて、振動スリット板31中
の対応するスリットを通過した光が入射する。光電検出
器33上の2行目及び3行目の光電変換素子3321〜3
23,3331〜3333には、それぞれ図2の計測点P21
〜P23,P31〜P33から反射されて、振動スリット板
31中の対応するスリットを通過した光が入射する。光
電変換素子3311〜3333からの検出信号は、増幅器4
11〜4633を介して同期整流器4711〜4733に供給
される。同期整流器4711〜4733は、それぞれ加振器
32用の駆動信号DSを用いて、入力された検出信号を
同期整流することにより、対応する計測点の焦点位置に
所定範囲でほぼ比例して変化するフォーカス信号を生成
する。ここでは、同期整流器4711〜4733から出力さ
れるフォーカス信号は、対応する計測点が投影光学系1
1の結像面(ベストフォーカス面)に合致しているとき
に0になるようにキャリブレーションが行われている。
【0026】同期整流器4711〜4733から出力される
フォーカス信号は、並列にマルチプレクサ48に供給さ
れ、マルチプレクサ48は、主制御系20内のマイクロ
プロセッサ(MPU)50からの切り換え信号に同期し
て、供給されるフォーカス信号から順番に選ばれたフォ
ーカス信号をアナログ/デジタル(A/D)変換器49
に供給し、A/D変換器49から出力されるデジタルの
フォーカス信号が順次主制御系20内のメモリ51内に
格納される。
【0027】図7は、3個のアクチュエータ16A〜1
6Cの駆動系を示す。主制御系20において、メモリ5
1の各アドレス5111〜5133内には、それぞれ図2の
計測点P11〜P33での焦点位置を示すデジタルのフォー
カス信号が格納されている。各アドレス5111〜5133
から読み出されたフォーカス信号は並列に焦点位置演算
部52に供給される。焦点位置演算部52では、9個の
計測点P11〜P33に対応する9個のフォーカス信号に基
づいて、最小自乗法演算、算術平均、重み付け平均等の
演算によってそのショット領域13の焦点位置z、すな
わち投影光学系11のベストフォーカス面からのZ方向
のずれ量を求める。
【0028】例えば最小自乗法による焦点位置zの演算
は以下のようにして行われる。9個の計測点P11〜P33
に対応する9個のフォーカス信号から求まるベストフォ
ーカスからのずれを各々ΔZ11,ΔZ12,‥‥,ΔZ33
とするとき、次式〔数1〕の値が最小となるようにして
焦点位置zが決定される。
【0029】
【数1】(z−ΔZ112+(z−ΔZ122+‥‥+
(z−ΔZ332 こうして求められた焦点位置zは、レベリング制御を行
うときにはレベリング演算部56に供給され、各ショッ
トの露光を行うときにはアクチュエータ駆動量設定部5
7に供給される。
【0030】主制御系20内のメモリ55には、基板ス
テージの走りによる計測点のZ方向の変位が予め計測さ
れ、XY座標の関数Fz(X,Y)として記憶されてい
る。データFz(X,Y)は、例えば表裏面の平行度が
既知である平坦な表面を有する標準基板を基板ステージ
の載物テーブル14上に載置し、基板ステージをX,Y
方向に2次元移動しながら多点AF系25の中央の計測
点P22を用いて座標(X,Y)における標準基板の焦点
位置を計測することによって得ることができる。
【0031】次に、この露光装置によるレベリング制御
及びショット露光時のフォーカス制御の方法について説
明する。最初に、感光基板上のレベリング制御用の計測
点を示す図8及びフローチャートを示す図9用いて、レ
ベリング制御について説明する。Xステージ15X及び
Yステージ15Yを駆動することにより、感光基板12
上の予め定められた複数の領域、例えば図8に示す6箇
所の領域S1,S2,‥‥,S6 を順次投影光学系11の
下方に移動し、多点AF系25により各領域S1,S2
‥‥,S6 の代表位置、例えば各領域の中心位置
(X1,Y1),(X2,Y2),‥‥,(X6,Y6)にお
けるベストフォーカス位置からのずれ量、すなわち焦点
位置z1,z2,‥‥,z6 を求める(S11)。この焦
点位置z1,z2,‥‥,z6 は、主制御系20の焦点位
置演算部52において、各領域S1,S2,‥‥,S6
設定される9個の計測点から得られるフォーカス信号に
対して前記〔数1〕の最小自乗法等の演算をすることに
より求められる。
【0032】焦点位置演算部52の出力は、レベリング
演算部56に供給される。レベリング演算部56には、
レーザ干渉計23X及び23Yの出力も同時に供給され
ており、感光基板12上の各計測領域S1,S2,‥‥,
6 の代表点の座標(X1,Y1),(X2,Y2),‥
‥,(X6,Y6)のデータと各計測領域の焦点位置
1,z2,‥‥,z6 のデータを取得する。次いで、メ
モリ55に記憶されているデータを用いて下記〔数2〕
のように各位置における基板ステージの走りに起因する
計測領域の代表点のZ方向変位を補正して、感光基板の
表面形状にのみ起因する各計測点でのベストフォーカス
位置からのずれ量δZ1,δZ2,‥‥,δZ6 を求める
(S12)。
【0033】
【数2】 δZj=zj−Fz(Xj,Yj) (j=1,2,…,
6) こうして求められた複数の位置(X1,Y1),(X2
2),‥‥,(X6,Y6)におけるZ方向変位量δ
1,δZ2,‥‥,δZ6 のデータを用いて、レベリン
グ演算部56では、さらに最小自乗法により載物テーブ
ル14上に載置された感光基板14の近似平面を求める
(S13)。感光基板14の近似表面のデータはアクチ
ュエータ駆動量設定部57に供給される。
【0034】アクチュエータ駆動量設定部57では、感
光基板14の近似表面のデータ及び3本のアクチュエー
タ16A,16B,16CのXY座標データを用いて、
感光基板の表面を水平、すなわち投影光学系11のベス
トフォーカス面に平行にするために必要な各アクチュエ
ータ16A,16B,16Cの駆動量Z1,Z2,Z3
演算する(S14)。
【0035】各アクチュエータ16A,16B,16C
の駆動量Z1,Z2,Z3 の指令値はコントローラ60に
供給され、コントローラ60は、パワーアンプ61A,
61B,61Cを介してアクチュエータ16A,16
B,16Cを駆動する。また、アクチュエータ16A,
16B,16Cの内部のロータリーエンコーダ43A〜
43C(図6のロータリーエンコーダ43と同じ構成の
もの)からの検出信号がコントローラ60にフィードバ
ックされている。これにより、アクチュエータ16A,
16B,16Cは、各々アクチュエータ駆動量設置部5
7から指令された高さ位置まで正確に駆動される(S1
5)。こうしてレベリング制御は終了し、感光基板12
の表面は投影光学系のベストフォーカス面と平行にされ
る。
【0036】次に、図10のフローチャートを用いて、
感光基板上のショット露光時のアクチュエータによるフ
ォーカシング制御について説明する。露光動作に入ると
きには、上で説明したレベリング制御は終了し、感光基
板12の表面は投影光学系11のベストフォーカス面に
平行になっている。
【0037】まず、基板ステージ制御系24を介してX
ステージ15X及びYステージ15Yを駆動制御して感
光基板12のショット領域を投影光学系11の露光視野
にステッピングさせる(S21)。次いで、多点AF系
25によりそのショット領域の焦点位置zを求める(S
22)。ショット領域の焦点位置zは、図2に示した9
点の計測点P11〜P33から得られたフォーカス信号を焦
点位置演算部52で前述のように演算処理することによ
り求められる。焦点位置演算部52で演算された焦点位
置zの信号は今回はレベリング演算部ではなく、アクチ
ュエータ駆動量設定部57に供給され、アクチュエータ
駆動量設定部57において3個のアクチュエータ16
A,16B,16Cの駆動量が求められる(S23)。
【0038】レベリング制御の時は感光基板の表面を投
影光学系のベストフォーカス面に平行になるようにする
ために3個のアクチュエータの伸縮量を独立して制御し
た。しかし、フォーカス制御においては、表面が既にベ
ストフォーカス面に平行になっている感光基板を上下さ
せてショット領域をベストフォーカス面と一致させる制
御を行うものであるため、3本のアクチュエータの伸縮
駆動量は等しく設定される。
【0039】各アクチュエータ16A,16B,16C
の駆動量の指令値はコントローラ60に供給され、コン
トローラ60は、パワーアンプ61A,61B,61C
を介してアクチュエータ16A,16B,16Cを指定
された駆動量だけ駆動する。このときコントローラ60
は、アクチュエータ16A,16B,16Cの内部のロ
ータリーエンコーダ43A〜43Cからフィードバック
されている検出信号を用いて各アクチュエータ16A,
16B,16Cの駆動量を正確に制御する(S24)。
こうしてフォーカス制御が終了したのち、そのショット
領域に対するマスクパターン像の露光が行われる(S2
5)。感光基板12上の全てのショット領域に対する露
光が終了していなければ(S26)、ステップ21に戻
って、感光基板のステップ移動、フォーカス制御、露光
の動作を反復する。
【0040】次に、図11を用いて、感光基板周辺のシ
ョット領域におけるフォーカス制御について説明する。
図11に示すようにショット領域が感光基板の周辺に位
置しているとき、多点AFセンサ25の検出領域が感光
基板の外に出てしまう場合がある。この場合には、その
ショット領域で多点AFセンサ25を用いたフォーカス
検出を行うことができないため、従来は隣接ショット領
域で検出された焦点位置をそのショット領域にも適用し
て露光することが行われていた。
【0041】例えば、ショット領域Sm,Sm+1
m+2,‥‥の順序で露光されるとき、ショット領域S
m は通常のフォーカス制御を行って露光することが可能
であるが、続くショット領域Sm+1 及びショット領域S
m+2 は、感光基板12の表面から一部はずれてしまうた
め多点AF系25による焦点検出ができないとする。こ
のようなとき、従来はショット領域Sm+1 及びショット
領域Sm+2 に対しては、その直前のショット領域Sm
焦点位置Z(Sm )を適用してパターン露光を行ってい
た。基板ステージの走りによるZ方向変位がなければこ
の方法でも焦点ずれを生じることがないが、基板ステー
ジの走りによってZ方向変位が発生すると、隣接ショッ
トの焦点位置を用いて露光行うと焦点ぼけを生じてしま
う。
【0042】そこで、ここでは、予め計測されてメモリ
55に記憶されている、基板ステージの走りによるZ方
向の変位Fz(X,Y)を利用して焦点位置制御をおこ
なうことで焦点ぼけの発生を防止する。すなわち、メモ
リ55に記憶されているFz(X,Y)から、図12に
示すように、ショット領域Sm の中心座標に対するZ方
向変位Fz(Sm)、ショット領域Sm+1 の中心座標に対
するZ方向変位Fz(Sm+1)、及びショット領域Sm+2
の中心座標に対するZ方向変位Fz(Sm+2)を求める。
そして、ショット領域Sm でフォーカス制御を行って露
光した後、ショット領域Sm+1 では、ショット領域Sm
の焦点位置に次の〔数3〕で示される基板ステージ走り
による感光基板のZ方向変位の分だけアクチュエータ1
6A,16B,16Cを同時に駆動することで、基板ス
テージの走りによる影響を補償して露光を行う。
【0043】
【数3】Fz(Sm+1)−Fz(Sm) 次のショット領域Sm+2 の露光にあたっては、同様に、
ショット領域Sm+1 の焦点位置に次の〔数4〕で示され
る基板ステージ走りによる感光基板のZ方向変位の分だ
けアクチュエータ16A,16B,16Cを同時に駆動
し、基板ステージの走りによる影響を補償して露光を行
う。
【0044】
【数4】Fz(Sm+2)−Fz(Sm+1) このように、基板ステージの走りによるZ方向変位の影
響を無くす方向に感光基板12を平行移動して周辺ショ
ットの露光をすることで、焦点位置検出を行わない場合
においても、従来の方法に比較して高精度な焦点位置合
わせがが可能となる。なお、長期の使用等によって基板
ステージが摩耗したりした場合には、表裏面の平坦度が
既知の基準基板によって再度基板ステージの走りによる
Z方向変位を計測し、メモリ55に記憶されているデー
タを更新することで対応可能である。
【0045】
【発明の効果】本発明によると、基板ステージの走りに
よる感光基板のZ方向変位の影響を除いてレベリング制
御を行うことができるため、高精度なレベリング制御が
可能となり、デバイス製造の歩留まり向上を図ることが
できる。また、基板ステージの2次元方向への移動時に
Z方向の変位量を予測できるので、高速高精度のZ方向
の補正が可能となる。さらに、感光基板の周辺領域など
で、隣接するショット領域の焦点検出位置を用いて露光
する場合においても高精度の焦点合わせが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による露光装置の一例の概略図。
【図2】多点AF系による感光基板上の計測点の配置を
示す図。
【図3】送光スリット板の略図。
【図4】振動スリット板の略図。
【図5】光電検出器及び信号処理系を示す図。
【図6】アクチュエータの断面図。
【図7】3個のアクチュエータの駆動系を示す図。
【図8】レベリング制御用の計測点を示す図。
【図9】レベリング制御のフローチャート。
【図10】感光基板上のショット露光時のアクチュエー
タによるフォーカシング制御のフローチャート。
【図11】感光基板周辺のショット領域におけるフォー
カス制御について説明する図。
【図12】各ショット領域に基板ステージ移動したと
き、基板ステージの走りに起因するZ方向変位の説明
図。
【図13】従来のレベリング制御の問題を説明する図で
あり、(a)〜(c)は基板ステージの走りがZ方向に
変位をもっていない場合のレベリング制御の概念を説明
する図、(d)〜(f)は基板ステージの走りがZ方向
に変位をもっている場合のレベリング制御の概念を説明
する図。
【符号の説明】
1…光源系、3…マスクブラインド、7…マスク、11
…投影光学系、12…感光基板、13…ショット領域、
14…載物テーブル、15X…Xステージ、15Y…Y
ステージ、16A,16B,16C…アクチュエータ、
17…装置ベース、20…主制御系、24…基板ステー
ジ駆動系、25…多点AFセンサ、28…送光スリッ
ト、31…振動スリット板、32…加振器、33…光電
検出器、34…信号処理系、36A…斜面部、36B…
回転体、37…直線ガイド、38…支柱、39…ナッ
ト、40…駆動機構ハウジング、41…送りねじ、4
2,44…カップリング、43…ロータリエンコーダ、
45…ロータリモータ、52…焦点位置演算部、55…
メモリ、56…レベリング演算部、57…アクチュエー
タ駆動量設定部、60…コントローラ、80…感光基
板、81…載物テーブル、82a,82b…レベリング
機構、85…基板ステージ、87…感光基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクに形成されたパターンを感光基板
    上に投影する投影光学系と、前記感光基板を保持する載
    物テーブルと、2次元移動座標系に沿って前記載物テー
    ブルを位置決めする位置決め用ステージと、前記2次元
    移動座標系内での前記載物テーブルの位置を検出するス
    テージ座標計測手段と、前記2次元移動座標系に対して
    固定された計測点において前記感光基板の表面から所定
    の基準面までの前記投影光学系の光軸方向の偏差を検出
    する高さ計測手段と、前記位置決め用ステージに対する
    前記載物テーブルの傾斜を調整するレベリング手段と、
    前記感光基板の表面を前記基準面に一致させるために必
    要な前記レベリング手段の制御量を算出する演算手段
    と、前記演算手段の演算結果に基づいて前記レベリング
    手段を制御する制御手段とを含む露光装置において、 前記位置決め用ステージが前記2次元移動座標系に沿っ
    て移動するとき前記計測点で生じる前記載物テーブルの
    光軸方向変位量を前記ステージ座標計測手段によって計
    測される前記載物テーブルの位置に対応させて記憶する
    記憶手段を備え、前記演算手段は前記高さ計測手段によ
    る計測値から前記記憶手段に記憶されている前記載物テ
    ーブルの光軸方向変位量を控除した値に基づいて前記レ
    ベリング手段の制御量を算出することを特徴とする露光
    装置。
  2. 【請求項2】 隣接ショットに対する焦点位置と前記記
    憶手段に記憶されている前記載物テーブルの光軸方向の
    変位量とに基づいて焦点位置を算出する手段を備えるこ
    とを特徴とする請求項1記載の露光装置。
JP8225474A 1996-08-27 1996-08-27 露光装置 Withdrawn JPH1070065A (ja)

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EP97114842A EP0833208A3 (en) 1996-08-27 1997-08-27 A stage apparatus
US09/419,771 US6172373B1 (en) 1996-08-27 1999-10-18 Stage apparatus with improved positioning capability

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0867776A3 (en) * 1997-03-26 2000-02-23 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for making an exposure apparatus
US6411387B1 (en) 1996-12-16 2002-06-25 Nikon Corporation Stage apparatus, projection optical apparatus and exposure method
JP2007535170A (ja) * 2004-04-28 2007-11-29 ライテル・インストルメンツ 動的走査フィールド湾曲の判定用装置及び方法
US9301869B2 (en) 2009-11-06 2016-04-05 Hollister Incorporated Multi-layer film and ostomy product made therefrom

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