JP2000188207A - Ｐｔｃサ―ミスタ - Google Patents
Ｐｔｃサ―ミスタInfo
- Publication number
- JP2000188207A JP2000188207A JP34984499A JP34984499A JP2000188207A JP 2000188207 A JP2000188207 A JP 2000188207A JP 34984499 A JP34984499 A JP 34984499A JP 34984499 A JP34984499 A JP 34984499A JP 2000188207 A JP2000188207 A JP 2000188207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holes
- electrode layers
- resin
- layers
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、低背化でかつ面実装の可能なＰＴ
Ｃサーミスタを提供することを目的とするものである。 【解決手段】 ポリマＰＴＣ１１を介して上、下面に互
い違いになるように設けられた第１、第２の電極層１２
ａ，１２ｂの両面に第１、第２の樹脂層貫通孔１４ｃ，
１４ｄを備えた第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂを有
し、この第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂの両面に第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂと接続する第１、第２
の基板貫通孔１５ｃ，１５ｄを備えた第１、第２の基板
１５ａ，１５ｂとからなり、側面に第１、第２の樹脂層
貫通孔１４ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１
５ｃ，１５ｄを介して第１、第２の電極層１２ａ，１２
ｂのどちらか一方と電気的に接続する側面電極層１６を
備えたものである。
Ｃサーミスタを提供することを目的とするものである。 【解決手段】 ポリマＰＴＣ１１を介して上、下面に互
い違いになるように設けられた第１、第２の電極層１２
ａ，１２ｂの両面に第１、第２の樹脂層貫通孔１４ｃ，
１４ｄを備えた第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂを有
し、この第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂの両面に第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂと接続する第１、第２
の基板貫通孔１５ｃ，１５ｄを備えた第１、第２の基板
１５ａ，１５ｂとからなり、側面に第１、第２の樹脂層
貫通孔１４ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１
５ｃ，１５ｄを介して第１、第２の電極層１２ａ，１２
ｂのどちらか一方と電気的に接続する側面電極層１６を
備えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｐｏｓｉｔｉｖｅ
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ
（以下、「ＰＴＣ」と記す。）特性を有する導電性ポリ
マを用いたＰＴＣサーミスタに関するものである。
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ
（以下、「ＰＴＣ」と記す。）特性を有する導電性ポリ
マを用いたＰＴＣサーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来のＰＴＣサーミスタについて
説明する。
説明する。
【０００３】従来のＰＴＣサーミスタは、特公平１−２
９０４４号公報に、導電性粉末を混入した有機高分子材
料を素子本体とし、その両面に樹脂に金属粉を混ぜて導
電性を持たせた導電性ペーストからなる電極がそれぞれ
形成され、これら各電極にリード線が樹脂に金属粉を混
ぜて導電性を持たせた導電ペーストによって接着され、
さらに、素子本体および電極を覆うように樹脂外装がリ
ード線の先端部を残して付与されたものが開示されてい
る。
９０４４号公報に、導電性粉末を混入した有機高分子材
料を素子本体とし、その両面に樹脂に金属粉を混ぜて導
電性を持たせた導電性ペーストからなる電極がそれぞれ
形成され、これら各電極にリード線が樹脂に金属粉を混
ぜて導電性を持たせた導電ペーストによって接着され、
さらに、素子本体および電極を覆うように樹脂外装がリ
ード線の先端部を残して付与されたものが開示されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、リード線を有しているため、近年の電子部
品の低背化および面実装化に対応できないという課題を
有していた。
の構成では、リード線を有しているため、近年の電子部
品の低背化および面実装化に対応できないという課題を
有していた。
【０００５】上記課題を解決するために本発明は、低背
化でかつ面実装の可能なＰＴＣサーミスタを提供するこ
とを目的とするものである。
化でかつ面実装の可能なＰＴＣサーミスタを提供するこ
とを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記従来の目的を達成す
るために本発明は、第１、第２の電極層の前記ポリマＰ
ＴＣと対向する面に設けられた第１、第２の基板を備え
たものである。
るために本発明は、第１、第２の電極層の前記ポリマＰ
ＴＣと対向する面に設けられた第１、第２の基板を備え
たものである。
【０００７】また、第１、第２の電極層の前記ポリマＰ
ＴＣと対向する面に設けられるとともに前記第１、第２
の電極層と電気的に接続する第１、第２の基板貫通孔を
備えた第１、第２の基板と、前記第１、第２の基板の第
１、第２の基板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層
のどちらか一方と電気的に接続した少なくとも前記第
１、第２の基板の対向する側面に設けられた側面電極と
からなるものである。
ＴＣと対向する面に設けられるとともに前記第１、第２
の電極層と電気的に接続する第１、第２の基板貫通孔を
備えた第１、第２の基板と、前記第１、第２の基板の第
１、第２の基板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層
のどちらか一方と電気的に接続した少なくとも前記第
１、第２の基板の対向する側面に設けられた側面電極と
からなるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ポリマＰＴＣを介して上、下面に互い違いになるよ
うに設けられた第１、第２の電極層と、前記第１、第２
の電極層のポリマＰＴＣの対向する面に設けられるとと
もに前記第１、第２の電極層と電気的に接続する第１、
第２の樹脂層貫通孔を備えた第１、第２の樹脂層と、前
記第１、第２の樹脂層の前記ポリマＰＴＣと対向する面
に設けられるとともに前記第１、第２の樹脂層貫通孔を
介して前記第１、第２の電極層と電気的に接続する第
１、第２の基板貫通孔を備えた第１、第２の基板と、少
なくとも前記第１、第２の基板の対向する側面に設けら
れた前記第１、第２の樹脂層貫通孔および第１、第２の
基板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層のどちらか
一方と電気的に接続する側面電極層とからなるものであ
る。
は、ポリマＰＴＣを介して上、下面に互い違いになるよ
うに設けられた第１、第２の電極層と、前記第１、第２
の電極層のポリマＰＴＣの対向する面に設けられるとと
もに前記第１、第２の電極層と電気的に接続する第１、
第２の樹脂層貫通孔を備えた第１、第２の樹脂層と、前
記第１、第２の樹脂層の前記ポリマＰＴＣと対向する面
に設けられるとともに前記第１、第２の樹脂層貫通孔を
介して前記第１、第２の電極層と電気的に接続する第
１、第２の基板貫通孔を備えた第１、第２の基板と、少
なくとも前記第１、第２の基板の対向する側面に設けら
れた前記第１、第２の樹脂層貫通孔および第１、第２の
基板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層のどちらか
一方と電気的に接続する側面電極層とからなるものであ
る。
【０００９】また、本発明の請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載の発明であって、第１、第２の電極層
は、前記第１、第２の電極層の端縁と側面電極とを電気
的に接続するとともに第１、第２の樹脂層貫通孔および
第１、第２の基板貫通孔を介して側面電極層と電気的に
接続してなるものである。
請求項１に記載の発明であって、第１、第２の電極層
は、前記第１、第２の電極層の端縁と側面電極とを電気
的に接続するとともに第１、第２の樹脂層貫通孔および
第１、第２の基板貫通孔を介して側面電極層と電気的に
接続してなるものである。
【００１０】（実施の形態１）以下、本発明の一実施の
形態におけるＰＴＣサーミスタについて、図面を参照し
ながら説明する。
形態におけるＰＴＣサーミスタについて、図面を参照し
ながら説明する。
【００１１】図１は、本発明の一実施の形態におけるＰ
ＴＣサーミスタの断面図である。
ＴＣサーミスタの断面図である。
【００１２】図において、１１は高密度ポリエチレン等
からなる結晶性ポリマとカーボンブラック等からなる導
電性粒子とを混合してなる組成物からなるポリマＰＴＣ
である。１２ａ，１２ｂはそれぞれポリマＰＴＣ１１の
上、下面にそれぞれ互い違いになるように設けられたフ
ェノール系の樹脂等を含有した比抵抗が１×１０-3Ω以
下の第１、第２の電極層で、この第１、第２の電極層１
２ａ，１２ｂとポリマＰＴＣ１１とは互いに樹脂を含有
しているため密着性が良いものである。このとき、第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂは、ポリマＰＴＣ１１
の端縁を除いて設けられている。１３ａ，１３ｂはそれ
ぞれポリマＰＴＣ１１の上、下面の第１、第２の電極層
１２ａ，１２ｂが設けられていないポリマＰＴＣ１１の
上、下面の端縁に設けられたポリエステル系等の樹脂か
らなる第１、第２のダミー樹脂層である。１４ａ，１４
ｂは第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂおよび第１、第
２のダミー樹脂層１３ａ，１３ｂのポリマＰＴＣ１１と
対向する面に設けられ、第１、第２の電極層１２ａ，１
２ｂと電気的に接続する第１、第２の樹脂層貫通孔１４
ｃ，１４ｄを備えてなるポリエステル等の絶縁性樹脂等
からなる第１、第２の樹脂層である。１５ａ，１５ｂは
第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂのポリマＰＴＣ１１
の対向する面に設けられ第１、第２の樹脂層１４ａ，１
４ｂの第１、第２の樹脂層貫通孔１４ｃ，１４ｄを介し
て第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂのどちらか一方と
電気的に接続するように設けられた第１、第２の基板貫
通孔１５ｃ，１５ｄとを設けてなるアルミナセラミック
ス等からなる第１、第２の基板である。第１、第２の基
板貫通孔１５ｃ，１５ｄは第１、第２の基板１５ａ，１
５ｂに設けた開口部内に導電体を形成することにより第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂと電気的に接続するも
のである。１６は第１、第２のダミー樹脂層１３ａ，１
３ｂおよびポリマＰＴＣ１１の側面に設けられ第１、第
２の樹脂層貫通孔１４ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基
板貫通孔１５ｃ，１５ｄを介して第１、第２の電極層１
２ａ，１２ｂのどちらか一方と電気的に接続するフェノ
ール系の樹脂銀等からなる一対の側面電極層である。第
１、第２の基板１５ａ，１５ｂは側面電極層１６により
機械的に結合しており基台をなしている。
からなる結晶性ポリマとカーボンブラック等からなる導
電性粒子とを混合してなる組成物からなるポリマＰＴＣ
である。１２ａ，１２ｂはそれぞれポリマＰＴＣ１１の
上、下面にそれぞれ互い違いになるように設けられたフ
ェノール系の樹脂等を含有した比抵抗が１×１０-3Ω以
下の第１、第２の電極層で、この第１、第２の電極層１
２ａ，１２ｂとポリマＰＴＣ１１とは互いに樹脂を含有
しているため密着性が良いものである。このとき、第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂは、ポリマＰＴＣ１１
の端縁を除いて設けられている。１３ａ，１３ｂはそれ
ぞれポリマＰＴＣ１１の上、下面の第１、第２の電極層
１２ａ，１２ｂが設けられていないポリマＰＴＣ１１の
上、下面の端縁に設けられたポリエステル系等の樹脂か
らなる第１、第２のダミー樹脂層である。１４ａ，１４
ｂは第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂおよび第１、第
２のダミー樹脂層１３ａ，１３ｂのポリマＰＴＣ１１と
対向する面に設けられ、第１、第２の電極層１２ａ，１
２ｂと電気的に接続する第１、第２の樹脂層貫通孔１４
ｃ，１４ｄを備えてなるポリエステル等の絶縁性樹脂等
からなる第１、第２の樹脂層である。１５ａ，１５ｂは
第１、第２の樹脂層１４ａ，１４ｂのポリマＰＴＣ１１
の対向する面に設けられ第１、第２の樹脂層１４ａ，１
４ｂの第１、第２の樹脂層貫通孔１４ｃ，１４ｄを介し
て第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂのどちらか一方と
電気的に接続するように設けられた第１、第２の基板貫
通孔１５ｃ，１５ｄとを設けてなるアルミナセラミック
ス等からなる第１、第２の基板である。第１、第２の基
板貫通孔１５ｃ，１５ｄは第１、第２の基板１５ａ，１
５ｂに設けた開口部内に導電体を形成することにより第
１、第２の電極層１２ａ，１２ｂと電気的に接続するも
のである。１６は第１、第２のダミー樹脂層１３ａ，１
３ｂおよびポリマＰＴＣ１１の側面に設けられ第１、第
２の樹脂層貫通孔１４ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基
板貫通孔１５ｃ，１５ｄを介して第１、第２の電極層１
２ａ，１２ｂのどちらか一方と電気的に接続するフェノ
ール系の樹脂銀等からなる一対の側面電極層である。第
１、第２の基板１５ａ，１５ｂは側面電極層１６により
機械的に結合しており基台をなしている。
【００１３】以上のように構成されたＰＴＣサーミスタ
について、以下にその製造方法を図面を参照しながら説
明する。
について、以下にその製造方法を図面を参照しながら説
明する。
【００１４】図２、図３、図４は本発明の一実施の形態
におけるＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図であ
る。
におけるＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図であ
る。
【００１５】まず、図２（ａ）に示すように、基板貫通
孔（図示せず）を有するシート２１の少なくとも基板貫
通孔近傍に焼成銀等からなる導電性ペーストを上、下面
からスクリーン印刷し約８５０℃で約３０分間焼成させ
シート２１の上、下面および基板貫通孔に基板電極層２
２を形成する。
孔（図示せず）を有するシート２１の少なくとも基板貫
通孔近傍に焼成銀等からなる導電性ペーストを上、下面
からスクリーン印刷し約８５０℃で約３０分間焼成させ
シート２１の上、下面および基板貫通孔に基板電極層２
２を形成する。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、基板電極
層２２以外のシート２１の上面にポリエステル系等の絶
縁樹脂をスクリーン印刷し約１３０℃で約１５分間硬化
させ樹脂層２３を形成する。
層２２以外のシート２１の上面にポリエステル系等の絶
縁樹脂をスクリーン印刷し約１３０℃で約１５分間硬化
させ樹脂層２３を形成する。
【００１７】次に、図２（ｃ）に示すように、基板電極
層２２および樹脂層２３の上面に基板電極層２２と電気
的に接続するとともに後述する分割線（図示せず）内の
端縁を除いてフェノール系等の導電性ペーストをスクリ
ーン印刷し、約１５０℃で約３０分間硬化させ、電極層
２４を形成する。
層２２および樹脂層２３の上面に基板電極層２２と電気
的に接続するとともに後述する分割線（図示せず）内の
端縁を除いてフェノール系等の導電性ペーストをスクリ
ーン印刷し、約１５０℃で約３０分間硬化させ、電極層
２４を形成する。
【００１８】次に、図３（ａ）に示すように、電極層２
４を形成していない樹脂層２３の上面にポリエステル系
等の絶縁性樹脂をスクリーン印刷し、１３０℃で１５分
間硬化させ、ダミー樹脂層２５を形成する。
４を形成していない樹脂層２３の上面にポリエステル系
等の絶縁性樹脂をスクリーン印刷し、１３０℃で１５分
間硬化させ、ダミー樹脂層２５を形成する。
【００１９】次に、図３（ｂ）に示すように、結晶化度
７０〜９１％の高密度ポリエチレン等からなる結晶性ポ
リマを５６重量％と平均粒径５８ｎｍで比表面積３８ｍ
2／ｇのカーボンブラック等からなる導電性粒子を４３
重量％および酸化防止剤を１重量％とを約１５０℃に加
熱した２本のロール（図示せず）にて約２０分間混合
し、この混合物を２本ロールからシート状で取り出して
裁断し、シート２１と同形状のポリマＰＴＣ２６を作製
した後、シート２１の上面に電極層２４等を形成してい
る面に電極層２４とポリマＰＴＣ２６とを電気的に接続
するように挟み込んで約１５０℃に加熱した熱プレス機
で約２０ｋｇ／ｃｍ2で約１０秒間圧着して、電子線照
射装置内で電子線を約４０Ｍｒａｄ照射し、電子線架橋
をする。
７０〜９１％の高密度ポリエチレン等からなる結晶性ポ
リマを５６重量％と平均粒径５８ｎｍで比表面積３８ｍ
2／ｇのカーボンブラック等からなる導電性粒子を４３
重量％および酸化防止剤を１重量％とを約１５０℃に加
熱した２本のロール（図示せず）にて約２０分間混合
し、この混合物を２本ロールからシート状で取り出して
裁断し、シート２１と同形状のポリマＰＴＣ２６を作製
した後、シート２１の上面に電極層２４等を形成してい
る面に電極層２４とポリマＰＴＣ２６とを電気的に接続
するように挟み込んで約１５０℃に加熱した熱プレス機
で約２０ｋｇ／ｃｍ2で約１０秒間圧着して、電子線照
射装置内で電子線を約４０Ｍｒａｄ照射し、電子線架橋
をする。
【００２０】次に、図４（ａ）に示すように、基板電極
層２２が一方向に並ぶように短冊状になるような分割溝
２７にダイシング等により１次基板分割を行う。
層２２が一方向に並ぶように短冊状になるような分割溝
２７にダイシング等により１次基板分割を行う。
【００２１】次に、図４（ｂ）に示すように、ダミー樹
脂層２５およびポリマＰＴＣ２６の側面に、貫通孔のあ
る樹脂層電極層（図示せず）および基板電極層２２を介
してのみ電極層２４のどちらか一方と電気的に接続する
フェノール系の樹脂銀系からなる一対の側面電極層２８
を形成する。
脂層２５およびポリマＰＴＣ２６の側面に、貫通孔のあ
る樹脂層電極層（図示せず）および基板電極層２２を介
してのみ電極層２４のどちらか一方と電気的に接続する
フェノール系の樹脂銀系からなる一対の側面電極層２８
を形成する。
【００２２】最後に、図４（ｃ）に示すように、ダイシ
ング等により分割してＰＴＣサーミスタ２９を製造する
ものである。
ング等により分割してＰＴＣサーミスタ２９を製造する
ものである。
【００２３】なお、本実施の形態では側面電極層１６に
電気的に接続するのは第１、第２の樹脂層貫通孔１４
ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１５ｃ，１５
ｄを介してのみ第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂとし
たが、第１、第２の電極層の端縁でも側面電極層に電気
的に接続するとともに第１、第２の樹脂層貫通孔および
第１、第２の基板貫通孔を介して電気的に接続しても良
い。
電気的に接続するのは第１、第２の樹脂層貫通孔１４
ｃ，１４ｄおよび第１、第２の基板貫通孔１５ｃ，１５
ｄを介してのみ第１、第２の電極層１２ａ，１２ｂとし
たが、第１、第２の電極層の端縁でも側面電極層に電気
的に接続するとともに第１、第２の樹脂層貫通孔および
第１、第２の基板貫通孔を介して電気的に接続しても良
い。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明は、低背化でかつ面
実装が可能なＰＴＣサーミスタを提供できるものであ
る。
実装が可能なＰＴＣサーミスタを提供できるものであ
る。
【００２５】また、ポリマＰＴＣと電極層とを直接また
は貫通孔を介して側面電極層に接続するため、半田付け
時にポリマＰＴＣに熱が伝導しこの熱によりポリマＰＴ
Ｃが膨張した応力を樹脂層およびダミー樹脂層が吸収す
るので、電気的接続が向上したＰＴＣサーミスタを提供
できるものである。
は貫通孔を介して側面電極層に接続するため、半田付け
時にポリマＰＴＣに熱が伝導しこの熱によりポリマＰＴ
Ｃが膨張した応力を樹脂層およびダミー樹脂層が吸収す
るので、電気的接続が向上したＰＴＣサーミスタを提供
できるものである。
【図１】本発明の一実施の形態におけるＰＴＣサーミス
タの断面図
タの断面図
【図２】同製造方法を示す工程図
【図３】同製造方法を示す工程図
【図４】同製造方法を示す工程図
１１ ポリマＰＴＣ １２ａ 第１の電極層 １２ｂ 第２の電極層 １３ａ 第１のダミー樹脂層 １３ｂ 第２のダミー樹脂層 １４ａ 第１の樹脂層 １４ｂ 第２の樹脂層 １４ｃ 第１の樹脂層貫通孔 １４ｄ 第２の樹脂層貫通孔 １５ａ 第１の基板 １５ｂ 第２の基板 １５ｃ 第１の基板貫通孔 １５ｄ 第２の基板貫通孔 １６ 側面電極層
フロントページの続き (72)発明者 森本 光一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 岩尾 敏之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 福井 禎明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ポリマＰＴＣを介して上、下面に互い違
いになるように設けられた第１、第２の電極層と、前記
第１、第２の電極層のポリマＰＴＣの対向する面に設け
られるとともに前記第１、第２の電極層と電気的に接続
する第１、第２の樹脂層貫通孔を備えた第１、第２の樹
脂層と、前記第１、第２の樹脂層の前記ポリマＰＴＣと
対向する面に設けられるとともに前記第１、第２の樹脂
層貫通孔を介して前記第１、第２の電極層と電気的に接
続する第１、第２の基板貫通孔を備えた第１、第２の基
板と、少なくとも前記第１、第２の基板の対向する側面
に設けられた前記第１、第２の樹脂層貫通孔および第
１、第２の基板貫通孔を介して前記第１、第２の電極層
のどちらか一方と電気的に接続する側面電極層とからな
るＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項２】 第１、第２の電極層は、前記第１、第２
の電極層の端縁と側面電極とを電気的に接続するととも
に第１、第２の樹脂層貫通孔および第１、第２の基板貫
通孔を介して側面電極層と電気的に接続してなる請求項
１記載のＰＴＣサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34984499A JP3820825B2 (ja) | 1996-05-30 | 1999-12-09 | Ｐｔｃサーミスタ |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13642996A JP3820629B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Ｐｔｃサーミスタ |
| JP34984499A JP3820825B2 (ja) | 1996-05-30 | 1999-12-09 | Ｐｔｃサーミスタ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13642996A Division JP3820629B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Ｐｔｃサーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000188207A true JP2000188207A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3820825B2 JP3820825B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=18406507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34984499A Expired - Lifetime JP3820825B2 (ja) | 1996-05-30 | 1999-12-09 | Ｐｔｃサーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3820825B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6809626B2 (en) * | 2002-07-31 | 2004-10-26 | Polytronics Technology Corporation | Over-current protection device |
| JP2009010321A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Shanghai Surgwave Electronics Co Ltd | 表面実装型過電流過熱保護デバイス |
| TWI386957B (zh) * | 2005-06-20 | 2013-02-21 | Epcos Ag | 電機多層組件 |
-
1999
- 1999-12-09 JP JP34984499A patent/JP3820825B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6809626B2 (en) * | 2002-07-31 | 2004-10-26 | Polytronics Technology Corporation | Over-current protection device |
| TWI386957B (zh) * | 2005-06-20 | 2013-02-21 | Epcos Ag | 電機多層組件 |
| JP2009010321A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Shanghai Surgwave Electronics Co Ltd | 表面実装型過電流過熱保護デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3820825B2 (ja) | 2006-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4769901A (en) | Method of making PTC devices | |
| KR20010072571A (ko) | 전기 장치 | |
| FR2653588B1 (fr) | Resistance electrique sous forme de puce a montage de surface et son procede de fabrication. | |
| US4977309A (en) | Organic PTC thermistor | |
| EP0811993A2 (en) | Electrical devices | |
| EP0790625A2 (en) | PTC element | |
| JP3736602B2 (ja) | チップ型サーミスタ | |
| CN210805371U (zh) | 一种过电流保护元件 | |
| JP3820629B2 (ja) | Ｐｔｃサーミスタ | |
| JP2000188207A (ja) | Ｐｔｃサ―ミスタ | |
| JP3628222B2 (ja) | Ｐｔｃ素子の製造方法 | |
| CN212570572U (zh) | 一种可有效提高长期环境稳定性的ptc过流保护器件 | |
| JPH09266131A (ja) | 積層電子部品 | |
| DE19758452A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates sowie Metall Keramik-Substrat | |
| CN110853849A (zh) | 一种过电流保护元件 | |
| JPH02305402A (ja) | 抵抗器及びその製造法 | |
| CA1316231C (en) | Chip resistor | |
| JP2002110451A (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JPH09199302A (ja) | チップ型ｐｔｃサーミスタおよびその製造方法 | |
| JPH09246013A (ja) | チップ形ｐｔｃサーミスタ | |
| JPH021393B2 (ja) | ||
| EP1478216A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte für elektrische Schaltungen | |
| JPS6215777A (ja) | フイルム状コネクタ及びその製造方法 | |
| JP3497987B2 (ja) | 電気二重層コンデンサおよびそれに用いるガスケット | |
| JPH04243173A (ja) | 電歪効果素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050630 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050810 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050823 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051021 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060530 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060612 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130630 Year of fee payment: 7 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |