JPS6246413A - 薄膜ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6246413A JPS6246413A JP18611985A JP18611985A JPS6246413A JP S6246413 A JPS6246413 A JP S6246413A JP 18611985 A JP18611985 A JP 18611985A JP 18611985 A JP18611985 A JP 18611985A JP S6246413 A JPS6246413 A JP S6246413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- stress
- films
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録、感熱記録などの情報記録の分野に利
用できる薄膜ヘッドの製造方法に関するものである。
用できる薄膜ヘッドの製造方法に関するものである。
従来の技術
薄膜ヘッドは複数の導体や絶縁材の薄膜を多層に積み重
ねて構・成されるため、構成材料の物性（熱膨張率９弾
性率など）及び薄膜の生成条件などによって応力が発生
し、これに起因してヘッド特性の変動、加工精度の低下
、生成膜の剥離や基板の割れなど、さまざまなトラブル
が発生し生産性を低下させていた。
ねて構・成されるため、構成材料の物性（熱膨張率９弾
性率など）及び薄膜の生成条件などによって応力が発生
し、これに起因してヘッド特性の変動、加工精度の低下
、生成膜の剥離や基板の割れなど、さまざまなトラブル
が発生し生産性を低下させていた。
このような問題を解決するため、従来では基板。
薄膜材料を選定し、物性値が近似な材料を組み合わせた
シ、残留応力の発生が少なくなる生成条件の確立や、熱
歪の発生や生成膜相互の拡散を防ぐためのプロセスの低
温化、さらには薄膜の付着強度を向上させたり、応力を
吸収するために適当なバッファ層を形成する方法や発生
した応力を緩和するため、数回にわたってアニール処理
を施すなどの方法が用いられて来た。
シ、残留応力の発生が少なくなる生成条件の確立や、熱
歪の発生や生成膜相互の拡散を防ぐためのプロセスの低
温化、さらには薄膜の付着強度を向上させたり、応力を
吸収するために適当なバッファ層を形成する方法や発生
した応力を緩和するため、数回にわたってアニール処理
を施すなどの方法が用いられて来た。
例えば、膜の付着強度を向上し剥離を防ぐための導体材
料の組み合わせについては特開昭５１−４９９１７号公
報の本文中に記載されているような方法が知られている
。
料の組み合わせについては特開昭５１−４９９１７号公
報の本文中に記載されているような方法が知られている
。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような方法はいずれも特定の条件下では効
果が得られるが十分な対策ではなく、使用材料の組み合
わせによって特性が変動する他、本来の目的には不要な
薄膜層の形成やアニール工程の導入などによって薄膜の
生成プロセスが複雑になり、工程の増加によるトラブル
の発生などの問題を生じていた。
果が得られるが十分な対策ではなく、使用材料の組み合
わせによって特性が変動する他、本来の目的には不要な
薄膜層の形成やアニール工程の導入などによって薄膜の
生成プロセスが複雑になり、工程の増加によるトラブル
の発生などの問題を生じていた。
本発明は上述したような従来法における問題点の発生要
因の一つの積層膜によって生じる応力の集中に鑑みなさ
れたもので、大きな基板の全面に成膜した場合、発生す
る全応力も大きくなり、基板の反シや割れ、あるいは膜
の剥離などの発生を防止するためには応力の発生を低下
させるか、又は応力を分散させる方法が考えられるが、
本発明は発生した応力を分散させることによって、薄膜
生成工程を複雑化することなく、従来法の問題点を解決
しようとするものである。
因の一つの積層膜によって生じる応力の集中に鑑みなさ
れたもので、大きな基板の全面に成膜した場合、発生す
る全応力も大きくなり、基板の反シや割れ、あるいは膜
の剥離などの発生を防止するためには応力の発生を低下
させるか、又は応力を分散させる方法が考えられるが、
本発明は発生した応力を分散させることによって、薄膜
生成工程を複雑化することなく、従来法の問題点を解決
しようとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は基板の表面にマトリックス状に溝を形成し、そ
の表面に積層する薄膜の全てをこの溝の段差によって生
成と同時にその膜を細分化して発生する応力を分散する
構成になっている。
の表面に積層する薄膜の全てをこの溝の段差によって生
成と同時にその膜を細分化して発生する応力を分散する
構成になっている。
作用
本発明は上記した構成により、生成した膜を必要範囲で
細分化することによシ、膜の積層に起因する応力を緩和
し、基板の反シや膜の剥離を防止することができる。
細分化することによシ、膜の積層に起因する応力を緩和
し、基板の反シや膜の剥離を防止することができる。
実施例
以下本発明の一実施例における薄膜ヘッドの製造方法に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
まず、最初に本発明の一般原理について説明する。
まず、一般に基板上に生成した薄膜に残留する応力が大
きいと薄膜に割れが生じ、膜を細分化することによって
応力が緩和される。この現象から生成した膜を必要範囲
で細分化することによって、膜の積層に起因する応力を
緩和し、基板の反シや膜の剥離を防止するものである。
きいと薄膜に割れが生じ、膜を細分化することによって
応力が緩和される。この現象から生成した膜を必要範囲
で細分化することによって、膜の積層に起因する応力を
緩和し、基板の反シや膜の剥離を防止するものである。
基板上に形成する溝はその目的上、溝の幅、深さはでき
る限シ大きいほうが望ましい。しかし、溝を深くすると
基板の強度が低下するので、その値は積層する薄膜の全
膜厚の３〜５倍程度が適当である。また、この溝を形成
する手段としては機械研削が一般に考えられるが、機械
研削時にマイクロクラックが発生すると後の薄膜生成工
程で基板に加わる熱覆歴によってクラックが進行し、基
板の割れにつながるので、物理的、化学的なエツチング
によって加工変質層を除去することが望ましい。あるい
は基板材料にフォトセラム（コーニング社の商品名）な
どの感光性ガラスを用いて光学的な手法で溝を形成する
ことによってマイクロクラックの発生を防止し、熱的に
安定した基板を得ることも可能である。
る限シ大きいほうが望ましい。しかし、溝を深くすると
基板の強度が低下するので、その値は積層する薄膜の全
膜厚の３〜５倍程度が適当である。また、この溝を形成
する手段としては機械研削が一般に考えられるが、機械
研削時にマイクロクラックが発生すると後の薄膜生成工
程で基板に加わる熱覆歴によってクラックが進行し、基
板の割れにつながるので、物理的、化学的なエツチング
によって加工変質層を除去することが望ましい。あるい
は基板材料にフォトセラム（コーニング社の商品名）な
どの感光性ガラスを用いて光学的な手法で溝を形成する
ことによってマイクロクラックの発生を防止し、熱的に
安定した基板を得ることも可能である。
以下に各実施例を用いて本発明を説明する。
第１図（ａ）は一枚の基板上にマトリックス状て複数個
の薄膜ヘッドを形成した後、この基板を分割して複数個
のヘッドチップを作製するために、予め表面上に、分割
ライン（！Ｌ−ｐ、１〜１５）に合わせて溝を形成した
基板の平面図を示すもので、第１図（ｂ）はその側面図
、第１図（０）は第１図（ｂ）の円ムを拡大した要部′
拡大側面図を示すものである。
の薄膜ヘッドを形成した後、この基板を分割して複数個
のヘッドチップを作製するために、予め表面上に、分割
ライン（！Ｌ−ｐ、１〜１５）に合わせて溝を形成した
基板の平面図を示すもので、第１図（ｂ）はその側面図
、第１図（０）は第１図（ｂ）の円ムを拡大した要部′
拡大側面図を示すものである。
〈実施列−１〉
第２図において、Ｍｎ −Ｚｎ単結晶フェライトより成
る厚さ１．５ＭＭの基板２１の表面に行方向３朋１列方
向６朋ピッチで深さ０．３ＭＭ、幅Ｑ、２ｆｆｊｆの溝
２２をダイシング・ソーで形成した後、８０°Ｃのリン
酸溶液で１５分間エツチング処理を行い、溝２２の内面
を各２μｍずつ除去した基板の表面にスパッタリング法
によシ厚さ２０μｍの５１０２膜を生成する。２３はこ
のようにして積層された薄膜である。
る厚さ１．５ＭＭの基板２１の表面に行方向３朋１列方
向６朋ピッチで深さ０．３ＭＭ、幅Ｑ、２ｆｆｊｆの溝
２２をダイシング・ソーで形成した後、８０°Ｃのリン
酸溶液で１５分間エツチング処理を行い、溝２２の内面
を各２μｍずつ除去した基板の表面にスパッタリング法
によシ厚さ２０μｍの５１０２膜を生成する。２３はこ
のようにして積層された薄膜である。
〈実施列−２〉
第３図は本実施列の薄膜ヘッドの製造工程を水子もので
ある。
ある。
第３図において、第３図（＆）に示す厚さ１．５Ｍの感
光性ガラス３１（例えばコーニング社製のフォトフオー
ム）の表面に、第３図（ｂ）に示すようにフオドレジス
ト３２を塗布し、第３図（Ｃ）に示すようにフォトリン
グラフ法によってガラス基板の表面に深さＱ、３１１ｆ
ｆ、幅０．１闘のパターン３３を焼き付はマスクを形成
した後、複数の紫外線ランプ３４ａ。
光性ガラス３１（例えばコーニング社製のフォトフオー
ム）の表面に、第３図（ｂ）に示すようにフオドレジス
ト３２を塗布し、第３図（Ｃ）に示すようにフォトリン
グラフ法によってガラス基板の表面に深さＱ、３１１ｆ
ｆ、幅０．１闘のパターン３３を焼き付はマスクを形成
した後、複数の紫外線ランプ３４ａ。
３４ｂによって基板の斜め上より四方から紫外線を照射
した後（第３図ｄ）、フッ酸溶液で基板の感光性ガラス
３１をエツチングし、台形状の溝３５を形成する（第３
図ｅ）。このようにして作製した基板の上にスパッタリ
ング法により第３図ｆに示すように厚さ２０μｍのＳｉ
Ｏ２膜３６を生成する。
した後（第３図ｄ）、フッ酸溶液で基板の感光性ガラス
３１をエツチングし、台形状の溝３５を形成する（第３
図ｅ）。このようにして作製した基板の上にスパッタリ
ング法により第３図ｆに示すように厚さ２０μｍのＳｉ
Ｏ２膜３６を生成する。
く比較列〉
尚、比較のために、Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトよシ成
る厚さ１．５朋の基板の表面に単にスパッタリング法に
よシ厚さ２０μｍのＳｉＯ２膜を生成し、各実施列とこ
の比較列によシ示した基板の反シ量を表面荒さ計で測定
した結果を第４図に示す。第４図において、（イ）は実
施列−１、（ロ）は実施例−２、（ハ）は比較例の反シ
量の特性を示すもので、各特性かられかるように、本実
施列のものは、薄膜の積層によって生じる応力を分散さ
せ、応力によって生じる基板の反シや割れ、積層膜の剥
離の発生を防止するものである。
る厚さ１．５朋の基板の表面に単にスパッタリング法に
よシ厚さ２０μｍのＳｉＯ２膜を生成し、各実施列とこ
の比較列によシ示した基板の反シ量を表面荒さ計で測定
した結果を第４図に示す。第４図において、（イ）は実
施列−１、（ロ）は実施例−２、（ハ）は比較例の反シ
量の特性を示すもので、各特性かられかるように、本実
施列のものは、薄膜の積層によって生じる応力を分散さ
せ、応力によって生じる基板の反シや割れ、積層膜の剥
離の発生を防止するものである。
発明の効果
以上、実施列、比較列で述べたように、本発明より成る
基板を用いた薄膜ヘッドの製造法によれば、薄膜の積層
によって生じる応力を分散することが可能となり、応力
によって生じる基板の反シや割れ、積層膜の剥離の発生
を防止でき、生産性の向上と安定化をはかることができ
る。また、磁気−電気変換に磁気抵抗効果を利用した、
ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔ Ｒｅ５ｉｓｔｉｖａ ）へ、７ド
の場合、ＭＲ素子の生成時に基板が反っている場合には
、残留する応力によって磁歪現象が発生し変換効率が変
化するなど、ヘッドの電気的特性が不安定となるのでこ
の場合にも本発明の効果によって特性の安定化をはかる
ことができる。
基板を用いた薄膜ヘッドの製造法によれば、薄膜の積層
によって生じる応力を分散することが可能となり、応力
によって生じる基板の反シや割れ、積層膜の剥離の発生
を防止でき、生産性の向上と安定化をはかることができ
る。また、磁気−電気変換に磁気抵抗効果を利用した、
ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔ Ｒｅ５ｉｓｔｉｖａ ）へ、７ド
の場合、ＭＲ素子の生成時に基板が反っている場合には
、残留する応力によって磁歪現象が発生し変換効率が変
化するなど、ヘッドの電気的特性が不安定となるのでこ
の場合にも本発明の効果によって特性の安定化をはかる
ことができる。
第１図（ＩＬ）は本発明の一実施例における薄膜ヘッド
の製造方法の基板の平面図、第１図（ｂ）は同側面図、
第１図（Ｃ）は第１図（ｂ）の要部拡大側面図、第２図
は本発明の薄膜が積層された基板を示す要部拡大断面図
、第３図は同本実施列の工程を示す基板の断面図、第４
図は同各実施列、比較列より成る基板の反シの評価結果
を示す特性図である。 ３１・・・・・・感光性ガラス、３２・・・・・・フォ
トレジスト、３４２Ｌ 、ｓ４ｂ・・・・・・紫外線ラ
ンプ、３６・・・・・・溝、３ ｅ−＝・ＳｉＯ２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （ａン Ｑ ” Ｑ） 、＋１：ノ弓−”
” −”１１ １、：
の製造方法の基板の平面図、第１図（ｂ）は同側面図、
第１図（Ｃ）は第１図（ｂ）の要部拡大側面図、第２図
は本発明の薄膜が積層された基板を示す要部拡大断面図
、第３図は同本実施列の工程を示す基板の断面図、第４
図は同各実施列、比較列より成る基板の反シの評価結果
を示す特性図である。 ３１・・・・・・感光性ガラス、３２・・・・・・フォ
トレジスト、３４２Ｌ 、ｓ４ｂ・・・・・・紫外線ラ
ンプ、３６・・・・・・溝、３ ｅ−＝・ＳｉＯ２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （ａン Ｑ ” Ｑ） 、＋１：ノ弓−”
” −”１１ １、：
Claims (3)
- （１）一枚の基板上にマトリックス状に複数個の薄膜ヘ
ッドを形成した後、上記基板を分割して複数個のヘッド
チップを作製する際に、予めその表面上に上記分割ライ
ンに合わせて溝を形成した基板を用いることを特徴とす
る薄膜ヘッドの製造方法。 - （２）基板が感光性ガラスであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の薄膜ヘッドの製造方法。 - （３）形成した溝の形が略台形状であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18611985A JPS6246413A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 薄膜ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18611985A JPS6246413A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 薄膜ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246413A true JPS6246413A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16182692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18611985A Pending JPS6246413A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 薄膜ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246413A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152916U (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | ||
| EP0726567A2 (en) * | 1995-02-08 | 1996-08-14 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor layer structure as a recording medium |
-
1985
- 1985-08-24 JP JP18611985A patent/JPS6246413A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152916U (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | ||
| EP0726567A2 (en) * | 1995-02-08 | 1996-08-14 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor layer structure as a recording medium |
| EP0726567A3 (en) * | 1995-02-08 | 1996-11-13 | Hewlett Packard Co | Structure with semiconductor layer as recording medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0006269A1 (en) | Elements for magnetic heads, magnetic heads manufactured with these elements, methods for producing both | |
| US4464459A (en) | Method of forming a pattern of metal elements | |
| JPS6246413A (ja) | 薄膜ヘツドの製造方法 | |
| JPS61208842A (ja) | 半導体ウエハ支持基板 | |
| JPH064829A (ja) | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JP3371660B2 (ja) | 複合型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3500813B2 (ja) | 半導体ウエハの切断方法 | |
| JPH087222A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH05314448A (ja) | ボンディングパッド及びボンディングパッド部の形成方法 | |
| JPS62119715A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0476809A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2649209B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2664380B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2633122B2 (ja) | 接続端子への金パットの形成方法 | |
| JPH02123511A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS58102975A (ja) | 表示パネル用電極基板の製造方法 | |
| JPS5941872B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPH04281205A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2533088B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPH04360005A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS60171281A (ja) | グレ−ズドセラミツク基板 | |
| JPS6387608A (ja) | 薄膜コイルの製造方法 | |
| JPH04111211A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0223955B2 (ja) | ||
| JPS60227459A (ja) | 集積回路装置 |