JPS58172891A - Ｅｌ表示素子 - Google Patents
Ｅｌ表示素子Info
- Publication number
- JPS58172891A JPS58172891A JP57054941A JP5494182A JPS58172891A JP S58172891 A JPS58172891 A JP S58172891A JP 57054941 A JP57054941 A JP 57054941A JP 5494182 A JP5494182 A JP 5494182A JP S58172891 A JPS58172891 A JP S58172891A
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- JP
- Japan
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- layer
- display element
- phosphor
- intermediate dielectric
- vinylidene fluoride
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、交流駆動分散１１ＪＩＬ（エレタ）ａルミネ
センス）素子に関する。
センス）素子に関する。
交流駆動分散＠ＥＬ素子として、従来第１ＩＩＫ示すよ
うな構造のものがある。ｉＩツス基板（１）上に透明電
極（２＞が蒸着法によって形成され、その上に発光体層
（３）がスクリーン印刷法又はスプレー法によって形成
され、更にその上に’ｌｌ／Ｍ電極（４）が蒸着形成さ
れている。透明電極（２）は８ａ０１ 、 Ｉ鳳露０３
等からなり、背面電極（４）は例えばム虐からなってい
る。
うな構造のものがある。ｉＩツス基板（１）上に透明電
極（２＞が蒸着法によって形成され、その上に発光体層
（３）がスクリーン印刷法又はスプレー法によって形成
され、更にその上に’ｌｌ／Ｍ電極（４）が蒸着形成さ
れている。透明電極（２）は８ａ０１ 、 Ｉ鳳露０３
等からなり、背面電極（４）は例えばム虐からなってい
る。
発光体層（３）は、エポキシ＊ｆｒ、シアノエチルセル
ロー×等のバインダ（誘電体物質）（５）の中ｋ例えば
Ｚｎ２ ： Ｃｍ 、ム番螢光体の粒子（６）が分散さ
れた構成となり曵いる。 Ｚｎ２は発光量材、 Ｃｍは
付活剤。
ロー×等のバインダ（誘電体物質）（５）の中ｋ例えば
Ｚｎ２ ： Ｃｍ 、ム番螢光体の粒子（６）が分散さ
れた構成となり曵いる。 Ｚｎ２は発光量材、 Ｃｍは
付活剤。
ＡＩは共付活剤である。透−電１ｃ （２）と背面電極
（４）は交流電源（７） Ｋ ＩＩ続されて、仁の交流
駆動分散層ＢＬ素子が駆動される。交流駆動分散層ＫＬ
素子に於てはその発光体層の層厚が薄い１発光輝度が上
り、ｔた螢光体粒子の粒径が大きい＠痔命が長い、上記
構造のＭＬ索子では、螢光体の粒子（６１の径が大きい
ものでは２０声１１度あるため１度塗りｃ層厚約２０μ
）をした場合、ピンホールが生じ１いので２度塗りをし
て層厚を４ｏｐｍ度とし耐圧な上げていた。しかし、こ
のように２度塗りをして層厚を厚（すると輝度が低下す
るという欠点が伴っていた。１また。最近エポ＋＆樹脂
等の代わりにフッ化ビニリゾｙ系重合体によるバインダ
中に螢光体粒子（６）を分散させて発光体層（３）を形
成したＫＬ素子も開発されているが、壕だ斃光輝度が十
分とはいえなかった。
（４）は交流電源（７） Ｋ ＩＩ続されて、仁の交流
駆動分散層ＢＬ素子が駆動される。交流駆動分散層ＫＬ
素子に於てはその発光体層の層厚が薄い１発光輝度が上
り、ｔた螢光体粒子の粒径が大きい＠痔命が長い、上記
構造のＭＬ索子では、螢光体の粒子（６１の径が大きい
ものでは２０声１１度あるため１度塗りｃ層厚約２０μ
）をした場合、ピンホールが生じ１いので２度塗りをし
て層厚を４ｏｐｍ度とし耐圧な上げていた。しかし、こ
のように２度塗りをして層厚を厚（すると輝度が低下す
るという欠点が伴っていた。１また。最近エポ＋＆樹脂
等の代わりにフッ化ビニリゾｙ系重合体によるバインダ
中に螢光体粒子（６）を分散させて発光体層（３）を形
成したＫＬ素子も開発されているが、壕だ斃光輝度が十
分とはいえなかった。
本発明は上述のような従来の構造によるｇＬ＠子の欠点
を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得ら
れる交流駆動分散渥のＩＬ素子を提供するものである。
を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得ら
れる交流駆動分散渥のＩＬ素子を提供するものである。
本発明は、透明電極と背面電極間にＩＬ発光体層を配し
、電圧印加によりＥＬ発光を呈する交流駆動分散型のＩ
ＡＬ表示素子に於て、そのＥＬ発光体層内にこのＫＬ発
光体層を蒙数の層に分割するようにフッ化ビニリデン系
重合体からなる中間誘電体層を介在せしめたことを特徴
とするものである。
、電圧印加によりＥＬ発光を呈する交流駆動分散型のＩ
ＡＬ表示素子に於て、そのＥＬ発光体層内にこのＫＬ発
光体層を蒙数の層に分割するようにフッ化ビニリデン系
重合体からなる中間誘電体層を介在せしめたことを特徴
とするものである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明は、例えば第２図に示すようにガラス基板（１）
上に形成された透明電極（２）の上に第１発光体層（８
）をスクリーン印刷等によって塗布し、次に７ツ化ビ＝
Ｖデン系重合体からなる透明で高誘電率の中間誘電体層
（９）を塗布する。更にその上に第２発光体層ａωを塗
布した後、背面電極（４）を蒸着形成する。各発光体層
（８）及びαυの塗布厚は螢光体粒子（６）の平均粒径
によって１０声〜４０μに選ぶことができ、例えば粒子
（６）の平均粒径が２０Ｊ１程度の塗布厚が好ましい、
また中間誘電体層（９）の塗布厚はｂ〜１０μの範囲に
選び得る。この中関騎電体ｍ （９＋を構成するフッ化
ビニリデン系重合体としては、フッ化ビニリデンの電合
体であるポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデンと共
重合可能な１ｖｉ以上の率蓄体との共重合体、例えばト
リフロルエチレン−ポリフッ化ビニリデン、テトラフロ
ルエチレン−ポリフッ化ビニリデン等を使用し得る。ま
た、第１及び第２発光体層（８）及びＱｌとしては、中
ｒ＃！′Ｊ紡電体層（９）と同じフッ化ビニリデン系重
合体によるパイｙり（５）中Ｋ Ｚｎ８ ： Ｃｕ 、
ＡｎＩ螢光体粒子（６）を分散させて成るものを使用す
ることができる。
上に形成された透明電極（２）の上に第１発光体層（８
）をスクリーン印刷等によって塗布し、次に７ツ化ビ＝
Ｖデン系重合体からなる透明で高誘電率の中間誘電体層
（９）を塗布する。更にその上に第２発光体層ａωを塗
布した後、背面電極（４）を蒸着形成する。各発光体層
（８）及びαυの塗布厚は螢光体粒子（６）の平均粒径
によって１０声〜４０μに選ぶことができ、例えば粒子
（６）の平均粒径が２０Ｊ１程度の塗布厚が好ましい、
また中間誘電体層（９）の塗布厚はｂ〜１０μの範囲に
選び得る。この中関騎電体ｍ （９＋を構成するフッ化
ビニリデン系重合体としては、フッ化ビニリデンの電合
体であるポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデンと共
重合可能な１ｖｉ以上の率蓄体との共重合体、例えばト
リフロルエチレン−ポリフッ化ビニリデン、テトラフロ
ルエチレン−ポリフッ化ビニリデン等を使用し得る。ま
た、第１及び第２発光体層（８）及びＱｌとしては、中
ｒ＃！′Ｊ紡電体層（９）と同じフッ化ビニリデン系重
合体によるパイｙり（５）中Ｋ Ｚｎ８ ： Ｃｕ 、
ＡｎＩ螢光体粒子（６）を分散させて成るものを使用す
ることができる。
次に発光体層（８）、Ｑｌと中間＠電体層（９）の具体
的な組成例を示す。
的な組成例を示す。
発 光 体 層
ｚｎＳ： Ｃｕ 、ＡＩ蛍光体 ５０〜
９５創ｉトリフロルエチレン−ポリフッ化ビニリデン
５〜５（ｌ蓋＊中関誘電体層 トリフロルエチレン−ポリフッ化ビニリデン １５〜
３０！ｉｔｓジメチルアセトアミド
６５〜７０ｍｊｔ＊但し、中間誘電体層のトリフロルエ
チレン−ポリフッ化ビニリデンの量は塗布厚で変えるも
のであり、上例の１５〜３０重量係は塗布厚５Ａ〜１０
ｓＫ対応した量である。例えば塗布厚７μでは２０重量
−が適当である。なお、フッ化ビニリデン系重合体とし
て、トリフロルエチレンーボリフフ化ビニリデンを例に
挙げたが、その他のポリフッ化ビニリデンあるいはテト
ラフロルエチレン−ポリ７）化ビニリデンＫｆｊｊｔき
代えることが出来ることは勿論であり、その場合にも、
発光体層のバインダ（５）と中間誘電体層（９）とは同
物質のものを選ぶを可とするものである。
９５創ｉトリフロルエチレン−ポリフッ化ビニリデン
５〜５（ｌ蓋＊中関誘電体層 トリフロルエチレン−ポリフッ化ビニリデン １５〜
３０！ｉｔｓジメチルアセトアミド
６５〜７０ｍｊｔ＊但し、中間誘電体層のトリフロルエ
チレン−ポリフッ化ビニリデンの量は塗布厚で変えるも
のであり、上例の１５〜３０重量係は塗布厚５Ａ〜１０
ｓＫ対応した量である。例えば塗布厚７μでは２０重量
−が適当である。なお、フッ化ビニリデン系重合体とし
て、トリフロルエチレンーボリフフ化ビニリデンを例に
挙げたが、その他のポリフッ化ビニリデンあるいはテト
ラフロルエチレン−ポリ７）化ビニリデンＫｆｊｊｔき
代えることが出来ることは勿論であり、その場合にも、
発光体層のバインダ（５）と中間誘電体層（９）とは同
物質のものを選ぶを可とするものである。
第３図は印加電圧（交流周波数ＩＫＨｚＫおける）と発
光輝度との関係を示す特性図であり、曲線ａが第１図に
示す従来のＥＬ表示素子、曲線すが第２図の本発明に基
づ（ＥＬ表示素子である。この特性図゛から明らかな逼
り１本発明によるＷＬ表示素子は従来のＥＬ表示素子と
比較して発光輝度が尚くなり、より低電圧で駆動させる
ことができる。
光輝度との関係を示す特性図であり、曲線ａが第１図に
示す従来のＥＬ表示素子、曲線すが第２図の本発明に基
づ（ＥＬ表示素子である。この特性図゛から明らかな逼
り１本発明によるＷＬ表示素子は従来のＥＬ表示素子と
比較して発光輝度が尚くなり、より低電圧で駆動させる
ことができる。
即ち則じ印加電圧では１．６倍以上発光輝度が向上して
いることがわかる。
いることがわかる。
上述したように本発明のＥＬ表示素子によれば、発光体
層内にフッ化ビニリデン系重合体による゛中間誘電体層
を配したことにより、螢光体粒子全体に強電場がかかる
ようＫなって、発光体層内での強発光部が増加するため
、従来より発光＃度の高いＥＬ表示素子を得ることがで
きるものである。
層内にフッ化ビニリデン系重合体による゛中間誘電体層
を配したことにより、螢光体粒子全体に強電場がかかる
ようＫなって、発光体層内での強発光部が増加するため
、従来より発光＃度の高いＥＬ表示素子を得ることがで
きるものである。
また、中間誘電体層を有することに１つ、各発光体層に
おける螢光体密度を上げても十分に電圧が加わり、発光
効率をより濁めることかできる。
おける螢光体密度を上げても十分に電圧が加わり、発光
効率をより濁めることかできる。
さらに、発光体層のバインダに中間誘電、体層と同じフ
ッ化ビニリデン系重合体を用いるときは、発光体層と中
間誘電体層との接着性が良くなり安定したＥＬｆｉ示素
子が得られる。
ッ化ビニリデン系重合体を用いるときは、発光体層と中
間誘電体層との接着性が良くなり安定したＥＬｆｉ示素
子が得られる。
尚、上例では中間誘電体層を１層配して発光体層を２盾
に分割したが、必要に応じて発光体層が３ノ一以上に分
割されるように複＃９層の中１’１５ｉ１電体層を配す
ることも出来る。
に分割したが、必要に応じて発光体層が３ノ一以上に分
割されるように複＃９層の中１’１５ｉ１電体層を配す
ることも出来る。
第１図は従来の構造に基づ（ＥＬ表示累子の断面図、第
２図は本発明のＥＬ表示素子の断面図第３図はＥＬ表示
素子の印加電圧と輝度との関係を示す特性図である。 （８）は第１発光体層、（９）は中間誘電体層、ａｔｊ
は第２発光体層である。
２図は本発明のＥＬ表示素子の断面図第３図はＥＬ表示
素子の印加電圧と輝度との関係を示す特性図である。 （８）は第１発光体層、（９）は中間誘電体層、ａｔｊ
は第２発光体層である。
Claims (1)
- ｇＬ発光体層内に７ツ化ビニｒ−リデン系重合体からな
る中間誘電体層が配されて虞るＭＬ表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054941A JPS58172891A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | Ｅｌ表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054941A JPS58172891A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | Ｅｌ表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172891A true JPS58172891A (ja) | 1983-10-11 |
Family
ID=12984661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57054941A Pending JPS58172891A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | Ｅｌ表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172891A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4773742A (en) * | 1984-05-15 | 1988-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Display method with fatly acid ester host molecule |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5663795A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-30 | Nippon Telegraph & Telephone | Method of manufacturing el light emitting element |
| JPS5665492A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-03 | Sharp Kk | Thin film el element |
| JPS5669796A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Nippon Electric Co | Bothhside light emitting field effect light emitting lamp |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP57054941A patent/JPS58172891A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5663795A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-30 | Nippon Telegraph & Telephone | Method of manufacturing el light emitting element |
| JPS5665492A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-03 | Sharp Kk | Thin film el element |
| JPS5669796A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Nippon Electric Co | Bothhside light emitting field effect light emitting lamp |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4773742A (en) * | 1984-05-15 | 1988-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Display method with fatly acid ester host molecule |
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