JPS6247184A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS6247184A JPS6247184A JP18786785A JP18786785A JPS6247184A JP S6247184 A JPS6247184 A JP S6247184A JP 18786785 A JP18786785 A JP 18786785A JP 18786785 A JP18786785 A JP 18786785A JP S6247184 A JPS6247184 A JP S6247184A
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- JP
- Japan
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- layer
- gaas
- guide
- semiconductor
- algaas
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は量子井戸レーザにおいて、
そのガイド層を超格子構造とすることにより、非発光再
結合を減少させ、闇値電流密度、発光効率等の特性を改
善するものである。
結合を減少させ、闇値電流密度、発光効率等の特性を改
善するものである。
〔産業上の利用分野
本発明は半導体レーザにかかり、特に鼠子力戸半導体レ
ーザの闇値電流密度、発光効率等の特性を向上ずる構造
の改善に関する。
ーザの闇値電流密度、発光効率等の特性を向上ずる構造
の改善に関する。
光を情１１１ｆｍの媒体とする光通信その他のシステム
の高度化、多様化がＨＩ進されており、その光源として
重要な役割を果たしている半導体発光装置特にレーザに
ついて、発振闇値ＴＬ流の低減、発光効率の向−ｌ二等
の特性の改善がなお要望されている。
の高度化、多様化がＨＩ進されており、その光源として
重要な役割を果たしている半導体発光装置特にレーザに
ついて、発振闇値ＴＬ流の低減、発光効率の向−ｌ二等
の特性の改善がなお要望されている。
量子井戸半導体レーザはその活性層の厚さをキャリアの
ドウ・ブローイー波長以下とし、量子井戸形ポテンシャ
ルを形成している。第２図（ａｌは量子井戸半導体レー
ザの１従来例を示す模式側断面図、同図（ｂｌはそのエ
ネルギーバンドダイアダラムであり、その対応を同一符
号によって示す。
ドウ・ブローイー波長以下とし、量子井戸形ポテンシャ
ルを形成している。第２図（ａｌは量子井戸半導体レー
ザの１従来例を示す模式側断面図、同図（ｂｌはそのエ
ネルギーバンドダイアダラムであり、その対応を同一符
号によって示す。
本従来例において、２ｌはｎ型砒化ガリウム（Ｇａ＾Ｓ
）半導体基板、２２はｎ型ＧａＡｓバソファ層、２３は
ｎ型砒化アルミニウノ、ガリウＪ、（八ｌｙ［＋ａ１−
ｖＡｓ’ｌクラット層、２４１：ｌ： ｎ型へｌ 、（
Ｇａ ｌ −ｘ＾ｓ （Ｘ＜Ｙ）ガイ１層、２５番ｌＧ
ａＡｓよりなる量子井戸層、２６はｐ型Ａ ｌ ｘＧａ
ｌ −ｘＡｓカイ１゛層、２７はｐ型へ１ｙＧ８１−
ｙＡＳりう７１層、２８１ｉｐ型ＧａＡｓ：’Ｉンタク
ト層であり、これらの芥１′、導体層をエビタートシャ
ル成長（−またｊ（に、ス（フイプ領域の両側の半導体
層に例えば艷ｆｆｉ鉛（Ｚｎ）’Ａのイ・鈍物を拡１１
シさセることに、１、って、ｐ型ＡｌＧａへＳクラノＦ
Ｉｊ’ｉ２７、ガイ１層２６に含まわろ−〆ルミニ１”
ツノ、（＾１）ＩＱ了のＧａＡｓ１了井戸層２５・〜、
の拡散なとのＦ＋’導体層和７１間のｔｌＪ：＋！父を
行わ一υて！１１ｒ井戸構造を破壊し７、閉じ込め領域
３０を形成している。なお、３１は絶縁膜、３２はｎ側
電極、３３はｎ側電極である。
）半導体基板、２２はｎ型ＧａＡｓバソファ層、２３は
ｎ型砒化アルミニウノ、ガリウＪ、（八ｌｙ［＋ａ１−
ｖＡｓ’ｌクラット層、２４１：ｌ： ｎ型へｌ 、（
Ｇａ ｌ −ｘ＾ｓ （Ｘ＜Ｙ）ガイ１層、２５番ｌＧ
ａＡｓよりなる量子井戸層、２６はｐ型Ａ ｌ ｘＧａ
ｌ −ｘＡｓカイ１゛層、２７はｐ型へ１ｙＧ８１−
ｙＡＳりう７１層、２８１ｉｐ型ＧａＡｓ：’Ｉンタク
ト層であり、これらの芥１′、導体層をエビタートシャ
ル成長（−またｊ（に、ス（フイプ領域の両側の半導体
層に例えば艷ｆｆｉ鉛（Ｚｎ）’Ａのイ・鈍物を拡１１
シさセることに、１、って、ｐ型ＡｌＧａへＳクラノＦ
Ｉｊ’ｉ２７、ガイ１層２６に含まわろ−〆ルミニ１”
ツノ、（＾１）ＩＱ了のＧａＡｓ１了井戸層２５・〜、
の拡散なとのＦ＋’導体層和７１間のｔｌＪ：＋！父を
行わ一υて！１１ｒ井戸構造を破壊し７、閉じ込め領域
３０を形成している。なお、３１は絶縁膜、３２はｎ側
電極、３３はｎ側電極である。
キャリアのドウ・ゾｒ１−イー波長！Ｊ例えばＧａＡｓ
では３０冊桿度であり、−）ヤリ了特に電子のエネルギ
ー〈１（位を十分に鋪１１ケｊるため仁二、量子井戸層
の厚さく星了月戸の幅）はしはしぽ１０皿程度以下とさ
れ、ガイ１層２４．２６の厚さは例えば０．３μｍ程度
とされろ。
では３０冊桿度であり、−）ヤリ了特に電子のエネルギ
ー〈１（位を十分に鋪１１ケｊるため仁二、量子井戸層
の厚さく星了月戸の幅）はしはしぽ１０皿程度以下とさ
れ、ガイ１層２４．２６の厚さは例えば０．３μｍ程度
とされろ。
Ｖイ１１戸山−（′−トヤリアは幅）ｊ向の運動が量子
化さ′＃１．２次元状態となっ−Ｃ１不ルギー準荀（４
１階段状のｌ） ７）ハンＩを形成し、サブハフ１端で
その状１川密度が著しく増ｊ、して電ｒ−１１孔の再結
合ｉｆ ４Ｊブハント瑞間で行わ相、更にガイド層２４
．２（）の効果か加わって、発振［℃仙電流密度が大幅
に低減する。
化さ′＃１．２次元状態となっ−Ｃ１不ルギー準荀（４
１階段状のｌ） ７）ハンＩを形成し、サブハフ１端で
その状１川密度が著しく増ｊ、して電ｒ−１１孔の再結
合ｉｆ ４Ｊブハント瑞間で行わ相、更にガイド層２４
．２（）の効果か加わって、発振［℃仙電流密度が大幅
に低減する。
１ｉ４ｉの星７−１１戸≧ｌ−専体し・−ザ乙こおいて
も多数の他種のＬ・−ザと同様（こ、キャリアすなわち
電子％び正孔はガ・イト層からｈ１１了井・粘＋／１層
ζこ注入される。
も多数の他種のＬ・−ザと同様（こ、キャリアすなわち
電子％び正孔はガ・イト層からｈ１１了井・粘＋／１層
ζこ注入される。
このキャリア注入効率などから、ガ・１１層のエネルギ
ーハントギャップはこれより夕１例の半導体層と’Ａｊ
’１１戸層との中間に設定されており、」−ヤリ了がこ
の様にガイ１層をＩＦＩ過する際に井発）−ｍｍ結合が
行われ、レーザ全体とし７ての発光効“４・（の低トを
招いており、その改善が要望さＪする。
ーハントギャップはこれより夕１例の半導体層と’Ａｊ
’１１戸層との中間に設定されており、」−ヤリ了がこ
の様にガイ１層をＩＦＩ過する際に井発）−ｍｍ結合が
行われ、レーザ全体とし７ての発光効“４・（の低トを
招いており、その改善が要望さＪする。
前記問題点は、ρｉ性層とガイ１層とに上り量了井ρが
構成され、該カイト層が化合物半導体に、ｌ、ろ超格子
構造を有する本発明による半導体レー１１４に６１、り
解決される。
構成され、該カイト層が化合物半導体に、ｌ、ろ超格子
構造を有する本発明による半導体レー１１４に６１、り
解決される。
なお前記超格子構ｊ告としては、中原了層超格了構造が
特に適１−２でいる。
特に適１−２でいる。
本発明による半導体レーザは、活性層に接１ノで量子井
戸構造を構成するガイ１層か化合物半導体による超格子
構造とされる。この超格子構造のガイ１層層は、その士
均的な工不ルギーハン１ギヤツブ、光屈折率などの物性
は相当する混晶と同等な値となり、半導体レーザの構成
に支障はない。
戸構造を構成するガイ１層か化合物半導体による超格子
構造とされる。この超格子構造のガイ１層層は、その士
均的な工不ルギーハン１ギヤツブ、光屈折率などの物性
は相当する混晶と同等な値となり、半導体レーザの構成
に支障はない。
超格子構造とすることにより従来の多元化合物混晶に比
較して、ガイド層内部の歪が緩和されキャリア結合セン
ターが減少して、非発光再結合の減少、発振闇値電流密
度の部子、発光効率の同士がもたらされる。
較して、ガイド層内部の歪が緩和されキャリア結合セン
ターが減少して、非発光再結合の減少、発振闇値電流密
度の部子、発光効率の同士がもたらされる。
なおこの超＋Ｍ ’ｆ’構）’Ｍ ｉＪイ列えばＧａＡ
ｓと八ＩＡｓ、ｆｉ ａ Ａ ｓとＡｌＧａＡｓなとを
交りに積層するか、ごの各層は単１６）Ｙ層（Ｑｉ−分
子層ともいう、ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）稈１ｆｙか望まし
い。
ｓと八ＩＡｓ、ｆｉ ａ Ａ ｓとＡｌＧａＡｓなとを
交りに積層するか、ごの各層は単１６）Ｙ層（Ｑｉ−分
子層ともいう、ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）稈１ｆｙか望まし
い。
以下本発明を第１図ｆａｔ （、ｉ１模式側断面図、同
図（ｂｌ乙こ拡大模式図を示す実施例により具体的に説
明する。
図（ｂｌ乙こ拡大模式図を示す実施例により具体的に説
明する。
本実施例では不純物濃度が例えば２ ＸＩＯ”’ｃｍ−
３稈度のｎ型ＧａＡｓ半導体Ｗ板１１−に、下記の半導
体層を順次成長している。（Ｘ・０，４などはＡＩ、（
Ｇａ、−ＸへＳの八ｌ ４Ｊ１成比Ｘを示ず） これらの各半導体層し１分子線エピタキシセル成長、ツ
ノ法（ＭＢＦ法）によって成長しているか、第１図（ｂ
ｌに図示する如きガイ１層層４及び６の超格子構造を構
成するＧａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓの単原子層の成長に
は、反射高速電子線回折（Ｒ１１肝ｎ）像をモニターし
て各層の成長を検知する位相制御を行っている。
３稈度のｎ型ＧａＡｓ半導体Ｗ板１１−に、下記の半導
体層を順次成長している。（Ｘ・０，４などはＡＩ、（
Ｇａ、−ＸへＳの八ｌ ４Ｊ１成比Ｘを示ず） これらの各半導体層し１分子線エピタキシセル成長、ツ
ノ法（ＭＢＦ法）によって成長しているか、第１図（ｂ
ｌに図示する如きガイ１層層４及び６の超格子構造を構
成するＧａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓの単原子層の成長に
は、反射高速電子線回折（Ｒ１１肝ｎ）像をモニターし
て各層の成長を検知する位相制御を行っている。
［例えば、坂本他、゛中分子層成長を可能とする位相制
御エピタキシー゛° 応用物理 第５４巻第７号 ６９
Ｂ−７旧頁 参照〕 半導体層 ３、■成 不純物濃度 厚さく１
ｌｎ−３面 ８コンタクト層 ＧａＡｓ ｐ−ｌＸｌ０１９
５００７クラソＦ’ｒｓ ＡｌＧａＡｓ；Ｘ＝０．５
ｐ−］ Ｘ １０１８Ｉｎ（１０６ガイ１層（ｉｆ
ｆｌ原了層超格子） ｐ−１ｘ Ｉｎ” ２００６
ｂ Ｇ ａ Ａ ｓ
６ａ ＡｌＧａＡｓ；Ｘ＝０．
４５活１１層 ＧａＡｓ ノンＩ−ブ ６
４ガイ１層（単原子層超格子） ｎ暑×１ｏ１８２ｏ。
御エピタキシー゛° 応用物理 第５４巻第７号 ６９
Ｂ−７旧頁 参照〕 半導体層 ３、■成 不純物濃度 厚さく１
ｌｎ−３面 ８コンタクト層 ＧａＡｓ ｐ−ｌＸｌ０１９
５００７クラソＦ’ｒｓ ＡｌＧａＡｓ；Ｘ＝０．５
ｐ−］ Ｘ １０１８Ｉｎ（１０６ガイ１層（ｉｆ
ｆｌ原了層超格子） ｐ−１ｘ Ｉｎ” ２００６
ｂ Ｇ ａ Ａ ｓ
６ａ ＡｌＧａＡｓ；Ｘ＝０．
４５活１１層 ＧａＡｓ ノンＩ−ブ ６
４ガイ１層（単原子層超格子） ｎ暑×１ｏ１８２ｏ。
４ｈ ＡｌＧａＡｓ；Ｘ＝０．４４ａ
ＧａＡｓ ３ り’ｙ ソＦ層 ＡｌＧａＡｓ；Ｘ＝０．５ ｎ
−ｌＸｌ０” １０００２ハソフア層 ＧａＡｓ
ｎ−２ＸＩＯ１８３０００この半導体基体に従
来技術により、例えばＺｎ拡散により半導体層間でＡＩ
原子等の相互拡散を行わせて閉じ込め領域】０を形成し
、絶縁膜１１、ｎ側電極１２、ｎ側電極１３を配設し、
襞間等の工程を経て本実施例の半導体素子か完成する。
ＧａＡｓ ３ り’ｙ ソＦ層 ＡｌＧａＡｓ；Ｘ＝０．５ ｎ
−ｌＸｌ０” １０００２ハソフア層 ＧａＡｓ
ｎ−２ＸＩＯ１８３０００この半導体基体に従
来技術により、例えばＺｎ拡散により半導体層間でＡＩ
原子等の相互拡散を行わせて閉じ込め領域】０を形成し
、絶縁膜１１、ｎ側電極１２、ｎ側電極１３を配設し、
襞間等の工程を経て本実施例の半導体素子か完成する。
以ｌ＝説明した本発明の実施例は、ガイ１層４．６を相
当する混晶とした仕較試料に列して、発振闇値電流密度
が２７ａ程度に減少し本発明の効果が確認、された。
当する混晶とした仕較試料に列して、発振闇値電流密度
が２７ａ程度に減少し本発明の効果が確認、された。
以１の説明ではＧａＡｓ ／ Ａ ｌＧａＡｓ系半導体
を用いているが、インジうム燐／インジウムガリウＪ１
砒素（Ｇ％） （ＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ（Ｐ））系な
ど他の半導体材料を用いた−１７−井戸半導体レーザに
ついても、本発明を適用して同様の効果を収めることが
できる。
を用いているが、インジうム燐／インジウムガリウＪ１
砒素（Ｇ％） （ＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ（Ｐ））系な
ど他の半導体材料を用いた−１７−井戸半導体レーザに
ついても、本発明を適用して同様の効果を収めることが
できる。
以［、説明した如く本発明によれば、量子井戸半導体レ
ーザのガイド層におけるギヤリアの非発光結合等が減少
し、発振闇値電流密度の低減、発光効率の向トなどの特
Ｐ１改善が達成されて、光通信等のシステムの進歩に大
きく寄りすることができる。
ーザのガイド層におけるギヤリアの非発光結合等が減少
し、発振闇値電流密度の低減、発光効率の向トなどの特
Ｐ１改善が達成されて、光通信等のシステムの進歩に大
きく寄りすることができる。
第１１ｕｌ（ａｌは本発明の実施例を示す模式側断面図
、第１図ｉｂｌは該実施例の拡大模式図、第２図（ａ）
は量子井戸レーザの従来例を示す模式第２図ｆｂ）はそ
の活１’ｌ領域近傍のエネルギーパン１゛ダイアグラム
である。 図において、 １はｎ型ＧａＡｓＪ９板、 ２はｎ型ＧａＡｓハソファ層、 ３はｎ型Ａ］ＧａＡｓクラッド層、 ４は超格子構造のｎ型ガイド層、 ４ａばそのＧ ａ Ａ ５−ｒｌ’一原子層、４ｈはそ
のＡＩＧａＡｓＪｉＩｎａＡ ｓはＧａＡｓ量子井戸活性層、 ６は超格子構造のｐ型ガイド層、 ６ａはそのＡｌＧａＡｓ１原子層、 ６ｈはそのＧａＡｓ単原子層、 ７はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、 ８はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 １０は閉じ込め領域、 １１は絶縁膜、 １２はｎ側電極、 １３はｎ側電極を示す。 本書０月−づＣ力芭・し・Ｉ、、ｊ延デ（Ａす・ｌＩＭ
ｉ図、１ 図（Ｑ） ○○○○○０６００α−６１） ・ｏｏｏｏｏｏ・ｏ−−，５，１ ００００００ｏｏｏ。 Ｏ○・○○○・Ｏ■ ○ｏｏｏｏ○○○○Ｏ ○・ＯＯＯ・○■○ ■○００００００００ ｏ０ｏ＠品骨。シ％シも一６ム ・００■○・○００−：ねし ○○○○Ｏ○○ＯＯ○ ○○○○Ｏ○○Ｏ○ ○○○○Ｏ○○○ＯＯ５ ００００００ｏｏｏ。 、−？謔騒讐１ム％％洟具辷■「 クツ（，９４ｐ・Ｊｑ、オφ、テ（覗り ｆｆ１ｉｉＩ
ｆｆｉ第１ｉｉＩｆｆｉ ｈ！ 第 − 寅施仲１を拡人横氏屈 第 １ 図（ｂ）
、第１図ｉｂｌは該実施例の拡大模式図、第２図（ａ）
は量子井戸レーザの従来例を示す模式第２図ｆｂ）はそ
の活１’ｌ領域近傍のエネルギーパン１゛ダイアグラム
である。 図において、 １はｎ型ＧａＡｓＪ９板、 ２はｎ型ＧａＡｓハソファ層、 ３はｎ型Ａ］ＧａＡｓクラッド層、 ４は超格子構造のｎ型ガイド層、 ４ａばそのＧ ａ Ａ ５−ｒｌ’一原子層、４ｈはそ
のＡＩＧａＡｓＪｉＩｎａＡ ｓはＧａＡｓ量子井戸活性層、 ６は超格子構造のｐ型ガイド層、 ６ａはそのＡｌＧａＡｓ１原子層、 ６ｈはそのＧａＡｓ単原子層、 ７はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、 ８はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 １０は閉じ込め領域、 １１は絶縁膜、 １２はｎ側電極、 １３はｎ側電極を示す。 本書０月−づＣ力芭・し・Ｉ、、ｊ延デ（Ａす・ｌＩＭ
ｉ図、１ 図（Ｑ） ○○○○○０６００α−６１） ・ｏｏｏｏｏｏ・ｏ−−，５，１ ００００００ｏｏｏ。 Ｏ○・○○○・Ｏ■ ○ｏｏｏｏ○○○○Ｏ ○・ＯＯＯ・○■○ ■○００００００００ ｏ０ｏ＠品骨。シ％シも一６ム ・００■○・○００−：ねし ○○○○Ｏ○○ＯＯ○ ○○○○Ｏ○○Ｏ○ ○○○○Ｏ○○○ＯＯ５ ００００００ｏｏｏ。 、−？謔騒讐１ム％％洟具辷■「 クツ（，９４ｐ・Ｊｑ、オφ、テ（覗り ｆｆ１ｉｉＩ
ｆｆｉ第１ｉｉＩｆｆｉ ｈ！ 第 − 寅施仲１を拡人横氏屈 第 １ 図（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）活性層とガイド層とにより量子井戸が構成され、該
ガイド層が化合物半導体による超格子構造を有すること
を特徴とする半導体レーザ。 ２）前記超格子構造が単原子層超格子構造であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18786785A JPS6247184A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18786785A JPS6247184A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247184A true JPS6247184A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16213603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18786785A Pending JPS6247184A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247184A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0323251A2 (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| US8553429B2 (en) | 2007-09-26 | 2013-10-08 | Molex Incorporated | Electrical component mounting assemblies |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP18786785A patent/JPS6247184A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0323251A2 (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| US8553429B2 (en) | 2007-09-26 | 2013-10-08 | Molex Incorporated | Electrical component mounting assemblies |
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