JP2007048818A - 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光学系の大型化及び検出光の光量の損失を抑制することができる面位置検出装置を提供する。
【解決手段】 被検面A上に斜め方向から検出光を投射する送光光学系SLと、前記被検面Aで反射された前記検出光を受光する受光光学系RLと、該受光光学系RLを介した前記検出光を検出する検出器38とを備え、該検出器38の出力に基づいて前記被検面Aの面位置を検出する面位置検出装置2において、前記送光光学系SLは拡大倍率を有し、前記受光光学系RLは縮小倍率を有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 被検面A上に斜め方向から検出光を投射する送光光学系SLと、前記被検面Aで反射された前記検出光を受光する受光光学系RLと、該受光光学系RLを介した前記検出光を検出する検出器38とを備え、該検出器38の出力に基づいて前記被検面Aの面位置を検出する面位置検出装置2において、前記送光光学系SLは拡大倍率を有し、前記受光光学系RLは縮小倍率を有する。
【選択図】 図1
Description
この発明は、半導体素子や液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程で用いられる面位置検出装置、該面位置検出装置を備えた露光装置及び該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法に関するものである。
マスク上に形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する投影露光装置においては、投影光学系の焦点深度が比較的浅く、かつ、基板面が平坦でない場合もあるため、基板上の露光領域における投影光学系に対するフォーカス位置の調整を正確に行なう必要がある。
投影光学系の光軸方向における基板位置の検出装置としては、例えば、被検面としての基板に対して斜め方向からスリットの像を投影し、このスリットの像を斜め方向から検出する斜入射型オートフォーカスセンサ(面位置検出装置)が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に記載されている面位置検出装置は、被検面に対して斜め方向から検出光を投射する投射光学系(送光光学系)及び被検面で反射された検出光を受光する集光光学系(受光光学系)が等倍率を有するように構成されている。
ところで、送光光学系及び受光光学系が等倍率を有している場合、面位置検出装置の検出領域が大きく(長く)なるに従い、送光光学系及び受光光学系を構成する光学部材であって、基板面(被検面)と共役な位置に配置される屈折光学部材が大きくなりすぎるという問題があった。
また、検出光の光量の損失を少なくし、且つ基板面の下地の影響を少なくするめには、屈折光学部材から射出する検出光の射出角は小さいほうがよく、基板面で反射される検出光の入射角は大きいほうがよい。しかしながら、送光光学系及び受光光学系が等倍率を有している場合、この屈折光学部材の射出面に対する検出光の射出角と基板面に対する検出光の入射角とを等しくする必要があるため、検出光の光量の損失が多かった。
この発明の課題は、光学部材の大型化及び検出光の光量の損失を抑制することができる面位置検出装置、該面位置検出装置を備えた露光装置及び該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法を提供することである。
この発明の面位置検出装置は、被検面上に斜め方向から検出光を投射する送光光学系と、前記被検面で反射された前記検出光を受光する受光光学系と、該受光光学系を介した前記検出光を検出する検出器とを備え、該検出器の出力に基づいて前記被検面の面位置を検出する面位置検出装置において、前記送光光学系は拡大倍率を有し、前記受光光学系は縮小倍率を有することを特徴とする。
この発明の面位置検出装置によれば、送光光学系が拡大倍率を有し、受光光学系が縮小倍率を有しているため、送光光学系及び受光光学系を構成する光学部材であって、被検面と共役な位置に配置されている屈折光学部材の大型化を防止することができ、装置本体をコンパクトにすることができる。また、前記屈折光学部材から検出光が射出する射出角を、検出光が被検面に入射する入射角より小さくすることができるため、検出光の光量の損失を抑制することができる。
また、この発明の露光装置は、所定のパターンを感光性基板上に露光する露光装置において、この発明の前記感光性基板の面位置を検出するための面位置検出装置を備えることを特徴とする。
この発明の露光装置によれば、検出光の光量の損失を抑制することができるコンパクトな面位置検出装置により感光性基板の面位置を良好に検出することができる。したがって、感光性基板上に所定のパターンを精度良く露光することができる。
また、この発明のマイクロデバイスの製造方法は、この発明の露光装置を用いて所定のパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。
この発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、この発明の露光装置を用いて露光するため、感光性基板上に所定のパターンを精度良く露光することができ、良好なマイクロデバイスを得ることができる。
この発明の面位置検出装置によれば、送光光学系が拡大倍率を有し、受光光学系が縮小倍率を有しているため、送光光学系及び受光光学系を構成する光学部材であって、被検面と共役な位置に配置されている屈折光学部材の大型化を防止することができ、装置本体をコンパクトにすることができる。また、前記屈折光学部材から検出光が射出する射出角を、検出光が被検面に入射する入射角より小さくすることができるため、検出光の光量の損失を抑制することができる。
また、この発明の露光装置によれば、検出光の光量の損失を抑制することができるコンパクトな面位置検出装置により感光性基板の面位置を良好に検出することができる。したがって、感光性基板上に所定のパターンを精度良く露光することができる。
また、この発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、この発明の露光装置を用いて露光するため、感光性基板上に所定のパターンを精度良く露光することができ、良好なマイクロデバイスを得ることができる。
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる投影露光装置について説明する。図1は、この発明の実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図である。以下の説明においては、図1中に示すXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がウエハWに対して平行となるよう設定され、Z軸がウエハWに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。
図1に示すように、光源を含む照明光学系ILから射出された露光光は、折り曲げミラーMにより反射され、レチクルステージRSTに載置されているレチクルRを照明する。レチクルステージRSTの位置は、図示しないレチクルステージ干渉計によって計測され且つ位置制御されている。レチクルRに形成されている露光パターンを通過した露光光は、投影光学系PLを介して、ウエハステージWSTに載置されているウエハW上に、レチクルRのパターン像を投影する。このウエハWを載置しているウエハステージWSTは、ウエハWを投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面(XY平面)内で平行移動、微小回転可能に構成されており、かつ光軸AXに沿ったフォーカシング方向(Z方向)へ移動可能に構成されている。また、ウエハステージWSTの位置は、図示しないウエハステージ干渉計によって計測され且つ位置制御されている。
この投影露光装置は、面位置検出装置2を備えている。この面位置検出装置2は、投影光学系PLによる結像面に対する焦点深度の幅内にウエハWの露光領域を収めるために、投影光学系PLの光軸方向(Z方向)におけるウエハWの検出領域Aの位置を検出する。
面位置検出装置2を構成する光源(図示せず)から射出した検出光は、コリメートレンズ等(図示せず)を介して、ライトガイドファイバ10の入射端(図示せず)に入射する。ライトガイドファイバ10の内部を伝播した検出光は、図1に示すように、ライトガイドファイバ10の射出端10aから射出し、コンデンサレンズ11を通過して、送光スリットプリズム12に入射する。
図2は、送光スリットプリズム12の射出面12aの構成を示す図である。図2に示すように、射出面12aには、複数の送光スリットS1〜S10が配列されている。ここで、射出面12aに形成されている複数の送光スリットS1〜S10は、送光光学系SLの光軸を後述するウエハ(被検面)Wの検出領域A上に投影した場合に、投影された光軸の軸線方向に沿った長手方向を有する検出領域Aに複数の送光スリットS1〜S10の像が拡大されて投影されるように配列されている。
送光スリットプリズム12は、後述する送光光学系SLが拡大倍率を有しているため、その射出面12aに形成される送光スリットS1〜S10を含むスリット形状を小さくすることができ、その大きさを小さくすることができる。図3は、従来の等倍率を有する送光光学系SL´を用いた場合における送光スリットプリズム12´の構成を示す図である。また、図4は、この実施の形態にかかる送光スリットプリズム12の構成を示す図である。図3に示す送光スリットプリズム12´は、検出領域Aが細長形状になると、その射出面に形成されるスリット形状を同一の大きさにする必要があるため、巨大化する。これに対し、送光スリットプリズム12の大きさは、図4に示すように、送光スリットプリズム12´の大きさと比較して小型化することができる。
射出面12aの複数のスリットを通過した検出光は、送光スリットプリズム12から、射出面12aに対する射出角が84度より小さい角度、即ち、射出面12aと射出面12aから射出する検出光とが成す角度θo(図4参照)が6度より大きい角度で射出する。ここで、図3に示すような等倍率を有する送光光学系SL´を用いた場合においては、送光スリットプリズム12´の射出面と射出面から射出する検出光との成す角度θo´と、検出領域Aと検出領域Aに入射する検出光との成す角度θi´とを等しくする必要がある。よって、θi´を6度としたときθo´は6度となり、送光スリットプリズム12´の射出面から射出する射出角が大きくなるため、検出光の光量の損失が大きかった。
これに対し、この実施の形態にかかる送光光学系SLは拡大倍率を有しているため、図4に示すように、送光スリットプリズム12の射出面12aと射出面12aから射出する検出光とが成す角度θoは、検出領域Aと検出領域Aに入射する検出光との成す角度θiより大きくなる。よって、θiを6度としたときθoは6度より大きくなり、射出面12aから射出する射出角が小さくなるため、検出光の光量の損失を抑制することができる。
送光スリットプリズム12から射出した検出光は、送光光学系SLに入射する。この実施の形態では、送光光学系SLは1.2倍以上の拡大倍率を有している。検出光は、送光光学系SLを構成する電動位置ハービング16を通過する。電動位置ハービング16は、平行平面板の形態を有し送光光学系SLの光軸に垂直な相互に直交する2方向に傾斜可能に構成されている。電動位置ハービング16の送光光学系SLの光軸に対する傾斜角度を変更し、検出光を送光光学系SLの光軸と平行に移動させることにより、電動位置ハービング16から射出する検出光の射出位置の調整を行うことができる。これにより、検出光がウエハW上の検出領域Aに入射する際の入射位置の調整を行うことができる。なお、電動位置ハービング16は、送光光学系SLからウエハWへ向かう検出光がウエハW上でZ方向へ移動する方向(計測方向)のみに移動可能となるように、送光光学系SLの光軸に垂直な1方向に傾斜可能に構成されていてもよい。
電動位置ハービング16を通過した検出光は、第2対物レンズ17、送光光学系SLの光軸に対して傾斜可能に構成されている電動チルトハービング18を通過する。なお、電動チルトハービング18も電動位置ハービング16と同様に、平行平面板の形態を有し送光光学系SLの光軸に垂直な相互に直交する2方向に傾斜可能に構成されている。電動チルトハービング18の送光光学系SLの光軸に対する傾斜角度を変更することにより、電動チルトハービング18から射出する検出光の射出位置の調整を行うことができる。これにより、検出光がウエハW上の検出領域Aに入射する際の入射角度の調整を行なうことができる。なお、電動チルトハービング18は、送光光学系SLからウエハWへ向かう検出光がウエハW上でZ方向へ移動する方向(計測方向)と送光光学系SLの光軸とを含む面内のみで移動可能となるように、送光光学系SLの光軸に垂直な1方向に傾斜可能に構成されていてもよい。
この実施の形態においては、面位置検出装置2のウエハW上の検出領域Aが細長形状を有しているため、ウエハW面が傾いた場合、検出領域A内の位置によって面位置検出装置2の検出可能な範囲を外れる。即ち、ウエハW面の傾斜量により、スリットS5,S6(図2参照)を通過した検出光が到達する細長形状の検出領域A内の中心部については検出可能な範囲にあるが、スリットS1やS10を通過した検出光が到達する検出領域Aの長手方向の両端部については検出可能な範囲を外れる場合がある。したがって、ウエハW面の傾斜量に応じて電動チルトハービング18を電動駆動させることにより、ウエハW面が傾斜した場合においても検出領域Aが検出可能な範囲内に収まるように、検出光が検出領域Aに入射する入射角度の調整を行なう。
電動チルトハービング18を通過した検出光は、駆動可能に構成されている振動ミラー21により反射される。振動ミラー21は、後述する第1対物レンズ23の焦点面に位置するように配置されている。検出光が振動ミラー21により反射されることにより、送光光学系SLの光軸がウエハWに近い方向へ折り曲げられる。
次に、振動ミラー21により反射された検出光は、第1対物レンズ23を通過して、菱形断面を有する四角柱状の菱形プリズム24に入射する。菱形プリズム24の入射面を透過した検出光は、互いに平行な一対の反射面で順次反射され、入射面に平行な射出面から射出する。菱形プリズム24の反射面は、全反射面であってもよいし、その反射面の裏面に例えば銀などの金属コートを設けたものであってもよい。菱形プリズム24を通過することにより送光光学系SLを通過した検出光は、ウエハW上の検出領域Aに斜め方向から入射する。この実施の形態においては、検出領域Aに対する入射角は84度である。
検出領域Aは、送光光学系SLの光軸をウエハW面上に投影した軸線方向に沿った長手方向を有している。検出領域A上においては、所定のピッチで複数の検出点が配列されている。送光スリットプリズム12の射出面12aを通過した検出光が検出領域Aを照射することにより複数の検出点のそれぞれに送光スリットS1〜S10の形状を有する光照射領域が形成される。図5は、射出面12aの10個の送光スリットS1〜S10を通過した検出光が検出領域Aを照射することにより複数の検出点のそれぞれに形成されるスリット像(スリット形状の光照射領域)T1〜T10を示す図である。
検出領域Aにより反射された検出光は、受光光学系RLに入射する。この実施の形態では、受光光学系RLは1/1.2倍以下の縮小倍率を有している。検出光は、受光光学系RLを構成する菱形プリズム25に入射する。菱形プリズム25は、菱形プリズム24と同様に、菱形断面を有する四角柱状のプリズムである。従って、菱形プリズム25の入射面を通過した検出光は、互いに平行な一対の反射面で順次反射された後、入射面に平行な射出面を通過し、菱形プリズム25から射出する。なお、菱形プリズム25の反射面は、全反射面であってもよいし、その反射面の裏面に例えば銀などの金属コートを設けたものであってもよい。
菱形プリズム25から射出した検出光は、第1対物レンズ26を通過して、ミラー27により反射される。ミラー27により反射された検出光は、受光光学系RLの光軸に対して傾斜可能に構成されている電動チルトハービング30に入射する。なお、電動チルトハービング30も電動チルトハービング18と同様に、平行平面板の形態を有し受光光学系RLの光軸に垂直な相互に直交する2方向に傾斜可能に構成されている。電動チルトハービング30の受光光学系RLの光軸に対する傾斜角度を変更することにより、電動チルトハービング30から射出する検出光の射出位置の調整を行うことができる。これにより、検出光が後述する受光スリットプリズム35に入射する際の入射角度の調整を行うことができる。なお、電動チルトハービング30は、受光光学系RLから受光スリットプリズム35へ向かう検出光の角度がXZ平面内で調整可能となるように、受光光学系RLの光軸に垂直な1方向に傾斜可能に構成されていてもよい。
次に、検出光は、第2対物レンズ31、受光光学系RLの光軸に対して傾斜可能に構成されている電動位置ハービング33を通過する。なお、電動位置ハービング33も電動位置ハービング16と同様に、平行平面板の形態を有し、受光光学系RLの光軸に垂直な相互に直交する2方向に傾斜可能に構成されている。電動位置ハービング33の受光光学系RLの光軸に対する傾斜角度を変更することにより、電動位置ハービング33から射出する検出光の射出位置の調整を行うことができる。これにより、検出光が受光スリットプリズム35に入射する際の入射位置の調整を行うことができる。なお、電動位置ハービング33は、受光光学系RLから受光スリットプリズム35へ向かう検出光が計測方向に対応する方向のみに移動可能となるように、受光光学系RLの光軸に垂直な1方向に傾斜可能に構成されていてもよい。
電動位置ハービング33を通過することにより受光光学系RLを通過した検出光は、受光スリットプリズム35に、受光スリットプリズム35の入射面35aに対する入射角が84度より小さい角度、即ち、入射面35aと入射面35aに入射する検出光とが成す角度が6度より大きい角度で入射する。ここで、従来の等倍率を有する受光光学系を用いた場合においては、従来の受光スリットプリズムの入射面と入射面に入射する検出光との成す角度と、検出領域Aと検出領域Aに入射する(検出領域Aにより反射される)検出光との成す角度とが等しかった。よって、受光スリットプリズムの入射面に入射する入射角が大きくなるため、検出光の光量の損失が大きかった。
これに対し、この実施の形態にかかる受光光学系RLは縮小倍率を有しているため、受光スリットプリズム35の入射面35aと入射面35aに入射する検出光とが成す角度は、検出領域Aと検出領域Aに入射する(検出領域Aにより反射される)検出光との成す角度より大きくなる。よって、入射面35aに入射する入射角が小さくなるため、検出光の光量の損失を抑制することができる。
受光スリットプリズム35の入射面35aには、図2に示す送光スリットプリズム12の射出面12aに形成されている10個の送光スリットS1〜S10に対応する10個のスリット形状の開口部(受光スリット)が形成されている。
また、受光スリットプリズム35は、受光光学系RLが縮小倍率を有しているため、その入射面35aに形成される10個の受光スリットを含むスリット形状を小さくすることができ、その大きさを小さくすることができる。即ち、従来の受光スリットプリズムは、受光光学系が等倍率を有していたため、検出領域Aが細長形状になると、その入射面に形成されるスリット形状を同一の大きさにする必要があり、巨大化していた。これに対し、受光スリットプリズム35の大きさは、従来の受光スリットプリズムの大きさと比較して小型化することができる。
受光スリットプリズム35の入射面35a上に形成されている10個の受光スリットを通過した検出光は、リレーレンズ36を通過して受光センサ(検出器)38に入射する。図6は、受光センサ38の受光面を示す図である。図6に示すように、受光センサ38の受光面には図5に示すスリット像T1〜T10のそれぞれに対応して受光素子RS1〜RS10が配置されており、各受光素子RS1〜RS10は各スリット像T1〜T10が形成された検出領域A上の各検出点により反射されて受光スリットを通過した検出光を受光する。受光センサ38の10個の受光素子RS1〜RS10からの検出信号強度は、振動ミラー21の振動に伴って変化し、図示しない制御部に対して出力される。
制御部は、振動ミラー21の振動周期と同一の位相の交流信号の位相を基準として各受光スリットを通過した検出光の検出信号強度の同期検波を行っている。制御部は、この同期検波の結果に基づいてウエハステージWSTのZ方向における補正量を算出し、算出結果に基づいてウエハステージWSTをベストフォーカス位置となるように駆動する。
ところで、送光光学系SL及び受光光学系RLの取付け精度や装置の設置環境の変化等の様々な要因により、ウエハW面が理想的な状態(ベストフォーカス位置)にある場合にも、スリット像の形成される位置が基準となる設計位置からずれて、スリット像が形成されるべき位置と実際のスリット像が形成される位置とがずれる検出位置のずれが生じることがある。そこで、この面位置検出装置2においては、ウエハW面の面位置を検出するのに先立って、送光光学系SL及び受光光学系RLによる検出位置のずれを小さくするために、予めウエハステージWST上に設けられている基準板S(図1参照)及び基準板S´(図1においては図示せず)を用いて、スリット像が形成される位置の検出を行なう。
図7は、基準板Sの構成を示す図である。図7に示すように、基準板Sは、異なる反射率を有する2つの領域Sa及びSbを有している。この実施の形態においては、領域Saの反射率は50%、領域Sbの反射率は80%である。制御部は、面位置検出装置2が基準板Sの面位置を検出できる位置まで、ウエハステージWSTを移動する。そして、送光光学系SLから射出される検出光を基準板Sに対して送光し、基準板Sにより反射された検出光を受光光学系RLの受光センサ38により受光する。受光センサ38は受光素子RS1〜RS10から出力された検出信号強度を制御部に対して出力する。制御部は、受光センサ38から出力された検出信号強度に基づいて、ウエハW面上の各検出点におけるX方向の位置ずれ量を計測する。
例えば、スリットS1(図2参照)を通過した検出光が形成するスリット像T1(図5参照)が、図8に示す基準板Sの中心部に形成される位置までウエハステージWSTを移動した場合について説明する。検出位置のずれが生じていない場合、領域Saに入射する検出光の光量Iaと領域Sbに入射する検出光の光量Ibとは等しくなる。したがって、受光素子RS1は、光量Ia×50%+光量Ib×80%の光量を有する検出光を受光する。例えば、基準板Sに入射する検出光の光量が100のとき、光量IaとIbは50となり、65の光量を有する検出光を受光する。受光センサ38は受光素子RS1から出力された検出光の検出信号強度を制御部に対して出力する。制御部は、受光センサ38から出力された検出信号強度に基づいて、ウエハW面上のスリット像T1に対応する検出点における位置ずれが生じていないと判別する。
図9に示すような検出位置のずれが生じている場合、領域Saに入射する検出光の光量Iaは0となる。したがって、受光素子RS1は、領域Sbに入射する検出光の光量Ib×80%の光量を有する検出光を受光する。例えば、基準板Sに入射する検出光の光量が100のとき、光量Iaは0、光量Ibは100となり、80の光量を有する検出光を受光する。受光センサ38は受光素子RS1から出力された検出光の検出信号強度を制御部に対して出力する。制御部は、受光センサ38から出力された検出信号強度に基づいて、ウエハW面上のスリット像T1に対応する検出点における位置ずれが生じていると判別する。即ち、位置ずれが生じていない場合に検出される検出光の光量より検出された検出光の光量が多いことから、+X方向に位置ずれが生じていると判別する。
図10に示すような検出位置のずれが生じている場合、領域Sbに入射する検出光の光量Ibは0となる。したがって、受光素子RS1は、領域Saに入射する検出光の光量Ia×50%の光量を有する検出光を受光する。例えば、基準板Sに入射する検出光の光量が100のとき、光量Iaは100、光量Ibは0となり、50の光量を有する検出光を受光する。受光センサ38は受光素子RS1から出力された検出光の検出信号強度を制御部に対して出力する。制御部は、受光センサ38から出力された検出信号強度に基づいて、ウエハW面上のスリット像T1に対応する検出点における位置ずれが生じていると判別する。即ち、位置ずれが生じていない場合に検出される検出光の光量より検出された検出光の光量が少ないことから、−X方向に位置ずれが生じていると判別する。
なお、他のスリットS2〜S10(図2参照)を通過した検出光が形成するスリット像T2〜T10(図5参照)が基準板Sの中心部に形成される位置までウエハステージWSTを移動させ、受光素子RS2〜RS10により検出光を受光することにより、ウエハW面上のスリット像T2〜T10に対応する検出点における位置ずれ量も計測することができる。
図11は、基準板S´の構成を示す図である。図11に示すように、基準板S´は、基準板Sと同様の形状を有しており、異なる反射率を有する2つの領域Sa´及びSb´を有している。この実施の形態においては、領域Sa´の反射率は50%、領域Sb´の反射率は80%である。制御部は、面位置検出装置2に対して基準板Sの面位置を検出するのと同様に、基準板S´の面位置を検出するよう制御信号を出力する。制御部は、受光センサ38から出力された検出信号強度に基づいて、ウエハW面上の各検出点におけるY方向の位置ずれ量を計測する。Y方向における位置ずれ量の具体的な計測方法は、X方向における位置ずれ量の計測方法と同一であるため詳細な説明を省略する。
この実施の形態にかかる面位置検出装置によれば、送光光学系が拡大倍率を有し、受光光学系が縮小倍率を有しているため、送光スリットプリズム及び受光スリットプリズムの大型化を防止することができ、装置本体をコンパクトにすることができる。また、送光スリットプリズムから検出光が射出する射出角及び受光スリットプリズムに検出光が入射する入射角を、ウエハ面に検出光が入射する入射角より小さくすることができるため、検出光の光量の損失を抑制することができる。さらに、検出光のウエハ面への入射角を大きくすることにより、基板上の感光材料表面での反射光量を基板の下地による反射光量よりも十分に大きくして検出精度の向上を図った場合でも、検出光の光量の損失を抑制することができる。
また、この実施の形態にかかる露光装置によれば、検出光の光量の損失を抑制することができるコンパクトな面位置検出装置によりウエハの面位置を良好に検出することができる。したがって、ウエハ上にレチクルのパターンを精度良く露光することができる。
なお、この実施の形態においては、ウエハ(被検面)に対する入射角が84度、送光光学系が1.2倍以上の拡大倍率を有する場合の例を示しているが、ウエハに対する入射角が85度以下、送光光学系が1.2倍以上の拡大倍率を有するようにしてもよい。また、送光光学系がウエハに対する入射角が85度より大きく86度以下のとき1.5倍以上の拡大倍率を有するようにしてもよい。また、送光光学系がウエハに対する入射角が85度より大きく86度以下のとき2.0倍以上の拡大倍率を有するようにしてもよい。これらの場合においては、送光スリットプリズムの射出面と射出面に入射する検出光とが成す角度を6度より大きい角度で射出させることができ、検出光の光量の損失を抑制することができる。
また、この実施の形態においては、ウエハ(被検面)に対する入射角が84度、受光光学系が1/1.2倍の縮小倍率を有する場合の例を示しているが、ウエハに対する入射角が85度以下、受光光学系が1/1.2倍以上の縮小倍率を有するようにしてもよい。また、受光光学系がウエハに対する入射角が85度より大きく86度以下のとき1/1.5倍以下の縮小倍率を有するようにしてもよい。また、受光光学系がウエハに対する入射角が85度より大きく86度以下のとき0.5倍以下の縮小倍率を有するようにしてもよい。これらの場合においては、受光スリットプリズム入射面と入射面に入射する検出光とが成す角度を6度より大きい角度で入射させることができ、検出光の光量の損失を抑制することができる。
上述の実施の形態にかかる露光装置では、照明光学系ILによってマスクMを照明し(照明工程)、投影光学系PLを用いてマスクMに形成された転写用のパターンを感光性基板(ウエハ)Wに露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてもウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図12のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図12のステップS301において、1ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップS302において、その1ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、上述の実施の形態にかかる露光装置に備えられている面位置検出装置によりウエハ表面の面位置を検出し、面位置の調整が行われる。次に、ステップS303において、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて、レチクル(マスク)上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップS304において、その1ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップS305において、その1ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、面位置検出装置により正確にウエハ等の面位置が調整された露光装置を用いて露光を行なっているため、良好な半導体デバイスを得ることができる。なお、ステップS301〜ステップS305では、ウエハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウエハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
また、上述の実施の形態にかかる露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図13のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。まず、上述の実施の形態にかかる露光装置に備えられている面位置検出装置によりプレート表面の面位置を検出し、調整する。次に、図13において、パターン形成工程S401では、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S402へ移行する。
次に、カラーフィルタ形成工程S402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程S402の後に、セル組み立て工程S403が実行される。セル組み立て工程S403では、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て工程S403では、例えば、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
その後、モジュール組み立て工程S404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、面位置検出装置により正確にプレート等の面位置が調整された露光装置を用いて露光しているため、良好な液晶表示素子を得ることができる。
IL…照明光学系、PL…投影光学系、R…レチクル、W…ウエハ、RST…レチクルステージ、WST…ウエハステージ、2…面位置検出装置、SL…送光光学系、RL…受光光学系、12…送光スリットプリズム、16,33…電動位置ハービング,23,26…第1対物レンズ、17,31…第2対物レンズ、18,30…電動チルトハービング、21…振動ミラー、24,25…菱形プリズム、35…受光スリットプリズム、38…受光センサ。
Claims (5)
- 被検面上に斜め方向から検出光を投射する送光光学系と、前記被検面で反射された前記検出光を受光する受光光学系と、該受光光学系を介した前記検出光を検出する検出器とを備え、該検出器の出力に基づいて前記被検面の面位置を検出する面位置検出装置において、
前記送光光学系は拡大倍率を有し、
前記受光光学系は縮小倍率を有することを特徴とする面位置検出装置。 - 前記送光光学系は、
前記被検面に対する入射角が85度以下のとき1.2倍以上の拡大倍率を有し、
前記被検面に対する入射角が85度より大きく86度以下のとき1.5倍以上の拡大倍率を有し、
前記被検面に対する入射角が86度より大きく87度以下のとき2.0内以上の拡大倍率を有し、
前記受光光学系は、
前記被検面に対する入射角が85度以下のとき1/1.2倍以下の縮小倍率を有し、
前記被検面に対する入射角が85度より大きく86度以下のとき1/1.5倍以下の縮小倍率を有し、
前記被検面に対する入射角が86度より大きく87度以下のとき0.5倍以下の縮小倍率を有することを特徴とする請求項1記載の面位置検出装置。 - 前記面位置検出装置の前記被検面上の検出領域は、前記送光光学系の光軸を前記被検面上に投影した軸線方向に沿った長手方向を有することを特徴とする請求項1または請求項2記載の面位置検出装置。
- 所定のパターンを感光性基板上に露光する露光装置において、
前記感光性基板の面位置を検出するための請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の面位置検出装置を備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項4記載の露光装置を用いて所定のパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005229432A JP2007048818A (ja) | 2005-08-08 | 2005-08-08 | 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2007048818A true JP2007048818A (ja) | 2007-02-22 |
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ID=37851421
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2007048818A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8947632B2 (en) | 2009-12-23 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate |
-
2005
- 2005-08-08 JP JP2005229432A patent/JP2007048818A/ja active Pending
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US8947632B2 (en) | 2009-12-23 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate |
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