JPS6251144A - 質量分析計 - Google Patents
質量分析計Info
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- JPS6251144A JPS6251144A JP60190377A JP19037785A JPS6251144A JP S6251144 A JPS6251144 A JP S6251144A JP 60190377 A JP60190377 A JP 60190377A JP 19037785 A JP19037785 A JP 19037785A JP S6251144 A JPS6251144 A JP S6251144A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/04—Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
- H01J49/0409—Sample holders or containers
- H01J49/0413—Sample holders or containers for automated handling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/14—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers
- H01J49/142—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers using a solid target which is not previously vapourised
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/90—Plate chromatography, e.g. thin layer or paper chromatography
- G01N30/95—Detectors specially adapted therefor; Signal analysis
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- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は質量分析計に係り、特に溝層クロマトプレート
上に展開した試料を二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）す
るのに好適な質量分析計に関する。
上に展開した試料を二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）す
るのに好適な質量分析計に関する。
（発明の背景〕
近年例えば日本質量分析学会連合討論会（昭和６０年度
）予講集（Ｐ ｌ ４８〜Ｐ１５１）に示される如く薄
層クロマト（Ｔ Ｌ Ｃ）プレート上に展開した試料を
二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）法で分析するＴＬＣ／
Ｓ ＩＭＳが行なわれるようになった。この薄層クロマ
トプレート上にはグロセロール等のマトリックスを塗布
されており、このコーディングされた薄層クロマトプレ
ートを混合物の入った液に先端を入れる。すると液が時
間がたつと上昇してきて混合物が分離してくる。この分
離された物質を二次イオン質量分析計によって分質する
訳である。この薄層クロマトプレート上に展開した試料
を二次イオン質量分析法で分析する時間題となるのは、
連続的にクロマトプレート上に展開された試料を測定す
る場合、同じ時間でプレートを移動していくため目的の
試料以外の所に一次イオンビームを当てている時間が長
くなり、この一次イオンビームによって目的の試料以外
の所のコーディング材によって生じる二次イオンがイオ
ン源の汚れ等、悪影響を及ぼす事である。
）予講集（Ｐ ｌ ４８〜Ｐ１５１）に示される如く薄
層クロマト（Ｔ Ｌ Ｃ）プレート上に展開した試料を
二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）法で分析するＴＬＣ／
Ｓ ＩＭＳが行なわれるようになった。この薄層クロマ
トプレート上にはグロセロール等のマトリックスを塗布
されており、このコーディングされた薄層クロマトプレ
ートを混合物の入った液に先端を入れる。すると液が時
間がたつと上昇してきて混合物が分離してくる。この分
離された物質を二次イオン質量分析計によって分質する
訳である。この薄層クロマトプレート上に展開した試料
を二次イオン質量分析法で分析する時間題となるのは、
連続的にクロマトプレート上に展開された試料を測定す
る場合、同じ時間でプレートを移動していくため目的の
試料以外の所に一次イオンビームを当てている時間が長
くなり、この一次イオンビームによって目的の試料以外
の所のコーディング材によって生じる二次イオンがイオ
ン源の汚れ等、悪影響を及ぼす事である。
本発明の目的は、ＴＬＣ／Ｓ ＩＭＳの測定に関し、展
開された試料位置のみでイオン化を行い。
開された試料位置のみでイオン化を行い。
試料以外のマトリックス等から放出されるイオンによる
イオン源の汚れを防止することのできる質量分析計に関
する。
イオン源の汚れを防止することのできる質量分析計に関
する。
本発明は、展開試料のある部分のみ一次イオンビームを
照射し、試料位置以外では一次イオンビームを遮断させ
ることによりＴＬＣ／Ｓ ＩＭＳの測定に関し、展開さ
れた試料位置のみでイオン化を行い試料以外のマトリッ
クス等から放出されるイオンによるイオン源の汚れを防
止しようというものである。
照射し、試料位置以外では一次イオンビームを遮断させ
ることによりＴＬＣ／Ｓ ＩＭＳの測定に関し、展開さ
れた試料位置のみでイオン化を行い試料以外のマトリッ
クス等から放出されるイオンによるイオン源の汚れを防
止しようというものである。
〔発明の実施例〕
以下１本発明の実施例について説明する。
第１図には本発明の一実施例が示されている。
マトリックスを用いた二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ
）が発展し、最近では薄層クロマトプレート（ＴＬＣ）
上で展開（分離）シた試料をそのまま質量分析するＴＬ
Ｃ／Ｓ ＩＭＳが行なわれるようになって来ている。本
実施例はこのような薄層クロマトプレート（ＴＬＣ）上
に分離した試料をそのまま質量分析するものである。
）が発展し、最近では薄層クロマトプレート（ＴＬＣ）
上で展開（分離）シた試料をそのまま質量分析するＴＬ
Ｃ／Ｓ ＩＭＳが行なわれるようになって来ている。本
実施例はこのような薄層クロマトプレート（ＴＬＣ）上
に分離した試料をそのまま質量分析するものである。
図において、試料保持体２上には、分析目的であるター
ゲット１が形成されている。このターゲット１の形成さ
れた試料保持体２は移送機構３で適宜スライドできるよ
うに構成されている。このターゲット１には、イオンビ
ームが照射できるように構成されている。すなわち、タ
ーゲット１にイオンビームを照射するための一次イオン
源４が設けられており、この一次イオン源４には一次イ
オン電源１２が接続されている。この一次イオン源４よ
り出射された一次イオンビームがターゲット１に照射さ
れて発する二次イオンを取り込む質量分析装置のレンズ
９がターゲット１の上方に設けられている。このレンズ
、９の後方には物点スリット８を介して磁場５が設けら
れている。この磁場は分析目的に合せてイオンを分離す
るためのものである。この磁場５の出口側にはコレクタ
スリット６を介して検出器７が設けられている。この検
出器７にはコンピュータシステム１０が接続されている
。このコンピュータシステム１ｏには前記移送機構３が
接続されており、このコンピュータシステム１０はこの
移送機構３を検出器７からの信号によって制御している
。また、コンピュータシステム１０には出力装置１１が
接続されている。
ゲット１が形成されている。このターゲット１の形成さ
れた試料保持体２は移送機構３で適宜スライドできるよ
うに構成されている。このターゲット１には、イオンビ
ームが照射できるように構成されている。すなわち、タ
ーゲット１にイオンビームを照射するための一次イオン
源４が設けられており、この一次イオン源４には一次イ
オン電源１２が接続されている。この一次イオン源４よ
り出射された一次イオンビームがターゲット１に照射さ
れて発する二次イオンを取り込む質量分析装置のレンズ
９がターゲット１の上方に設けられている。このレンズ
、９の後方には物点スリット８を介して磁場５が設けら
れている。この磁場は分析目的に合せてイオンを分離す
るためのものである。この磁場５の出口側にはコレクタ
スリット６を介して検出器７が設けられている。この検
出器７にはコンピュータシステム１０が接続されている
。このコンピュータシステム１ｏには前記移送機構３が
接続されており、このコンピュータシステム１０はこの
移送機構３を検出器７からの信号によって制御している
。また、コンピュータシステム１０には出力装置１１が
接続されている。
このように構成されているものであるから、一次イオン
源４が生成されたキセノン等の不活性ガスイオンは、一
次イオン電源１２で発生される約８〜ｌ０ＫＶの高電圧
によって加速され、高速一次イオンビームとして、ター
ゲット１に照射される。この一次イオンビームは、電荷
を除去した高速中性ビームとする事もある。この一次イ
オンビームの照射によってターゲット上の試料は、スパ
ッタされ、このうち一部はイオンとなり、二次イオンと
して、レンズ９、物点スリット８を通って磁場５で質量
対電荷比によって分離され、コレクタスリット６を通り
、検出器７で検出される。この検出器７によって検出さ
れた信号はコンピュータシステム１０で処理された後、
出力装置１１にて記録される。従って、第２図の如く展
開された試料Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄを有するターゲット１を連
続的に測定する時は、それを保持する試料保持体２を移
送機構３によって連続的に送ってやれば良い。
源４が生成されたキセノン等の不活性ガスイオンは、一
次イオン電源１２で発生される約８〜ｌ０ＫＶの高電圧
によって加速され、高速一次イオンビームとして、ター
ゲット１に照射される。この一次イオンビームは、電荷
を除去した高速中性ビームとする事もある。この一次イ
オンビームの照射によってターゲット上の試料は、スパ
ッタされ、このうち一部はイオンとなり、二次イオンと
して、レンズ９、物点スリット８を通って磁場５で質量
対電荷比によって分離され、コレクタスリット６を通り
、検出器７で検出される。この検出器７によって検出さ
れた信号はコンピュータシステム１０で処理された後、
出力装置１１にて記録される。従って、第２図の如く展
開された試料Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄを有するターゲット１を連
続的に測定する時は、それを保持する試料保持体２を移
送機構３によって連続的に送ってやれば良い。
通常この送りは、データ収集と同期させ、コンピュータ
システム１０によって制御されている。。
システム１０によって制御されている。。
この場合、第２図で示す様に、試料の展開していない部
分、すなわち、試料が分離していない部分はデータとし
て不要部分であり、一次イオンビームを照射する必要の
ない部分である。しかしながら、従来は、一次イオンビ
ームは常にターゲット１上に照射していた。そのため、
ターゲット１の下地或いは、ターゲット１上に塗布され
たグリセロール等のマトリックス部分が本来の測定すべ
き試料位置Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ以外の所でイオン化されてし
まう。このようにイオン化されると、このイオンによっ
て二次イオン源としての部分およびスリット部の汚れの
原因となっていた。そこで、本発明では第２図に示す様
に、移送動作と同期させて、一次イオン源の一次イオン
加速電圧を制御し、移送を停止し試料測定するＴ□前に
ＯＮさせ、試料測定が終了し移送が開始すると同時に○
ＦＦさせる事とした。もちろん、他の応用例として、移
送を停止させず、試料測定が可能な範囲で低速で移送を
させる場合もあるが、この時はデータ測定の開始と終了
を一次イオン加速電圧０Ｎ１０ＦＦのタイミングトリガ
ーとして利用する。尚、前期Ｔ１の時間は、一次イオン
加速電圧の応答速度を考慮したものである。
分、すなわち、試料が分離していない部分はデータとし
て不要部分であり、一次イオンビームを照射する必要の
ない部分である。しかしながら、従来は、一次イオンビ
ームは常にターゲット１上に照射していた。そのため、
ターゲット１の下地或いは、ターゲット１上に塗布され
たグリセロール等のマトリックス部分が本来の測定すべ
き試料位置Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ以外の所でイオン化されてし
まう。このようにイオン化されると、このイオンによっ
て二次イオン源としての部分およびスリット部の汚れの
原因となっていた。そこで、本発明では第２図に示す様
に、移送動作と同期させて、一次イオン源の一次イオン
加速電圧を制御し、移送を停止し試料測定するＴ□前に
ＯＮさせ、試料測定が終了し移送が開始すると同時に○
ＦＦさせる事とした。もちろん、他の応用例として、移
送を停止させず、試料測定が可能な範囲で低速で移送を
させる場合もあるが、この時はデータ測定の開始と終了
を一次イオン加速電圧０Ｎ１０ＦＦのタイミングトリガ
ーとして利用する。尚、前期Ｔ１の時間は、一次イオン
加速電圧の応答速度を考慮したものである。
本発明の他の応用例としては、一次イオンビームを遮断
し得る手段を本発明の一次イオン加速電圧と置きかえた
ものなら何でも良い。例えば、一次イオンビームを遮断
する為に、機構的に遮断板を設け、それを制御しても同
じ目的が達成できる。
し得る手段を本発明の一次イオン加速電圧と置きかえた
ものなら何でも良い。例えば、一次イオンビームを遮断
する為に、機構的に遮断板を設け、それを制御しても同
じ目的が達成できる。
以上説明したように、本発明によれば、ＴＬＣ／ＳＩＭ
Ｓの測定において、ＴＬＣを連続的に移送し測定する場
合、大部分はデータとして不要である試料と試料の間に
おいて一次イオンビームが照射されず、下級或いはグリ
セロール等のマトリックスのイオン化がなされずイオン
源、スリット等の汚れを防止することができ、長時間安
定した測定をすることができる。
Ｓの測定において、ＴＬＣを連続的に移送し測定する場
合、大部分はデータとして不要である試料と試料の間に
おいて一次イオンビームが照射されず、下級或いはグリ
セロール等のマトリックスのイオン化がなされずイオン
源、スリット等の汚れを防止することができ、長時間安
定した測定をすることができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図は第１図の試
料保持体の拡大図及び本発明の詳細な説明を示すタイミ
ング図である。 １・・・ターゲット ２・・・試料保持体３・・
・移送機構 ４・・・一次イオン源５・・・ａ
ＨＩ ６−・・コレクタスリット７・・
・検出器 ８・・・物点スリット９・・・レ
ンズ
料保持体の拡大図及び本発明の詳細な説明を示すタイミ
ング図である。 １・・・ターゲット ２・・・試料保持体３・・
・移送機構 ４・・・一次イオン源５・・・ａ
ＨＩ ６−・・コレクタスリット７・・
・検出器 ８・・・物点スリット９・・・レ
ンズ
Claims (1)
- 高速一次イオン又は高速中性粒子を発生させる一次イオ
ン源及び一次イオン加速電圧電源と、前記イオン又は粒
子が衝突するターゲットと、ターゲットを二次イオン発
生部外より移送させる手段と、一次イオンの衝突によっ
て得られる二次イオンを質量分析する手段と、得られた
検出イオンをデータ収集する手段とを備えた質量分析計
において、上記一次イオン加速電圧の印加／遮断の制御
と、上記ターゲットの移送の制御或いは、データ収集開
始／停止の制御とを同期させると共にターゲットの所定
の部位のみ一次イオン加速電圧を照射するようにしたこ
とを特徴とする質量分析計。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190377A JPS6251144A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 質量分析計 |
| PCT/JP1986/000439 WO1987001452A1 (fr) | 1985-08-29 | 1986-08-27 | Spectroscope de masse |
| GB8700442A GB2187327B (en) | 1985-08-29 | 1986-08-27 | Mass spectroscope |
| US07/053,368 US5083020A (en) | 1985-08-29 | 1986-08-27 | Mass spectrometer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190377A JPS6251144A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 質量分析計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251144A true JPS6251144A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16257163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60190377A Pending JPS6251144A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 質量分析計 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5083020A (ja) |
| JP (1) | JPS6251144A (ja) |
| GB (1) | GB2187327B (ja) |
| WO (1) | WO1987001452A1 (ja) |
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| GB2257295B (en) * | 1991-06-21 | 1994-11-16 | Finnigan Mat Ltd | Sample holder for use in a mass spectrometer |
| US5382793A (en) * | 1992-03-06 | 1995-01-17 | Hewlett-Packard Company | Laser desorption ionization mass monitor (LDIM) |
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| US5498545A (en) * | 1994-07-21 | 1996-03-12 | Vestal; Marvin L. | Mass spectrometer system and method for matrix-assisted laser desorption measurements |
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| JPS51111482A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Sample table for surface treatment apparatus |
| JPS53116787A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
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1985
- 1985-08-29 JP JP60190377A patent/JPS6251144A/ja active Pending
-
1986
- 1986-08-27 WO PCT/JP1986/000439 patent/WO1987001452A1/ja unknown
- 1986-08-27 GB GB8700442A patent/GB2187327B/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-27 US US07/053,368 patent/US5083020A/en not_active Expired - Fee Related
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