JPH01183816A - 露光装置における位置合わせマークの合焦方法 - Google Patents
露光装置における位置合わせマークの合焦方法Info
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- JPH01183816A JPH01183816A JP63008977A JP897788A JPH01183816A JP H01183816 A JPH01183816 A JP H01183816A JP 63008977 A JP63008977 A JP 63008977A JP 897788 A JP897788 A JP 897788A JP H01183816 A JPH01183816 A JP H01183816A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体製品に対する露光装置の位置合わせに
おいて、マスク基板と被露光板の位置合わせマークの合
焦方式に関するものである。
おいて、マスク基板と被露光板の位置合わせマークの合
焦方式に関するものである。
［従来の技術］
半導体製品の製作においては、回路パターンを描いたマ
スク基板を母型として、これを光学式によりウェハ、ガ
ラス基板などの被露光板に投影して複写される。この場
合マスク基板と被露光板は互いに正確に位置合わせする
ことが必要である。
スク基板を母型として、これを光学式によりウェハ、ガ
ラス基板などの被露光板に投影して複写される。この場
合マスク基板と被露光板は互いに正確に位置合わせする
ことが必要である。
第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に位置合わせマークと位
置合わせの方法を示す１図（ａ）において、マスク基板
１には予め適当な２箇、所に＃形のマーク１′。
置合わせの方法を示す１図（ａ）において、マスク基板
１には予め適当な２箇、所に＃形のマーク１′。
１″を設け、これに対向して被露光板２には十形のマー
ク２／、２”−を設ける。これらを図（ｂ）のように重
ね、上方より位置合わせ光学系３−１ｊ−２により＃マ
ークと＋マークの映像を捉え、図（ｃ）に示すように各
マークの中心点Ｏ１○′が一致するように被露光板を移
動して位置合わせが行われる。
ク２／、２”−を設ける。これらを図（ｂ）のように重
ね、上方より位置合わせ光学系３−１ｊ−２により＃マ
ークと＋マークの映像を捉え、図（ｃ）に示すように各
マークの中心点Ｏ１○′が一致するように被露光板を移
動して位置合わせが行われる。
第４図（ａ）、（ｂ）は位置合わせの詳細を説明するも
ので１図（ａ）において、マスク基板の＃マークは、間
隔りの平行な２本１組ノｖＬ（Ｍ ｒ 、 Ｍ ｚ）ト
コれらに直角なａ （Ｍ ｓ 、 Ｍ ４ ）によりな
り、また被露光板の＋マークは互いに直角なｊｌ （Ｗ
ｓ 、 Ｗ ２ ）とによりなるもので、各線はＸ、
Ｙ軸に対して４５゜の方向とされている。各線の照合に
より位置合わせがなされるので、ここではこれらを照合
線と呼ぶこととする。いま、図示のように＃マークの中
心０をＸ、Ｙ軸の原点とし、これに対する＋マークの中
心Ｏ′が任意の位置にあるとする。位置合わせ光学系に
は、各マークの映像を受光するリニアイメージセンサＣ
１およびｃ２が対応する照合線にそれぞれ直角に置かれ
ている。一方のリニアイメージセンサＣ２には、照合線
Ｍ、、Ｍ２およびＷ、に相当する位置の受光量が低下す
るので、図（ｂ）に示すように各照合線に対応した位置
信号Ｐ□、Ｐ２およびＰｗがえられてＰ！とＰ２の中心
点とＰＷとの距ｗｉＬ′が判る。同様にリニアイメージ
センサＣ１により、信号ｐ、、ｐ４の中心点とＰＷ′と
の距ｐｌＩＬ”が判る。これらにより原点０と中心点Ｏ
′の距ＷＴおよび点ｏ′の座標（Ｔｘ、Ｔｙ）が計算さ
れ、Ｘ、Ｙ移動機構により被露光板をＸ、Ｙ方向にそれ
ぞれ距ＮＴ ｘ 、 Ｔ ｙ移動して位置合わせされる
０以上は、一方のマークの位置合わせであるが、２箇所
のマークについてそれぞれＸ。
ので１図（ａ）において、マスク基板の＃マークは、間
隔りの平行な２本１組ノｖＬ（Ｍ ｒ 、 Ｍ ｚ）ト
コれらに直角なａ （Ｍ ｓ 、 Ｍ ４ ）によりな
り、また被露光板の＋マークは互いに直角なｊｌ （Ｗ
ｓ 、 Ｗ ２ ）とによりなるもので、各線はＸ、
Ｙ軸に対して４５゜の方向とされている。各線の照合に
より位置合わせがなされるので、ここではこれらを照合
線と呼ぶこととする。いま、図示のように＃マークの中
心０をＸ、Ｙ軸の原点とし、これに対する＋マークの中
心Ｏ′が任意の位置にあるとする。位置合わせ光学系に
は、各マークの映像を受光するリニアイメージセンサＣ
１およびｃ２が対応する照合線にそれぞれ直角に置かれ
ている。一方のリニアイメージセンサＣ２には、照合線
Ｍ、、Ｍ２およびＷ、に相当する位置の受光量が低下す
るので、図（ｂ）に示すように各照合線に対応した位置
信号Ｐ□、Ｐ２およびＰｗがえられてＰ！とＰ２の中心
点とＰＷとの距ｗｉＬ′が判る。同様にリニアイメージ
センサＣ１により、信号ｐ、、ｐ４の中心点とＰＷ′と
の距ｐｌＩＬ”が判る。これらにより原点０と中心点Ｏ
′の距ＷＴおよび点ｏ′の座標（Ｔｘ、Ｔｙ）が計算さ
れ、Ｘ、Ｙ移動機構により被露光板をＸ、Ｙ方向にそれ
ぞれ距ＮＴ ｘ 、 Ｔ ｙ移動して位置合わせされる
０以上は、一方のマークの位置合わせであるが、２箇所
のマークについてそれぞれＸ。
Ｙ移動と、必要により被露光板をθ方向に回転して完全
な位置合わせが達成される。
な位置合わせが達成される。
上記の位置合わせにおいては、まずリニアイメージセン
サに受光される各照合線の映像が明確で、その波高値が
できるかぎり等しいことが望ましい。
サに受光される各照合線の映像が明確で、その波高値が
できるかぎり等しいことが望ましい。
露光装置の初期の段階においては、取り扱われるマスク
基板および被露光板の直径、厚さが小さく、また被露光
板の表面処理が比較的単純であったので、マスク基板と
被露光板のギャップが小さくて、焦点深度の浅い固定焦
点の光学系によっても各照合線は明確に受光され、十分
であった。しかしながら、最近においては基板の大型化
が進んでギャップが大きくなるとともに、被露光板の表
面処理も複雑化して、逐次行われる表面処理工程により
、表面の反射光における＋マークのコントラストが漸次
低下した状態となっている。このため、工程の段階毎に
行われる露光作業においては、従来の固定焦点方式では
、＃マークと＋マークの照合線の映像が同時に明確にえ
られなくなっている。これに対して光学系の焦点調整を
必要とする。
基板および被露光板の直径、厚さが小さく、また被露光
板の表面処理が比較的単純であったので、マスク基板と
被露光板のギャップが小さくて、焦点深度の浅い固定焦
点の光学系によっても各照合線は明確に受光され、十分
であった。しかしながら、最近においては基板の大型化
が進んでギャップが大きくなるとともに、被露光板の表
面処理も複雑化して、逐次行われる表面処理工程により
、表面の反射光における＋マークのコントラストが漸次
低下した状態となっている。このため、工程の段階毎に
行われる露光作業においては、従来の固定焦点方式では
、＃マークと＋マークの照合線の映像が同時に明確にえ
られなくなっている。これに対して光学系の焦点調整を
必要とする。
第５図に・より、マスク基板と被露光板に対する光学系
の焦点位置が変化したときの、リニアイメージセンサに
よる照合線の検出信号の波形と、これに対する従来の焦
点調整（合焦）方法を説明する。図において、マスク基
板１と被露光板２のギャップをｇとし、この間に光学系
の焦点があるものとする。ギャップｇの大きさは高々数
十μｍであるが、位置合わせ光学系の焦点深度はさらに
短いもので、ギヤ１１２間のすべてに合焦しない。
の焦点位置が変化したときの、リニアイメージセンサに
よる照合線の検出信号の波形と、これに対する従来の焦
点調整（合焦）方法を説明する。図において、マスク基
板１と被露光板２のギャップをｇとし、この間に光学系
の焦点があるものとする。ギャップｇの大きさは高々数
十μｍであるが、位置合わせ光学系の焦点深度はさらに
短いもので、ギヤ１１２間のすべてに合焦しない。
いま、焦点が点ａにあるときはマスク基板に最も近いの
で、＃マークに対する位置信号Ｐ、、Ｐ２の波高値が大
きいが、これと離れた被露光板の＋マークに対する信号
Ｐｗは焦点ボケのためと、前記の表面処理による膜が影
響してコントラストが低下したこととにより、波高値が
小さくてシャープでない。焦点の位置をす、ｃ−−−−
−・のように下げると、＃マークに対して焦点が合わな
くなって信号Ｐ、、Ｐ２の波高値は漸次低下するが、反
・対に信号Ｐｗは漸次波高値が大きくなり、点ｅにおい
て最大となる。従って、点ａと点ｅの間に各信号の波高
値が等しい位置がある筈である。いま、＃マークと＋マ
ークのコントラストが同じであれば、ギャップの中心点
Ｃに焦点をおくとき、両者の波高値がほぼ等しくなる筈
であるが、コントラストが等しくないため、例えば点ｄ
の位置に焦点があるとき両信号の波高値が等しくなる。
で、＃マークに対する位置信号Ｐ、、Ｐ２の波高値が大
きいが、これと離れた被露光板の＋マークに対する信号
Ｐｗは焦点ボケのためと、前記の表面処理による膜が影
響してコントラストが低下したこととにより、波高値が
小さくてシャープでない。焦点の位置をす、ｃ−−−−
−・のように下げると、＃マークに対して焦点が合わな
くなって信号Ｐ、、Ｐ２の波高値は漸次低下するが、反
・対に信号Ｐｗは漸次波高値が大きくなり、点ｅにおい
て最大となる。従って、点ａと点ｅの間に各信号の波高
値が等しい位置がある筈である。いま、＃マークと＋マ
ークのコントラストが同じであれば、ギャップの中心点
Ｃに焦点をおくとき、両者の波高値がほぼ等しくなる筈
であるが、コントラストが等しくないため、例えば点ｄ
の位置に焦点があるとき両信号の波高値が等しくなる。
このように、表面処理工程の段階により波高値が等しく
なる焦点位置く合焦位置）が漸次変化する。ただし、合
焦位置は、工程の段階に一義的に対応するものである。
なる焦点位置く合焦位置）が漸次変化する。ただし、合
焦位置は、工程の段階に一義的に対応するものである。
［解決しようとする課題］
以上に対して、従来においては表面処理工程の各段階に
行われる露光の位置合わせにおいて、その都度焦点調整
機構により合焦することが行われていた。しかし、表面
処理の各段階に対する露光の都度、いちいち合焦作業を
行うことは意外に手間を要するもので、多量の被露光板
を迅速に行う必要のある露光作業としては効率が極めて
低い欠点があった。これに対して有効な解決方法が必要
とされる所以である。
行われる露光の位置合わせにおいて、その都度焦点調整
機構により合焦することが行われていた。しかし、表面
処理の各段階に対する露光の都度、いちいち合焦作業を
行うことは意外に手間を要するもので、多量の被露光板
を迅速に行う必要のある露光作業としては効率が極めて
低い欠点があった。これに対して有効な解決方法が必要
とされる所以である。
この発明は、以上に述べた事情に鑑みてなされたもので
、露光装置の位置合わせにおり）で、位置合わせマニク
に対する光学系の合焦位置を効率良く設定できる、合焦
方式を提供することを目的とするものである。
、露光装置の位置合わせにおり）で、位置合わせマニク
に対する光学系の合焦位置を効率良く設定できる、合焦
方式を提供することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
この発明は、露光装置において、マスク基板と被露光板
のそれぞれの２箇所に設けられた＃マークおよび＋マー
クの位置を、２箇所に対応して設けられた２組の位置合
わせ光学系を介してリニアイメージセンサにより読み取
り、Ｘ、Ｙ（水平方向）移動機構により被露光板を移動
して、対応する＃マークと＋マークのそれぞれの中心点
を一致させる位置合わせ方式における、位置合わせマー
クの合焦方式である。
のそれぞれの２箇所に設けられた＃マークおよび＋マー
クの位置を、２箇所に対応して設けられた２組の位置合
わせ光学系を介してリニアイメージセンサにより読み取
り、Ｘ、Ｙ（水平方向）移動機構により被露光板を移動
して、対応する＃マークと＋マークのそれぞれの中心点
を一致させる位置合わせ方式における、位置合わせマー
クの合焦方式である。
半導体の製造において逐次行われる表面処理工程の段階
により、＋マークのコントラスト比が低下した被露光板
に対して、リニアイメージセンサにおける＃マークと＋
マークの映像波形が同一の波高値で受光できるように、
光学系の合焦位置を、表面処理工程の段階毎に予め測定
してそれぞれメモリに記憶する。被露光板の位置合わせ
に際して、表面処理工程の段階を指定して、焦点調整機
構により２組の光学系のそれぞれを、記憶されている合
焦位置に調整して各マークに対する波形の波高値を同一
として合焦を行う。
により、＋マークのコントラスト比が低下した被露光板
に対して、リニアイメージセンサにおける＃マークと＋
マークの映像波形が同一の波高値で受光できるように、
光学系の合焦位置を、表面処理工程の段階毎に予め測定
してそれぞれメモリに記憶する。被露光板の位置合わせ
に際して、表面処理工程の段階を指定して、焦点調整機
構により２組の光学系のそれぞれを、記憶されている合
焦位置に調整して各マークに対する波形の波高値を同一
として合焦を行う。
上記における実施Ｒ様として、＃マークと＋マークを構
成するそれぞれ互いに直角方向の照合線に対して、それ
ぞれ直角に設−けられた２ｆｌｌのりニアイメージセン
サについて、複数の位置における各照合線の映像波形の
波高値がそれぞれの位・置で同一となるように焦点調整
し、各合焦位置の平均値を上記メモリに記憶するもので
ある。
成するそれぞれ互いに直角方向の照合線に対して、それ
ぞれ直角に設−けられた２ｆｌｌのりニアイメージセン
サについて、複数の位置における各照合線の映像波形の
波高値がそれぞれの位・置で同一となるように焦点調整
し、各合焦位置の平均値を上記メモリに記憶するもので
ある。
［作用］
この発明による露光装置における位置合おせマークの合
焦方式においては、表面処理工程の段階により＋マーク
のコントラストが低下した被露光板のそれぞれに対して
、位置合わせ光学系の合焦位置を予め測定して、そのデ
ータを段階毎にメモリに記憶しておき、位置合わせに際
してその段階を指定することにより、焦点調整機構によ
り２組の光学系を調整して２箇所のマークに対して合焦
する。
焦方式においては、表面処理工程の段階により＋マーク
のコントラストが低下した被露光板のそれぞれに対して
、位置合わせ光学系の合焦位置を予め測定して、そのデ
ータを段階毎にメモリに記憶しておき、位置合わせに際
してその段階を指定することにより、焦点調整機構によ
り２組の光学系を調整して２箇所のマークに対して合焦
する。
以上の場合の合焦位置として、＃マークと＋マークを構
成する互いに直角方向の照合線に対して、それぞれ直角
に設けられた２個のリニアイメージセンサについて、各
照合線の合焦位置が測定され、その平均値をとることに
より、光学系等の偏りによるアンバランスを消去する。
成する互いに直角方向の照合線に対して、それぞれ直角
に設けられた２個のリニアイメージセンサについて、各
照合線の合焦位置が測定され、その平均値をとることに
より、光学系等の偏りによるアンバランスを消去する。
ただし、上記の２個のリニアイメージセンサに対する合
焦位置が等しいか、または差異が無視できる場合は一方
のデータを、また２箇所のマークに対する合焦位置が等
しいか、または差異が無視できる場合はその一方のデー
タをそれぞれメモリに記憶して、これらにより２個の光
学系を調整して差し支えないことは当然である。
焦位置が等しいか、または差異が無視できる場合は一方
のデータを、また２箇所のマークに対する合焦位置が等
しいか、または差異が無視できる場合はその一方のデー
タをそれぞれメモリに記憶して、これらにより２個の光
学系を調整して差し支えないことは当然である。
［実施例］
第１図Ｃａ）、（ｂ）は、この発明の露光装置における
位置合わせマークの合焦方式において、予め行う被露光
板の合焦位置の測定方法を説明するものである０図（ａ
）はこの発明を適用する露光装置の一部の構造を示すも
ので、マスク基板１は図示しない固定台に固定され、そ
の下方に移動台４が設け−られてこれに被露光板２が載
置されている。移動台４はＸ、Ｙ移動機構４ａ、θ回転
機構４ｂによりそれぞれの方向に被露光板を移動して位
置合わせが行われる。これらに対して、上方に設けられ
た位置合わせ光学系３−１．３−２により投光された光
が、マスク基板と被露光板により反射されて戻り。
位置合わせマークの合焦方式において、予め行う被露光
板の合焦位置の測定方法を説明するものである０図（ａ
）はこの発明を適用する露光装置の一部の構造を示すも
ので、マスク基板１は図示しない固定台に固定され、そ
の下方に移動台４が設け−られてこれに被露光板２が載
置されている。移動台４はＸ、Ｙ移動機構４ａ、θ回転
機構４ｂによりそれぞれの方向に被露光板を移動して位
置合わせが行われる。これらに対して、上方に設けられ
た位置合わせ光学系３−１．３−２により投光された光
が、マスク基板と被露光板により反射されて戻り。
リニアイメージセンサに＃マークと＋マークの映像が受
光される。２組の焦点調整機構３ａ−１ｊａ−２は位置
合わせ光学系３−１．３−２の焦点を調整するものであ
る。
光される。２組の焦点調整機構３ａ−１ｊａ−２は位置
合わせ光学系３−１．３−２の焦点を調整するものであ
る。
第１図（ｂ）はリニアイメージセンサに受光された各マ
ークの照合線を示す。これにより、予め行うマークの波
形の波高値の測定と調整手順を説明する。まずマスク基
板と被露光板を露光装置に載置して、Ｘ、Ｙ移動機構に
よりリニアイメージセンサＣ２における照合線Ｍ１．Ｍ
２．Ｗ１を、図示のようにリニアイメージセンサの中心
０と端部のほぼ中間の位置におき、それぞれの位置信号
ｐ、、ｐ２、Ｐｗを測定し、これに対して焦点調整機構
により光学系を適当な間隔で調整して、図（Ｃ）に示す
ように各位置信号の波高値が同一となる位置とする。こ
の位置が合焦位置である。なお、この場合、リニアイメ
ージセンサは一次元ＣＯＤ （電荷結合素子）によるも
ので、受光址に比例したアナログ電圧を発生して出力す
るので、位置信号の波形およびその波高値が測定できる
ものである。次に、照合線をリニアイメージセンサの中
心Ｏの反対側に移動して合焦位置を求め、さらに他方の
リニアイメージセンサＣ１についても同様の２箇所の合
焦位置を求めて、これら４箇所の平均値をメモリに記憶
する。このような測定を表面処理工程の各段階に対する
被露光板について行う。
ークの照合線を示す。これにより、予め行うマークの波
形の波高値の測定と調整手順を説明する。まずマスク基
板と被露光板を露光装置に載置して、Ｘ、Ｙ移動機構に
よりリニアイメージセンサＣ２における照合線Ｍ１．Ｍ
２．Ｗ１を、図示のようにリニアイメージセンサの中心
０と端部のほぼ中間の位置におき、それぞれの位置信号
ｐ、、ｐ２、Ｐｗを測定し、これに対して焦点調整機構
により光学系を適当な間隔で調整して、図（Ｃ）に示す
ように各位置信号の波高値が同一となる位置とする。こ
の位置が合焦位置である。なお、この場合、リニアイメ
ージセンサは一次元ＣＯＤ （電荷結合素子）によるも
ので、受光址に比例したアナログ電圧を発生して出力す
るので、位置信号の波形およびその波高値が測定できる
ものである。次に、照合線をリニアイメージセンサの中
心Ｏの反対側に移動して合焦位置を求め、さらに他方の
リニアイメージセンサＣ１についても同様の２箇所の合
焦位置を求めて、これら４箇所の平均値をメモリに記憶
する。このような測定を表面処理工程の各段階に対する
被露光板について行う。
第２図は、この発明の露光装置における位置合わせマー
クの合焦方式の実施例のブロック構成図で、第１図（ａ
）で述べたと同様に、固定された諏基板１に対して、移
動台４に被露光板２を位置し、これらに対して位置合わ
せ光学系３−１．３−２が配置されている。予めの測定
においては、各段階の被露光板に対して、信号およびデ
ータ処理部５の指示により、駆動制御回路７、Ｘ、Ｙ移
動機ｆＷ４ａにより位置合わせマークを前記したリニア
イメージセンサの４箇所に順次に移動してマークが合焦
される。信号およびデータ処理部５において、それぞれ
の合焦位置の平均値が計算されて、メモリ６に記憶され
る。この場合、４箇所の合焦位置に差異がないとき、ま
たは差異が無視できるほど微小なときは、いずれか１箇
所の値をメモリに記憶すればよい。
クの合焦方式の実施例のブロック構成図で、第１図（ａ
）で述べたと同様に、固定された諏基板１に対して、移
動台４に被露光板２を位置し、これらに対して位置合わ
せ光学系３−１．３−２が配置されている。予めの測定
においては、各段階の被露光板に対して、信号およびデ
ータ処理部５の指示により、駆動制御回路７、Ｘ、Ｙ移
動機ｆＷ４ａにより位置合わせマークを前記したリニア
イメージセンサの４箇所に順次に移動してマークが合焦
される。信号およびデータ処理部５において、それぞれ
の合焦位置の平均値が計算されて、メモリ６に記憶され
る。この場合、４箇所の合焦位置に差異がないとき、ま
たは差異が無視できるほど微小なときは、いずれか１箇
所の値をメモリに記憶すればよい。
各処理工程の段階に対する露光時の位置合わせにおいて
は、信号およびデータ処理部に対して、繰作キー８によ
りその段階を指定することにより、記憶された合焦位置
が読み出され、焦点調整機構３ａ−１ｊａ−２により２
組の光学系は合焦位置に移動してそれぞれマークの合焦
がなされる。ここで、２箇所のマークに対する合焦位置
が等しいときは、一方のマークに対する測定値を２組の
焦点調整機構に共通に適用することができることは、す
でに説明したところである。
は、信号およびデータ処理部に対して、繰作キー８によ
りその段階を指定することにより、記憶された合焦位置
が読み出され、焦点調整機構３ａ−１ｊａ−２により２
組の光学系は合焦位置に移動してそれぞれマークの合焦
がなされる。ここで、２箇所のマークに対する合焦位置
が等しいときは、一方のマークに対する測定値を２組の
焦点調整機構に共通に適用することができることは、す
でに説明したところである。
［発明の効果］
以上の説明により明らかなように、この発明の露光装置
における位置合わせマークの合焦方式においては、表面
処理工程の各段階における被露光板に対して、位置合わ
せ光学系の適切な合焦位置を予め測定してメモリに記憶
しておき、露光の位置合わせに際しては、工程の段階を
指定するのみで光学系の焦点を正しい合焦位置に設定で
きるもので、従来のようにその都度、合焦作業を行うこ
とが不要となり、露光作業の時間が大幅に短縮される効
果には大きいものがある。
における位置合わせマークの合焦方式においては、表面
処理工程の各段階における被露光板に対して、位置合わ
せ光学系の適切な合焦位置を予め測定してメモリに記憶
しておき、露光の位置合わせに際しては、工程の段階を
指定するのみで光学系の焦点を正しい合焦位置に設定で
きるもので、従来のようにその都度、合焦作業を行うこ
とが不要となり、露光作業の時間が大幅に短縮される効
果には大きいものがある。
第１図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、この発明にかか
る露光装置における位置合わせマークの合焦方式の説明
図、第２図はこの発明にかかる露光装置における位置合
わせマークの合焦方式の実施例のブロック構成図、第３
図（’ａ）、（ｂ）および（Ｃ）はマスク基板と被露光
板に付けられる＃マークと＋マーりの説明図、第４図（
ａ）、（ｂ）は第３図の各図に対する位置合わせの説明
図、第５図は位置合わせ光学系の焦点位置に対するリニ
アイメージセンサにより検出された位置合わせマークの
検出信号の波形図である。 １・・・マスク基板、 １′、１″・・−＃マー
ク、３−・・被露光板 ２’、２″・・・＋マ
ーク、３・・・位置合わせ光学系、３ａ・・・焦点調整
機構、４・・・移動台、 ４ａ・・・Ｘ、Ｙ移
動ｍ構、４ｂ・−θ移動−ｔｌ！構、５・・・信号およ
びデータ処理部、６・・・メモリ、 ７・・
−駆動制御回路、８−・・操作キー。
る露光装置における位置合わせマークの合焦方式の説明
図、第２図はこの発明にかかる露光装置における位置合
わせマークの合焦方式の実施例のブロック構成図、第３
図（’ａ）、（ｂ）および（Ｃ）はマスク基板と被露光
板に付けられる＃マークと＋マーりの説明図、第４図（
ａ）、（ｂ）は第３図の各図に対する位置合わせの説明
図、第５図は位置合わせ光学系の焦点位置に対するリニ
アイメージセンサにより検出された位置合わせマークの
検出信号の波形図である。 １・・・マスク基板、 １′、１″・・−＃マー
ク、３−・・被露光板 ２’、２″・・・＋マ
ーク、３・・・位置合わせ光学系、３ａ・・・焦点調整
機構、４・・・移動台、 ４ａ・・・Ｘ、Ｙ移
動ｍ構、４ｂ・−θ移動−ｔｌ！構、５・・・信号およ
びデータ処理部、６・・・メモリ、 ７・・
−駆動制御回路、８−・・操作キー。
Claims (2)
- （１）マスク基板と被露光板のそれぞれの２箇所に設け
られた＃マークおよび＋マークの位置を、該２箇所に対
応して設けられた２組の位置合わせ光学系を介してリニ
アイメージセンサにより読み取り、Ｘ、Ｙ（水平方向）
移動機構により上記被露光板を移動して、対応する上記
＃マークと＋マークのそれぞれの中心点を一致させて位
置合わせする露光装置の位置合わせにおいて、逐次行わ
れる表面処理工程の段階により上記＋マークのコントラ
スト比が漸次低下した上記被露光板に対して、上記リニ
アイメージセンサにおける上記＃マークと＋マークの映
像波形が同一の波高値で受光できる上記光学系の合焦位
置を、上記表面処理工程の段階毎に予め測定してそれぞ
れメモリに記憶し、被露光板の位置合わせに際して、上
記被露光板の表面処理工程の段階を指定して、焦点調整
機構により上記２組の位置合わせ光学系のそれぞれを、
該記憶された合焦位置に移動して各マークを合焦するこ
とを特徴とする、露光装置における位置合わせマークの
合焦方式。 - （２）上記において、＃マークおよび＋マークを構成す
るそれぞれ互いに直角方向の照合線に対して、それぞれ
直角方向に設けられた２個のリニアイメージセンサにつ
いて、複数の位置における該照合線の映像波形の波高値
がそれぞれの位置で同一となる焦点調整機構の合焦位置
を測定し、各合焦位置の平均値を上記メモリに記憶する
、請求項１記載の露光装置における位置合わせマークの
合焦方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008977A JPH01183816A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 露光装置における位置合わせマークの合焦方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008977A JPH01183816A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 露光装置における位置合わせマークの合焦方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183816A true JPH01183816A (ja) | 1989-07-21 |
Family
ID=11707748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63008977A Expired - Lifetime JPH01183816A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 露光装置における位置合わせマークの合焦方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183816A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825476A2 (en) * | 1996-08-21 | 1998-02-25 | Sony Corporation | Liquid crystal display panel manufacturing method and aligning apparatus |
| JP2007512694A (ja) * | 2003-11-28 | 2007-05-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスク位置調節装置における直接的アライメント |
| JP2015109390A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63008977A patent/JPH01183816A/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825476A2 (en) * | 1996-08-21 | 1998-02-25 | Sony Corporation | Liquid crystal display panel manufacturing method and aligning apparatus |
| EP0825476A3 (en) * | 1996-08-21 | 1999-08-18 | Sony Corporation | Liquid crystal display panel manufacturing method and aligning apparatus |
| JP2007512694A (ja) * | 2003-11-28 | 2007-05-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスク位置調節装置における直接的アライメント |
| JP2015109390A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
| US9939741B2 (en) | 2013-12-05 | 2018-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithography apparatus, and method of manufacturing article |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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