JPH02100256A - 二次イオン質量分析方法 - Google Patents
二次イオン質量分析方法Info
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- JPH02100256A JPH02100256A JP63250977A JP25097788A JPH02100256A JP H02100256 A JPH02100256 A JP H02100256A JP 63250977 A JP63250977 A JP 63250977A JP 25097788 A JP25097788 A JP 25097788A JP H02100256 A JPH02100256 A JP H02100256A
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- mass spectrometry
- secondary ion
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Links
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Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は二次イオン質量分析方法に関し、ざらに詳しく
は試料上の正確な位置に一次粒子線を照射することので
きる二次イオン質量分析方法に関するものである。
は試料上の正確な位置に一次粒子線を照射することので
きる二次イオン質量分析方法に関するものである。
［従来の技術］
従来の二次イオン質量分析方法では、−次粒子線として
ｏ２ やＡｒ 等のイオン線を用い、この−次イオン
線を試料に照射することによって得られる二次イオンを
質量分析することにより行っていた。
ｏ２ やＡｒ 等のイオン線を用い、この−次イオン
線を試料に照射することによって得られる二次イオンを
質量分析することにより行っていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来の二次イオン質量分析方法では、−
次粒子に荷電粒子を利用しているために、絶縁体等の分
析を行う場合に試料が帯電してしまうと、−次粒子が試
料の持つ電荷によって本来の位置から移動してしまい、
試゛料上の正確な位置に照射できないという問題点があ
った。
次粒子に荷電粒子を利用しているために、絶縁体等の分
析を行う場合に試料が帯電してしまうと、−次粒子が試
料の持つ電荷によって本来の位置から移動してしまい、
試゛料上の正確な位置に照射できないという問題点があ
った。
本発明は、以上述べたような従来の問題点を解決するた
めになされたもので、試料が帯電した場合でも、正確な
位置に一次粒子線を照射することのできる二次イオン質
邑分析方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、試料が帯電した場合でも、正確な
位置に一次粒子線を照射することのできる二次イオン質
邑分析方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、集束された高速原子線を試料に照射して得ら
れる二次イオンを質量分析することを特徴とする二次イ
オン質量分析方法である。
れる二次イオンを質量分析することを特徴とする二次イ
オン質量分析方法である。
［作用］
本発明の二次イオン質量分析方法では、−次粒子線とし
て集束させた高速原子線を用いる。このために電界の影
響を受けることがなく、従って、試料が帯電した場合に
おいても正確な位置に一次粒子線を照射することができ
る。
て集束させた高速原子線を用いる。このために電界の影
響を受けることがなく、従って、試料が帯電した場合に
おいても正確な位置に一次粒子線を照射することができ
る。
［実施例］
次に本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の方法に使用される二次イオン質量分
析装置の一例である。高速原子源１より得られる集束さ
れた高速原子線２は試料３に照射される。試料３から放
出された二次イオンは、二次イオン加速電極４により加
速され、静電アナライザ５を経て質量分析装置６により
質量分析され、検出器７により検出される。
析装置の一例である。高速原子源１より得られる集束さ
れた高速原子線２は試料３に照射される。試料３から放
出された二次イオンは、二次イオン加速電極４により加
速され、静電アナライザ５を経て質量分析装置６により
質量分析され、検出器７により検出される。
以上のように構成された二次イオン質量分析装置を用い
て絶縁体試料の分析を行ったところ、試料のチャージア
ップの影響を受けないで正確な位置に一次粒子線を照射
することができた。
て絶縁体試料の分析を行ったところ、試料のチャージア
ップの影響を受けないで正確な位置に一次粒子線を照射
することができた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の二次イオン質量分析方法
によれば、試料のチャージアップの影響を受けず、従っ
て試料上の正確な位置に一次粒子線を照射することがで
きるので、試料の分析を精度よく行うことができる。
によれば、試料のチャージアップの影響を受けず、従っ
て試料上の正確な位置に一次粒子線を照射することがで
きるので、試料の分析を精度よく行うことができる。
第１図は本発明の方法に使用される二次イオン質量分析
装置の一例の概略構成図である。
装置の一例の概略構成図である。
Claims (1)
- （１）集束された高速原子線を試料に照射して得られる
二次イオンを質量分析することを特徴とする二次イオン
質量分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250977A JPH02100256A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 二次イオン質量分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250977A JPH02100256A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 二次イオン質量分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100256A true JPH02100256A (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=17215840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63250977A Pending JPH02100256A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 二次イオン質量分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02100256A (ja) |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP63250977A patent/JPH02100256A/ja active Pending
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