JPS624837B2 - - Google Patents
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- JPS624837B2 JPS624837B2 JP54138760A JP13876079A JPS624837B2 JP S624837 B2 JPS624837 B2 JP S624837B2 JP 54138760 A JP54138760 A JP 54138760A JP 13876079 A JP13876079 A JP 13876079A JP S624837 B2 JPS624837 B2 JP S624837B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高耐圧にして安定性にすぐれ、輝度の
高い分散形EL発光素子に関するものである。
高い分散形EL発光素子に関するものである。
従来、この種発光素子はエポキシ樹脂をマトリ
ツクス（バインダー）とするものや誘電率の高い
シアノエチルセルロースあるいはフツ素系樹脂を
マトリツクスとするものがある。エポキシ樹脂は
無溶媒にして速硬性があり導電性ガラスとの接着
性も良いため簡単にEL発光素子が製造できると
言う利点がある。しかしながらエポキシ樹脂を用
いた場合導電率が３程度と小さいため螢光体に有
効に電圧が加わらず、高輝度のEL発光素子は得
られない。
ツクス（バインダー）とするものや誘電率の高い
シアノエチルセルロースあるいはフツ素系樹脂を
マトリツクスとするものがある。エポキシ樹脂は
無溶媒にして速硬性があり導電性ガラスとの接着
性も良いため簡単にEL発光素子が製造できると
言う利点がある。しかしながらエポキシ樹脂を用
いた場合導電率が３程度と小さいため螢光体に有
効に電圧が加わらず、高輝度のEL発光素子は得
られない。
導電率の高いシアノエチルセルロースやフツ素
系樹脂をマトリツクスとする場合は何らかの溶媒
にこれらを溶解した溶液とZnS：CuAlなどの螢
光体とを混合し、この混合物を透明電極に塗布
後、溶媒を乾燥除去する製造法が用いられるが、
このようにして製造されるEL発光素子は表面に
凹凸を生じたり、膜内に気泡が残ると言う欠点が
あつた。特にフツ素系樹脂では、極性の強い溶媒
（たとえばポリフツ化ビニリデンでは溶媒として
極性の強いデイメチルホルムアミドを用いる）を
使うため、蒸発しにくい発光素子は残留溶媒の影
響を受け易かつた。これら表面の凹凸や膜内の気
泡、さらに残留溶媒は局所的な電界の集中を招く
など耐圧の低下をもたらし、EL発光素子の安定
性に問題を残していた。
系樹脂をマトリツクスとする場合は何らかの溶媒
にこれらを溶解した溶液とZnS：CuAlなどの螢
光体とを混合し、この混合物を透明電極に塗布
後、溶媒を乾燥除去する製造法が用いられるが、
このようにして製造されるEL発光素子は表面に
凹凸を生じたり、膜内に気泡が残ると言う欠点が
あつた。特にフツ素系樹脂では、極性の強い溶媒
（たとえばポリフツ化ビニリデンでは溶媒として
極性の強いデイメチルホルムアミドを用いる）を
使うため、蒸発しにくい発光素子は残留溶媒の影
響を受け易かつた。これら表面の凹凸や膜内の気
泡、さらに残留溶媒は局所的な電界の集中を招く
など耐圧の低下をもたらし、EL発光素子の安定
性に問題を残していた。
導電率の大きなBaTiO3など強誘電体層を螢光
体塗布と全く同様な方法により螢光体層上に塗布
し、表面の凹凸をなくし、耐圧の向上を図ると共
に強誘電体層の抵抗の非線形性を利用しクロスト
ークの解決を図る方法もとられている。しかし、
この層は数μｍの厚さとせねばならず、このため
二度、三度と塗布を繰り返さざるをえず、生産性
の点で問題があつた。
体塗布と全く同様な方法により螢光体層上に塗布
し、表面の凹凸をなくし、耐圧の向上を図ると共
に強誘電体層の抵抗の非線形性を利用しクロスト
ークの解決を図る方法もとられている。しかし、
この層は数μｍの厚さとせねばならず、このため
二度、三度と塗布を繰り返さざるをえず、生産性
の点で問題があつた。
本発明はこれらの欠点を除去することを目的と
するものであり、詳しくは誘電率の高いフツ素系
樹脂を用い、しかも表面に凹凸がなく、膜内に気
泡が残留せず、かつ残留溶媒のないEL発光素子
を製造する方法を提供せんとするものである。
するものであり、詳しくは誘電率の高いフツ素系
樹脂を用い、しかも表面に凹凸がなく、膜内に気
泡が残留せず、かつ残留溶媒のないEL発光素子
を製造する方法を提供せんとするものである。
したがつて本発明によるEL発光素子の製造方
法は、30〜70容量％の螢光体を低粘度フツ素系樹
脂と溶融混合し、この混合物を薄膜化し、形成さ
れた螢光体フイルムを、フツ素樹脂系接着剤層が
積層された透明電極に接着することを特徴とする
ものである。
法は、30〜70容量％の螢光体を低粘度フツ素系樹
脂と溶融混合し、この混合物を薄膜化し、形成さ
れた螢光体フイルムを、フツ素樹脂系接着剤層が
積層された透明電極に接着することを特徴とする
ものである。
本発明によれば、溶媒を用いないため、表面に
凹凸が生じず、膜内に気泡が残留せず、かつ残留
溶媒のない螢光体フイルムを有するEL発光素子
を製造することが可能になり、フツ素系樹脂を用
いた場合の特性を損うことなく、耐圧ならびに安
定性の向上したEL発光素子を製造しえると言う
利点がある。
凹凸が生じず、膜内に気泡が残留せず、かつ残留
溶媒のない螢光体フイルムを有するEL発光素子
を製造することが可能になり、フツ素系樹脂を用
いた場合の特性を損うことなく、耐圧ならびに安
定性の向上したEL発光素子を製造しえると言う
利点がある。
本発明を更に詳しく説明する。
本発明においては、バインダーとしてフツ素系
樹脂を用いる。フツ素系樹脂のバインダーとして
の有用性は、前述のように既に知られており、特
に5KHzや10KHzという高い周波数では、シアノ
エチルセルロースなどでは誘電分散により誘電率
が減少するのに対し、フツ素系樹脂では誘電分散
を示さず、高周波における輝度特性は極めて優秀
である。本発明において用いられるフツ素系樹脂
としては、EL発光素子のバインダーとして用い
られるものであり、低粘度のものであればいかな
るものでもよい。たとえばポリフツ化ビニリデ
ン、テトラフロルエチレン―ポリフツ化ビニリデ
ンなどのポリフツ化ビニリデン系樹脂であること
ができる。加工性を考慮すれば、薄膜化しやすい
ものが特に好ましい。たとえば、誘電率12、融点
190℃のトリフロルエチレンとポリフツ化ビニリ
デンの共重合体は粘性も高く、プレス、カレンダ
ーロールによる薄膜化が困難であるため、加工性
を考慮すれば誘電率は８であるが、融点が140
℃、低粘度のテトラフロルエチレンとポリフツ化
ビニリデンの共重合体の方が好ましい。
樹脂を用いる。フツ素系樹脂のバインダーとして
の有用性は、前述のように既に知られており、特
に5KHzや10KHzという高い周波数では、シアノ
エチルセルロースなどでは誘電分散により誘電率
が減少するのに対し、フツ素系樹脂では誘電分散
を示さず、高周波における輝度特性は極めて優秀
である。本発明において用いられるフツ素系樹脂
としては、EL発光素子のバインダーとして用い
られるものであり、低粘度のものであればいかな
るものでもよい。たとえばポリフツ化ビニリデ
ン、テトラフロルエチレン―ポリフツ化ビニリデ
ンなどのポリフツ化ビニリデン系樹脂であること
ができる。加工性を考慮すれば、薄膜化しやすい
ものが特に好ましい。たとえば、誘電率12、融点
190℃のトリフロルエチレンとポリフツ化ビニリ
デンの共重合体は粘性も高く、プレス、カレンダ
ーロールによる薄膜化が困難であるため、加工性
を考慮すれば誘電率は８であるが、融点が140
℃、低粘度のテトラフロルエチレンとポリフツ化
ビニリデンの共重合体の方が好ましい。
フツ素系樹脂の種類は加工性及びEL発光素子
用バインダーの性能などを考慮し、具体的に定め
る。
用バインダーの性能などを考慮し、具体的に定め
る。
螢光体はEL発光素子に用いられる螢光体であ
ればいかなるものでもよく、たとえばZnS：Cu、
Al螢光体などであることができる。
ればいかなるものでもよく、たとえばZnS：Cu、
Al螢光体などであることができる。
次にフツ素系樹脂と螢光体を焼融混合するわけ
であるがその混合比は全体を100とし、螢光体が
30〜70容量％である。30容量％未満であると、
EL発光素子の性能が劣り、70容量％を超えると
薄膜化が困難となるからである。
であるがその混合比は全体を100とし、螢光体が
30〜70容量％である。30容量％未満であると、
EL発光素子の性能が劣り、70容量％を超えると
薄膜化が困難となるからである。
このように熔融混合したものを薄膜化するわけ
であるが、この薄膜化の方法は基本的に限定され
るものではなく、たとえばプレスあるいはカレン
ダーロールを用いて薄膜化を行うことができる。
またこの熔融混合物を塑性変形しやすいシート
（たとえばテフロンシート）に挾み、カレンダー
ロールにより薄膜化することができる。この方法
を用いれば、熔融混合物を薄膜化するに際し、ロ
ールに付着したり、局所的に薄くなりすぎて破損
しやすい螢光体フイルムとなるのを防止すること
ができる。
であるが、この薄膜化の方法は基本的に限定され
るものではなく、たとえばプレスあるいはカレン
ダーロールを用いて薄膜化を行うことができる。
またこの熔融混合物を塑性変形しやすいシート
（たとえばテフロンシート）に挾み、カレンダー
ロールにより薄膜化することができる。この方法
を用いれば、熔融混合物を薄膜化するに際し、ロ
ールに付着したり、局所的に薄くなりすぎて破損
しやすい螢光体フイルムとなるのを防止すること
ができる。
次ぎに、前記透明電極にフツ素樹脂系接着剤を
設けたのち螢光体フイルムをロールなどによつて
圧着することにより、前記螢光体フイルムを透明
電極に圧着できる。前記フツ素樹脂系接着剤層
は、たとえばフツ素ゴムをメチルエチルケトンな
どに溶解した溶液を透明電極に塗布することによ
つて形成できる。
設けたのち螢光体フイルムをロールなどによつて
圧着することにより、前記螢光体フイルムを透明
電極に圧着できる。前記フツ素樹脂系接着剤層
は、たとえばフツ素ゴムをメチルエチルケトンな
どに溶解した溶液を透明電極に塗布することによ
つて形成できる。
以下、本発明による実施例を説明する。
実施例 １
ZnS；Cu、Al螢光体（Cu0.08重量％、Al
0.019重量％）と、テトラフロルエチレンとポリ
フツ化ビニリデンの共重合体を200℃に加熱した
オーブンロールにより熔融混合し、ZnS：Cu、
Al螢光体が体積百分率で60％となるようにし
た。この混合物を190℃に加熱したプレスにより
150Kg／cm2の圧力で薄膜化を行つた。膜厚はプレ
ス時の混合物の仕込み量により異なつたが27±２
μｍの均一な螢光体フイルムを20×２cmの大きな
面積にわたつて得ることができた。
0.019重量％）と、テトラフロルエチレンとポリ
フツ化ビニリデンの共重合体を200℃に加熱した
オーブンロールにより熔融混合し、ZnS：Cu、
Al螢光体が体積百分率で60％となるようにし
た。この混合物を190℃に加熱したプレスにより
150Kg／cm2の圧力で薄膜化を行つた。膜厚はプレ
ス時の混合物の仕込み量により異なつたが27±２
μｍの均一な螢光体フイルムを20×２cmの大きな
面積にわたつて得ることができた。
この螢光体フイルムは当然のことながら表面の
凹凸はなく滑らかなものであつた。
凹凸はなく滑らかなものであつた。
この螢光体フイルムを透明電極と接着するため
透明電極にメチルエチルケトンにフツ素ゴムを溶
融した溶液（100c.c.中2.5grのフツ素ゴムを含む）
をデイツピングにより塗布した。この透明電極を
90℃のオーブン中で乾燥し、透明電極上に１〜２
μｍのフツ素ゴム層を設けた。この透明電極と螢
光体フイルムとを140℃に加熱したホツトプレー
ト上で、シリコンゴムとテフロンシートで挾みロ
ールにより圧着した。
透明電極にメチルエチルケトンにフツ素ゴムを溶
融した溶液（100c.c.中2.5grのフツ素ゴムを含む）
をデイツピングにより塗布した。この透明電極を
90℃のオーブン中で乾燥し、透明電極上に１〜２
μｍのフツ素ゴム層を設けた。この透明電極と螢
光体フイルムとを140℃に加熱したホツトプレー
ト上で、シリコンゴムとテフロンシートで挾みロ
ールにより圧着した。
第１図はEL発光体素子の正面図であり、１は
透明電極、２は螢光体フイルム、３は背面電極を
示す。背面電極３は螢光体フイルム２上にAlを
蒸着して設けた。
透明電極、２は螢光体フイルム、３は背面電極を
示す。背面電極３は螢光体フイルム２上にAlを
蒸着して設けた。
この背面電極３および透明電極１より各々銀ベ
ースによりリード線を取り出し、防湿フイルムに
よりシールし、EL発光素子とした。しかしなが
らこうして得たEL発光素子は背面電極３を取り
出し口においての安定性が悪く、絶縁破壊を生じ
易かつた。第２図に示すように、透明電極１の一
部をエツチングによる絶縁化した部分４を設け、
その部分４に対応する背面電極部分５（背面電極
取出口）からリード線を取り出し、防湿フイルム
によりシールし、EL発光素子とした。このEL発
光素子では、絶縁破壊による不安定性は解消でき
た。
ースによりリード線を取り出し、防湿フイルムに
よりシールし、EL発光素子とした。しかしなが
らこうして得たEL発光素子は背面電極３を取り
出し口においての安定性が悪く、絶縁破壊を生じ
易かつた。第２図に示すように、透明電極１の一
部をエツチングによる絶縁化した部分４を設け、
その部分４に対応する背面電極部分５（背面電極
取出口）からリード線を取り出し、防湿フイルム
によりシールし、EL発光素子とした。このEL発
光素子では、絶縁破壊による不安定性は解消でき
た。
このEL発光素子の輝度電圧特性を第３図に示
す。第３図において縦軸は輝度（Cd／m2）、横軸
は電圧の実効値を螢光体膜厚でわつた逆数の平方
根を示す。第３図によれば、従来の溶媒法による
輝度電圧特性と殆んど変わらず、輝度の立ち上が
りは鋭くなつていることがわかる。また従来の溶
媒法で製造したEL発光素子は耐圧が10kV／mm程
度であつたのに対し、本発明による製造法で製造
したEL発光素子は17kV／mmと７割の耐圧の向上
が見られた。これは既述のようにフイルム面で
の凹凸がないこと、溶媒の影響を受けないこ
と、フツ素ゴム接着層があることの３点による
と考えられる。フツ素ゴム層は耐圧向上に寄与す
ると共に高電圧での抵抗の非線形性により輝度の
立ち上がりを鋭くし、マトリツクス駆動の場合の
クロストーク防止の役割も果す。他方、この層は
発光には寄与しないため、低電圧化には不利にな
ると懸念されるが、膜厚が１〜２μｍと薄いこ
と、誘電率は８と大きいことにより、この層によ
る電圧効果は全体の1/10以下で無視できた。
す。第３図において縦軸は輝度（Cd／m2）、横軸
は電圧の実効値を螢光体膜厚でわつた逆数の平方
根を示す。第３図によれば、従来の溶媒法による
輝度電圧特性と殆んど変わらず、輝度の立ち上が
りは鋭くなつていることがわかる。また従来の溶
媒法で製造したEL発光素子は耐圧が10kV／mm程
度であつたのに対し、本発明による製造法で製造
したEL発光素子は17kV／mmと７割の耐圧の向上
が見られた。これは既述のようにフイルム面で
の凹凸がないこと、溶媒の影響を受けないこ
と、フツ素ゴム接着層があることの３点による
と考えられる。フツ素ゴム層は耐圧向上に寄与す
ると共に高電圧での抵抗の非線形性により輝度の
立ち上がりを鋭くし、マトリツクス駆動の場合の
クロストーク防止の役割も果す。他方、この層は
発光には寄与しないため、低電圧化には不利にな
ると懸念されるが、膜厚が１〜２μｍと薄いこ
と、誘電率は８と大きいことにより、この層によ
る電圧効果は全体の1/10以下で無視できた。
実施例 ２
実施例１と同様にして得た螢光体とバインダー
の混合物をカレンダーロールを使つて薄膜化を行
つた。この時、塑性変形を起し易い２枚のテフロ
ンシートの間に挾み薄膜化を行つた。こうして30
±３μｍの螢光体フイルムを得た。薄膜化に際
し、テフロンシートを使わず直接薄膜化した場合
は螢光体フイルムがロールに接着したり、局所的
に螢光体フイルムが薄くなり破損し易いものしか
得られなかつた。
の混合物をカレンダーロールを使つて薄膜化を行
つた。この時、塑性変形を起し易い２枚のテフロ
ンシートの間に挾み薄膜化を行つた。こうして30
±３μｍの螢光体フイルムを得た。薄膜化に際
し、テフロンシートを使わず直接薄膜化した場合
は螢光体フイルムがロールに接着したり、局所的
に螢光体フイルムが薄くなり破損し易いものしか
得られなかつた。
こうして得た螢光体フイルムを実施例１と全く
同様にEL発光素子としたが特性としては実施例
１と殆んど変わらなかつた。
同様にEL発光素子としたが特性としては実施例
１と殆んど変わらなかつた。
第１図はEL発光素子の正面図、第２図は透明
電極の一部をエツチングにより絶縁化した時の
EL発光素子の構成図、第３図は本発明による輝
度―電圧特性である。 １…透明電極、２…螢光体フイルム、３…背面
電極、４…透明電極絶縁化部分、５…背面電極取
出口。
電極の一部をエツチングにより絶縁化した時の
EL発光素子の構成図、第３図は本発明による輝
度―電圧特性である。 １…透明電極、２…螢光体フイルム、３…背面
電極、４…透明電極絶縁化部分、５…背面電極取
出口。
Claims (1)
- １ 30〜70容量％の螢光体を低粘度フツ素系樹脂
と溶融混合し、この混合物を薄膜化し、形成され
た螢光体フイルムを、フツ素樹脂系接着剤層が積
層された透明電極に接着することを特徴とする
EL発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13876079A JPS5663795A (en) | 1979-10-29 | 1979-10-29 | Method of manufacturing el light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13876079A JPS5663795A (en) | 1979-10-29 | 1979-10-29 | Method of manufacturing el light emitting element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5663795A JPS5663795A (en) | 1981-05-30 |
| JPS624837B2 true JPS624837B2 (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15229535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13876079A Granted JPS5663795A (en) | 1979-10-29 | 1979-10-29 | Method of manufacturing el light emitting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5663795A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172891A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | ソニー株式会社 | Ｅｌ表示素子 |
| JPS58157927U (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-21 | パイオニア株式会社 | プツシユスイツチ |
| JPH0766855B2 (ja) * | 1984-02-06 | 1995-07-19 | ロジャ−ズ・コ−ポレ−ション | 電気回路及び電気部品 |
| JPS6166398A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-05 | ダイキン工業株式会社 | 発光素子用組成物およびその用途 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566400A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Nippon Electric Co | Flexible electric field light emitting lamp |
-
1979
- 1979-10-29 JP JP13876079A patent/JPS5663795A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566400A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Nippon Electric Co | Flexible electric field light emitting lamp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5663795A (en) | 1981-05-30 |
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