JPS6248710A - 低誘電率組成物 - Google Patents
低誘電率組成物Info
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- JPS6248710A JPS6248710A JP18791785A JP18791785A JPS6248710A JP S6248710 A JPS6248710 A JP S6248710A JP 18791785 A JP18791785 A JP 18791785A JP 18791785 A JP18791785 A JP 18791785A JP S6248710 A JPS6248710 A JP S6248710A
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- Japan
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- dielectric constant
- low dielectric
- composition
- film
- polybutadiene
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0326—Organic insulating material consisting of one material containing O
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、ポリフェニレンオキサイドに関する技術の
分野に属する。さらに詳しくは、ポリフェニレンオキサ
イドを使用して低誘電率組成物を製造する技術の分野に
属する。
分野に属する。さらに詳しくは、ポリフェニレンオキサ
イドを使用して低誘電率組成物を製造する技術の分野に
属する。
近年、ｔｆｒ星通信が盛んにおこなわれるようになり、
これに用いられる超高周波用プリント配線基板に対する
需要が増大している。この基板用樹脂としては、従来、
ポリエチレンやテトラフルオロエチレンがよく用いられ
ている。しかし、ポリエチレンは耐熱性が悪く、テトラ
フルオロエチレンは比重が大きく、２．１よりも大きい
。そこで、低誘電率であり、しかも低比重である組成物
の開発が待たれていた。
これに用いられる超高周波用プリント配線基板に対する
需要が増大している。この基板用樹脂としては、従来、
ポリエチレンやテトラフルオロエチレンがよく用いられ
ている。しかし、ポリエチレンは耐熱性が悪く、テトラ
フルオロエチレンは比重が大きく、２．１よりも大きい
。そこで、低誘電率であり、しかも低比重である組成物
の開発が待たれていた。
この発明は以上の事情に鑑みて、低誘電率で、しかも、
低比重の組成物を提供することを目的とする。
低比重の組成物を提供することを目的とする。
Ｃ発明の開示〕
この発明は、上記の目的を達成するために、低誘電率組
成物を得るにあたり、ポリフェニレンオキサイド（以下
ＰＰＯと略す）、架橋性ポリマー、架橋性上ツマ−１な
らびに開始剤から成る樹脂組成物を５０〜９５重量％（
以下、「％」と略す）、シリカバルーンおよび／または
ガラスバルーンを５〜５０％とすることを特徴とする低
誘電率組成物を提供するものである。以下、本発明の詳
細な説明する。なお、ここで低誘電率組成物とは、硬化
物も含めたものとする。
成物を得るにあたり、ポリフェニレンオキサイド（以下
ＰＰＯと略す）、架橋性ポリマー、架橋性上ツマ−１な
らびに開始剤から成る樹脂組成物を５０〜９５重量％（
以下、「％」と略す）、シリカバルーンおよび／または
ガラスバルーンを５〜５０％とすることを特徴とする低
誘電率組成物を提供するものである。以下、本発明の詳
細な説明する。なお、ここで低誘電率組成物とは、硬化
物も含めたものとする。
この発明で使用されるＰＰＯとは、たとえば、つぎの一
般式、 ここに、Ｒは、水素または炭素数 １〜３の炭化水素基を表し、各Ｒ は、同じであってもよく、異なっ てもよい。
般式、 ここに、Ｒは、水素または炭素数 １〜３の炭化水素基を表し、各Ｒ は、同じであってもよく、異なっ てもよい。
で表されるものであり、その−例としては、ポリ（２，
６−シメチルー１．４−フェニレンオキサイド）が挙げ
られる。
６−シメチルー１．４−フェニレンオキサイド）が挙げ
られる。
このようなＰＰＯは、たとえば、ＵＳＰ４０５９５６８
号明細書に開示されている方法で合成することができる
。特に限定するものではないが、たとえば、重量平均分
子量（ＭＷ）が５００００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）
＝４．２ （Ｍｎは数平均分子量）のポリマーが使用さ
れる。
号明細書に開示されている方法で合成することができる
。特に限定するものではないが、たとえば、重量平均分
子量（ＭＷ）が５００００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）
＝４．２ （Ｍｎは数平均分子量）のポリマーが使用さ
れる。
この発明において使用される架橋性ポリマーとしては、
特に限定するわけではないが、たとえば、スチレン−ブ
タジェン−スチレンコポリマー、変性ポリブタジェン、
１．４ポリブタジエン、変性ポリブタジェンなどがあげ
られる。ポリマー状態は、エラストマーでもラバーでも
よいが、成膜性を向上させるということから特に高い分
子量のラバー状がよい。
特に限定するわけではないが、たとえば、スチレン−ブ
タジェン−スチレンコポリマー、変性ポリブタジェン、
１．４ポリブタジエン、変性ポリブタジェンなどがあげ
られる。ポリマー状態は、エラストマーでもラバーでも
よいが、成膜性を向上させるということから特に高い分
子量のラバー状がよい。
この発明において使用される架橋性モノマーとしては、
特に限定するわけではないが、たとえばトリアリルイソ
シアヌレート（以下ＴＡＩＣと略す）、トリアリルシア
ヌレート（以下ＴＡＣと略す）などがあげられる。
特に限定するわけではないが、たとえばトリアリルイソ
シアヌレート（以下ＴＡＩＣと略す）、トリアリルシア
ヌレート（以下ＴＡＣと略す）などがあげられる。
上記架橋性ポリマーおよび架橋性上ツマ−は、各々１種
類に限定されるものではなく、２種類以上を組み合わせ
てもかまわない。
類に限定されるものではなく、２種類以上を組み合わせ
てもかまわない。
開始剤としては、ジクミルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−
ブチルパーオキサイド、２．５−ジメチル−２，５−ジ
ーｔｅｒｔ−ブチルパーオキシヘキシン−３，２，５−
ジメチル−２，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルパーオキシヘ
キサン−ｍ−イソプロピル）ベンゼンＣ１，４（または
１．３）−ビス（ｔ ｅ ｒ ｔ−ブチルパーオキシイ
ソプロピル）ベンゼンともいう〕等の過酸化物があげら
れる。
ブチルパーオキサイド、２．５−ジメチル−２，５−ジ
ーｔｅｒｔ−ブチルパーオキシヘキシン−３，２，５−
ジメチル−２，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルパーオキシヘ
キサン−ｍ−イソプロピル）ベンゼンＣ１，４（または
１．３）−ビス（ｔ ｅ ｒ ｔ−ブチルパーオキシイ
ソプロピル）ベンゼンともいう〕等の過酸化物があげら
れる。
以上の組成分を配合する割合はＰＰ０１架橋性ポリマー
ならびに架橋性モノマーの合計に対して、ＰＰＯが７％
以上、架橋性ポリマーが９３％未満、ならびに架橋性モ
ノマーが７０％以下、開始剤が０．１％以上から５％未
満の範囲である。この範囲を外れると、成膜性がなくな
り、フィルム状組成物が得られなくなる。好ましい配合
割合は、ＰＰＯが１０％以上、架橋性ポリマーが２０％
未満、架橋性モノマーが６０％以下、開始剤が０．５％
以上から３％未満の範囲である。
ならびに架橋性モノマーの合計に対して、ＰＰＯが７％
以上、架橋性ポリマーが９３％未満、ならびに架橋性モ
ノマーが７０％以下、開始剤が０．１％以上から５％未
満の範囲である。この範囲を外れると、成膜性がなくな
り、フィルム状組成物が得られなくなる。好ましい配合
割合は、ＰＰＯが１０％以上、架橋性ポリマーが２０％
未満、架橋性モノマーが６０％以下、開始剤が０．５％
以上から３％未満の範囲である。
上記樹脂組成物を５０〜９５％、およびシリカバルーン
および／またはガラスバルーンを５〜５０％を配合して
成る組成物は、通常、溶剤（溶媒）に熔かして混合され
る。このとき通常の方法に従い、カンプリング剤を用い
てもよい。これは、樹脂組成物とガラスバルーン／また
はシリカバルーンとの密着性を良好なものとし、最終製
品の物性を、良好とするためである。
および／またはガラスバルーンを５〜５０％を配合して
成る組成物は、通常、溶剤（溶媒）に熔かして混合され
る。このとき通常の方法に従い、カンプリング剤を用い
てもよい。これは、樹脂組成物とガラスバルーン／また
はシリカバルーンとの密着性を良好なものとし、最終製
品の物性を、良好とするためである。
上記の溶剤と混合した組成物の固形分量は溶剤に対し１
０〜３０％の範囲にあるのが好ましい。
０〜３０％の範囲にあるのが好ましい。
前記溶剤としては、トリクロロエチレン、トリクロロエ
タン、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化炭
化水素、クロロヘンゼン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素、四塩化炭素などが使用され、
特にトリクロロエチレンが好ましく、これらをそれぞれ
単独でまたは２種以上派合して用いることができるが、
これらに限定されない。
タン、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化炭
化水素、クロロヘンゼン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素、四塩化炭素などが使用され、
特にトリクロロエチレンが好ましく、これらをそれぞれ
単独でまたは２種以上派合して用いることができるが、
これらに限定されない。
この発明にかかる低誘電率組成物は、たとえば、上記の
ように原料を溶剤に溶かして混合し、適宜のものに流延
または塗布するなどして薄層にした後、乾燥させて溶剤
を除去すること（キャスティング法）により、固化物と
することができる。
ように原料を溶剤に溶かして混合し、適宜のものに流延
または塗布するなどして薄層にした後、乾燥させて溶剤
を除去すること（キャスティング法）により、固化物と
することができる。
すなわち、この発明にかかる低誘電率組成物によれば、
コストがかかるカレンダー法によらず、しかも低温でＰ
ＰＯ系組成物の固化物を造ることができるのである。通
常、このようなキャスティング法では、固化物はフィル
ムとなるが、固化物はフィルムに限定されない。
コストがかかるカレンダー法によらず、しかも低温でＰ
ＰＯ系組成物の固化物を造ることができるのである。通
常、このようなキャスティング法では、固化物はフィル
ムとなるが、固化物はフィルムに限定されない。
前記キャスティング法について詳しく述べれば、上記低
誘電率組成物の原料を溶剤に熔かして混合した溶液を、
鏡面処理した鉄板またはキャスティング用キャリアーフ
ィルムなどの上に、たとえば、５〜７００μｍの厚みに
流延（または、塗布）し、充分に乾燥させて溶剤を除去
することによりフィルムを得るというものである。なお
、ここでフィルムとは、シート、膜、テープなどといわ
れているものを含み、厚み方向に直交する面の広がり、
９長さについては特に限定はなく、厚みについても用途
などに応じて種々設定することが可能である。上記キャ
スティング用キャリアーフィルムとしては、特に限定す
るわけではないが、ポリエチレンテレフタレート（以下
、ＰＥＴと略す）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポ
リプロピレンフィルム、ポリイミドフィルムなど上記溶
剤に不溶のものが好ましく、かつ、離型処理されいるも
のが好ましい。キャスティング用キャリアーフィルムに
流延（または、塗布）された低誘電率組成物の原料液は
、風乾および／または熱風による乾燥などで溶剤を除去
する。乾燥重量％の設定温度は、その上限が溶剤の沸点
よりも低いか、または、キャスティング用キャリアーフ
ィルムの耐熱温度よりも低いこと（キャスティング用キ
ャリアーフィルム上で乾燥を行う場合）が好ましく、そ
の下限が乾燥時間や処理性などによって決められ、たと
えば、トリクロロエチレンを溶剤とし、ＰＥＴフィルム
をキャスティング用キャリアーフィルムとして用いる場
合には、室温から８０℃までの範囲が好ましく、この範
囲内で温度を高くすれば乾燥時間の短縮が可能となる。
誘電率組成物の原料を溶剤に熔かして混合した溶液を、
鏡面処理した鉄板またはキャスティング用キャリアーフ
ィルムなどの上に、たとえば、５〜７００μｍの厚みに
流延（または、塗布）し、充分に乾燥させて溶剤を除去
することによりフィルムを得るというものである。なお
、ここでフィルムとは、シート、膜、テープなどといわ
れているものを含み、厚み方向に直交する面の広がり、
９長さについては特に限定はなく、厚みについても用途
などに応じて種々設定することが可能である。上記キャ
スティング用キャリアーフィルムとしては、特に限定す
るわけではないが、ポリエチレンテレフタレート（以下
、ＰＥＴと略す）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポ
リプロピレンフィルム、ポリイミドフィルムなど上記溶
剤に不溶のものが好ましく、かつ、離型処理されいるも
のが好ましい。キャスティング用キャリアーフィルムに
流延（または、塗布）された低誘電率組成物の原料液は
、風乾および／または熱風による乾燥などで溶剤を除去
する。乾燥重量％の設定温度は、その上限が溶剤の沸点
よりも低いか、または、キャスティング用キャリアーフ
ィルムの耐熱温度よりも低いこと（キャスティング用キ
ャリアーフィルム上で乾燥を行う場合）が好ましく、そ
の下限が乾燥時間や処理性などによって決められ、たと
えば、トリクロロエチレンを溶剤とし、ＰＥＴフィルム
をキャスティング用キャリアーフィルムとして用いる場
合には、室温から８０℃までの範囲が好ましく、この範
囲内で温度を高くすれば乾燥時間の短縮が可能となる。
このようにして作製された低誘電率組成物（たとえば、
フィルム）は、ラジカル開始剤を用いた熱架橋、光架橋
、放射線を利用した架橋等を行うことによって、さらに
、引張り強さ、衝撃強さ、破裂強さ、耐熱性などを高め
ることができる。
フィルム）は、ラジカル開始剤を用いた熱架橋、光架橋
、放射線を利用した架橋等を行うことによって、さらに
、引張り強さ、衝撃強さ、破裂強さ、耐熱性などを高め
ることができる。
以下に、実施例を比較例と併せて示すが、この発明は、
実施例に限定されない。
実施例に限定されない。
（実施例１）
２１の脱泡装置付反応器に、第１表に示すような配合で
、ＰＰＯを１１０ｇ、架橋性ポリマーとしてスチレンブ
タジェンブロックコポリマー（ＳＢＳ）を８０ｇ、ＴＡ
ＩＣを１００ ｇ、バーヘキシン２５Ｂ（日本油脂（株
）製）を、４ｇ、それぞれ入れ、さらにシリカバルーン
（旭硝子（株）製シリカバルーンＱ−ＣＥＬ３００）を
５０ｇ入れた。これに、トリクレン（東亜合成化学工業
（株）製トリクロロエチレン）を８００ｇ加え、均一に
なるまで充分撹拌して混合した。その後、脱泡を行い、
得られた低誘電率組成物原料の溶液を、塗工機を用いて
ＰＥＴフィルム上に、厚み５００μｍに塗布した。その
まま風乾させ、つぎに５０℃乾燥させた後、生成したフ
ィルムをＰＥＴフィルムから離型し、さらに、１２０℃
で３０分間乾燥させた。乾燥後のフィルム状低誘電率組
成物の厚みは約１００μｍであった。このフィルムを２
００℃の熱板間に挟み、３０分間加熱硬化させた。この
フィルムの物性として誘電率（ε）、誘電正接（ｔ ａ
ｎδ）、比重をそれぞれ調べ、第２表に示した。
、ＰＰＯを１１０ｇ、架橋性ポリマーとしてスチレンブ
タジェンブロックコポリマー（ＳＢＳ）を８０ｇ、ＴＡ
ＩＣを１００ ｇ、バーヘキシン２５Ｂ（日本油脂（株
）製）を、４ｇ、それぞれ入れ、さらにシリカバルーン
（旭硝子（株）製シリカバルーンＱ−ＣＥＬ３００）を
５０ｇ入れた。これに、トリクレン（東亜合成化学工業
（株）製トリクロロエチレン）を８００ｇ加え、均一に
なるまで充分撹拌して混合した。その後、脱泡を行い、
得られた低誘電率組成物原料の溶液を、塗工機を用いて
ＰＥＴフィルム上に、厚み５００μｍに塗布した。その
まま風乾させ、つぎに５０℃乾燥させた後、生成したフ
ィルムをＰＥＴフィルムから離型し、さらに、１２０℃
で３０分間乾燥させた。乾燥後のフィルム状低誘電率組
成物の厚みは約１００μｍであった。このフィルムを２
００℃の熱板間に挟み、３０分間加熱硬化させた。この
フィルムの物性として誘電率（ε）、誘電正接（ｔ ａ
ｎδ）、比重をそれぞれ調べ、第２表に示した。
（実施例２〜５）
低誘電率組成物原料の配合割合および溶剤を第１表に示
すように変えた以外は、実施例１と同じようにしてフィ
ルム状低誘電率組成物を得た。各例のフィルムについて
各々同じ評価方法で調べ、各々結果を第２表に示した。
すように変えた以外は、実施例１と同じようにしてフィ
ルム状低誘電率組成物を得た。各例のフィルムについて
各々同じ評価方法で調べ、各々結果を第２表に示した。
（比較例１〜２）
市販されているテフロン−°ガラスクロスおよび、ＦＲ
４エポキシ−ガラスクロスの樹脂組成物について、それ
ぞれ、誘電率、誘電正接、比重を測定し、各々結果を第
２表に示した。
４エポキシ−ガラスクロスの樹脂組成物について、それ
ぞれ、誘電率、誘電正接、比重を測定し、各々結果を第
２表に示した。
本発明にかかる低誘電率組成物は、ＰＰ０１架橋性ポリ
マー、架橋性モノマー、ならびに開始剤から成る樹脂組
成物を５０〜９５重景％、重量カバルーンおよび／また
はガラスバルーンを５〜５、０重量％を配合したことを
特徴とするので、一般的プリント配線基板用樹脂組成物
に比して、誘電特性に優れ、かつ、比重が小さい、と言
う効果がある。
マー、架橋性モノマー、ならびに開始剤から成る樹脂組
成物を５０〜９５重景％、重量カバルーンおよび／また
はガラスバルーンを５〜５、０重量％を配合したことを
特徴とするので、一般的プリント配線基板用樹脂組成物
に比して、誘電特性に優れ、かつ、比重が小さい、と言
う効果がある。
し以下余白］
Claims (4)
- （１）ポリフェニレンオキサイド、架橋性ポリマー、架
橋性モノマー、ならびに開始剤から成る樹脂組成物を５
０〜９５重量％、シリカバルーンおよび／またはガラス
バルーンを５〜５０重量％配合したことを特徴とする低
誘電率組成物。 - （２）架橋性ポリマが、スチレン−ブタジエン−スチレ
ンコポリマー、１．２ポリブタジエン、１．４ポリブタ
ジエンおよび変性ポリブタジエンからなる群から選ばれ
た１種または２種以上のものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の低誘電率組成物。 - （３）架橋性モノマーが、トリアリルイソシアヌレート
および／またはトリアルイソシアヌレートなどである特
許請求の範囲第１項または第２項記載の低誘電率組成物
。 - （４）低誘電率組成物が、フィルムであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第３項記載の低誘電率
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18791785A JPS6248710A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 低誘電率組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18791785A JPS6248710A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 低誘電率組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6248710A true JPS6248710A (ja) | 1987-03-03 |
Family
ID=16214465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18791785A Pending JPS6248710A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 低誘電率組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6248710A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211515A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | 沖電線株式会社 | 発泡プラスチツク絶縁電線 |
| EP0330926A2 (en) * | 1988-03-04 | 1989-09-06 | Junkosha Co. Ltd. | Composite material of low permittivity |
| US4925236A (en) * | 1987-05-22 | 1990-05-15 | Nippondenso Co., Ltd. | Automotive air spoiler device |
| US5814196A (en) * | 1991-04-04 | 1998-09-29 | Conner Peripherals, Inc. | Apparatus and method for high throughput sputtering |
| JP2017525585A (ja) * | 2014-09-30 | 2017-09-07 | エルジー・ケム・リミテッド | フレキシブル金属積層体およびその製造方法 |
| CN108148335A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 臻鼎科技股份有限公司 | 树脂组合物及应用该树脂组合物的胶片及电路板 |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP18791785A patent/JPS6248710A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211515A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | 沖電線株式会社 | 発泡プラスチツク絶縁電線 |
| US4925236A (en) * | 1987-05-22 | 1990-05-15 | Nippondenso Co., Ltd. | Automotive air spoiler device |
| EP0330926A2 (en) * | 1988-03-04 | 1989-09-06 | Junkosha Co. Ltd. | Composite material of low permittivity |
| EP0330926A3 (en) * | 1988-03-04 | 1991-05-02 | Junkosha Co. Ltd. | Composite material of low permittivity |
| US5814196A (en) * | 1991-04-04 | 1998-09-29 | Conner Peripherals, Inc. | Apparatus and method for high throughput sputtering |
| JP2017525585A (ja) * | 2014-09-30 | 2017-09-07 | エルジー・ケム・リミテッド | フレキシブル金属積層体およびその製造方法 |
| CN108148335A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 臻鼎科技股份有限公司 | 树脂组合物及应用该树脂组合物的胶片及电路板 |
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