JPS6247477A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS6247477A JPS6247477A JP18875985A JP18875985A JPS6247477A JP S6247477 A JPS6247477 A JP S6247477A JP 18875985 A JP18875985 A JP 18875985A JP 18875985 A JP18875985 A JP 18875985A JP S6247477 A JPS6247477 A JP S6247477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- magnetic field
- sputtering
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はスパッタリング装置に係り、特にスパッタ集信
を制御してＬ（板に形成される薄膜の特性を変化させる
ことを可能としたスパッタリング装置に関する。
を制御してＬ（板に形成される薄膜の特性を変化させる
ことを可能としたスパッタリング装置に関する。
従来から基板の表面に１？膜を形成する手段としてマグ
ネトロンスパッタリング装置が広く用いられている。
ネトロンスパッタリング装置が広く用いられている。
このマグネトロンスパッタリング装置は、真空ＩＪＩ気
されるスパッタ室の内部にターゲットおよびマグネッ１
−からなるスパッタガンを配設し、上記ターゲットに対
向して基板を配置する。そして、上記スパッタ室内の圧
力を１０−１〜１Ｏ−２Ｐａとし、このスパッタ室内に
設りられた陽極と陰極としてのターグツ１−との間に高
電圧を印加して、両極間にグロー放電を発生さＬる。こ
のとき、上記放電により発生した電子は、スパッタガン
のマグネットにＪ：リターゲットの表面近傍空間に発生
する閉じられた磁界と、印加電圧により発生する電界と
により、ターゲットの表面近傍に捉えられマグネトロン
運動をして−いる。この電子は、残留ガス分子が陽イオ
ンに電離されることによりプラズマ放電を発生させ、こ
の結果、陰極のターゲットに衝突した陽イオンによりタ
ーゲツト材ｒ１がスパッタリングされ、基板上に材料の
薄膜が形成されるものである。
されるスパッタ室の内部にターゲットおよびマグネッ１
−からなるスパッタガンを配設し、上記ターゲットに対
向して基板を配置する。そして、上記スパッタ室内の圧
力を１０−１〜１Ｏ−２Ｐａとし、このスパッタ室内に
設りられた陽極と陰極としてのターグツ１−との間に高
電圧を印加して、両極間にグロー放電を発生さＬる。こ
のとき、上記放電により発生した電子は、スパッタガン
のマグネットにＪ：リターゲットの表面近傍空間に発生
する閉じられた磁界と、印加電圧により発生する電界と
により、ターゲットの表面近傍に捉えられマグネトロン
運動をして−いる。この電子は、残留ガス分子が陽イオ
ンに電離されることによりプラズマ放電を発生させ、こ
の結果、陰極のターゲットに衝突した陽イオンによりタ
ーゲツト材ｒ１がスパッタリングされ、基板上に材料の
薄膜が形成されるものである。
通常のスパッタリングにおいてプラズマ放電により生じ
た電子の運動は次式で表わされる。
た電子の運動は次式で表わされる。
ここに、Ｅ；電場
Ｂ；磁束密度
ｍ；電子の質量
ｑ；電子の電荷
Ｖ；電子の速度 である。
そのため、スパッタ条件はＥおよびＢにより制限される
。
。
しかし、−り記装置においては、ターゲットの表面近傍
空間に形成される！１揚は、個々の装置が有するスパッ
タガンのマグネットにより定まる装置固有のものとなっ
ているため、各装置にＪ：リスバッタ条件が穴なる場合
がある。そのため、ターゲットや基板の材料を変えると
基板に形成される薄膜の条件に影響を及ぼしてしまうと
い−う問題がある。例えば、基板の湿度条件が異なる場
合、五１板と薄膜との密着度が変化したり、薄膜の内部
歪の発生により薄膜表面の割れが生じることがあった。
空間に形成される！１揚は、個々の装置が有するスパッ
タガンのマグネットにより定まる装置固有のものとなっ
ているため、各装置にＪ：リスバッタ条件が穴なる場合
がある。そのため、ターゲットや基板の材料を変えると
基板に形成される薄膜の条件に影響を及ぼしてしまうと
い−う問題がある。例えば、基板の湿度条件が異なる場
合、五１板と薄膜との密着度が変化したり、薄膜の内部
歪の発生により薄膜表面の割れが生じることがあった。
〔発明の目的］
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、スパッタ
条件を制御することができ、かつ、薄１１９の特性を向
上させることのできるスパッタリング装置を提供するこ
とを目的と覆るものである。
条件を制御することができ、かつ、薄１１９の特性を向
上させることのできるスパッタリング装置を提供するこ
とを目的と覆るものである。
上記目的達成のため本発明のスパッタリング装置は、真
空排気されるスパッタ室の内部にターゲットおよびマグ
ネットからなるスパッタガンを配設し、上記ターゲット
に対向して配置された基板表面に上記ターゲットの月利
をスパッタリングして１ｌｌｌＯを形成さけるスパッタ
リング装置にＪ３いて、上記ターゲットと基板との間に
新たな磁場を形成づるどともにこの磁場の強さを可変制
御する磁場印加装置を設（）たことをその１！ｉ ｉｆ
ｆとするものである。
空排気されるスパッタ室の内部にターゲットおよびマグ
ネットからなるスパッタガンを配設し、上記ターゲット
に対向して配置された基板表面に上記ターゲットの月利
をスパッタリングして１ｌｌｌＯを形成さけるスパッタ
リング装置にＪ３いて、上記ターゲットと基板との間に
新たな磁場を形成づるどともにこの磁場の強さを可変制
御する磁場印加装置を設（）たことをその１！ｉ ｉｆ
ｆとするものである。
以下、本発明の実施例を第１図乃至第５図を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を示したもので、スパッタ室
１の一側面には、外方に突出Ｊる突出部２が形成されて
おり、この突出部２の内側にはターグツ１〜３が取付け
られるとともに、このターグツ１〜３の裏面側すなわち
外部側近傍にマグネット４６３よび陽極５がそれぞれ取
付けられている。この突出部２の側面外周にはｉｆ Ｊ
Ａ印加装首どしてコイル６が巻きイ」けられてＪ３す、
このコイル６に通電することによりターゲット４の面に
垂直な方向の磁場を発生さけるようになされ、通電電流
を変化さＶることにより磁場の強さを可変するようにな
されている。
１の一側面には、外方に突出Ｊる突出部２が形成されて
おり、この突出部２の内側にはターグツ１〜３が取付け
られるとともに、このターグツ１〜３の裏面側すなわち
外部側近傍にマグネット４６３よび陽極５がそれぞれ取
付けられている。この突出部２の側面外周にはｉｆ Ｊ
Ａ印加装首どしてコイル６が巻きイ」けられてＪ３す、
このコイル６に通電することによりターゲット４の面に
垂直な方向の磁場を発生さけるようになされ、通電電流
を変化さＶることにより磁場の強さを可変するようにな
されている。
なお、この磁場は正逆両方向に発生ざＶることができく
基板方向を正方向とする〉、上記磁場中加装δはスペッ
タ室１に設けるようにしてもよい。
基板方向を正方向とする〉、上記磁場中加装δはスペッ
タ室１に設けるようにしてもよい。
上記スパッタ室１内部には、上記突出部２のスパッタ室
１内部に対する間口を開閉さけるシャッタ７が設けられ
ている。さらに、上記スパッタ室１には、図示しない真
空ポンプに接続される＋Ｊｌ気口８および内部に雰囲気
ガスを導入するガス導入口９が設けられており、スパッ
タ室１の内部には上記ターゲット３に対向するように基
板１０が基板ホルダ１１により支持されている。
１内部に対する間口を開閉さけるシャッタ７が設けられ
ている。さらに、上記スパッタ室１には、図示しない真
空ポンプに接続される＋Ｊｌ気口８および内部に雰囲気
ガスを導入するガス導入口９が設けられており、スパッ
タ室１の内部には上記ターゲット３に対向するように基
板１０が基板ホルダ１１により支持されている。
本実施例においては、陰極としてのターグツｌ−３と陽
極５との間に畠電圧を印加することにより、マグネット
４による磁場との相互作用からマグネトロン放電を発生
さけて、基板１０の表面にターゲット３のｌ ｒｊｌを
スパッタリングして付若さけるものである。
極５との間に畠電圧を印加することにより、マグネット
４による磁場との相互作用からマグネトロン放電を発生
さけて、基板１０の表面にターゲット３のｌ ｒｊｌを
スパッタリングして付若さけるものである。
さらに、本実施例においては、コイル６に電流を流して
ターゲット３と基板１０との間に新たな磁場を形成する
Ｊ：うになされてＪ３す、この磁場はターゲット３に対
して垂直に基板１０の方向を向いている。そのため、電
子はらせん運動をしながら上記磁場の方向に運−動して
基板１０に衝突し、この衝突エネルギーににり基板１０
の温度が上胃する。また、磁場の方向を逆ｌノ向にすれ
ば電子は逆方向に運動する。
ターゲット３と基板１０との間に新たな磁場を形成する
Ｊ：うになされてＪ３す、この磁場はターゲット３に対
して垂直に基板１０の方向を向いている。そのため、電
子はらせん運動をしながら上記磁場の方向に運−動して
基板１０に衝突し、この衝突エネルギーににり基板１０
の温度が上胃する。また、磁場の方向を逆ｌノ向にすれ
ば電子は逆方向に運動する。
したがって、本実施例にＪ３いては、コイル６により発
生９る磁場の強さｄ３ Ｊ：び方向を制御することによ
り、基板１３の温度を変化させ薄膜の内部歪、方着強度
および結晶配向性等を制御することがでさ゛、その結果
、スパッタリングにより形成される薄膜の特性を制御覆
ることが可能となる。
生９る磁場の強さｄ３ Ｊ：び方向を制御することによ
り、基板１３の温度を変化させ薄膜の内部歪、方着強度
および結晶配向性等を制御することがでさ゛、その結果
、スパッタリングにより形成される薄膜の特性を制御覆
ることが可能となる。
上記密着強度については、厚さ２ ｍｍの石英基板上に
１０００人のＯｒ膜を形成し、連続荷重引掻試験様を用
い、引掻針に１０５０（Ｉｒの荷重をがけ、ス［・ロー
フ１００喘の範囲で引掻試験を行ったが、基板からの剥
離は生じなかった。
１０００人のＯｒ膜を形成し、連続荷重引掻試験様を用
い、引掻針に１０５０（Ｉｒの荷重をがけ、ス［・ロー
フ１００喘の範囲で引掻試験を行ったが、基板からの剥
離は生じなかった。
第２図乃至第５図は本実施例に係るスパッタリング装置
と従来のスパッタリング装置との、基板ｄｌＡ度、磁束
密度、基板発生電圧Ｊ３よび膜厚分布の状態をそれぞれ
示したもので、いずれの場合も直径１２５ｍのターゲラ
１へを用いた。本実施例によればコイルの電流を変化す
ることにより、広範囲にねたっＣスパッタ条件および基
板の温度条件薄を変化さけることが可能であることを示
しでいる。
と従来のスパッタリング装置との、基板ｄｌＡ度、磁束
密度、基板発生電圧Ｊ３よび膜厚分布の状態をそれぞれ
示したもので、いずれの場合も直径１２５ｍのターゲラ
１へを用いた。本実施例によればコイルの電流を変化す
ることにより、広範囲にねたっＣスパッタ条件および基
板の温度条件薄を変化さけることが可能であることを示
しでいる。
以上述べたように本発明に係るスパッタリング装置は、
ターゲットと基板どの間に新たな磁場を形成するととも
にこのｖｌｌＪＡの強さを可変制御する磁場印加装置を
設けたので、基板の温度やスパッタ条件を制御すること
ができ、したがって、基板に形成される薄膜の特性を自
由に変化させることができ、薄膜の密着強度および結晶
配向性の向上を図り内部歪の少ない薄膜を作成づ゛るこ
とが可能となる。その結果、薄膜の割れを防止Ｊること
ができ□、さらに、種々のスパッタリング装置によって
も薄膜条件を一定にすることができる等の効果を奏する
。
ターゲットと基板どの間に新たな磁場を形成するととも
にこのｖｌｌＪＡの強さを可変制御する磁場印加装置を
設けたので、基板の温度やスパッタ条件を制御すること
ができ、したがって、基板に形成される薄膜の特性を自
由に変化させることができ、薄膜の密着強度および結晶
配向性の向上を図り内部歪の少ない薄膜を作成づ゛るこ
とが可能となる。その結果、薄膜の割れを防止Ｊること
ができ□、さらに、種々のスパッタリング装置によって
も薄膜条件を一定にすることができる等の効果を奏する
。
第１図は本発明の一実施例を示す横断面図、第２図乃至
第５図はそれぞれ本発明に係るスパッタリング装置と従
来のスパッタリング装置との特性の実験結果を比較した
らので、第２図は基板温度の変化を示す線図、第３図は
磁束密度の変化を示η−腺図、第４図は基板に発生した
電圧の変化を示づ線図、第５図は基板表面の膜厚分布を
示す線図である。 １・・・スパッタ至、２・・・突出部、３・・・ターゲ
ット、４・・・マグネット、５・・・陽極、６・・・コ
イル、７・・・シ１１ツタ、８・・・ＬＪＩ気口、９・
・・ガス導入口、１０・・・基板、１１・・・基板ホル
ダ。 出願人代理人 佐 値 −Ｕ［ 第１図 舞 寥 １蛍＜ｐ＞ ｆ？へＶ興貿（”ｖｐ釈）
第５図はそれぞれ本発明に係るスパッタリング装置と従
来のスパッタリング装置との特性の実験結果を比較した
らので、第２図は基板温度の変化を示す線図、第３図は
磁束密度の変化を示η−腺図、第４図は基板に発生した
電圧の変化を示づ線図、第５図は基板表面の膜厚分布を
示す線図である。 １・・・スパッタ至、２・・・突出部、３・・・ターゲ
ット、４・・・マグネット、５・・・陽極、６・・・コ
イル、７・・・シ１１ツタ、８・・・ＬＪＩ気口、９・
・・ガス導入口、１０・・・基板、１１・・・基板ホル
ダ。 出願人代理人 佐 値 −Ｕ［ 第１図 舞 寥 １蛍＜ｐ＞ ｆ？へＶ興貿（”ｖｐ釈）
Claims (1)
- 真空排気されるスパッタ室の内部にターゲットおよびマ
グネットからなるスパッタガンを配設し、上記ターゲッ
トに対向して配置された基板表面に上記ターゲットの材
料をスパッタリングして薄膜を形成させるスパッタリン
グ装置において、上記ターゲットと基板との間に新たな
磁場を形成するとともにこの磁場の強さを可変制御する
磁場印加装置を設けたことを特徴とするスパッタリング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18875985A JPS6247477A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18875985A JPS6247477A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247477A true JPS6247477A (ja) | 1987-03-02 |
| JPS6334226B2 JPS6334226B2 (ja) | 1988-07-08 |
Family
ID=16229272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18875985A Granted JPS6247477A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247477A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006510803A (ja) * | 2002-12-19 | 2006-03-30 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 磁界発生装置付き真空アークソース |
| JP2010525158A (ja) * | 2007-04-17 | 2010-07-22 | スルザー メタプラス ゲーエムベーハー | 真空アーク蒸発源、及び真空アーク蒸発源を有するアーク蒸発チャンバ |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP18875985A patent/JPS6247477A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006510803A (ja) * | 2002-12-19 | 2006-03-30 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 磁界発生装置付き真空アークソース |
| JP2010525158A (ja) * | 2007-04-17 | 2010-07-22 | スルザー メタプラス ゲーエムベーハー | 真空アーク蒸発源、及び真空アーク蒸発源を有するアーク蒸発チャンバ |
| US9269545B2 (en) | 2007-04-17 | 2016-02-23 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Truebbach | Vacuum arc vaporisation source and also a vacuum arc vaporisation chamber with a vacuum arc vaporisation source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6334226B2 (ja) | 1988-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5000834A (en) | Facing targets sputtering device | |
| JPH04325680A (ja) | サブストレート上に反応性の膜を付着する装置 | |
| JPS6254078A (ja) | 陰極スパツタリング処理により基板に薄層を被着する装置 | |
| JP2921874B2 (ja) | 高効率シートプラズマスパタリング装置 | |
| KR100336621B1 (ko) | 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막증착 방법 | |
| US7223449B2 (en) | Film deposition method | |
| JPH02101160A (ja) | イオンプレーティング方法 | |
| JPH03240944A (ja) | アルミニウム薄膜形成用対向ターゲット式スパッタ法及び装置 | |
| JPS6247477A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH08232064A (ja) | 反応性マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH10144475A (ja) | Ｅｌ素子、及び有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方法 | |
| JPH01298154A (ja) | 対向ターゲット式プレーナーマグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPH10140344A (ja) | 有機薄膜表面への導電性薄膜形成方法、有機ｅｌ素子 | |
| JPH11279756A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JP4735291B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPS62222518A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0273963A (ja) | 低温基体への薄膜形成方法 | |
| JPS61292817A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JPH07258841A (ja) | 薄膜抵抗体の成膜方法およびその成膜装置 | |
| JPH05339725A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2878299B2 (ja) | イオンプレーティング方法 | |
| JP3968128B2 (ja) | 薄膜抵抗体の成膜方法及び装置 | |
| JPS5831078A (ja) | 被膜基体の前処理方法およびその装置 | |
| JPH03271369A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPH04187765A (ja) | マグネトロンスパッタ装置の防着板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |