JPS6248018A - レジスト膜の硬化処理方法 - Google Patents
レジスト膜の硬化処理方法Info
- Publication number
- JPS6248018A JPS6248018A JP18730285A JP18730285A JPS6248018A JP S6248018 A JPS6248018 A JP S6248018A JP 18730285 A JP18730285 A JP 18730285A JP 18730285 A JP18730285 A JP 18730285A JP S6248018 A JPS6248018 A JP S6248018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist film
- radicals
- hardening process
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造工程のレジスト膜硬化処理方法
に関する。特に、高解像力を存する低分子量のレジスト
を使用する場合の硬化処理方法に関するものである。
に関する。特に、高解像力を存する低分子量のレジスト
を使用する場合の硬化処理方法に関するものである。
本発明は、アジド基を含むポジ型レジスト膜の硬化処理
方法において、硬化処理に先立ってレジスト非硬化処理
手段によりアジド基を分解除去し、硬化処理時にレジス
トの荒れが発生しないようにするものである。
方法において、硬化処理に先立ってレジスト非硬化処理
手段によりアジド基を分解除去し、硬化処理時にレジス
トの荒れが発生しないようにするものである。
半導体装置製造工程中のフォトリソグラフィ工程では、
バターニング後のレジスト表面に硬化層を形成し、レジ
ストの耐熱性を向上させている。これは、ドライエツチ
ング工程やイオンインプランテーション工程等のフォト
リソグラフィ工程後の製造工程で十分な耐熱性が必要な
為である。硬化層の形成は、通常はレジスト表面に遠紫
外線を照射し、光架橋を起こさせることにより行なって
いる。
バターニング後のレジスト表面に硬化層を形成し、レジ
ストの耐熱性を向上させている。これは、ドライエツチ
ング工程やイオンインプランテーション工程等のフォト
リソグラフィ工程後の製造工程で十分な耐熱性が必要な
為である。硬化層の形成は、通常はレジスト表面に遠紫
外線を照射し、光架橋を起こさせることにより行なって
いる。
近年、パターンの微細化等により、高解像力のレジスト
が使用されるようになってきている。一方で、次の工程
であるドライエツチング等では、レジストに更に一層の
高耐熱性が要求されてきている。しかし、高解像力のレ
ジストは低分子量化されている為、一般に耐熱性が悪い
という問題がある。
が使用されるようになってきている。一方で、次の工程
であるドライエツチング等では、レジストに更に一層の
高耐熱性が要求されてきている。しかし、高解像力のレ
ジストは低分子量化されている為、一般に耐熱性が悪い
という問題がある。
即ち、高解像力のレジスト表面を硬化処理する場合、高
スループツトを得る為１通常強力な遠紫外線を用いるこ
とになるが、強力な遠紫外線をかかるレジスト膜に照射
すると、参考写真１に見られるように、レジスト膜に荒
れが発生するという問題が生じる。
スループツトを得る為１通常強力な遠紫外線を用いるこ
とになるが、強力な遠紫外線をかかるレジスト膜に照射
すると、参考写真１に見られるように、レジスト膜に荒
れが発生するという問題が生じる。
このレジスト荒れは、塗布したレジストが基板からはが
れたり、膨れたりして生ずる。
れたり、膨れたりして生ずる。
上述の如〈従来技術には、レジスト荒れが生ずるという
問題がある。
問題がある。
本発明の目的は、高スループツトを得ることができて、
しかもレジストの荒れが発生しないレジスト膜の硬化方
法を提供することにある。
しかもレジストの荒れが発生しないレジスト膜の硬化方
法を提供することにある。
ポジ型レジストには、感光基としてのアジド基を有する
技術、例えばす７トキノンジアジドと、通例レジストの
基板に対する密着性を向上させるための材料、例えばヘ
キサメチルジシラザンＣ１ｈ Ｃ１（３ ＣＩ１３ ５ｉ Ｎ Ｓｉ ＣＩ＋３ＣＩＩ３８
Ｃ１＋：１ が含まれる。レジスト膜に強力な遠紫外線を照射すると
荒れが生ずるのは、上記両物質が反応してＮ２ガスが発
生し、これが基板とレジスト膜との間に気泡を作ること
が原因と推察される。
技術、例えばす７トキノンジアジドと、通例レジストの
基板に対する密着性を向上させるための材料、例えばヘ
キサメチルジシラザンＣ１ｈ Ｃ１（３ ＣＩ１３ ５ｉ Ｎ Ｓｉ ＣＩ＋３ＣＩＩ３８
Ｃ１＋：１ が含まれる。レジスト膜に強力な遠紫外線を照射すると
荒れが生ずるのは、上記両物質が反応してＮ２ガスが発
生し、これが基板とレジスト膜との間に気泡を作ること
が原因と推察される。
そこで、本発明では、硬化処理に先立って、レジスト非
硬化処理手段によりアジド基を分解除去する。
硬化処理手段によりアジド基を分解除去する。
レジスト非硬化手段、例えば紫外線照射や加熱処理によ
り、レジスト膜に含まれるアジド基、例えば；欠 ナフトキノンジアジドは、羊キ衾に示すように熱分解さ
れる。
り、レジスト膜に含まれるアジド基、例えば；欠 ナフトキノンジアジドは、羊キ衾に示すように熱分解さ
れる。
従って、その後に強力な遠紫外線を照射する等して硬化
処理をしても、参考写真２に見られるように、レジスト
の荒れ発生が抑えられる。
処理をしても、参考写真２に見られるように、レジスト
の荒れ発生が抑えられる。
実施例Ｉ
Ｄ Ｐ Ｒ２６００（商品名、大日本インキ製造（株）
）のレジストを基板に塗布してパターニングした後、レ
ジストを硬化させずにアジド基を分解する光を全面照射
し、次に強力な遠紫外線で硬化処理する。本実施例では
、まずｌ−当り３ミリワツトの弱い紫外線で６秒露光し
てアジド基を分解し、次に１−当り６００ミリワツトの
強い遠紫外線で硬化処理した。
）のレジストを基板に塗布してパターニングした後、レ
ジストを硬化させずにアジド基を分解する光を全面照射
し、次に強力な遠紫外線で硬化処理する。本実施例では
、まずｌ−当り３ミリワツトの弱い紫外線で６秒露光し
てアジド基を分解し、次に１−当り６００ミリワツトの
強い遠紫外線で硬化処理した。
実施例２
Ｄ ｐ Ｒ２６００（商品名、大日本インキ製造（株）
）のレジストを基板に塗布してパターニングした後、ベ
ーキングを行ない、その後強力な遠紫外線で硬化処理す
る。本実施例では、１００℃で８０秒間へ一キングした
。ベーキングは、Ｎ２が分解する温度９０℃では効果が
薄く、アジド基が効率良く分解する１００℃以上が好ま
しい。しかし、温度があまり高いと、レジストが軟化し
てパターンがくずれてしまうので、１００℃以上でこれ
よりあまり高くない範囲にするのがよい。また、時間は
８０秒より短いと荒れ抑制効果が十分でない場合がある
。
）のレジストを基板に塗布してパターニングした後、ベ
ーキングを行ない、その後強力な遠紫外線で硬化処理す
る。本実施例では、１００℃で８０秒間へ一キングした
。ベーキングは、Ｎ２が分解する温度９０℃では効果が
薄く、アジド基が効率良く分解する１００℃以上が好ま
しい。しかし、温度があまり高いと、レジストが軟化し
てパターンがくずれてしまうので、１００℃以上でこれ
よりあまり高くない範囲にするのがよい。また、時間は
８０秒より短いと荒れ抑制効果が十分でない場合がある
。
本発明によれば、強力な遠紫外線を使用してレジストの
効果処理をしても、アジド基を事前に分解除去しである
ので、レジストの荒れが発生せず、高スループノドを得
ることができるという効果がある。
効果処理をしても、アジド基を事前に分解除去しである
ので、レジストの荒れが発生せず、高スループノドを得
ることができるという効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アジド基を含むポジ型レジスト膜の硬化処理方法におい
て、 硬化処理に先立ち、レジスト非硬化処理手段によりアジ
ド基を分解除去することを特徴とするレジスト膜の硬化
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187302A JP2597981B2 (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | レジスト膜の硬化処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187302A JP2597981B2 (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | レジスト膜の硬化処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6248018A true JPS6248018A (ja) | 1987-03-02 |
| JP2597981B2 JP2597981B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=16203621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60187302A Expired - Lifetime JP2597981B2 (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | レジスト膜の硬化処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2597981B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290667A (en) * | 1991-12-03 | 1994-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing ink jet recording head |
| CN111492314A (zh) * | 2017-12-26 | 2020-08-04 | 东京毅力科创株式会社 | 光照射装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5223401A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Method of etching photography |
| JPS57167029A (en) * | 1981-03-19 | 1982-10-14 | Hoechst Ag | Burning of positive type photosensitive layer exposed and developed |
| JPS6045247A (ja) * | 1983-05-23 | 1985-03-11 | フユージヨン・セミコンダクター・システムズ | フオトレジストの硬化方法及び硬化装置 |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP60187302A patent/JP2597981B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5223401A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Method of etching photography |
| JPS57167029A (en) * | 1981-03-19 | 1982-10-14 | Hoechst Ag | Burning of positive type photosensitive layer exposed and developed |
| JPS6045247A (ja) * | 1983-05-23 | 1985-03-11 | フユージヨン・セミコンダクター・システムズ | フオトレジストの硬化方法及び硬化装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290667A (en) * | 1991-12-03 | 1994-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing ink jet recording head |
| CN111492314A (zh) * | 2017-12-26 | 2020-08-04 | 东京毅力科创株式会社 | 光照射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2597981B2 (ja) | 1997-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |